TWI694001B - 玻璃基板、積層基板、積層基板之製造方法、積層體、捆包體及玻璃基板之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之玻璃基板係藉由與含有矽之基板積層而供形成積層基板之玻璃基板，上述玻璃基板具有凹面與凸面，且具有能識別上述凹面與上述凸面之標記。

Description

玻璃基板、積層基板、積層基板之製造方法、積層體、捆包體及玻璃基板之製造方法
本發明係關於一種玻璃基板、積層基板、積層基板之製造方法、積層體、捆包體、及玻璃基板之製造方法。
於半導體裝置之領域中，一方面，裝置之積體度在增加，另一方面，小型化在進展。伴隨此，對具有高積體度之裝置之封裝技術之要求有所提高。於此前之半導體組裝步驟中，將晶圓狀態之玻璃基板與含有矽之基板分別切斷之後，將上述玻璃基板與上述含有矽之基板貼合，執行晶片接合、打線接合、及模製等一連串的組裝步驟。
近年來，於實物尺寸之晶圓狀態下將玻璃基板與含有矽之基板貼合而執行組裝步驟之後進行切斷的晶圓級封裝技術受到關注。例如，於專利文獻1中，提出用於晶圓級封裝之支持玻璃基板。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2015/037478號
於玻璃基板之製造中，完全平坦之玻璃不易以量產水平而製造，存在會製造出具有起伏之玻璃基板之問題。於晶圓級封裝中，在將玻璃基板與含有矽之基板貼合而形成積層基板之步驟中，若玻璃基 板具有起伏，則產生如下問題：在上述玻璃基板與上述含有矽之基板之間出現間隙從而氣泡易進入。
因此，本發明提供一種在將玻璃基板與含有矽之基板貼合而形成積層基板之步驟中，氣泡不易進入上述玻璃基板與上述含有矽之基板之間的玻璃基板、積層基板、積層基板之製造方法、積層體、捆包體、及玻璃基板之製造方法。
本發明之玻璃基板之特徵在於，其係藉由與含有矽之基板積層而供形成積層基板之玻璃基板，上述玻璃基板具有凹面與凸面，且具有能識別上述凹面與上述凸面之標記。
本發明之積層基板之特徵在於，其係藉由將上述玻璃基板之凸面與含有矽之基板積層而形成。
本發明之積層基板之製造方法之特徵在於具有以下步驟：將上述玻璃基板之包含凸面或凹面之曲面、與含有矽之基板之包含凸面或凹面之曲面以曲面相互仿形之方式而貼合。
本發明之積層體之特徵在於，藉由將另一玻璃基板貼合於構成上述積層基板之玻璃基板上而形成。
本發明之捆包體之特徵在於，其係將2塊以上之上述玻璃基板捆包而形成，且以使上述玻璃基板中之一玻璃基板之凸面與另一玻璃基板之凹面對向之方式進行捆包。
或，本發明之捆包體之特徵在於，其係將2塊以上之上述積層基板捆包而形成，且以使構成上述積層基板中之一積層基板之含有矽之基板、與構成另一積層基板之玻璃基板之凹面對向之方式進行捆包。
或，本發明之捆包體之特徵在於，其係將2塊以上之上述積層體捆包而形成，且以使構成上述積層體中之一積層體之含有矽之基板、與構成另一積層體之玻璃基板之凹面對向之方式進行捆包。
本發明之玻璃基板之製造方法，該玻璃基板係藉由與含有矽之基板積層而供形成積層基板者，上述玻璃基板之製造方法包括：熔解步驟，將玻璃原料加熱而獲得熔融玻璃；成形步驟，使上述熔融玻璃為板狀而獲得玻璃帶；緩冷步驟，使上述玻璃帶緩冷；切斷步驟，將上述玻璃帶切斷而獲得玻璃基板；檢查步驟，判別上述玻璃基板之凹面與凸面；及於上述凹面及上述凸面中之至少一者上標註標記之步驟。
根據本發明之玻璃基板、積層基板、積層基板之製造方法、積層體、捆包體、及玻璃基板之製造方法，在將玻璃基板與含有矽之基板貼合而形成積層基板之步驟中，氣泡不易進入上述玻璃基板與上述含有矽之基板之間。
10‧‧‧含有矽之基板
20‧‧‧樹脂
30‧‧‧積層基板
110‧‧‧支持構件
120‧‧‧支持構件
130‧‧‧標記
140‧‧‧標記
150‧‧‧標記
160‧‧‧標記
210‧‧‧標記
220‧‧‧標記
230‧‧‧標記
240‧‧‧標記
320‧‧‧標記
330‧‧‧標記
500‧‧‧捆包體
610‧‧‧積層基板
620‧‧‧積層基板
640‧‧‧含有矽之基板
F‧‧‧重心
G1‧‧‧玻璃基板
G1A‧‧‧凹面
G1B‧‧‧凸面
G2‧‧‧玻璃基板
G2A‧‧‧凹面
G2B‧‧‧凸面
G3‧‧‧玻璃基板
G3A‧‧‧凹面
G3B‧‧‧凸面
G5B‧‧‧凸面
G6A‧‧‧凹面
G8‧‧‧玻璃基板
G8A‧‧‧凹面
I‧‧‧重心
J‧‧‧重心
K‧‧‧重心
L‧‧‧線
M‧‧‧線
O‧‧‧重心
R‧‧‧重心
S‧‧‧距離
T‧‧‧距離
圖1(A)及圖1(B)表示與含有矽之基板貼合的本發明之第一實施形態之玻璃基板，圖1(A)表示貼合前之剖視圖，圖1(B)表示貼合後之剖視圖。
圖2(A)~(C)表示本發明之第一實施形態之玻璃基板，圖2(A)表示頂視圖，圖2(B)表示底視圖，圖2(C)表示剖視圖。
圖3(A)~(C)表示形成有凹口作為標記之玻璃基板，圖3(A)表示頂視圖，圖3(B)表示底視圖，圖3(C)表示剖視圖。
圖4(A)及圖4(B)表示顯示有使本發明之第一實施形態之玻璃基板與含有矽之基板貼合之狀況之剖視圖。
圖5(A)~(C)表示藉由支持構支持本發明之第一實施形態之玻璃基板時之狀況，圖5(A)表示俯視圖，圖5(B)及圖5(C)表示剖視圖。
圖6(A)~(C)表示藉由支持構件支持本發明之第一實施形態之玻璃基板時之狀況，圖6(A)表示俯視圖，圖6(B)及圖6(C)表示剖視圖。
圖7(A)~(C)表示本發明之第二實施形態之玻璃基板，圖7(A)表示頂視圖，圖7(B)表示底視圖，圖7(C)表示剖視圖。
圖8(A)~(C)表示本發明之第三實施形態之玻璃基板，圖8(A)表示頂視圖，圖8(B)表示底視圖，圖8(C)表示剖視圖。
圖9(A)~(C)表示本發明之第三實施形態之玻璃基板，圖9(A)表示頂視圖，圖9(B)表示底視圖，圖9(C)表示剖視圖。
圖10表示本發明之一實施形態之捆包體之剖視圖。
圖11表示本發明之一實施形態之捆包體之剖視圖。
圖12(a)及圖12(b)表示用以說明積層基板之製造步驟中玻璃基板之曲面與含有矽之基板之曲面之關係的剖視圖。
以下，參照圖示對本發明之一實施形態詳細地進行說明。
首先，對本發明之第一實施形態之玻璃基板進行說明。圖1(A)及圖1(B)係與含有矽之基板貼合的本發明之第一實施形態之玻璃基板之剖視圖。
圖1(A)所示之本發明之第一實施形態之玻璃基板G1係與含有矽之基板10經由樹脂20而於例如環境200℃~400℃之溫度下貼合，獲得圖1(B)所示之積層基板30。
作為含有矽之基板10，使用例如實物尺寸之晶圓(例如矽晶圓)。
又，含有矽之基板10可為形成有元件之晶圓、使自晶圓上切取元件後所得之晶片(例如矽晶片)由樹脂鑄模而成之基板等，亦可包含除矽晶圓或矽晶片等矽基板、與TGV(Through Glass Via，玻璃通孔)等玻璃基板或樹脂基板等矽基板以外者。該情形時，矽基板與玻璃基板例如藉由銅等而配線連接。
樹脂20例如係耐200~400℃之溫度者。
