JP3012069B2 - Ｘ線露光用マスク構造体及びこれを用いたｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光用マスク構造体及びこれを用いたｘ線露光装置Info
- Publication number
- JP3012069B2 JP3012069B2 JP34762091A JP34762091A JP3012069B2 JP 3012069 B2 JP3012069 B2 JP 3012069B2 JP 34762091 A JP34762091 A JP 34762091A JP 34762091 A JP34762091 A JP 34762091A JP 3012069 B2 JP3012069 B2 JP 3012069B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- ray exposure
- support
- mask support
- mask structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 16
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 10
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
- G03F9/7053—Non-optical, e.g. mechanical, capacitive, using an electron beam, acoustic or thermal waves
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣ、ＬＳＩ等の製造に
用いるＸ線露光用マスク構造体及びこれを用いたＸ線露
光装置に関する。
用いるＸ線露光用マスク構造体及びこれを用いたＸ線露
光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩ等の高密度化に伴いＸ線露
光機の開発が盛んになってきている。Ｘ線露光に用いる
Ｘ線マスク構造体は、図２に示す様な透過型タイプが主
流となっており、一般に、シリコン単結晶からなる支持
枠１上に、Ｘ線透過率が高く、且つ機械的速度が高い材
料を成膜して支持体２とし、更にその上に、金やタング
ステン等のＸ線吸収体パターン３が形成され、全体が保
持枠４に取り付けられた構成となっている。又、この様
なマスク構造体を用いた露光方式としは、マスクとウエ
ハ間の距離を３０〜５０μｍ程度に保って露光を行うプ
ロキシミティ方式と言われる方式が主流となっている。
この方式では、一つの画角を露光し終わり、次の画角へ
とステージを移動させる際に、マスクとウエハがぶつか
ってマスクを破損することのない様、マスクとウエハ間
距離を１５０μｍ程度まで広げてから移動させ、その後
再び３０〜５０μｍのマスク−ウエハ間距離に調整して
露光を行っている。
光機の開発が盛んになってきている。Ｘ線露光に用いる
Ｘ線マスク構造体は、図２に示す様な透過型タイプが主
流となっており、一般に、シリコン単結晶からなる支持
枠１上に、Ｘ線透過率が高く、且つ機械的速度が高い材
料を成膜して支持体２とし、更にその上に、金やタング
ステン等のＸ線吸収体パターン３が形成され、全体が保
持枠４に取り付けられた構成となっている。又、この様
なマスク構造体を用いた露光方式としは、マスクとウエ
ハ間の距離を３０〜５０μｍ程度に保って露光を行うプ
ロキシミティ方式と言われる方式が主流となっている。
この方式では、一つの画角を露光し終わり、次の画角へ
とステージを移動させる際に、マスクとウエハがぶつか
ってマスクを破損することのない様、マスクとウエハ間
距離を１５０μｍ程度まで広げてから移動させ、その後
再び３０〜５０μｍのマスク−ウエハ間距離に調整して
露光を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、Ｘ
線マスク支持体２は吸収体パターン３を支持すると同時
に、高いＸ線透過率を有する必要がある為、窒化シリコ
ンや炭化シリコン等の機械的強度の高い膜を、２μｍ程
度の膜厚で自立させて用いている為、プロミキシティ方
式で、上記した一つの画角を露光し終わり次の露光領域
へ移動させる際に生じるマスク−ウエハ間距離の変動
は、マスク支持体２に対し圧力変動という形で力が加わ
ることになり、マスク支持体２をたわませてしまうとい
う問題が生じる。このたわみ量は最大数１０μｍにまで
も達し、たわみが緩和されるまでには０．１〜１秒程度
の時間を要する。又、露光中マスク支持体が帯電する
と、上記と同様にマスク支持体２にたわみが生じるとい
