JP2016169141A - 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体 - Google Patents
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Abstract
Description
他の組成として、本発明の支持ガラス基板は、ガラス組成として、質量%で、SiO2 55〜68%、Al2O3 12〜25%、B2O3 0〜15%、MgO+CaO+SrO+BaO 5〜30%を含有することが好ましい。ここで、「MgO+CaO+SrO+BaO」は、MgO、CaO、SrO及びBaOの合量である。
30〜380℃の温度範囲における平均熱膨張係数を50×10−7/℃以上、且つ70×10−7/℃未満に規制したい場合、支持ガラス基板は、ガラス組成として、質量%で、SiO2 55〜75%、Al2O3 3〜15%、B2O3 5〜20%、MgO 0〜5%、CaO 0〜10%、SrO 0〜5%、BaO 0〜5%、ZnO 0〜5%、Na2O 5〜15%、K2O 0〜10%を含有することが好ましく、SiO2 64〜71%、Al2O3 5〜10%、B2O3 8〜15%、MgO 0〜5%、CaO 0〜6%、SrO 0〜3%、BaO 0〜3%、ZnO 0〜3%、Na2O 5〜15%、K2O 0〜5%を含有することがより好ましい。30〜380℃の温度範囲における平均熱膨張係数を70×10−7/℃以上、且つ85×10−7/℃以下に規制したい場合、支持ガラス基板は、ガラス組成として、質量%で、SiO2 60〜75%、Al2O3 5〜15%、B2O3 5〜20%、MgO 0〜5%、CaO 0〜10%、SrO 0〜5%、BaO 0〜5%、ZnO 0〜5%、Na2O 7〜16%、K2O 0〜8%を含有することが好ましく、SiO2 60〜68%、Al2O3 5〜15%、B2O3 5〜20%、MgO 0〜5%、CaO 0〜10%、SrO 0〜3%、BaO 0〜3%、ZnO 0〜3%、Na2O 8〜16%、K2O 0〜3%を含有することが好ましい。30〜380℃の温度範囲における平均熱膨張係数を85×10−7/℃超、且つ120×10−7/℃以下に規制したい場合、支持ガラス基板は、ガラス組成として、質量%で、SiO2 55〜70%、Al2O3 3〜13%、B2O3 2〜8%、MgO 0〜5%、CaO 0〜10%、SrO 0〜5%、BaO 0〜5%、ZnO 0〜5%、Na2O 10〜21%、K2O 0〜5%を含有することが好ましい。30〜380℃の温度範囲における平均熱膨張係数を120×10−7/℃超、且つ165×10−7/℃以下に規制したい場合、支持ガラス基板は、ガラス組成として、質量%で、SiO2 53〜65%、Al2O3 3〜13%、B2O3 0〜5%、MgO 0.1〜6%、CaO 0〜10%、SrO 0〜5%、BaO 0〜5%、ZnO 0〜5%、Na2O+K2O 20〜40%、Na2O 12〜21%、K2O 7〜21%を含有することが好ましい。このようにすれば、熱膨張係数を所望の範囲に規制し易くなると共に、耐失透性が向上するため、全体板厚偏差が小さい支持ガラス基板を成形し易くなる。なお、「Na2O+K2O」は、Na2OとK2Oの合量を指す。「MgO+CaO+SrO+BaO」は、MgO、CaO、SrO及びBaOの合量を指す。
10、26 支持ガラス基板
11、24 加工基板
12 剥離層
13、21、25 接着層
20 支持部材
22 半導体チップ
23 封止材
28 配線
29 半田バンプ
Claims (15)
- 80℃、5質量%のHCl水溶液に24時間浸漬した後の表面の算術平均粗さRaが5nm以下になることを特徴とする支持ガラス基板。
- 全体板厚偏差が3.0μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の支持ガラス基板。
- 半導体パッケージの製造工程で加工基板の支持に用いることを特徴とする請求項1又は2に記載の支持ガラス基板。
- ガラス内部に合わせ面を有することを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の支持ガラス基板。
- ガラス組成中の[SiO2−Al2O3―B2O3−Na2O]の含有量が25.6質量%以上であることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の支持ガラス基板。
- ガラス組成として、質量%で、SiO2 55〜75%、Al2O3 3〜15%、B2O3 5〜20%、MgO 0〜5%、CaO 0〜10%、SrO 0〜5%、BaO 0〜5%、ZnO 0〜5%、Na2O 5〜15%、K2O 0〜10%を含有し、[SiO2−Al2O3―B2O3−Na2O]の値が25.6質量%以上であることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の支持ガラス基板。
- ガラス組成として、質量%で、SiO2 60〜75%、Al2O3 5〜15%、B2O3 5〜20%、MgO 0〜5%、CaO 0〜10%、SrO 0〜5%、BaO 0〜5%、ZnO 0〜5%、Na2O 7〜16%、K2O 0〜8%を含有し、[SiO2−Al2O3―B2O3−Na2O]の値が25.6質量%以上であることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の支持ガラス基板。
- 板厚が2.0mm未満であり、且つ反り量が60μm以下であることを特徴とする請求項1〜7の何れかに記載の支持ガラス基板。
- 少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体であって、支持ガラス基板が請求項1〜8の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする積層体。
- 加工基板が、少なくとも封止材でモールドされた半導体チップを備えることを特徴とする請求項9に記載の積層体。
- 少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体を用意する工程と、
加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が請求項1〜8の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。 - 加工処理が、加工基板の一方の表面に配線する工程を含むことを特徴とする請求項11に記載の半導体パッケージの製造方法。
- 加工処理が、加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する工程を含むことを特徴とする請求項11又は12に記載の半導体パッケージの製造方法。
- 請求項11〜13の何れかに記載の半導体パッケージの製造方法により作製されたことを特徴とする半導体パッケージ。
- 半導体パッケージを備える電子機器であって、
半導体パッケージが、請求項14に記載の半導体パッケージであることを特徴とする電子機器。
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