本發明之第一實施形態之玻璃基板適宜作為扇出型之晶圓級封裝用之支持玻璃基板。又，適宜作為晶圓級封裝之元件之小型化有效的MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統)、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金氧半導體)、CIS(CMOS Image Sensor，CMOS影像感測器)等影像感測器用之玻璃基板、玻璃中介層(GIP，Glass Interposer)之開孔基板、及半導體背面研磨用支持玻璃。
本發明之第一實施形態之玻璃基板無起伏，且具有一主表面為凹面、對向之另一主表面為凸面之曲面。
再者，本發明中提及之凸面或凹面係指使用SEMI(中國光伏標準技術委員會)規格而識別宏觀的曲面為凸面或凹面。因此，上述第一實施形態之玻璃基板之「無起伏」並非係指玻璃基板上連微觀的起伏亦不存在。
具體而言，本發明中提及之凸面或凹面使用SEMI規格之BOW(MF534)或WARP(MF657、MF1390)而識別凸面或凹面即可。於一定之翹曲之情形時使用BOW即可，於存在起伏之情形時使用WARP即可。
BOW係以未吸附固定之狀態之基板上之，基板中心面之距某指定之基準面的距離表示。將基準面側設為凹面，將與凹面相反側之面設為凸面。基準面係由基板之板厚中心線決定。
WARP係以未吸附固定之狀態之基板上之，相對於某指定之基準面而言，基準面與基板中心面之距離的最大值與最小值之差表示。基準面藉由最小平方法決定，且以使其最大值與最小值之差成為最小之方式而設定基板中心面。將最大值所在之側設為凸面，將最小值所在之面設為凹面。
根據宏觀之觀點，凸面並無成為凹陷般之反翹曲。再者，凸面之曲率較佳為較小而不會使積層基板較大地翹曲。因此，與含有矽之基板積層時難以判別哪一個為凹面哪一個為凸面，從而需要能識別凹面與凸面之標記。
圖2(A)~(C)表示本發明之第一實施形態之玻璃基板G1，圖2(A)係頂視圖，圖2(B)係底視圖，圖2(C)係剖視圖。
本發明之第一實施形態之玻璃基板G1之特徵在於，其係藉由與含有矽之基板積層而用以形成積層基板之玻璃基板，玻璃基板G1具有凹面G1A與凸面G1B，且具有能識別凹面G1A與凸面G1B之標記。若具有能識別凹面G1A與凸面G1B之標記，則能識別玻璃基板G1之凹面G1A與凸面G1B，在將玻璃基板G1與含有矽之基板貼合而形成積層基板之步驟中，藉由使玻璃基板G1之凸面G1B與含有矽之基板貼合，而使氣泡不易進入玻璃基板G1與含有矽之基板之間。若有氣泡進入，則構成積層基板之含有矽之基板之平坦度變差，且於對含有矽之基板進行研磨之步驟中，含有矽之基板之板厚偏差變大，於其後之步驟中難以圖案化。又，於對積層基板進行加熱時氣泡膨脹，從而玻璃基板與含有矽之基板容易剝離。本發明之第一實施形態之玻璃基板G1於積層時，氣泡不易進入玻璃基板G1與含有矽之基板之間。因此，構成積層基板之含有矽之基板之平坦度較佳，且於對含有矽之基板進行研磨之步驟中，含有矽之基板之板厚偏差較小，於其後之步驟中容易圖案化。又，即便對積層基板進行加熱，玻璃基板與含有矽之基板亦不易剝離。
本發明之第一實施形態之玻璃基板G1較佳為，包含：2個標記130、140，其等形成於凹面G1A，識別凹面G1A與凸面G1B，且形狀互不相同；及2個標記150、160，其等形成於凸面G1B，識別凹面G1A與凸面G1B，對應於與凹面G1A之2個標記130、140分別對向之位 置，且與凹面G1A之標記為相同形狀；並且，將凸面G1B之2個標記150、160彼此於凸面G1B上以成為最短之方式連結而成之線L不通過凸面G1B上之重心F。其目的在於，可更確實地識別下述之凹面G1A及凸面G1B。如此，能藉由標記150、160、130、140而識別玻璃基板G1之凹面G1A與凸面G1B。
標記例如可為塗料，亦可為藉由雷射等而刻出之凹陷。再者，所謂“包含：2個標記130、140，其等形成於凹面G1A，且形狀互不相同；及2個標記150、160，其等形成於凸面G1B，對應於與凹面G1A之2個標記130、140分別對向之位置，且與凹面G1A之標記為相同形狀”係指凹面G1A之2個標記130、140貫通於凸面G1B而形成，亦可構成凹面G1B之2個標記150、160。作為此種標記，可舉出藉由雷射等而形成之貫通孔、形成於玻璃基板G1之端的凹口或定向平面(以下，稱為ori-fla)等缺口。
所謂ori-fla係將玻璃基板之端以圓弧狀切去後所形成之缺口。所謂凹口係形成於玻璃基板之端的V字形或U字形之缺口。圖3(A)~(C)表示形成有凹口作為標記之玻璃基板，圖3(A)係頂視圖，圖3(B)係底視圖，圖3(C)係剖視圖。
缺口例如可藉由雷射而檢測出存在於玻璃基板G1之哪個位置。又，缺口亦可藉由利用相機拍攝玻璃基板且進行圖像解析而檢測出。因標記為缺口，故而，當於含有矽之基板10上形成電路圖案時，可對照缺口而特定出含有矽之基板10之位置或角度，且可抑制電路圖案之尺寸偏移。
如圖3(A)~(C)般，若缺口為凹口，則玻璃基板G1之損失面積較少，從而易與含有矽之基板10貼合。若缺口為ori-fla，則易形成缺口，且易檢測出缺口之位置。
標記較佳為存在於距玻璃基板G1之端20mm以內之區域。若為距 玻璃基板G1之端20mm以內之區域，則即便有標記亦不會與含有矽之基板上所形成之電路圖案產生干擾。標記之位置更佳為存在於距玻璃基板G1之端10mm以內之區域，更佳為存在於距玻璃基板G1之端5mm以內之區域，特佳為存在於玻璃基板之端。
標記較佳為將玻璃基板G1之端面切去而形成。作為此種標記，可舉出上述之凹口或ori-fla等。
此處，對凹面G1A與凸面G1B之識別方法進行說明。例如圖2(A)般，具有形狀不同之2個標記150、160，且標記150較標記160大。此處，標記150、160為圓形之貫通孔，且標記150與標記130、標記160與標記140分別相同。
例如，在使凸面G1B為正面之圖2(A)中，於自標記150相對於玻璃基板G1之凸面G1B上之重心F逆時針旋轉未達180°之區域[圖2(A)之θ未達180°]形成標記160。該情形時可知，若於自標記150相對於玻璃基板G1之凸面G1B上之重心F逆時針旋轉未達180°之區域(θ未達180°)存在有標記160，則為凸面G1B，若為如圖2(B)般於自標記150相對於玻璃基板G1之重心I逆時針旋轉超出180°之區域(θ超出180°)存在有標記160，則為凹面G1A。
此處，若於θ成為180°之位置形成標記160則無法識別凹面G1A與凸面G1B。當於θ成為180°之位置形成標記160時，將凸面G1B上之2個標記150、160彼此於凸面G1B上以成為最短之方式連結而成之線通過凸面G1B上之重心F。
本發明之第一實施形態之玻璃基板G1較佳為將凸面G1B之2個標記150、160彼此以成為最短之方式連結而成之線不通過凸面上之重心F。藉由形成此種標記150、160而使θ不會成為180°，從而能識別凹面G1A與凸面G1B。
將凸面G1B之2個標記150、160彼此以成為最短之方式連結而成 之線較佳為不通過凸面上之距重心F 1mm之區域，更佳為不通過距重心F 5mm之區域，進而更佳為不通過距重心F 10mm之區域。標記150、160之位置例如可藉由利用相機拍攝玻璃基板G1之凸面G1B且進行圖像解析而進行特定。