う問題がある。この様なマスク支持体２のたわみが生じ
ている間に露光を行なってしまうと、パターンの焼き付
け誤差を生じてしまうという問題が生じる。又、ウエハ
とマスクが地面に対して垂直な状態で露光を行なうタイ
プのＸ線露光機においては、マスク構造体の自重やその
他の外乱によるチャッキングのずれが生じることがあ
り、最悪の場合には落下してマスク破損に至る可能性も
あるという問題がある。従って、本発明の目的は、例え
ば、上記した様なマスク支持体のたわみやマスクチャッ
キングのずれといった露光に悪影響を与える状態変化を
検知することが出来、結果的にＸ線露光装置を使用する
際の歩留や信頼性を向上させ得るＸ線マスク構造体と、
これらを用いたＸ線露光装置を提供することにある。
線マスク支持体２は吸収体パターン３を支持すると同時
に、高いＸ線透過率を有する必要がある為、窒化シリコ
ンや炭化シリコン等の機械的強度の高い膜を、２μｍ程
度の膜厚で自立させて用いている為、プロミキシティ方
式で、上記した一つの画角を露光し終わり次の露光領域
へ移動させる際に生じるマスク−ウエハ間距離の変動
は、マスク支持体２に対し圧力変動という形で力が加わ
ることになり、マスク支持体２をたわませてしまうとい
う問題が生じる。このたわみ量は最大数１０μｍにまで
も達し、たわみが緩和されるまでには０．１〜１秒程度
の時間を要する。又、露光中マスク支持体が帯電する
と、上記と同様にマスク支持体２にたわみが生じるとい
う問題がある。この様なマスク支持体２のたわみが生じ
ている間に露光を行なってしまうと、パターンの焼き付
け誤差を生じてしまうという問題が生じる。又、ウエハ
とマスクが地面に対して垂直な状態で露光を行なうタイ
プのＸ線露光機においては、マスク構造体の自重やその
他の外乱によるチャッキングのずれが生じることがあ
り、最悪の場合には落下してマスク破損に至る可能性も
あるという問題がある。従って、本発明の目的は、例え
ば、上記した様なマスク支持体のたわみやマスクチャッ
キングのずれといった露光に悪影響を与える状態変化を
検知することが出来、結果的にＸ線露光装置を使用する
際の歩留や信頼性を向上させ得るＸ線マスク構造体と、
これらを用いたＸ線露光装置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、下記の本
発明によって達成される。即ち、本発明は、（１）全体
を取り付けるためのマスク保持枠、マスク支持枠、該マ
スク支持枠上のマスク支持体及び該マスク支持体上に形
成された吸収体パターンを有するマスク構造体におい
て、マスク構造体のマスク支持体のたわみ量変化を検知
するために前記マスク支持体自身の変位に対応した出力
を発生させる変位センサを前記マスク支持体上に設けた
ことを特徴とするＸ線露光用マスク構造体、（２）全体
を取り付けるためのマスク保持枠、マスク支持枠、該マ
スク支持枠上のマスク支持体及び該マスク支持体上に形
成された吸収体パターンを有するマスク構造体におい
て、マスク構造体のマスク支持体に働く加速度変化を検
知するために、カンチレバー構造体を有し、且つ、該カ
ンチレバー構造体に加わった力に対応した出力を発生す
る加速度センサーを設けたことを特徴とするＸ線露光用
マスク構造体、及び（３）これらを用いたＸ線露光装置
である。
発明によって達成される。即ち、本発明は、（１）全体
を取り付けるためのマスク保持枠、マスク支持枠、該マ
スク支持枠上のマスク支持体及び該マスク支持体上に形
成された吸収体パターンを有するマスク構造体におい
て、マスク構造体のマスク支持体のたわみ量変化を検知
するために前記マスク支持体自身の変位に対応した出力
を発生させる変位センサを前記マスク支持体上に設けた
ことを特徴とするＸ線露光用マスク構造体、（２）全体
を取り付けるためのマスク保持枠、マスク支持枠、該マ
スク支持枠上のマスク支持体及び該マスク支持体上に形
成された吸収体パターンを有するマスク構造体におい
て、マスク構造体のマスク支持体に働く加速度変化を検
知するために、カンチレバー構造体を有し、且つ、該カ
ンチレバー構造体に加わった力に対応した出力を発生す
る加速度センサーを設けたことを特徴とするＸ線露光用
マスク構造体、及び（３）これらを用いたＸ線露光装置
である。
【０００５】
【作用】本発明者らは前記した従来技術の問題点を解決
すべく鋭意研究の結果、マスク構造体に定常的状態から
の状態変化を検知し得るセンサを内蔵させれば、上記し
た様なマスク支持体のたわみやマスクチャッキングのず
れ、マスク落下等の情報を検知出来、更に、かかる情報
を本体にフィードバックすることによって、歩留り、信
頼性を向上させることが出来ることを知見して本発明に
至った。
すべく鋭意研究の結果、マスク構造体に定常的状態から
