CN116745243A - 玻璃基板和玻璃基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

适当地制造半导体设备。玻璃基板(10)是用于制造半导体设备的玻璃基板，在使一侧表面(10A)朝向垂直方向下方、用支承部件(B)支承一侧表面(10A)的相对于玻璃基板(10)的中心点(O)为径向外侧的第1位置(P1A)、第2位置(P2A)和第3位置(P3A)时，从垂直方向观察，另一侧表面(10B)中在垂直方向上的高度最低的位置即最低点(SB1)位于圆形的中央区域(AR)内，上述圆形的中央区域(AR)相对于第1位置(P1A)、第2位置(P2A)和第3位置(P3A)为径向内侧且中心为玻璃基板(10)的中心点(O)、直径(D1)相对于玻璃基板(10)的直径(W)为1/3的长度。

Description

玻璃基板和玻璃基板的制造方法
技术领域
本发明涉及玻璃基板和玻璃基板的制造方法。
背景技术
在半导体设备的制造工艺中，作为支承半导体设备的部件，有时使用玻璃基板。例如在专利文献1中记载了扇出型晶圆级封装用的玻璃制支承基板。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第6443668号公报
发明内容
但是，在用玻璃基板支承半导体设备且制造半导体设备时，在工艺间产生温度差，由于材料间的热膨胀率的差等使玻璃基板产生应力。该应力导致玻璃变形，但该变形有时是不连续的。玻璃的变形不连续的情况下，会发生设备与玻璃基板的接触，或者因急剧的形状变化导致设备的断线等。这样的情况下，有时无法适当地制造半导体设备。因此，要求提供能够适当地制造半导体设备的玻璃基板。
本发明是鉴于上述课题而进行的，其目的在于提供能够适当地制造半导体设备的玻璃基板和玻璃基板的制造方法。
为了解决上述的课题而实现目的，本公开所涉及的玻璃基板是用于制造半导体设备的玻璃基板，在使一侧表面朝向垂直方向下方、用支承部件支承上述一侧表面的相对于上述玻璃基板的中心点为径向外侧的第1位置、第2位置和第3位置时，从垂直方向观察，另一侧表面中在垂直方向上的高度最低的位置即最低点位于圆形的中央区域内，上述圆形的中央区域相对于上述第1位置、上述第2位置和上述第3位置为径向内侧且中心为上述玻璃基板的中心点、直径相对于上述玻璃基板的直径为1/3的长度。
为了解决上述的课题而实现目的，本公开所涉及的玻璃基板的制造方法是上述玻璃基板的制造方法，包括如下的步骤：使原料熔解的步骤，将熔解的上述原料在搅拌的转速5rpm～20rpm、12小时～24小时的条件下搅拌的步骤，以及将搅拌的上述原料冷却而形成上述玻璃基板的步骤。
根据本发明，能够适当地制造半导体设备。
附图说明
图1A是本实施方式所涉及的玻璃基板的示意图。
图1B是本实施方式所涉及的玻璃基板的示意图。
图2A是用于说明本实施方式所涉及的玻璃基板的挠曲的示意图。
图2B是用于说明本实施方式所涉及的玻璃基板的挠曲的示意图。
图3A是用于说明本实施方式所涉及的玻璃基板的挠曲的示意图。
图3B是用于说明本实施方式所涉及的玻璃基板的挠曲的示意图。
图4是说明本实施方式所涉及的玻璃基板的制造方法的流程图。
图5是说明各例的评价方法的图。
图6是表示dy/dF的例子的图表。
具体实施方式
以下参照附图对本发明的优选的实施方式进行详细说明。应予说明，本发明不限定于该实施方式，另外，实施方式具有多个时，也包括将各实施方式组合而构成的情况。另外，数值包含四舍五入的范围。
(玻璃基板)
图1A和图1B是本实施方式所涉及的玻璃基板的示意图。图1A是本实施方式所涉及的玻璃基板10的主视图，图1B是本实施方式所涉及的玻璃基板10的俯视图。如图1A所示，本实施方式所涉及的玻璃基板10是作为半导体封装的制造用玻璃基板使用的，可以说是支承半导体设备的玻璃基板。更具体而言，玻璃基板10为扇出型晶圆级封装(Fan Out WaferLevel Package：FOWLP)的制造用支承玻璃基板，例如玻璃基板10为矩形时，是扇出型面板级封装(Fan Out Panel Level Package：FOPLP)的制造用支承玻璃基板。其中，玻璃基板10的用途不限于半导体设备的支承、FOWLP或FOPLP的制造用，是任意的，也可以是为了支承任意的部件而使用的玻璃基板。