圖4(A)~(B)係表示將本發明之第一實施形態之玻璃基板、與含有矽之基板貼合之狀況之剖視圖。
圖4(A)表示以使玻璃基板G1之凸面G1B成為貼合面之方式將玻璃基板G1經由樹脂20而與含有矽之基板10貼合之狀況。如此將玻璃基板G1與含有矽之基板10貼合之後，玻璃基板G1與含有矽之基板10之間不易產生間隙，故氣泡不易進入。
圖4(B)係藉由將玻璃基板G1之凸面G1B與含有矽之基板10經由樹脂20貼合而形成之積層基板30。於藉由如此將玻璃基板G1與含有矽之基板10貼合所形成之積層基板30中，氣泡不易進入玻璃基板G1與含有矽之基板10之間。又，玻璃基板G1與含有矽之基板10上不易產生殘留應力，從而不易引起破裂或缺損。進而，配線上難以產生應力，配線不易斷線。
圖5(A)~(C)及圖6(A)~(C)表示藉由支持構件支持本發明之第一實施形態之玻璃基板時之狀況。圖5(A)及圖6(A)係俯視圖，圖5(B)及圖5(C)以及圖6(B)及圖6(C)係剖視圖。圖5(B)及圖6(B)係支持凸面G1B時之剖視圖，圖5(C)及圖6(C)係支持凹面G1A時之剖視圖。
本發明之第一實施形態之玻璃基板G1較佳為如圖5(A)般藉由支持構件110以4點支持。因接觸面積變少等，可防止於保管及搬運玻璃基板G1時灰塵等對玻璃基板G1表面之污染。
該情形時，玻璃基板G1因自重而彎曲，故如圖5(B)般若玻璃基板G1之凸面G1B藉由支持構件110支持並保管及搬運，則玻璃基板G1容易因彎曲而變形。另一方面，如圖5(C)般若玻璃基板G1之凹面G1A 藉由支持構件110支持並保管及搬運，則玻璃基板G1不易變形，故較佳。
如圖6(A)~(C)般，玻璃基板G1亦可藉由支持構件120以2邊支持。因玻璃基板G1以2邊受到支持，故而可穩定地保管及搬運。又，可防止於保管及搬運玻璃基板G1時灰塵等對玻璃基板G1表面之污染。如圖6(C)般支持玻璃基板G1之凹面G1A時，玻璃基板G1不易變形，故更佳。
本發明之第一實施形態之玻璃基板G1中，將玻璃基板G1設置成使凹面G1A與水平面相接時，在將玻璃基板之厚度設為V(單位：mm)，將凸面G1B之重心與水平面之最短距離設為U(單位：mm)時，U/V較佳為0.05~50。若U/V為0.05以上，則於將玻璃基板G1與含有矽之基板貼合而形成積層基板之步驟中，藉由將玻璃基板G1之凸面G1B與含有矽之基板貼合而使得氣泡不易進入玻璃基板G1與含有矽之基板之間。U/V更佳為1以上，進而更佳為5以上。若U/V為50以下，則易使玻璃基板G1與含有矽之基板貼合。U/V更佳為30以下，進而更佳為10以下。
其次，對本發明之第二實施形態之玻璃基板進行說明。
圖7(A)~(C)表示本發明之第二實施形態之玻璃基板G2，圖7(A)係頂視圖，圖7(B)係底視圖，圖7(C)係剖視圖。
本發明之第二實施形態之玻璃基板G2較佳為，能識別凹面G2A與凸面G2B之標記包含：2個標記230、240，其等形成於凹面G2A，且距凹面G2A上之重心之距離互不相同；及2個標記210、220，其等形成於凸面G2B，對應於與凹面G2A之2個標記230、240分別對向之位置，且與凹面G2A之標記230、240為相同形狀；且將凸面G2B之2個標記210、220彼此於凸面G2B上以成為最短之方式連結而成之線M不通過凸面G2B上之重心J。若滿足該條件，則藉由標記210、220、 230、240而可更確實地識別玻璃基板G2之凹面G2A與凸面G2B。
此處，對凹面G2A與凸面G2B之識別方法進行說明。例如圖7(A)及圖7(B)般，於玻璃基板G2之凹面G2A上具有距凹面G2A上之重心K之距離S、T不同之2個標記230、240，且標記230較標記240更靠近重心K。此處，標記210、220為圓形之貫通孔，標記210與標記230、標記220與標記240設為相同。
於使凸面G2B為正面之圖7(A)中，於自標記210相對於玻璃基板G2之重心J逆時針旋轉未達180°之區域[圖7(A)之θ未達180°]形成標記220，藉此可知，若於自標記210相對於玻璃基板G2之重心J逆時針旋轉未達180°之區域(θ未達180°)存在有標記220，則為凸面G2B，若為如圖7(B)般於自標記210相對於玻璃基板G2之重心K逆時針旋轉超出180°之區域(θ超出180°)存在有標記220，則為凹面G2A。
此處，若於θ成為180°之位置形成標記220則無法識別凹面G2A與凸面G2B。該情形時，將凸面G2B上之2個標記210、220彼此以成為最短之方式連結而成之線通過凸面G2B上之重心J。
本發明之第二實施形態之玻璃基板G2中，將凸面G2B之2個標記210、220彼此於凸面G2B上以成為最短之方式連結而成之線不通過凸面上之重心J。藉由形成此種標記210、220而能識別凹面G2A與凸面G2B。
將凸面G2B之2個標記210、220彼此於凸面G2B上以成為最短之方式連結而成之線較佳為不通過凸面上之距重心J 1mm之區域，更佳為不通過距重心J 5mm之區域，進而更佳為不通過距重心J 10mm之區域。標記210、220之位置例如藉由利用相機拍攝玻璃基板G2之凸面G2B且進行圖像解析而可特定出。
其次，對本發明之第三實施形態之玻璃基板進行說明。
圖8(A)~(C)及圖9(A)~(C)表示本發明之第三實施形態之玻璃基 板G3，圖8(A)及圖9(A)係頂視圖，圖8(B)及圖9(B)係底視圖，圖8(C)及圖9(C)係剖視圖。
本發明之第三實施形態之玻璃基板G3中，能識別凹面G3A與凸面G3B之標記係形成於凹面G3A或凸面G3B中之至少一者之標記，凹面G3A之標記與凸面G3B之標記較佳為彼此之標記之數量、形狀、及距重心之距離中之至少一者不同。
圖8(A)~(C)中，凹面G3A上之標記與凸面G3B上之標記之數量不同。所謂標記之數量不同，亦包含於凹面G3A上或凸面G3B上之任一者無標記之情形。圖8(A)~(C)中，於凹面G3A上具有標記310，且於凸面G3B上不具有標記。以使凹面G3A上之標記與凸面G3B上之標記之數量不同之方式形成標記，藉此，若預先決定於凹面G3A上與凸面G3B上分別形成多少標記，則可藉由測定凹面G3A上之標記與凸面G3B上之標記之數量而判別凹面G3A與凸面G3B。
圖9(A)~(C)中，凹面G3A上之標記330與凸面G3B上之標記320之形狀與距重心R、O之距離Q、P不同。以使凹面G3A上之標記330與凸面G3B上之標記320之形狀不同之方式形成標記，藉此，若預先決定於凹面G3A上與凸面G3B上分別形成何種形狀之標記，則可藉由測定凹面G3A上之標記與凸面G3B上之標記之形狀而判別凹面G3A與凸面G3B。此處，當凹面G3A與凸面G3B中之至少一者上具有2個以上之標記之情形時，只要所有標記中之至少1者之形狀與其他標記之形狀不同即可。
進而，以使凹面G3A上之標記330與凸面G3B上之標記320之距重心R、O之距離Q、P不同之方式形成標記，藉此，若預先決定於凹面G3A上與凸面G3B上之各者之何處形成標記，則可藉由測定凹面G3A上之標記330與凸面G3B上之標記320之距重心R、O之距離Q、P而判別凹面G3A與凸面G3B。當凹面G3A與凸面G3B中之至少一者上具有2 個以上之標記之情形時，只要所有標記中之至少1個標記至重心之距離、與其他標記至重心之距離不同即可。