の状態変化を検知し得るセンサを内蔵させれば、上記し
た様なマスク支持体のたわみやマスクチャッキングのず
れ、マスク落下等の情報を検知出来、更に、かかる情報
を本体にフィードバックすることによって、歩留り、信
頼性を向上させることが出来ることを知見して本発明に
至った。
【０００６】
【実施例】実施例１ 図１は、本発明の一実施例である圧電体変位センサ内蔵
型マスク構造体の概略断面図（ａ）及びその斜視図
（ｂ）である。本発明のＸ線露光用マスク構造体は、マ
スク支持枠１、マスク支持体２、吸収体パターン３、マ
スク保持枠４から成る従来のマスク構造体に対し、マス
ク支持体２上に圧電体薄膜５を形成したことを特徴とす
る。尚、図１中では圧電体薄膜５を吸収体パターン３の
形成面と反対側に形成しているが、パターン３の形成面
に圧電体薄膜５を形成してもかまわない。かかる圧電体
薄膜５の上下から取り出す信号は、金属電極６によって
マスク保持枠４上に引き出し、不図示のマスクチャック
上の信号端子部と重なり合う位置に出力端子を形成する
ことにより取り出す。
型マスク構造体の概略断面図（ａ）及びその斜視図
（ｂ）である。本発明のＸ線露光用マスク構造体は、マ
スク支持枠１、マスク支持体２、吸収体パターン３、マ
スク保持枠４から成る従来のマスク構造体に対し、マス
ク支持体２上に圧電体薄膜５を形成したことを特徴とす
る。尚、図１中では圧電体薄膜５を吸収体パターン３の
形成面と反対側に形成しているが、パターン３の形成面
に圧電体薄膜５を形成してもかまわない。かかる圧電体
薄膜５の上下から取り出す信号は、金属電極６によって
マスク保持枠４上に引き出し、不図示のマスクチャック
上の信号端子部と重なり合う位置に出力端子を形成する
ことにより取り出す。
【０００７】図３は、圧電体薄膜５を有する圧電体変位
センサ部の部分断面拡大図である。尚、引き出し電極６
の途中において、マスク支持枠１とマスク保持枠４の接
合部等の導電性が確保し難い箇所については、ワイヤボ
ンディング７等によって接続し、一方、単結晶シリコン
製マスク支持枠等の導電性のある箇所に電極６を形成す
る場合には、あらかじめ絶縁膜８を形成しておくことが
好ましい。
センサ部の部分断面拡大図である。尚、引き出し電極６
の途中において、マスク支持枠１とマスク保持枠４の接
合部等の導電性が確保し難い箇所については、ワイヤボ
ンディング７等によって接続し、一方、単結晶シリコン
製マスク支持枠等の導電性のある箇所に電極６を形成す
る場合には、あらかじめ絶縁膜８を形成しておくことが
好ましい。
【０００８】例えば、マスク支持体２の形成材料として
厚さ２μｍの窒化シリコン膜を用い、支持枠４の開口径
をφ５０ｍｍとしたとき、マスク−ウエハ間距離の変動
に伴うマスク支持体２の最大のたわみ量は約１０μｍで
あり、該支持体２上に５×１ｍｍ、厚さ３０００Åのチ
タン酸バリウム膜を形成したとき、その端部の変位量
は、約４μｍに達する為、出力信号としては１．５×１
０-6Ｖ〜２×１０-6Ｖ程度の出力電圧を得ることが出来
る。又、チタン酸バリウム膜を、分極方向を変えて更に
１層積層しバイモルフ構造とすることにより、同じ変位
量で約８倍の出力電圧を得ることが出来る為、更に感度
の向上が図れる。
厚さ２μｍの窒化シリコン膜を用い、支持枠４の開口径
をφ５０ｍｍとしたとき、マスク−ウエハ間距離の変動
に伴うマスク支持体２の最大のたわみ量は約１０μｍで
あり、該支持体２上に５×１ｍｍ、厚さ３０００Åのチ
タン酸バリウム膜を形成したとき、その端部の変位量
は、約４μｍに達する為、出力信号としては１．５×１
０-6Ｖ〜２×１０-6Ｖ程度の出力電圧を得ることが出来
る。又、チタン酸バリウム膜を、分極方向を変えて更に
１層積層しバイモルフ構造とすることにより、同じ変位
量で約８倍の出力電圧を得ることが出来る為、更に感度
の向上が図れる。
【０００９】以上の様にして得られる出力信号を、露光
機稼動中、常時モニターし、マスク支持体２のたわみ量
が、所望の仕様を満足出来る値以下となった時に露光を
開始する様な制御機構をＸ線露光装置に設けることによ
り、マスク支持体のたわみによる焼き付け誤差を生じな
い高スループットの露光が可能となる。
機稼動中、常時モニターし、マスク支持体２のたわみ量
が、所望の仕様を満足出来る値以下となった時に露光を
開始する様な制御機構をＸ線露光装置に設けることによ
り、マスク支持体のたわみによる焼き付け誤差を生じな
い高スループットの露光が可能となる。
【００１０】実施例２ 図４に、本実施例における加速度センサ内蔵型Ｘ線露光
用マスク構造体の断面概略図を示す。又、図５に加速度
センサ部の拡大断面概略図（ａ）、拡大正面概略図
（ｂ）を示す。マスク支持枠１の材料としては異方性エ
ッチングによって開口部を形成する為、面方位（１０