如图1A和图1B所示，玻璃基板10为板状的部件，具有作为一侧主面的表面10A(一侧表面)、以及作为与表面10A相反的一侧的主面的表面10B(另一侧的表面)。如图1B所示，玻璃基板10在俯视下，即从与表面10A正交的方向观察时，成为呈圆形的圆板形状。换言之，玻璃基板10成为晶圆形状。应予说明，玻璃基板10可以在外周面10C形成切口部10D(缺口)而成为圆形的外周被局部切开的形状。这种情况下，切口部10D可以为包含后述的外周面部14C1和侧面部14C2的形成有倒角的形状。另外，玻璃基板10的形状不限于圆板形状，可以为任意的形状，例如可以为矩形等多边形状的板。应予说明，以下，将与表面10A正交的方向记载为Z方向。Z方向也可称为玻璃基板10的厚度方向。
如图1A所示，玻璃基板10在外周面10C形成有倒角。具体而言，外周面10C包含外周面部10C1和侧面部10C2。外周面部10C1相当于外周面10C中的未实施倒角的部分，侧面部10C2相当于外周面10C中的实施了倒角的部分。应予说明，外周面10C遍及玻璃板10的圆周方向的整个区域，是包含如图1A所示的外周面部10C1和侧面部10C2的形状。
外周面部10C1是外周面10C中包含向玻璃板10的径向外侧最突出的部分的表面。如图1A所示，从与Z方向正交的方向观察时，外周面部10C1沿着Z方向。
外周面部10C1介由侧面部10C2与玻璃基板10的表面连接。即，侧面部10C2在Z方向上的一个端部与外周面部10C1连接，另一端部与玻璃基板10的表面连接。侧面部10C2在Z方向上形成于外周面部10C1的两侧。即，外周面10C以在Z方向上按照一个侧面部10C2、外周面部10C1、另一侧面部10C2的顺序排列的方式形成。而且，一个侧面部10C2在Z方向上的一个端部与玻璃基板10的表面10A连接，另一端部与外周面部10C1连接。另外，另一侧面部10C2在Z方向上的一个端部与外周面部10C1连接，另一端部与玻璃基板10的表面10B连接。
如图3所示，从与Z方向正交的方向观察时，侧面部10C2相对于Z方向倾斜。侧面部10C2以随着从外周面部10C1向玻璃基板10的表面侧而趋向玻璃基板10的径向内侧的方式倾斜。
如上所述，外周面10C成为包含外周面部10C1和侧面部10C2而形成有倒角的形状，但外周面10C的形状并不局限于此，例如也可以不形成倒角。
(玻璃基板的直径)
玻璃基板10的直径W优选为150mm～700mm，更优选为150mm～450mm，进一步优选为150mm～400mm，进一步优选为250mm～350mm，进一步优选为300mm～350mm。通过使直径W为该范围，能够适当地支承半导体设备等部件。应予说明，直径W在玻璃基板10为圆形时是指直径，在玻璃基板10不为圆形时是指玻璃基板10的外周边上的任意2点间的距离中的最大值。
(玻璃基板的厚度)
玻璃基板10的厚度D、即表面10A与表面10B之间的长度优选为2mm以下，更优选为0.5mm～2.0mm，进一步优选为0.6mm～1.5mm，进一步优选为0.6mm～1.0mm。通过使玻璃基板10的厚度D为该范围，能够抑制因厚度大所致的重量增加，因此优选作为半导体设备制造用途。另一方面，厚度D为该范围时，受挠曲的影响，无法适当地制造半导体设备的可能性变高，但如下所述，通过使自重挠曲所致的最低点的位置为中央侧，能够抑制半导体设备的制造性劣化。
另外，厚度D的偏差优选为10μm以下，更优选为3μm以下。通过使厚度D的偏差为该范围，从而玻璃基板10的厚度D接近均匀，能够适当地制造半导体设备。应予说明，厚度D的偏差是指沿着玻璃基板10的表面的平面上的每个位置的(每个坐标的)厚度D的偏差。例如，可以针对沿着玻璃基板10的表面的平面上的每个位置(坐标)，算出该位置的厚度D，将这些每个位置的厚度D中的最大值与最小值的差作为厚度D的偏差。
(玻璃基板的杨氏模量)
玻璃基板10的杨氏模量优选为60GPa～150GPa，更优选为70GPa～120GPa，进一步优选为75GPa～100GPa。通过使杨氏模量为该范围，能够抑制玻璃基板的刚性降低，抑制玻璃基板的形状变化，因此能够抑制半导体设备的制造性劣化。应予说明，这里的玻璃基板10的杨氏模量可以采用使用OLYMPUS公司制的38DL PLUS基于超声波的传播而测定的值。
(玻璃基板的密度)
玻璃基板10的密度优选为2.0g/cm3～4.0g/cm3，更优选为2.5g/cm3～3.3g/cm3。通过使密度为该范围，能够抑制玻璃基板10的重量增加，从而抑制半导体设备的制造性劣化。应予说明，玻璃基板10的密度可以采用利用阿基米德法测定的值。
(玻璃基板的组成)
玻璃基板10以氧化物基准的质量％(wt％)计，优选含有以下的化合物。通过使玻璃基板10为以下的组成，能够适当地支承部件。
SiO2：优选为40wt％～75wt％，更优选为50wt％～75wt％