以上說明之本實施形態之玻璃基板中，能識別玻璃基板之凹面與凸面，藉此，在將玻璃基板與含有矽之基板貼合之步驟中，能分清玻璃基板之凸面而將玻璃基板之凸面與含有矽之基板貼合，故氣泡不易進入玻璃基板與含有矽之基板之間。
本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為標記中之至少1者為凹陷。藉由以凹陷形成標記而容易進行標記位置之檢測，且可容易地識別玻璃基板之哪一主表面為凸面。凹陷例如可藉由雷射而形成。凹陷之形狀、大小、及個數並未限定。可為圓形、橢圓形、多角形等任何形狀，亦可為文字或記號。
本發明之一實施形態之玻璃基板中，於標記為凹陷之情形時，凹陷之深度較佳為1~50μm。若凹陷之深度為1μm以上，則易檢測出凹陷。凹陷之深度較佳為3μm以上，更佳為4μm以上。若凹陷之深度為50μm以下，則玻璃基板不易破裂。凹陷之深度更佳為20μm以下，進而更佳為10μm以下。
表示上述數值範圍之「~」係包含記載於其前後之數值作為下限值及上限值而使用，於以下本說明書中，只要無特別規定，則「~」以相同之含意而使用。
本發明之一實施形態之玻璃基板中，一主表面之面積較佳為70~2000cm2。若玻璃基板之面積為70cm2以上，則可配置包含多數之矽元件之含有矽之基板，且於使玻璃基板與含有矽之基板積層之步驟中生產性提高。玻璃基板之一主表面之面積更佳為80cm2以上，進而更佳為170cm2以上，特佳為300cm2以上，最佳為700cm2以上。若玻璃基板之一主表面之面積為2000cm2以下，則玻璃基板之操作變得容易，可抑制因與含有矽之基板或周邊構件等之接觸而導致的破損。一 主表面之面積更佳為1700cm2以下，進而更佳為1000cm2以下，特佳為800cm2以下，最佳為750cm2以下。
本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為圓形。若為圓形，則容易進行與含有矽之基板之積層。尤其容易進行與圓形之含有矽之基板之積層。此處，圓形並不限於正圓，還包含相對於直徑相同之正圓起之尺寸差為50μm以下之情形。
於本發明之一實施形態之玻璃基板為圓形之情形時，直徑較佳為7cm以上。若直徑為7cm以上，則可配置包含多數之矽元件之含有矽之基板。又，可由藉由將直徑為7cm以上之玻璃基板與含有矽之基板貼合所形成之積層基板而獲得較多之半導體元件，從而生產性提高。直徑較佳為10cm以上，更佳為15cm以上，特佳為20cm以上，最佳為25cm以上。
直徑較佳為50cm以下。若直徑為50cm以下，則玻璃基板之操作變得容易，可抑制因與含有矽之基板或周邊構件等之接觸而導致的破損。直徑更佳為45cm以下，進而更佳為40cm以下，特佳為35cm以下。
本發明之一實施形態之玻璃基板並不限於圓形，亦可為矩形。於圓形之情形時，外周之一部分亦可為直線。若為矩形，則與相同面積之圓形之情形相比，可由藉由與含有矽之基板貼合所形成之積層基板而獲得較多之半導體元件，從而生產性提高。
本發明之一實施形態之玻璃基板之厚度較佳為2.0mm以下。若厚度為2.0mm以下，則可將玻璃基板與含有矽之基板貼合後之積層基板薄板化。厚度更佳為1.5mm以下，進而更佳為1.0mm以下，特佳為0.8mm以下。
厚度較佳為0.1mm以上。若厚度為0.1mm以上，則可抑制因與含有矽之基板或周邊構件等之接觸而導致的破損。又，可抑制玻璃基 板之自重彎曲。厚度更佳為0.2mm以上，進而更佳為0.3mm以上。
本發明之一實施形態之玻璃基板中，板厚偏差較佳為15μm以下。板厚偏差係藉由例如以雷射位移計測定板厚而計算出。若板厚偏差為15μm以下，則與含有矽之基板之貼合面之整合性較佳，故易將玻璃基板與含有矽之基板貼合。板厚偏差更佳為12μm以下，進而更佳為10μm以下，特佳為5μm以下。
本發明之一實施形態之玻璃基板之楊氏模數較佳為65GPa以上。楊氏模數例如係藉由超音波脈衝法而測定。若楊氏模數為65GPa以上，則可抑制於製造玻璃基板時之緩冷步驟中產生之玻璃基板之翹曲或破裂。又，可抑制因與含有矽之基板等之接觸而導致的破損。楊氏模數更佳為70GPa以上，進而更佳為75GPa以上，特佳為80GPa以上。
楊氏模數較佳為100GPa以下。若楊氏模數為100GPa以下，則可抑制玻璃變脆，從而抑制玻璃基板之切削、切割時之缺損。楊氏模數更佳為90GPa以下，進而更佳為87GPa以下。
本發明之一實施形態之玻璃基板中，於50℃~350℃下之平均熱膨脹係數較佳為30~140(×10-7/℃)。將含有矽之基板與玻璃基板貼合時，必須執行熱處理步驟。
於熱處理步驟中，例如於200℃~400℃之溫度下使將含有矽之基板與玻璃基板貼合而成之積層基板降溫至室溫。此時，若玻璃基板與含有矽之基板之熱膨脹係數存在差，則其會成為因熱膨脹率之不同而於含有矽之基板上產生較大之殘留應變(殘留變形)之原因。
若於50℃~350℃下之平均熱膨脹係數為30~140(×10-7/℃)，則在將含有矽之基板與玻璃基板貼合之熱處理步驟中，於含有矽之基板上產生之殘留應變較小。
此處，50℃~350℃之平均熱膨脹係數係以JIS R3102(1995年)中 所規定之方法測定且測定熱膨脹係數之溫度範圍為50℃~350℃之平均熱膨脹係數。
本發明之一實施形態之玻璃基板在用作扇出型之晶圓級封裝之情形時，將含有矽之基板積層於玻璃基板上，且以與玻璃基板及含有矽之基板相接之方式形成樹脂。若於50℃~350℃下之平均熱膨脹係數為30~50(×10-7/℃)，則於熱處理步驟中於含有矽之基板上產生之殘留應變較小。
於50℃~350℃下之平均熱膨脹係數可為31~50(×10-7/℃)，亦可為32~40(×10-7/℃)，亦可為32~36(×10-7/℃)，還可為34~36(×10-7/℃)。
又，若於50℃~350℃下之平均熱膨脹係數為50~80(×10-7/℃)，則於熱處理步驟中於含有矽之基板與樹脂上產生之殘留應變變小。
於50℃~350℃下之平均熱膨脹係數亦可為60~75(×10-7/℃)，還可為67~72(×10-7/℃)。
又，若於50℃~350℃下之平均熱膨脹係數為80~120(×10-7/℃)，則於樹脂或配線上產生之殘留應變較小。50℃~350℃下之平均熱膨脹係數亦可為85~100(×10-7/℃)，還可為90~95(×10-7/℃)。
若於50℃~350℃下之平均熱膨脹係數為120~140(×10-7/℃)，則扇出型之晶圓級封裝中之樹脂之比率較多，且於具有較高平均熱膨脹係數之基板上產生之殘留應變較小。
於50℃~350℃下之平均熱膨脹係數亦可為120~135(×10-7/℃)，還可為125~130(×10-7/℃)。
本發明之一實施形態之玻璃基板較佳為於玻璃基板之凹面或凸面中之至少一者形成遮光膜。藉由於玻璃基板之凹面或凸面中之至少一者形成遮光膜，從而，於玻璃基板或積層基板之檢查步驟中，易檢測出玻璃基板或積層基板之位置。位置係由對玻璃基板或積層基板照 射光所產生之反射光而特定出。玻璃基板易使光透過，故藉由於玻璃基板之主表面形成遮光膜而使反射光變強，從而易檢測出位置。遮光膜較佳為含有Ti。