０）のシリコン単結晶（厚さ４〜５ｍｍ）を用い、その
周囲全面にわたって、マスク支持体２の形成材料である
窒化シリコンを約２μｍの膜厚に形成する。尚、この際
には後のプロセスでシリコン基板をエッチング除去する
部分をあらかじめマスキングしておく。加速度センサ１
００を形成する支持枠１上の部位は、カンチレバーの形
状や作製プロセス等の点から平面であることが望まし
く、本実施例においてはオリエンテーションフラットと
呼ばれる（１１０）面にカットされた面を用いて考え
る。
用マスク構造体の断面概略図を示す。又、図５に加速度
センサ部の拡大断面概略図（ａ）、拡大正面概略図
（ｂ）を示す。マスク支持枠１の材料としては異方性エ
ッチングによって開口部を形成する為、面方位（１０
０）のシリコン単結晶（厚さ４〜５ｍｍ）を用い、その
周囲全面にわたって、マスク支持体２の形成材料である
窒化シリコンを約２μｍの膜厚に形成する。尚、この際
には後のプロセスでシリコン基板をエッチング除去する
部分をあらかじめマスキングしておく。加速度センサ１
００を形成する支持枠１上の部位は、カンチレバーの形
状や作製プロセス等の点から平面であることが望まし
く、本実施例においてはオリエンテーションフラットと
呼ばれる（１１０）面にカットされた面を用いて考え
る。
【００１１】図５に示した様にカンチレバー構造体１４
は、おもり部１４ａとカンチレバー部１４ｂとから成
り、カンチレバー部上には電極１７及び１８にはさまれ
た圧電体膜１６が形成されている。空胴部１５は、窒化
シリコン膜形成の際にマスキングされ、シリコン表面が
露出している部分をエッチングして作製する。その際、
異方性エッチングによって行なう場合には図５（ｂ）に
示す様に、カンチレバーの角度を基板端面に垂直方向か
ら５４．７°傾けて形成すれば、（マスク）面の方向に
エッチングが抑制された矩形形状の空洞部１５を得るこ
とが出来る。
は、おもり部１４ａとカンチレバー部１４ｂとから成
り、カンチレバー部上には電極１７及び１８にはさまれ
た圧電体膜１６が形成されている。空胴部１５は、窒化
シリコン膜形成の際にマスキングされ、シリコン表面が
露出している部分をエッチングして作製する。その際、
異方性エッチングによって行なう場合には図５（ｂ）に
示す様に、カンチレバーの角度を基板端面に垂直方向か
ら５４．７°傾けて形成すれば、（マスク）面の方向に
エッチングが抑制された矩形形状の空洞部１５を得るこ
とが出来る。
【００１２】電極１７及び１８からの信号は、マスク保
持枠４上に形成された引き出し電極６にワイヤボンディ
ング７等の方法により導かれて、不図示のマスクチャッ
キング面上に形成された信号端子部に導かれる。マスク
チャッキングの際には図６に示す様に、カンチレバーが
垂直方向に振動するように取り付けられ、例えば、カン
チレバー構造体を厚さ２μｍの窒化シリコン膜で形成す
るとき、おもり部１４ａの寸法を１．５ｍｍ×１．５ｍ
ｍとし、カンチレバー部１４ｂの寸法を１．５ｍｍ×
０．１５ｍｍとするならば、１０ｇｆの力が加わったと
きカンチレバー上の圧電体膜１７の変位量は約４．５μ
ｍとなる。この時圧電体膜を厚さ３０００Åのチタン酸
バリウムで形成すれば、２〜３ｍＶの出力電圧が得られ
る。
持枠４上に形成された引き出し電極６にワイヤボンディ
ング７等の方法により導かれて、不図示のマスクチャッ
キング面上に形成された信号端子部に導かれる。マスク
チャッキングの際には図６に示す様に、カンチレバーが
垂直方向に振動するように取り付けられ、例えば、カン
チレバー構造体を厚さ２μｍの窒化シリコン膜で形成す
るとき、おもり部１４ａの寸法を１．５ｍｍ×１．５ｍ
ｍとし、カンチレバー部１４ｂの寸法を１．５ｍｍ×
０．１５ｍｍとするならば、１０ｇｆの力が加わったと
きカンチレバー上の圧電体膜１７の変位量は約４．５μ
ｍとなる。この時圧電体膜を厚さ３０００Åのチタン酸
バリウムで形成すれば、２〜３ｍＶの出力電圧が得られ
る。
【００１３】その為、この出力電圧の変化を露光装置本
体にフィードバックさせ、例えば、力が加わってマスク
のずれが生じた時にチャッキングする力を強くする様な
対策を講ずるマスク落下防止機構をＸ線露光装置に設け
れば、マスクの落下を未然に防ぐことが出来る。チャッ
キングする力を強くする様な対策としては、例えば、ず
れを検知するとチャッキング用のマグネットが強力にな
りそれ以上のずれを防止する方法等がある。
体にフィードバックさせ、例えば、力が加わってマスク
のずれが生じた時にチャッキングする力を強くする様な
対策を講ずるマスク落下防止機構をＸ線露光装置に設け
れば、マスクの落下を未然に防ぐことが出来る。チャッ
キングする力を強くする様な対策としては、例えば、ず
れを検知するとチャッキング用のマグネットが強力にな