Al2O3：优选为0wt％～20wt％，更优选为0wt％～15wt％
B2O3：优选为0wt％～20wt％，更优选为0wt％～10wt％
MgO：优选为0wt％～25wt％
CaO：优选为0wt％～25wt％，更优选为0wt％～15wt％
SrO：优选为0wt％～10wt％
BaO：优选为0wt％～20wt％，更优选为0wt％～15wt％
Li2O：优选为0wt％～40wt％
Na2O：优选为0wt％～15wt％
K2O：优选为0wt％～10wt％
ZrO2：优选为0wt％～10wt％，更优选为0wt％～8wt％，进一步优选为0wt％～5wt％
TiO2：优选为0wt％～5wt％
Y2O3：优选为0wt％～10wt％
(玻璃基板的挠曲)
图2A和图2B是用于说明本实施方式所涉及的玻璃基板的挠曲的示意图。图2A是说明用支承部件B三点支承从Z方向观察的相对于玻璃基板10的中心点O为径向外侧的第1位置P1A、第2位置P2A、第3位置P3A时的由自重所致的挠曲的例子的图。第1位置P1A是从玻璃基板10的中心点O向径向外侧间隔距离L1A的表面10A上的位置。另外，第2位置P2A是从玻璃基板10的中心点O向径向外侧间隔距离L2A的表面10A上的位置且是以中心点O为中心时相对于第1位置P1A在圆周方向位移120度的位置。另外，第3位置P3A是从玻璃基板10的中心点O向径向外侧间隔距离L3A的表面10A上的位置且是以中心点O为中心时相对于第1位置P1A和第2位置P2A在圆周方向位移120度的位置。应予说明，此处的径向是指以中心点O为中心时的径向。另外，距离L1A、距离L2A和距离L3A为彼此相同的长度，相对于玻璃基板10的直径W的一半(半径)为29/30倍的长度。另外，支承部件B是直径为1mm～2mm的球状的部件，直径更优选为1.6mm。另外，支承部件B的材料优选为比玻璃更软质且不易因温度湿度或测定中的玻璃重量而引起变形的材料，例如，为PEEK(Polyetheretherketone：聚醚醚酮)、PTFE(Polytetrafluoroethylene：聚四氟乙烯)等树脂，在此使用PEEK。
在此，如图2A所示，将使玻璃基板10的表面10A朝向垂直方向下方、用支承部件B支承表面10A上的第1位置P1A、第2位置P2A、第3位置P3A时的垂直方向上侧的表面10B中垂直方向上的高度最低的位置设为最低点SB1。即，最低点SB1可以说是表面10B中挠曲量最大的位置。这种情况下，从垂直方向(Z方向)观察，最低点SB1的位置位于中央区域AR内。中央区域AR是指相对于第1位置P1A、第2位置P2A和第3位置P3A为径向内侧的区域。进而，中央区域AR是中心为中心点O且直径D1为玻璃基板10的直径W的1/3长度的圆形的区域。
如此，对于玻璃基板10，使表面10A朝向垂直方向下方，用支承部件B三点支承表面10A的第1位置P1A、第2位置P2A、第3位置P3A时，最低点SB位于中央区域AR内。通过使玻璃基板10的最低点SB位于中央区域AR内而非中央区域AR的外侧，能够抑制例如在制造半导体设备时玻璃基板10的挠曲位置偏移这样的变形，从而抑制半导体设备的制造性劣化。
另外，将使玻璃基板10的表面10A朝向垂直方向下方、用支承部件B支承表面10A上的第1位置P1A、第2位置P2A、第3位置P3A时的玻璃基板10的最大挠曲量设为最大挠曲量TBmax。最大挠曲量TBmax可以说是由玻璃基板10的自重所致的最大挠曲量，可以说是从玻璃基板10的最高点SB2到最低点SB1的沿垂直方向的距离。应予说明，最高点SB2是指使玻璃基板10的表面10A朝向垂直方向下方、用支承部件B支承表面10A上的第1位置P1A、第2位置P2A、第3位置P3A时的垂直方向上侧的表面10B中垂直方向上的高度最高的位置。这种情况下，玻璃基板10的直径W为150mm～700mm、且厚度D为2mm以下时，最大挠曲量TBmax优选为650μm以下，更优选为10μm～630μm，进一步优选为50μm～625μm。通过使最大挠曲量TBmax为该范围，也可抑制挠曲量，因此能够更适当地抑制半导体设备的制造性劣化。应予说明，最大挠曲量TBmax可以用神津精机制的Dyvoce测定。
应予说明，图2A图示了玻璃基板10单纯翘曲的情况的例子，但玻璃基板10的翘曲方式不限于如图2A那样的单纯翘曲，例如可以为如图2B那样的翘曲方式。即，图2A中，玻璃基板10以成为从外周端向最低点SB1凹陷的凹形状的方式挠曲，但也可以如图2B所示，以从被支承部件B支承的部位向最低点SB1凹陷且从被支承部件B支承的部位向外周端凹陷的方式挠曲。