本發明之一實施形態之玻璃基板中，以氧化物基準之莫耳百分率表示時，較佳為含有0~0.1%之鹼金屬氧化物。此處，鹼金屬氧化物係Li2O、Na2O、K2O等。鹼金屬氧化物之含量以氧化物基準之莫耳百分率表示時若為0.1%以下，則在將含有矽之基板與玻璃基板貼合之熱處理步驟中，鹼離子不易擴散至矽基板。
鹼金屬氧化物之含量以氧化物基準之莫耳百分率表示時較佳為0.05%以下，更佳為0.02%以下，特佳為實質上不含有。此處，所謂實質上不含有鹼金屬氧化物係指完全不含有鹼金屬氧化物、或亦可將鹼金屬氧化物作為製造上不可避免地混入之雜物而含有。
本發明之一實施形態之玻璃基板之密度較佳為2.60g/cm3以下。若密度為2.60g/cm3以下，則玻璃基板輕量。又，玻璃基板不易因自重而彎曲。密度更佳為2.55g/cm3以下，進而更佳為2.50g/cm3以下。
密度較佳為2.20g/cm3以上。若密度為2.20g/cm3以上，則玻璃之維氏硬度變高，玻璃表面不易受損傷。密度更佳為2.30g/cm3以上，進而更佳為2.40g/cm3以上，特佳為2.45g/cm3以上。
對於本發明之一實施形態之玻璃基板，波長250nm之透過率較佳為10%以上。藉由紫外線通過玻璃基板照射至樹脂而將玻璃基板自積層基板剝離。對於玻璃基板，若波長250nm之透過率為10%以上，則照射至樹脂之紫外線變多，使玻璃基板容易自積層基板剝離。波長250nm之透過率更佳為15%以上，進而更佳為20%以上。
對於本發明之一實施形態之玻璃基板，波長300nm之透過率較佳為45%以上。對於玻璃基板，若波長300nm之透過率為45%以上，則照射至樹脂之紫外線變多，使玻璃基板容易自積層基板剝離。波長 300nm之透過率更佳為50%以上，進而更佳為55%以上，特佳為60%以上。
本發明之一實施形態之玻璃基板之波長350nm之透過率較佳為45%以上。若玻璃基板之波長350nm之透過率為45%以上，則照射至樹脂之紫外線變多，使玻璃基板容易自積層基板剝離。波長350nm之透過率更佳為50%以上，進而更佳為55%以上，特佳為60%以上。
本發明之一實施形態之玻璃基板中，長徑200μm以上之氣泡或異物等之缺陷較佳為10pcs/cm2以下。長徑200μm以上之缺陷若為10pcs/cm2以下，則於貼合步驟中照射之光不會被遮擋，從而易貼合。長徑200μm以上之缺陷更佳為2pcs/cm2以下，特佳為不存在長徑200μm以上之缺陷。
本發明之一實施形態之玻璃基板中，較佳為藉由將玻璃基板之凸面與含有矽之基板貼合而形成積層基板。藉由如此般形成積層基板，從而，在將玻璃基板與含有矽之基板貼合之步驟中，氣泡不易進入玻璃基板與含有矽之基板之間。又，以使玻璃基板之凹面藉由支持構件支持之方式保管及搬運積層基板，藉此積層基板不易變形。
支持構件並不限於固定式，亦可為可動式。藉由以可動式之支持構件支持玻璃基板及積層基板，可不使玻璃基板及積層基板之表面污染而搬運玻璃基板及積層基板。又，藉由以可動式之支持構件支持玻璃基板及積層基板之凹面，而可一面抑制玻璃基板或積層基板之變形一面搬運。
其次，對本發明之一實施形態之積層基板進行說明。
本發明之一實施形態之積層基板係藉由將上述玻璃基板之凸面與含有矽之基板貼合而形成。由於係藉由將上述玻璃基板之凸面與含有矽之基板貼合而形成，故氣泡不易進入玻璃基板與含有矽之基板之間。
繼而，對本發明之另一實施形態之積層基板進行說明。
本發明之另一實施形態之積層基板係將上述玻璃基板之包含凸面或凹面之曲面、與含有矽之基板之包含凸面或凹面之曲面以相互仿形之方式貼合而成。此處「相互仿形」係指使玻璃基板之曲面與含有矽之基板之曲面、即翹曲之方向朝相同方向。
圖12係表示用以說明於積層基板之製造步驟中玻璃基板之曲面與含有矽之基板之曲面之關係之剖視圖。
於圖12(a)之實施形態中，將玻璃基板G1之包含凸面之曲面、與含有矽之基板10之包含凹面之曲面以相互仿形之方式貼合。藉此，可謀求：玻璃基板G1與含有矽之基板10之接著不均之減少；貼合時之漏氣泡之改善；整體翹曲程度之降低；層間之殘留應力之減少；及硬化後積層基板之界面之殘留應力分佈之均勻化，使良率及可靠性提高。又，亦可防止由其後之步驟中之界面間之剝離不良等所導致之良率降低，並且於最終步驟之切割製程中所製作之晶片製品之可靠性亦提高。
相對於此，圖12(b)係以使玻璃基板G1與含有矽之基板10之凹面彼此對向之方式貼合之形態。於該形態中，界面間之殘留應力分佈變得不均勻，且殘留應力較大之部位分散，從而引發剝離不良，並且晶片製品間可靠性產生不均。
因此，為製造本發明之積層基板，較佳為具有以下步驟：將玻璃基板G1之包含凸面或凹面之曲面、與含有矽之基板10之包含凸面或凹面之曲面以曲面相互仿形之方式而貼合。
於本發明之積層基板中，玻璃基板G1與含有矽之基板10之翹曲之差異，即，將玻璃基板G1與含有矽之基板10重疊時之形成於與基板平面方向正交之方向上之空隙部之最大尺寸較佳為0~400μm，更佳為0~100μm。若為該範圍內，則可良好地發揮上述各效果。
再者，於本發明之積層基板上，較佳為玻璃基板G1係以浮式法成形者。以浮式法成形之玻璃基板成為中心對稱之碗形之翹曲形狀，與易成為鞍形等無規之翹曲形狀之以熔融法成形之玻璃基板相比較，貼合時之仿形之方向易變得均勻，從而易有助於品質穩定。再者，於如上所述使用SEMI規格判斷為「無起伏」之情形時，即便為以熔融法成形之玻璃基板亦可良好地使用。
又，於本發明之積層基板之製造方法中，更佳為具有以下步驟：預先預測含有矽之基板之曲面之形狀，且以使所預測之上述曲面之形狀、與上述玻璃基板之曲面之形狀相互仿形之方式進行貼合。例如，於扇出型之晶圓級封裝等之製造中，多數情況下，成為含有矽之基板與除此以外之樹脂等材料之混合物，且於製造製程流動之過程中翹曲之方向係由製品決定。因此，若預先預測此種含有矽之基板於製造製程中會形成怎樣的翹曲，且以使所預測之翹曲之形狀與玻璃基板之翹曲之形狀相互仿形之方式而貼合，則可使製造製程後之積層界面上產生之殘留應力均勻化及減少。
本發明之一實施形態之積層基板之厚度較佳為0.5~3mm。若厚度為0.5mm以上，則積層基板之強度變強，可抑制因與周邊構件等之接觸所導致之破損。厚度更佳為1.0mm以上，進而更佳為1.3mm以上。若厚度為3mm以下，則可實現薄板化。厚度更佳為2.5mm以下，進而更佳為2.0mm以下。
本發明之一實施形態之積層基板中，於含有矽之基板上亦可具有缺口。若於含有矽之基板上具有缺口，則於含有矽之基板上形成電路圖案時，可藉由缺口而特定出含有矽之基板之位置或角度，可抑制電路圖案之尺寸偏移。缺口例如可藉由雷射而檢測出位於含有矽之基板之哪個位置。又，缺口亦可藉由利用相機拍攝玻璃基板且進行圖像解析而檢測出。
本發明之一實施形態之積層基板較佳為，於玻璃基板與含有矽之基板上具有缺口，且以使玻璃基板之缺口與含有矽之基板之缺口重疊之方式將玻璃基板與含有矽之基板貼合而形成。若如此般形成積層基板，則易檢測出含有矽之基板之缺口之位置，從而容易抑制電路圖案之尺寸偏移。
例如，即便使雷射接觸到含有矽之基板亦可檢測出缺口，即便使雷射接觸到玻璃基板亦可檢測出缺口。若缺口為凹口，則玻璃基板與矽基板之損失面積較少，玻璃基板與含有矽之基板易貼合。又，因含有矽之基板之損失面積較少，故可於含有矽之基板上較多地形成電路。若缺口為ori-fla，則易形成缺口，且易檢測出缺口之位置。