りそれ以上のずれを防止する方法等がある。
【００１４】又、突然にチャッキング不能となり、マス
ク落下という事態に陥った場合においても、Ｘ線露光装
置に落下が始まる時に加わる加速度を瞬時に検知し、落
下してくるマスクを破損することなく受とめる様な破損
防止機構を設けておけば、これを作動させることによ
り、マスク破損に伴う長時間の稼動停止という事態を回
避することが出来る。尚、この場合には落下速度に対し
てセンサの応答速度が速いことが必要条件であるが、本
実施例中で述べた加速度センサは、マスクの自由落下と
いう最悪の事態に対しても十分対応することが出来る応
答速度を有している。
ク落下という事態に陥った場合においても、Ｘ線露光装
置に落下が始まる時に加わる加速度を瞬時に検知し、落
下してくるマスクを破損することなく受とめる様な破損
防止機構を設けておけば、これを作動させることによ
り、マスク破損に伴う長時間の稼動停止という事態を回
避することが出来る。尚、この場合には落下速度に対し
てセンサの応答速度が速いことが必要条件であるが、本
実施例中で述べた加速度センサは、マスクの自由落下と
いう最悪の事態に対しても十分対応することが出来る応
答速度を有している。
【００１５】
【効果】以上説明した様に、本発明では、マスク構造体
にマスク支持体のたわみ量変化が検知される機能を有し
ていることによって、マスク支持体のたわみをモニター
することが可能となる。この為、例えばかかるモニター
結果をＸ線露光装置にフィードバックさせて、検知され
たマスク支持体におけるたわみ量の変化が定常的状態に
戻った後に露光を開始するように制御することにより、
パターン精度に優れた露光を行なうことが出来る。又、
更にこれとは別に本発明では、マスク構造体に加速度変
化が検知される機能を有していることによって、マスク
構造体に働く加速度のモニターが可能となる。この為、
例えばかかるモニター結果に応じて作動するマスクの落
下防止機構や破損防止機構を設けることにより、マスク
の落下を未然に防止することが出来、更に、露光機内で
のマスク破損による長時間の稼動停止といった事態を有
効に回避することが出来る。
にマスク支持体のたわみ量変化が検知される機能を有し
ていることによって、マスク支持体のたわみをモニター
することが可能となる。この為、例えばかかるモニター
結果をＸ線露光装置にフィードバックさせて、検知され
たマスク支持体におけるたわみ量の変化が定常的状態に
戻った後に露光を開始するように制御することにより、
パターン精度に優れた露光を行なうことが出来る。又、
更にこれとは別に本発明では、マスク構造体に加速度変
化が検知される機能を有していることによって、マスク
構造体に働く加速度のモニターが可能となる。この為、
例えばかかるモニター結果に応じて作動するマスクの落
下防止機構や破損防止機構を設けることにより、マスク
の落下を未然に防止することが出来、更に、露光機内で
のマスク破損による長時間の稼動停止といった事態を有
効に回避することが出来る。
【図１】（ａ）は圧電体変位センサを内蔵したマスク構
造体の概略断面図である。 （ｂ）は同斜視図である。
造体の概略断面図である。 （ｂ）は同斜視図である。
【図２】従来のマスク構造体を表す断面概略図である。
【図３】図１における圧電体変位センサ部の部分拡大図
である。
である。
【図４】実施例２におけるマスク構造体を示す概略断面
図である。
図である。
【図５】（ａ）は図４における加速度センサ部の拡大概
略断面図である。 （ｂ）は同拡大概略正面図である。
略断面図である。 （ｂ）は同拡大概略正面図である。
【図６】実施例２におけるマスク構造体のチャッキング
方向を表す図である。
方向を表す図である。
１：マスク支持枠 ２：マスク支持体 ３：吸収体パターン ４：マスク保持枠 ５、１６：圧電体薄膜 ６：引き出し電極 ７：ワイヤボンディング接続部 ８：絶縁体 ９：金属電極 ９０ａ：圧電体下部電極 ９０ｂ：圧電体上部電極 １０：ウエハ １１：レジスト １２：ウエハ側信号線 １３：マスク側信号線 １４：カンチレバー構造体 １４ａ：カンチレバー構造体のおもり部 １４ｂ：カンチレバー構造体のカンチレバー部 １５：空胴部 １７、１８：圧電体用電極 １９：Ｖブロック １００：加速度センサ形成部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−122121（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−282818（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−285802（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−17627（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−60013（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 H01L 41/08