在以上的说明中，对使表面10A朝向垂直方向下方的情况下的玻璃基板10的挠曲进行了说明，以下对使表面10B朝向垂直方向下方的情况下的玻璃基板10的挠曲进行说明。图3A和图3B是用于说明本实施方式所涉及的玻璃基板的挠曲的示意图。图3A是说明用支承部件B三点支承从Z方向观察时相对于玻璃基板10的中心点O为径向外侧的第1位置P1B、第2位置P2B、第3位置P3B时的由自重所致的挠曲的例子的图。第1位置P1B是从玻璃基板10的中心点O向径向外侧间隔距离L1B的表面10B上的位置。另外，第2位置P2B是从玻璃基板10的中心点O向径向外侧间隔距离L2B的表面10B上的位置且是以中心点O为中心时相对于第1位置P1B在圆周方向位移120度的位置。另外，第3位置P3B是从玻璃基板10的中心点O向径向外侧间隔距离L3B的表面10B上的位置且是以中心点O为中心时相对于第1位置P1B和第2位置P2B在圆周方向位移120度的位置。另外，距离L1B、距离L2B和距离L3B为彼此相同的长度，是相对于玻璃基板10的直径W的一半(半径)为29/30倍的长度。
在此，如图3A所示，将使玻璃基板10的表面10B朝向垂直方向下方、用支承部件B支承表面10B上的第1位置P1B、第2位置P2B、第3位置P3B时的垂直方向上侧的表面10A中在垂直方向上的高度最低的位置设为最低点SA1。即，最低点SA1可以说是表面10A中挠曲量最大的位置。这种情况下，从垂直方向(Z方向)观察，优选最低点SA1的位置位于中央区域AR内。
应予说明，图3A图示了玻璃基板10单纯翘曲的情况下的例子，玻璃基板10的翘曲方式不限于如图3A那样的单纯翘曲，例如也可以为如图3B那样的翘曲方式。即，图3A中，玻璃基板10以成为从外周端向最低点SA1凹陷的凹形状的方式挠曲，但也可以如图3B所示，以从被支承部件B支承的部位向最低点SA1凹陷且从被支承部件B支承的部位向外周端凹陷的方式挠曲。
如此，玻璃基板10中，表面10A朝向垂直方向下方且进行三点支承时的最低点SB1(参照图2A)以及表面10B朝向垂直方向下方且进行三点支承时的最低点SA1(参照图3A)这两者位于中央区域AR内。其中，玻璃基板10中，只要最低点SB1、SA1中的至少一者位于中央区域AR内即可，例如，最低点SB1、SA1中的一个也可以位于中央区域AR的外侧。
另外，将使玻璃基板10的表面10B朝向垂直方向下方、用支承部件B支承表面10B上的第1位置P1B、第2位置P2B、第3位置P3B时的玻璃基板10的最大挠曲量设为最大挠曲量TAmax。最大挠曲量TAmax可以说是由玻璃基板10的自重所致的最大挠曲量，可以说是从玻璃基板10的最高点SA2到最低点SA1的沿着垂直方向的距离。应予说明，最高点SA2是指使玻璃基板10的表面10B朝向垂直方向下方、用支承部件B支承表面10B上的第1位置P1B、第2位置P2B、第3位置P3B时的垂直方向上侧的表面10A中在垂直方向上的高度最高的位置。这种情况下，玻璃基板10的直径W为150mm～700mm且厚度D为2mm以下时，最大挠曲量TAmax优选为650μm以下，更优选为10μm～630μm，进一步优选为50μm～625μm。通过使最大挠曲量TAmax为该范围，也可抑制挠曲量，因此能够更适当地抑制半导体设备的制造性劣化。应予说明，最大挠曲量TAmax可以用神津精机制的Dyvoce测定。
另外，将使表面10A朝向垂直方向下方时的最大挠曲量TBmax与使表面10B朝向垂直方向下方时的最大挠曲量TAmax中的值较大的一方设为最大挠曲量Tmax。这种情况下，最大挠曲量Tmax乘以玻璃基板10的厚度D的3次方和玻璃基板10的杨氏模量E并除以1000而得的值(即Tmax·D3·E/1000)优选为20以下。通过使Tmax·D3·E/1000为该范围，可更适当地抑制玻璃基板10的挠曲位置偏移这样的变形。
(玻璃基板的翘曲量)
在此，将玻璃基板10的除由自重所致的挠曲以外的情况下的翘曲量设为翘曲量ΔT。这种情况下，翘曲量ΔT优选为250μm以下，更优选为100μm以下。通过使翘曲量ΔT为该范围，能够抑制在玻璃基板10上制造的半导体设备翘曲，能够更适当地抑制半导体设备的制造性劣化。应予说明，翘曲量ΔT是使表面10B朝向垂直方向下方并如上述那样用支承部件B支承时以及使表面10A朝向垂直方向下方并如上述那样用支承部件B支承时的沿着玻璃基板10的表面的平面上的每个位置的(每个坐标的)挠曲量的差中的最大值除以2而得的值。即，将使表面10B朝向垂直方向下方并如上述那样用支承部件B支承时的沿着玻璃基板10的表面的平面上的位置(坐标)i处的挠曲量设为TA(i)，将使表面10A朝向垂直方向下方并如上述那样用支承部件B支承时的沿着玻璃基板10的表面的平面上的位置(坐标)i处的挠曲量设为TB(i)。接着，将每个位置i的挠曲量TA(i)与挠曲量TB(i)的差中的值最大者设为MAX(TA(i)－TB(i))。这种情况下，翘曲量ΔT如下式(1)那样求出。即，翘曲量ΔT为MAX(TA(i)－TB(i))的绝对值除以2而得的值。