本發明之一實施形態之積層基板亦可藉由將構成一積層基板之玻璃基板之凹面、與構成另一積層基板之含有矽之基板貼合而形成。可將2個積層基板貼合，亦可將3個積層基板貼合，還可將4個以上之積層基板貼合。如此形成之積層基板不易產生殘留應力，從而不易引起破裂或缺損。
本發明之一實施形態之積層基板中，較佳為玻璃基板之凹面藉由支持構件以4點支持。玻璃基板之凹面藉由支持構件以4點支持，藉此玻璃基板或積層基板之表面不易因灰塵等而受到污染。
本發明之一實施形態之積層基板中，玻璃基板之凹面亦可藉由支持構件以2邊支持。玻璃基板之凹面藉由支持構件以2邊支持，藉此可穩定地進行保管及搬運。又，積層基板之表面不易因灰塵等而受到污染。
其次，對本發明之一實施形態之積層體進行說明。
本發明之一實施形態之積層體之特徵在於，藉由將其他玻璃基板貼合於構成上述積層基板之玻璃基板上而形成。在將本發明之一實施形態之積層基板例如用作半導體背面研磨用之支持玻璃之情形時， 構成積層基板之玻璃基板為1塊，故為了調整玻璃基板之厚度而必須進行研磨。
本發明之一實施形態之積層體係藉由將其他玻璃基板貼合於構成積層基板之玻璃基板上而形成，故即便不研磨玻璃基板，亦可藉由剝離其他玻璃基板而調整厚度。又，任意厚度之玻璃基板之彎曲量大於將該玻璃基板之一半厚度之玻璃基板積層2塊所得之積層基板之彎曲量。可藉由調整玻璃基板之厚度與玻璃基板之積層塊數而調整積層基板之彎曲量。
其次，對本發明之一實施形態之捆包體進行說明。
圖10係本發明之一實施形態之捆包體500之剖視圖。本發明之一實施形態之捆包體500係將2塊以上之上述玻璃基板捆包而形成，且以使上述玻璃基板之一玻璃基板G5之凸面G5B、與另一玻璃基板G6之凹面G6A對向之方式捆包。
圖11係本發明之一實施形態之捆包體600之剖視圖。本發明之一實施形態之捆包體600係將2塊以上之上述積層基板捆包而形成，且以使構成上述積層基板中之一積層基板610之含有矽之基板640、與構成另一積層基板620之玻璃基板G8之凹面G8A對向之方式捆包。
或，本發明之一實施形態之捆包體係將2塊以上之上述積層體捆包而形成，且以使構成上述積層體中之一積層體之含有矽之基板、與構成另一積層體之玻璃基板之凹面對向之方式捆包。
本發明之一實施形態之捆包體中，形成捆包體之玻璃基板、積層基板、或積層體可為2個，亦可為3個，只要為2個以上則可為任意個。如此形成之捆包體中，玻璃基板之凸面及凹面之朝向一致，故可減小構成捆包體之玻璃基板、積層基板、或積層體彼此之間隔，從而可減小捆包體之大小。
其結果，玻璃基板之凸面及凹面之朝向一致之捆包體與玻璃基 板之凸面及凹面之朝向不一致之相同大小之捆包體相比，可捆包更多之積層基板。
又，例如，於藉由可動式之支持構件支持玻璃基板、積層基板、或積層體並搬送之情形時，由於玻璃基板之凸面及凹面之朝向一致，故藉由支持構件而易支持玻璃基板之凹面，且可一面抑制玻璃基板、積層基板、或積層體之變形一面搬運積層基板。進而，由於玻璃基板之凸面及凹面之朝向一致，故可使對含有矽之基板進行成膜之面一致，從而容易控制成膜之膜厚分佈。
本發明之一實施形態之捆包體中，較佳為玻璃基板之凹面藉由支持構件以4點支持。玻璃基板之凹面藉由支持構件以4點支持，藉此玻璃基板或積層基板之表面不易因灰塵等而受到污染。
本發明之一實施形態之捆包體中，亦可將捆包體收納於容器中。若收納於容器中，則捆包體不易因灰塵等而受到污染。
其次，對本發明之一實施形態之玻璃基板之製造方法進行說明。
於製造本發明之一實施形態之玻璃基板之情形時，具有熔解、澄清、成形、緩冷、切斷、檢查、及標註標記之步驟。
熔解步驟中，以使玻璃基板成為所需之組成之方式調製原料，將該原料連續地投入至熔解爐中，較佳為加熱至1400~1650℃左右而獲得熔融玻璃。
作為澄清步驟，本發明之玻璃基板可使用SO3或SnO2作為澄清劑。又，亦可應用減壓之脫泡法。
作為成形步驟，應用使熔融玻璃於熔融金屬上流動以形成板狀而獲得玻璃帶之浮式法。
作為緩冷步驟，使玻璃帶緩冷。
作為切斷步驟，於玻璃板上進行切取之後，切斷成特定之形 狀、大小而獲得本發明之一實施形態之玻璃基板。
本發明之一實施形態之玻璃基板之製造方法中，例如於成形步驟及緩冷步驟中，若玻璃帶之一主表面之溫度與另一主表面之溫度之差較大則易翹曲。
作為檢查步驟，例如，藉由雷射位移計而識別玻璃基板之一主表面為凹面抑或為凸面。
作為標註標記之步驟，於玻璃基板之凹面及凸面中之至少一者形成標記。凹陷例如藉由雷射而形成。藉由雷射掃描而形成所需之形狀之凹陷。亦可形成記號或文字。凹口或ori-fla例如係藉由切割器或雷射而形成切線，並藉由割斷而形成。
形成於玻璃基板上之標記例如藉由利用相機拍攝玻璃基板且進行圖像解析而檢測出，且能識別玻璃基板之凹面與凸面。
於製造本發明之一實施形態之玻璃基板之情形時，亦可於成形步驟中應用熔融法或滾壓成形法、加壓成形法等使熔融玻璃成板狀。
於製造本發明之一實施形態之玻璃基板之情形時，亦可使用鉑坩堝。於使用鉑坩堝之情形時，熔解步驟中，以成為所要獲得之玻璃基板之組成之方式調製原料，並將放入有原料之鉑坩堝投入電爐中，且較佳為加熱至1450~1650℃左右並插入鉑攪拌器攪拌1~3小時而獲得熔融玻璃。
澄清步驟中，可使用SO3或SnO2作為澄清劑。又，亦可應用採用減壓之脫泡法。作為採用減壓之脫泡法中之澄清劑，較佳為使用Cl或F等鹵素。成形步驟係將熔融玻璃例如以碳板狀流出而形成板狀。緩冷步驟將板狀之玻璃緩冷至室溫狀態，切斷後獲得玻璃基板。
以上，已根據上述具體例詳細地說明了本發明，但本發明並不限定於上述具體例，只要不脫離本發明之範圍則能夠進行所有的變化或變更。又，本申請係根據2015年7月24日提出申請之日本專利申請 (日本專利特願2015-147249號)及2015年12月28日提出申請之日本專利申請(日本專利特願2015-256895號)之記載，並引用其整體。又，本申請中所引用之全部內容係作為參照事項而被併入至本申請。

Claims (21)

  1. 一種玻璃基板，其係藉由與含有矽之基板積層而供形成積層基板之玻璃基板，上述玻璃基板具有凹面與凸面，且具有能識別上述凹面與上述凸面之標記，能識別上述凹面與上述凸面之標記包含：形成於上述凹面、且形狀互不相同之2個標記；及形成於上述凸面、對應於與上述凹面之2個標記分別對向之位置、且與上述凹面之標記為相同形狀之2個標記，將上述凸面之2個標記彼此於上述凸面上以成為最短之方式連結而成之線不通過上述凸面上之重心。
  2. 一種玻璃基板，其係藉由與含有矽之基板積層而供形成積層基板之玻璃基板，上述玻璃基板具有凹面與凸面，且具有能識別上述凹面與上述凸面之標記，能識別上述凹面與上述凸面之標記包含：形成於上述凹面、且距上述凹面上之重心之距離互不相同之2個標記；及形成於上述凸面、對應於與上述凹面之2個標記分別對向之位置、且與上述凹面之標記為相同形狀之2個標記；將上述凸面之2個標記彼此於上述凸面上以成為最短之方式連結而成之線不通過上述凸面上之重心。