Claims (7)
- 【請求項１】 全体を取り付けるためのマスク保持枠、
マスク支持枠、該マスク支持枠上のマスク支持体及び該
マスク支持体上に形成された吸収体パターンを有するマ
スク構造体において、マスク構造体のマスク支持体のた
わみ量変化を検知するために前記マスク支持体自身の変
位に対応した出力を発生させる変位センサを前記マスク
支持体上に設けたことを特徴とするＸ線露光用マスク構
造体。 - 【請求項２】 たわみ量の変化が、マスク支持体表面に
形成された圧電体薄膜からの出力電圧によって検知され
る請求項１に記載のＸ線露光用マスク構造体。 - 【請求項３】 全体を取り付けるためのマスク保持枠、
マスク支持枠、該マスク支持枠上のマスク支持体及び該
マスク支持体上に形成された吸収体パターンを有するマ
スク構造体において、マスク構造体のマスク支持体に働
く加速度変化を検知するために、カンチレバー構造体を
有し、且つ、該カンチレバー構造体に加わった力に対応
した出力を発生する加速度センサーを設けたことを特徴
とするＸ線露光用マスク構造体。 - 【請求項４】 加速度の変化が、マスク支持枠と一体的
に形成された加速度センサーによって検知される請求項
３に記載のＸ線露光用マスク構造体。 - 【請求項５】 請求項１に記載のＸ線露光用マスク構造
体を使用するＸ線露光装置において、検知されたマスク
支持体におけるたわみ量の変化が定常的状態に戻った後
に露光を開始するように制御されていることを特徴とす
るＸ線露光装置。 - 【請求項６】 請求項３に記載のＸ線露光用マスク構造
体を使用するＸ線露光装置において、マスク構造体に働
く加速度を検知した信号に基づき作動するマスクの落下
防止機構が設けられていることを特徴とするＸ線露光装
置。 - 【請求項７】 請求項３に記載のＸ線露光用マスク構造
体を使用するＸ線露光装置において、マスク構造体に働
く加速度を検知した信号に基づき作動するマスク破損防
止機構が設けられていることを特徴とするＸ線露光装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34762091A JP3012069B2 (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | Ｘ線露光用マスク構造体及びこれを用いたｘ線露光装置 |
| US07/984,527 US5333167A (en) | 1991-12-04 | 1992-12-02 | Mask structure for x-ray exposure and x-ray exposure device and method using it |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34762091A JP3012069B2 (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | Ｘ線露光用マスク構造体及びこれを用いたｘ線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160004A JPH05160004A (ja) | 1993-06-25 |
| JP3012069B2 true JP3012069B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=18391455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34762091A Expired - Fee Related JP3012069B2 (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | Ｘ線露光用マスク構造体及びこれを用いたｘ線露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5333167A (ja) |
| JP (1) | JP3012069B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6144719A (en) * | 1996-01-22 | 2000-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method, exposure device and device producing method |