ΔT＝|MAX(TA(i)－TB(i))|/2···(1)
(玻璃基板的制造方法)
接下来，对玻璃基板10的制造方法进行说明。图4是说明本实施方式所涉及的玻璃基板的制造方法的流程图。如图4所示，在本实施方式所涉及的制造方法中，将根据玻璃基板10的组成调整的原料加热使其熔解(步骤S10)。然后，将熔解的原料进行搅拌(步骤S12)。原料的搅拌条件为任意的，例如，优选使搅拌熔解原料的搅拌叶片的转速为5rpm～20rpm，搅拌12小时～24小时。应予说明，搅拌叶片是用于搅拌熔解原料的部件，形状可以为任意的，例如不限于叶片状。应予说明，本制造方法中，即便不这样搅拌熔解的原料也能够制造玻璃基板10，但通过这样搅拌能够抑制挠曲形状发生异常，故而优选。
其后，将熔解的原料冷却而形成玻璃基板10(步骤S14)。形成玻璃基板10的步骤可以采用任意的方法，例如，可以在制造玻璃的铸锭后，通过切割铸锭而形成玻璃基板10。这种情况下，例如，可以用熔铸法制造铸锭。另外，例如，可以不制造玻璃的铸锭而直接形成板状的玻璃基板10。这种情况下，例如可以用辊压法、下拉法、熔融法和浮法等制造板状的玻璃基板10。应予说明，在任一方法中均可以加入研磨玻璃表面的工序。
(效果)
如上所述，本实施方式涉及的玻璃基板10在半导体设备的制造方法中使用，在使一侧表面10A朝向垂直方向下方、用支承部件B支承一侧表面10A的相对于玻璃基板10的中心点O为径向外侧的第1位置P1A、第2位置P2A和第3位置P3A时，从垂直方向观察，另一侧表面10B中在垂直方向上的高度最低的位置即最低点SB1位于中央区域AR内。中央区域AR是指相对于第1位置P1A、第2位置P2A和第3位置P3A为径向内侧且中心为玻璃基板10的中心点O、直径D1为玻璃基板10的直径W的1/3长度的圆形区域。在此，一边用玻璃基板支承一边制造半导体设备时，有时在工艺间产生温度差，由于材料间的热膨胀率的差异等，使玻璃基板产生应力。该应力导致玻璃基板变形，但该变形有时是不连续的。玻璃基板的变形不连续的情况下，可能发生设备与玻璃基板的接触，或者因急剧的形状变化导致设备的断线等。这样的情况下有时无法适当地制造半导体设备。与此相对，本实施方式所涉及的玻璃基板10由于自重挠曲最大的最低点SB1位于中央区域AR内，所以可利用支承半导体设备时的负荷等抑制如玻璃基板10的挠曲位置偏移那样的不连续的变形。因此，根据本实施方式所涉及的玻璃基板10，能够抑制半导体设备的制造性劣化，能够适当地制造半导体设备。
另外，对于玻璃基板10，优选在使另一侧表面10B朝向垂直方向下方、用支承部件B支承另一侧表面10B的相对于玻璃基板10的中心点O为径向外侧的第1位置P1B、第2位置P2B和第3位置P3B时，从垂直方向观察，一侧表面10A中在垂直方向上的高度最低的位置即最低点SA1位于中央区域AR内。本实施方式所涉及的玻璃基板10中，无论使表面10A、10B中的哪一个朝下，自重挠曲最大的最低点SA1、SB1均位于中央区域AR内。因此，根据玻璃基板10，能够进一步抑制如玻璃基板10的挠曲位置偏移那样的变形，能够更适当地制造半导体设备。
另外，玻璃基板10的厚度D优选为2mm以下。通过使玻璃基板10的厚度D为该范围，能够抑制重量增加。另外，如此使厚度D变薄，虽然担心受挠曲的影响而使半导体设备的制造性劣化，但通过使玻璃基板10的最低点SB1位于中央区域AR内，能够抑制如玻璃基板10的挠曲位置偏移那样的变形，也能够抑制半导体设备的制造性劣化。
另外，玻璃基板10的直径W为150mm～700mm，使一侧表面10A朝向垂直方向下方、用支承部件B支承一侧表面10A的第1位置P1A、第2位置P2A和第3位置P3A时，优选最大挠曲量TBmax为650μm以下。通过使玻璃基板10的最大挠曲量为该范围，还能够抑制挠曲变得过大，能够更适当地制造半导体设备。
另外，将使玻璃基板10的一侧表面10A朝向垂直方向下方、用支承部件B支承一侧表面10A的第1位置P1A、第2位置P2A和第3位置P3A时的最大挠曲量TBmax与使另一侧表面10B朝向垂直方向下方、用支承部件B支承另一侧表面10B的第1位置P1B、第2位置P2B和第3位置P3B时的最大挠曲量TAmax中的值较大的一方设为Tmax，将玻璃基板10的厚度设为D，将玻璃基板10的杨氏模量设为E时，优选Tmax·D3·E/1000≤20。通过使Tmax·D3·E/1000为该范围，能够更适当地抑制如玻璃基板10的挠曲位置偏移那样的变形。