  3. 如請求項1或2之玻璃基板，其中上述凹面之標記與上述凸面之標記為貫通孔。
  4. 如請求項1或2之玻璃基板，其中能識別上述凹面與上述凸面之標記係形成於上述凹面及上述凸面中之至少一者之標記，上述凹面之標記與上述凸面之標記彼此之標記之數量、形狀、及距重心之距離中之至少一者不同。
  5. 如請求項1或2之玻璃基板，其中上述標記係上述玻璃基板之端 面之缺口。
  6. 如請求項1或2之玻璃基板，其中上述凹面及上述凸面之至少一面之面積為70~2000cm2。
  7. 如請求項1或2之玻璃基板，其中上述凹面及上述凸面之至少一面之形狀為圓形。
  8. 如請求項1或2之玻璃基板，其楊氏模數為65GPa以上。
  9. 如請求項1或2之玻璃基板，其中以氧化物基準之莫耳百分率表示，含有0~0.1%之鹼金屬氧化物。
  10. 如請求項1或2之玻璃基板，其中板厚偏差為15μm以下。
  11. 如請求項1或2之玻璃基板，其中於上述凹面或上述凸面中之至少一者具有遮光膜。
  12. 一種積層基板，其係藉由將如請求項1至11中任一項之玻璃基板之凸面與含有矽之基板貼合而形成。
  13. 一種積層基板，其係將如請求項1至11中任一項之玻璃基板之包含凸面或凹面之曲面、與含有矽之基板之包含凸面或凹面之曲面以相互仿形之方式貼合而成。
  14. 一種積層基板之製造方法，其具有以下步驟：將如請求項1至11中任一項之玻璃基板之包含凸面或凹面之曲面、與含有矽之基板之包含凸面或凹面之曲面以彼此之曲面仿形之方式而貼合。
  15. 如請求項14之積層基板之製造方法，其具有以下步驟：預先預測上述含有矽之基板之曲面之形狀，且將所預測之上述曲面之形狀、與上述玻璃基板之曲面之形狀以相互仿形之方式貼合。
  16. 一種積層體，其係將其他玻璃基板貼合於構成如請求項12或13之積層基板之玻璃基板而成。
  17. 一種捆包體，其係將2塊以上之如請求項1至11中任一項之玻璃基板捆包而形成，且以使上述玻璃基板中之一玻璃基板之凸面、 與另一玻璃基板之凹面對向之方式進行捆包。
  18. 一種捆包體，其係將2塊以上之如請求項12或13之積層基板捆包而形成，且以使構成上述積層基板中之一積層基板之含有矽之基板、與構成另一積層基板之玻璃基板之凹面對向之方式進行捆包。
  19. 一種捆包體，其係將2塊以上之如請求項16之積層體捆包而形成，且以使構成上述積層體中之一積層體之含有矽之基板、與構成另一積層體之玻璃基板之凹面對向之方式進行捆包。
  20. 如請求項17至19中任一項之捆包體，其中上述玻璃基板之凹面藉由支持構件以4點支持。
  21. 一種玻璃基板之製造方法，其係藉由具有以下步驟而獲得如請求項1至11中任一項之玻璃基板，該玻璃基板係藉由與含有矽之基板積層而供形成積層基板者，上述步驟包括：熔解步驟，將玻璃原料加熱而獲得熔融玻璃；成形步驟，使上述熔融玻璃形成為板狀而獲得玻璃帶；緩冷步驟，使上述玻璃帶緩冷；切斷步驟，將上述玻璃帶切斷而獲得玻璃基板；檢查步驟，判別上述玻璃基板之凹面與凸面；及於上述凹面及上述凸面中之至少一者標註標記之步驟。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017124625A1 (de) * 2016-12-22 2018-06-28 Schott Ag Dünnglassubstrat, Verfahren und Vorrichtung zu dessen Herstellung
JP7276644B2 (ja) * 2017-08-31 2023-05-18 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板及びこれを用いた積層基板
CN113424304B (zh) * 2019-03-12 2024-04-12 爱玻索立克公司 装载盒及对象基板的装载方法
US11967542B2 (en) 2019-03-12 2024-04-23 Absolics Inc. Packaging substrate, and semiconductor device comprising same
WO2020208985A1 (ja) * 2019-04-08 2020-10-15 株式会社村田製作所 接合基板の製造方法
KR20220043118A (ko) 2019-07-29 2022-04-05 에이지씨 가부시키가이샤 지지 유리 기판
WO2021040178A1 (ko) 2019-08-23 2021-03-04 에스케이씨 주식회사 패키징 기판 및 이를 포함하는 반도체 장치
WO2021108069A1 (en) * 2019-11-25 2021-06-03 Corning Incorporated Glass articles having surface features and methods of making the same
JP2023127000A (ja) * 2020-08-06 2023-09-13 Ａｇｃ株式会社 積層体の製造方法、積層体および半導体パッケージの製造方法
JPWO2022138693A1 (zh) * 2020-12-23 2022-06-30
CN112978087B (zh) * 2021-02-22 2022-07-12 惠州市华星光电技术有限公司 显示面板包装组合
JP7528881B2 (ja) 2021-07-08 2024-08-06 株式会社Sumco 貼り合わせウェーハの製造方法
JP2024091045A (ja) * 2022-12-23 2024-07-04 日本電気硝子株式会社 複合板材の製造方法、複合板材群、及び複合板材梱包体

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002231665A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Sumitomo Metal Ind Ltd エピタキシャル膜付き半導体ウエーハの製造方法
WO2013161906A1 (ja) * 2012-04-27 2013-10-31 並木精密宝石株式会社 複合基板の製造方法、半導体素子の製造方法、複合基板および半導体素子
TW201522269A (zh) * 2013-09-12 2015-06-16 Nippon Electric Glass Co 支持玻璃基板、使用該支持玻璃基板的搬送體、半導體封裝體及其製造方法、以及電子設備

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4061228A (en) * 1976-12-20 1977-12-06 Fluoroware, Inc. Shipping container for substrates
JPH0624199B2 (ja) * 1982-07-30 1994-03-30 株式会社日立製作所 ウエハの加工方法
JPS6088535U (ja) * 1983-11-24 1985-06-18 住友電気工業株式会社 半導体ウエハ
JPS6088536U (ja) * 1983-11-24 1985-06-18 住友電気工業株式会社 化合物半導体ウエハ
JPH0726086Y2 (ja) * 1990-02-28 1995-06-14 ホーヤ株式会社 プラスチック多焦点眼鏡レンズ用モールド
JP3274190B2 (ja) * 1992-09-26 2002-04-15 株式会社東芝 半導体エピタキシャル基板の製造方法
US5876819A (en) * 1995-02-17 1999-03-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Crystal orientation detectable semiconductor substrate, and methods of manufacturing and using the same
JPH10256105A (ja) * 1997-03-11 1998-09-25 Super Silicon Kenkyusho:Kk レーザマークを付けたウェーハ
US6774340B1 (en) * 1998-11-25 2004-08-10 Komatsu Limited Shape of microdot mark formed by laser beam and microdot marking method
US6242817B1 (en) * 1998-12-28 2001-06-05 Eastman Kodak Company Fabricated wafer for integration in a wafer structure
US6420792B1 (en) * 1999-09-24 2002-07-16 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer edge marking
US20010038153A1 (en) * 2000-01-07 2001-11-08 Kiyofumi Sakaguchi Semiconductor substrate and process for its production
US20020090799A1 (en) * 2000-05-05 2002-07-11 Krishna Vepa Substrate grinding systems and methods to reduce dot depth variation
KR100476933B1 (ko) * 2002-10-10 2005-03-16 삼성전자주식회사 식별 표시를 갖는 반도체 웨이퍼
US7256108B2 (en) * 2004-10-21 2007-08-14 Chippac, Inc. Method for reducing semiconductor die warpage
US7312154B2 (en) * 2005-12-20 2007-12-25 Corning Incorporated Method of polishing a semiconductor-on-insulator structure
US8829661B2 (en) * 2006-03-10 2014-09-09 Freescale Semiconductor, Inc. Warp compensated package and method
TWI296735B (en) * 2006-07-07 2008-05-11 Univ Nat Cheng Kung Silicon material having a mark on the surface thereof and the method for making the same
US8389099B1 (en) * 2007-06-01 2013-03-05 Rubicon Technology, Inc. Asymmetrical wafer configurations and method for creating the same
TWI478272B (zh) * 2007-08-15 2015-03-21 尼康股份有限公司 A positioning device, a bonding device, a laminated substrate manufacturing device, an exposure device, and a positioning method
JP5625229B2 (ja) * 2008-07-31 2014-11-19 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法
CN102481764B (zh) * 2009-09-08 2014-11-05 旭硝子株式会社 玻璃/树脂层叠体、及使用其的电子设备
US8888085B2 (en) * 2010-10-05 2014-11-18 Skyworks Solutions, Inc. Devices and methodologies for handling wafers
US8859103B2 (en) * 2010-11-05 2014-10-14 Joseph Eugene Canale Glass wafers for semiconductor fabrication processes and methods of making same
US9227295B2 (en) * 2011-05-27 2016-01-05 Corning Incorporated Non-polished glass wafer, thinning system and method for using the non-polished glass wafer to thin a semiconductor wafer
JP6157890B2 (ja) * 2013-03-26 2017-07-05 日東電工株式会社 アンダーフィル材、封止シート及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002231665A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Sumitomo Metal Ind Ltd エピタキシャル膜付き半導体ウエーハの製造方法
WO2013161906A1 (ja) * 2012-04-27 2013-10-31 並木精密宝石株式会社 複合基板の製造方法、半導体素子の製造方法、複合基板および半導体素子
TW201522269A (zh) * 2013-09-12 2015-06-16 Nippon Electric Glass Co 支持玻璃基板、使用該支持玻璃基板的搬送體、半導體封裝體及其製造方法、以及電子設備

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