| US5854819A (en) * | 1996-02-07 | 1998-12-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask supporting device and correction method therefor, and exposure apparatus and device producing method utilizing the same |
| US6069931A (en) * | 1997-02-28 | 2000-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask structure and mask holding mechanism for exposure apparatus |
| JP3377165B2 (ja) * | 1997-05-19 | 2003-02-17 | キヤノン株式会社 | 半導体露光装置 |
| JP3332872B2 (ja) * | 1998-10-27 | 2002-10-07 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
| JP3311302B2 (ja) | 1998-10-27 | 2002-08-05 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
| US6295332B1 (en) * | 1999-06-12 | 2001-09-25 | Robert Allen Selzer | Method of improving x-ray lithography in the sub 100nm range to create high quality semiconductor devices |
| US6556281B1 (en) * | 2000-05-23 | 2003-04-29 | Asml Us, Inc. | Flexible piezoelectric chuck and method of using the same |
| US7196775B2 (en) * | 2004-08-23 | 2007-03-27 | Asml Holding N.V. | Patterned mask holding device and method using two holding systems |
| WO2006129348A1 (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Topcon Corporation | 半導体製造装置 |
| JP5748141B2 (ja) * | 2011-05-31 | 2015-07-15 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58118648A (ja) * | 1982-01-08 | 1983-07-14 | Seiko Epson Corp | Ｘ線露光用マスク |
| DE3856054T2 (de) * | 1987-02-18 | 1998-03-19 | Canon Kk | Reflexionsmaske |
| US5012500A (en) * | 1987-12-29 | 1991-04-30 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask support member, X-ray mask, and X-ray exposure process using the X-ray mask |
| EP0323264B1 (en) * | 1987-12-29 | 1997-05-14 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure process using an electrically conductive x-ray mask |
| JPH01278019A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-08 | Canon Inc | リソグラフィ用マスクの構造体 |
| JPH01282818A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-14 | Canon Inc | Ｘ線露光方法、装置およびｘ線露光用原版 |
