JP2016155735A - 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】20〜200℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が66〜81×10−7/℃である支持ガラス基板。板厚方向、波長300nmにおける光の透過率が10%以上であり、ヤング率が65GPa以上であり、板厚が、2.0mm未満で、直径100〜500mmのウェハ形状又は略円形板形状で、板厚偏差が30μm以下で、反り量が60μm以下である支持ガラス基板10。
【選択図】図1
Description
(1)ガラス組成として、質量%で、SiO2 60〜75%、Al2O3 5〜15%、B2O3 5〜20%、MgO 0〜5%、CaO 0〜10%、SrO 0〜5%、BaO 0〜5%、ZnO 0〜5%、Na2O 7〜16%、K2O 0〜8%を含有することを特徴とする請求項6に記載の支持ガラス基板。
(2)ガラス組成として質量%で、SiO2 50〜80%、Al2O3 1〜20%、B2O3 0〜20%、MgO 0〜5%、CaO 0〜10%、SrO 0〜5%、BaO 0〜5%、ZnO 0〜5%、Na2O 5〜20%、K2O 0〜10%を含有。
(3)ガラス組成として、質量%で、SiO2 60〜75%、Al2O3 10〜20%、B2O3 0〜10%、MgO 0〜5%、CaO 0〜5%、SrO 0〜5%、BaO 0〜5%、ZnO 0〜5%、Na2O 6〜18%、K2O 0〜8%を含有。
(4)ガラス組成として質量%で、SiO2 40〜60%、Al2O3 5〜20%、B2O3 0〜20%、MgO 0〜5%、CaO 0〜10%、SrO 0〜20%、BaO 0〜20%、Na2O 4〜20%、K2O 0〜10%を含有。
(5)ガラス組成として、質量%で、SiO2 44〜54%、Al2O3 10〜15%、B2O3 0〜15%、MgO 0〜3.6%、CaO 3〜8%、SrO 4〜15%、BaO 0〜14%、Na2O 4〜15%、K2O 0〜10%を含有。
10、26 支持ガラス基板
11、24 加工基板
12 剥離層
13、21、25 接着層
20 支持部材
22 半導体チップ
23 封止材
28 配線
29 半田バンプ
Claims (19)
- 20〜200℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が66×10−7/℃以上、且つ81×10−7/℃以下であることを特徴とする支持ガラス基板。
- 30〜380℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が70×10−7/℃以上、且つ85×10−7/℃以下であることを特徴とする支持ガラス基板。
- 半導体パッケージの製造工程で加工基板の支持に用いることを特徴とする請求項1又は2に記載の支持ガラス基板。
- 板厚方向、波長300nmにおける紫外線透過率が40%以上であることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の支持ガラス基板。
- ヤング率が65GPa以上であることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の支持ガラス基板。
- ガラス組成として、質量%で、SiO2 40〜80%、Al2O3 1〜20%、B2O3 0〜20%、MgO 0〜12%、CaO 0〜10%、SrO 0〜20%、BaO 0〜20%、ZnO 0〜10%、Na2O 4〜20%、K2O 0〜15%を含有することを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の支持ガラス基板。
- ガラス組成として、質量%で、SiO2 60〜75%、Al2O3 5〜15%、B2O3 5〜20%、MgO 0〜5%、CaO 0〜10%、SrO 0〜5%、BaO 0〜5%、ZnO 0〜5%、Na2O 7〜16%、K2O 0〜8%を含有することを特徴とする請求項6に記載の支持ガラス基板。
- ガラス組成として質量%で、SiO2 50〜80%、Al2O3 1〜20%、B2O3 0〜20%、MgO 0〜5%、CaO 0〜10%、SrO 0〜5%、BaO 0〜5%、ZnO 0〜5%、Na2O 5〜20%、K2O 0〜10%を含有することを特徴とする請求項6に記載の支持ガラス基板。
- ガラス組成として、質量%で、SiO2 60〜75%、Al2O3 10〜20%、B2O3 0〜10%、MgO 0〜5%、CaO 0〜5%、SrO 0〜5%、BaO 0〜5%、ZnO 0〜5%、Na2O 6〜18%、K2O 0〜8%を含有することを特徴とする請求項6に記載の支持ガラス基板。
- ガラス組成として質量%で、SiO2 40〜60%、Al2O3 5〜20%、B2O3 0〜20%、MgO 0〜5%、CaO 0〜10%、SrO 0〜20%、BaO 0〜20%、Na2O 4〜20%、K2O 0〜10%を含有することを特徴とする請求項6に記載の支持ガラス基板。
- ガラス組成として、質量%で、SiO2 44〜54%、Al2O3 10〜15%、B2O3 0〜15%、MgO 0〜3.6%、CaO 3〜8%、SrO 4〜15%、BaO 0〜14%、Na2O 4〜15%、K2O 0〜10%を含有することを特徴とする請求項6に記載の支持ガラス基板。
- 板厚が2.0mm未満であり、直径100〜500mmのウェハ形状又は略円板形状であり、板厚偏差が30μm以下であり、且つ反り量が60μm以下であることを特徴とする請求項1〜11の何れかに記載の支持ガラス基板。
- 少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体であって、支持ガラス基板が請求項1〜12の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする積層体。
- 加工基板が、少なくとも封止材でモールドされた半導体チップを備えることを特徴とする請求項13に記載の積層体。
- 少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体を用意する工程と、
加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が請求項1〜12の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。 - 加工処理が、加工基板の一方の表面に配線する工程を含むことを特徴とする請求項15に記載の半導体パッケージの製造方法。
- 加工処理が、加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する工程を含むことを特徴とする請求項15又は16に記載の半導体パッケージの製造方法。
- 請求項15〜17の何れかに記載の半導体パッケージの製造方法により作製されたことを特徴とする半導体パッケージ。
- 半導体パッケージを備える電子機器であって、
半導体パッケージが、請求項18に記載の半導体パッケージであることを特徴とする電子機器。
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