另外，在使玻璃基板10的另一侧表面10B朝向垂直方向下方、用支承部件B支承另一侧表面10B的第1位置P1B、第2位置P2B和第3位置P3B时，玻璃基板10的直径W为150mm～700mm且厚度D为2mm以下的情况下，优选最大挠曲量TAmax为650μm以下。通过使玻璃基板10的最大挠曲量为该范围，还能够抑制挠曲变得过大，因此能够更适当地制造半导体设备。
另外，优选在玻璃基板10的表面与外周面10C之间的部分(侧面部14C2)实施倒角。通过对玻璃基板10实施倒角，能够更适当地制造半导体设备。
另外，优选在玻璃基板10的外周面10C形成切口部10D。通过使玻璃基板10形成切口部10D，可适当地进行定位等，能够更适当地制造半导体设备。
另外，优选玻璃基板10的除由自重所致的挠曲以外的情况下的翘曲量ΔT为250μm以下，且厚度D的偏差为10μm以下。通过使玻璃基板10的翘曲量ΔT和厚度D的偏差为该范围，能够抑制如玻璃基板10的挠曲位置偏移那样的变形，从而抑制半导体设备的制造性劣化。
另外，优选玻璃基板10的除由自重所致的挠曲以外的情况下的翘曲量ΔT为100μm以下，且厚度D的偏差为3μm以下。通过使玻璃基板10的翘曲量ΔT和厚度D的偏差为该范围，能够抑制如玻璃基板10的挠曲位置偏移那样的变形，从而抑制半导体设备的制造性劣化。
另外，玻璃基板10以氧化物基准的质量％计，优选为：
SiO2：40wt％～75wt％，
Al2O3：0wt％～20wt％，
B2O3：0wt％～20wt％，
MgO：0wt％～25wt％，
CaO：0wt％～25wt％，
SrO：0wt％～10wt％，
BaO：0wt％～20wt％，
Li2O：0wt％～40wt％，
Na2O：0wt％～15wt％，
K2O：0wt％～10wt％，
ZrO2：0wt％～10wt％，
TiO2：0wt％～5wt％，且
Y2O3：0wt％～10wt％。通过使组成为该范围，能够更适当地制造半导体设备。
另外，玻璃基板10优选为用于制造扇出型晶圆级封装和扇出型面板级封装中的至少一者的玻璃基板。玻璃基板10适合扇出型晶圆级封装和扇出型面板级封装的用途。
另外，本实施方式所涉及的玻璃基板10的制造方法包括：使原料熔解的步骤，将熔解的原料在搅拌的转速为5rpm～20rpm、12小时～24小时的条件下搅拌的步骤，以及将搅拌的原料冷却而形成玻璃基板10的步骤。根据本制造方法，通过将熔解的原料搅拌，能够使原料均匀，能够抑制如玻璃基板10的挠曲位置偏移那样的变形，可提供能够适合制造半导体设备的玻璃基板10。
实施例
接下来，对实施例进行说明。应予说明，只要发挥发明的效果，则可以变更实施方式。
表1示出了各例的玻璃基板。本实施例中，以玻璃基板成为规定的组成的方式调整原料，制造玻璃基板。然后，对制造的玻璃基板测定杨氏模量、密度、自重挠曲的最低点的位置和挠曲量。杨氏模量使用OLYMPUS公司制的38DLPLUS测定，密度利用阿基米德法测定。
另外，在最低点的位置的测定和挠曲量的测定中，使玻璃基板的另一侧表面即第2表面处于垂直方向下方、用支承部件B支承玻璃基板的一侧表面即第1表面上的本实施方式中说明的第1位置P1A、第2位置P2A，第3位置P3A。然后，在该情况下，测定第1表面上的垂直方向的高度最低的最低点的位置，将测定结果表示为表1中的“最低点的位置”的“第1表面上”。表1中，最低点的位置在本实施方式中示出的中央区域AR内时，将最低点的位置记为“内侧”，最低点的位置不在本实施方式中示出的中央区域AR内时(在中央区域AR的外侧时)，将最低点的位置记为“外侧”。另外，对于挠曲量，测定如上述那样支承玻璃基板时的第1表面上的各位置的挠曲量，将其最小值到最大值记为表1的“第1表面上的挠曲”。应予说明，挠曲量的测定使用神津精机制的Dyvoce。
另外，使一侧表面即第1表面处于垂直方向下方、用支承部件B支承另一侧表面即第2表面上的本实施方式中说明的第1位置P1B、第2位置P2B、第3位置P3B。然后，在该情况下，测定第2表面上的垂直方向的高度最低的最低点的位置，将测定结果表示为表1中的“最低点的位置”的“第2表面上”。表1中，最低点的位置在本实施方式中示出的中央区域AR内时，将最低点的位置记为“内侧”，最低点的位置不在本实施方式中示出的中央区域AR内时(在中央区域AR的外侧时)，将最低点的位置记为“外侧”。另外，另外，对于挠曲量，测定如上述那样支承玻璃基板时的第2表面上的各位置的挠曲量，将其最小值到最大值记为表1的“第2表面上的挠曲”。
另外，表1的“最大挠曲量”是“第1表面上的挠曲”与“第2表面上的挠曲”中的最大值，翘曲量是按照上式(1)那样算出的值。
另外，表1的“Tmax·D3·E/1000”是最大挠曲量乘以“厚度”的3次方和“杨氏模量”并除以1000而得的值。
[表1]
(例1)
例1中，以玻璃基板成为规定的组成C1的方式调整原料，使原料熔解，对熔解的原料进行搅拌，制造玻璃的铸锭，对铸锭进行机械加工，制造直径、厚度、杨氏模量、密度、最低点的位置和挠曲量成为表1所示的构成的玻璃基板。
(例2)
例2中，以玻璃基板成为组成C1的方式调整原料，使原料熔解，对熔解的原料进行搅拌，制造玻璃的铸锭，对铸锭进行机械加工，制造直径、厚度、杨氏模量、密度、最低点的位置和挠曲量成为表1所示的构成的玻璃基板。
(例3)
例3中，以玻璃基板成为组成C1的方式调整原料，使原料熔解，对熔解的原料进行搅拌，制造玻璃的铸锭，对铸锭进行机械加工，制造直径、厚度、杨氏模量、密度、最低点的位置和挠曲量成为表1所示的构成的玻璃基板。
(例4)
例4中，以玻璃基板成为组成C1的方式调整原料，使原料熔解，对熔解的原料进行搅拌，制造板状的玻璃基板，制造直径、厚度、杨氏模量、密度、最低点的位置和挠曲量成为表1所示的构成的玻璃基板。
(例5)
例5中，以玻璃基板成为规定的组成C2的方式调整原料，使原料熔解，对熔解的原料进行搅拌，制造板状的玻璃基板，制造直径、厚度、杨氏模量、密度、最低点的位置和挠曲量成为表1所示的构成的玻璃基板。
(例6)
例6中，以玻璃基板成为规定的组成C3的方式调整原料，使原料熔解，对熔解的原料进行搅拌，制造板状的玻璃基板，制造直径、厚度、杨氏模量、密度、最低点的位置和挠曲量成为表1所示的构成的玻璃基板。
(例7)
例7中，以玻璃基板成为规定的组成C4的方式调整原料，使原料熔解，对熔解的原料进行搅拌，制造板状的玻璃基板，制造直径、厚度、杨氏模量、密度、最低点的位置和挠曲量成为表1所示的构成的玻璃基板。
(例8)
例8中，以玻璃基板成为规定的组成C5的方式调整原料，使原料熔解，对熔解的原料进行搅拌，制造玻璃的铸锭，对铸锭进行机械加工，制造直径、厚度、杨氏模量、密度、最低点的位置和挠曲量成为表1所示的构成的玻璃基板。
(例9)
例9中，以玻璃基板成为组成C1的方式调整原料，使原料熔解，不对熔解的原料进行搅拌，制造玻璃的铸锭，对铸锭进行机械加工，制造直径、厚度、杨氏模量、密度、最低点的位置和挠曲量成为表1所示的构成的玻璃基板。
(例10)
例10中，以玻璃基板成为组成C5的方式调整原料，使原料熔解，不对熔解的原料进行搅拌，制造玻璃的铸锭，对铸锭进行机械加工，制造直径、厚度、杨氏模量、密度、最低点的位置和挠曲量成为表1所示的构成的玻璃基板。
应予说明，组成C1～C5以氧化物基准的质量％计，成为以下的范围内。
SiO2：40wt％～75wt％，
Al2O3：0wt％～20wt％，
B2O3：0wt％～20wt％，
MgO：0wt％～25wt％，
CaO：0wt％～25wt％，
SrO：0wt％～10wt％，
BaO：0wt％～20wt％，
Li2O：0wt％～40wt％，
Na2O：0wt％～15wt％，
K2O：0wt％～10wt％，
ZrO2：0wt％～10wt％，
TiO2：0wt％～5wt％，且
Y2O3：0wt％～10wt％。
(评价内容)
对如上制造的各例的样品进行评价。图5是说明各例的评价方法的图。评价中，用支承部件J1保持玻璃基板的外周，一边改变值一边在玻璃基板的表面的中央部施加负荷，同时测定施加了负荷的中央部的位移。具体而言，如图5所示，在圆周方向等间隔地用4个支承部件J1保持玻璃基板的端面。用支承部件J1固定玻璃基板的力是不使玻璃基板偏移的程度的尽可能弱的力。而且，在支承部件J2上配置玻璃基板的底面的中心部，并连同支承部件J2一起配置在精密秤J3上。利用精密秤J3测定负荷。此处的位移为挠曲量，例如，是指在Z方向上中央部的位置相对于玻璃基板的最高点的差。然后，将施加于中央部的负荷设为F、将中央部的位移设为y时，制作表示F与y的关系的图表，判定是否存在y的变化相对于F的变化变得不连续的部位，即是否存在dy/dF不连续的部位。然后，将存在不连续的部位的情况视为在半导体制造时整个系统的挠曲形状发生不连续的变化，产生工艺中的异状，记为不合格，将没有不连续的部位的情况记为合格。应予说明，图6是表示dy/dF的例子的图表。图6的线段L1为没有dy/dF不连续的部位的情况的例子，线段L2为存在dy/dF不连续的部位的情况的例子。其中，线段L1、L2为一个例子，不表示上述的各例的评价结果。
(评价结果)
表1中示出各例的评价结果。如表1所示，可知在作为实施例的例1～例8中，评价结果为合格，在作为比较例的例9～例10中，评价结果为不合格。
以上说明了本发明的实施方式，但实施方式不限于该实施方式的内容。另外，上述的构成要素包括本领域技术人员容易假定的构成、实质上相同的构成、所谓的均等的范围的构成。而且，上述的构成要素可以适当地组合。并且，在不脱离上述的实施方式的主旨的范围内可以进行构成要素的各种省略、替换或变更。
符号说明
10玻璃基板
10A、10B表面
AR中央区域
D1、W直径
SA1、SB1最低点
P1A、P1B第1位置
P2A、P2B第2位置
P3A、P3B第3位置

Claims (11)

1.一种玻璃基板，是用于制造半导体设备的玻璃基板，
在使一侧表面朝向垂直方向下方、用支承部件支承所述一侧表面的相对于所述玻璃基板的中心点为径向外侧的第1位置、第2位置和第3位置时，从垂直方向观察，另一侧表面中垂直方向上的高度处于最低的位置即最低点位于圆形的中央区域内，所述圆形的中央区域相对于所述第1位置、所述第2位置和所述第3位置为径向内侧且中心为所述玻璃基板的中心点、直径为所述玻璃基板的直径的1/3长度。
2.根据权利要求1所述的玻璃基板，其中，在使另一侧表面朝向垂直方向下方、用支承部件支承所述另一侧表面的相对于所述玻璃基板的中心点为径向外侧的第1位置、第2位置和第3位置时，从垂直方向观察，所述一侧表面中垂直方向上的高度处于最低的位置即最低点位于所述中央区域内。
3.根据权利要求1或2所述的玻璃基板，其中，厚度为2mm以下。
4.根据权利要求3所述的玻璃基板，其中，直径为150mm～700mm，
在使所述一侧表面朝向垂直方向下方、用支承部件支承所述一侧表面的所述第1位置、所述第2位置和所述第3位置时，最大挠曲量为650μm以下。
5.根据权利要求4所述的玻璃基板，其中，在使另一侧表面朝向垂直方向下方、用支承部件支承所述另一侧表面的相对于所述玻璃基板的中心点为径向外侧的第1位置、第2位置和第3位置时，最大挠曲量为600μm以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的玻璃基板，其中，将使所述一侧表面朝向垂直方向下方、用支承部件支承所述一侧表面的所述第1位置、所述第2位置和所述第3位置时的最大挠曲量与使所述另一侧表面朝向垂直方向下方、用支承部件支承所述另一侧表面的第1位置、第2位置和第3位置时的最大挠曲量中的值较大的一方设为Tmax，将所述玻璃基板的厚度设为D，将所述玻璃基板的杨氏模量设为E时，
Tmax·D3·E/1000≤20。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的玻璃基板，其中，除由自重所致的挠曲以外的情况下的翘曲量为250μm以下，且厚度的偏差为10μm以下。
8.根据权利要求7所述的玻璃基板，其中，除由自重所致的挠曲以外的情况下的翘曲量为100μm以下，且厚度的偏差为3μm以下。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的玻璃基板，其中，以氧化物基准的质量％计，
SiO2：40wt％～75wt％，
Al2O3：0wt％～20wt％，
B2O3：0wt％～20wt％，
MgO：0wt％～25wt％，
CaO：0wt％～25wt％，
SrO：0wt％～10wt％，
BaO：0wt％～20wt％，
Li2O：0wt％～40wt％，
Na2O：0wt％～15wt％，
K2O：0wt％～10wt％，
ZrO2：0wt％～10wt％，
TiO2：0wt％～5wt％，且
Y2O3：0wt％～10wt％。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的玻璃基板，是用于制造扇出型晶圆级封装和扇出型面板级封装中的至少一者的玻璃基板。
11.一种玻璃基板的制造方法，是权利要求1～10中任一项所述的玻璃基板的制造方法，包括如下步骤：
使原料熔解的步骤，
将熔解的所述原料在搅拌转速为5rpm～20rpm、12小时～24小时的条件下进行搅拌的步骤，以及
将搅拌后的所述原料冷却而形成所述玻璃基板的步骤。
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