| US4964145A (en) * | 1989-07-24 | 1990-10-16 | International Business Machines Corporation | System for magnification correction of conductive X-ray lithography mask substrates |
-
1991
- 1991-12-04 JP JP34762091A patent/JP3012069B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-12-02 US US07/984,527 patent/US5333167A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05160004A (ja) | 1993-06-25 |
| US5333167A (en) | 1994-07-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3012069B2 (ja) | Ｘ線露光用マスク構造体及びこれを用いたｘ線露光装置 | |
| US7393714B2 (en) | Method of manufacturing external force detection sensor | |
| US20030010749A1 (en) | Mask for fabrication of semiconductor devices, process for production of the same, and process for fabrication of semiconductor devices | |
| US5194402A (en) | Method of producing microsensors with integrated signal processing | |
| JP3402661B2 (ja) | カンチレバー型プローブ、及びこれを用いた情報処理装置 | |
| US6130010A (en) | Method for producing a semiconductor dynamic sensor using an anisotropic etching mask | |
| US5357803A (en) | Micromachined microaccelerometer for measuring acceleration along three axes | |
| US20060192578A1 (en) | Inspection method and inspection apparatus | |
| US5138216A (en) | Micro-beam tactile sensor for the measurement of vertical position displacement | |
| JPH0661509A (ja) | 加速度検出のための構造及びそのセンサ素子の製造方法 | |
| WO2022247277A1 (zh) | Mems差压传感器及其制造方法 | |
| JP2822486B2 (ja) | 感歪センサおよびその製造方法 | |
| JP2003092413A (ja) | 半導体加速度センサー | |
| JPH04249727A (ja) | 力および加速度の検出装置 | |
| JPS61177783A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP2740898B2 (ja) | Ｘ線露光マスクとその製造方法 | |
| EP0428175B1 (en) | Method of making a semiconductor sensor having funnel-shaped apertures in the semiconductor substrate | |
| JP3117004B2 (ja) | 電子線露光方法 | |
| JPH07117553B2 (ja) | 半導体加速度センサの製造方法 | |
| JP2805314B2 (ja) | ワイヤボンダにおけるボール形成装置 | |
| JPH05149970A (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JPH05203519A (ja) | 圧力センサの製造方法 | |
| JPH06224450A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6252928A (ja) | 半導体ウエハの位置設定装置 | |
| JPH1172505A (ja) | 加速度センサおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |