JPS58118648A - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
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- JPS58118648A JPS58118648A JP57001447A JP144782A JPS58118648A JP S58118648 A JPS58118648 A JP S58118648A JP 57001447 A JP57001447 A JP 57001447A JP 144782 A JP144782 A JP 144782A JP S58118648 A JPS58118648 A JP S58118648A
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- JP
- Japan
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- mask
- wafer
- ray
- ray exposure
- piezoelectric elements
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- Pending
Links
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- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 abstract description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
大発明け、軟Ｘ線を甲いて半導体装置にパターンを転写
する為に用いられるＸＳ＊光用マヌクの構−ｆｆｉに関
する。
する為に用いられるＸＳ＊光用マヌクの構−ｆｆｉに関
する。
本発明の目的に、軟Ｘ線ＫＬるパターン転写の際の合わ
せ精度の向上にある。
せ精度の向上にある。
膣下図に依って詳り、 （説明する。
箪１図σ軟Ｘ砦によるパターン転写の基本となる０発散
資を戸いｒプロギシミテイ庫光の釦略図〒ある。高真容
容器１内で電子銃２から＃組され斤電子をターケラ）５
に照射してＸｆｈを発生させこれをぺｌｌ １１ ｒ’
７．６薄膜からなるＸ線数り出しさ４からをり出す、ｇ
ｙ室９０ｘ＠吸収の少ないへ１１１′７Ｊ−ガス雰囲気
である。ウェハ５とｊＩ光マスク曲Ｋに崩光マスクを傷
つけない為Ｋ１１ｌ小な間陣が設けられ露光方式とじて
に、いわゆるプロキシミテイＭ党方式が採られる。Ｉｓ
資７７りに、金で・らなるＸ＃吸収体８と吸収体を支持
するマスク基板７及びマスク基数を支持する支持枠６と
から成る。
資を戸いｒプロギシミテイ庫光の釦略図〒ある。高真容
容器１内で電子銃２から＃組され斤電子をターケラ）５
に照射してＸｆｈを発生させこれをぺｌｌ １１ ｒ’
７．６薄膜からなるＸ線数り出しさ４からをり出す、ｇ
ｙ室９０ｘ＠吸収の少ないへ１１１′７Ｊ−ガス雰囲気
である。ウェハ５とｊＩ光マスク曲Ｋに崩光マスクを傷
つけない為Ｋ１１ｌ小な間陣が設けられ露光方式とじて
に、いわゆるプロキシミテイＭ党方式が採られる。Ｉｓ
資７７りに、金で・らなるＸ＃吸収体８と吸収体を支持
するマスク基板７及びマスク基数を支持する支持枠６と
から成る。
Ｘ＆’ｊｌＨ？方式に波長が−わめて短い霞め解像匿が
良く、鍛小寸法が１ミクロン以下いわゆるサブミクロン
の半導体装置の製造−不可欠な装置であるが、サブミク
ロンの半導体装置の製造には現＃点でまだ畝条（の問題
が炊されており、その中の１つにＸｍｊｌｌ光における
パターンの合わせ練歩の間鵬カする。ウェハ土のパター
ンとマヌクパターンの位置ずれ検出に関して１研背が進
んでおり、フレネルゾーンプレートを甲いる方法、ある
い１回折格子を甲いる方法に１ってサブミクロンの半導
体装置製造に充分な構造が得られている。従って製造工
程中でウニ・・が質什しない場合にもちろんであるが、
変形してもウェー・内で均一に変形すなわち伸縮し斤場
合にもウェー・−露テマスクの間隙の調整でサブミクロ
ンの半導体装置製造に充分な合わせ精ＩｆＬが得られる
。しかし、現実にけウェハがｆｙＰＬない事、蛍ｙＶ／
がウェー・内で一様である事に期待でをないのでウェハ
の変形に対処する伺らかの方法が必曹とされる１本発明
にウェハの変形に合わせて露光マスクを変形させる事に
ぶって上記の開−を解決するものである・ 第１図に製造工程中でのウェハの変形の一例を示す図で
ある。実際に正方形を組合わせ声変形前のウェハ上の図
形であシ破ｔａニ製造工程においてｆ形し７？後の図形
である９図に示すとおり１図の下方に変化しておらず上
の２つの正方形に変形が生じている。従ってウェー・−
ｍ＋マスクの関ｉＩ−整だけでにウェハ全面において精
度良（パターンを合わせる事かで会ない、ｆｆｆ後のパ
ターンに変形前とｒｃｉｌじパターンを合わせる場合Ｋ
ｉｊ第２−の辺１１ａに対応する露光マスクの部分を辺
１１ｂの長さに縮め１辺１０ａを辺１０ｂの長さ辺１２
ａを辺１２ｂの長さに伸ばす必曹がある。第５図上記の
伸縮に対応出来る本発明のＸ ＠ｌ１ｌｊｆ甲マスクを
示すダである０図の１５ｔｆｊ７．線吸収体。
良く、鍛小寸法が１ミクロン以下いわゆるサブミクロン
の半導体装置の製造−不可欠な装置であるが、サブミク
ロンの半導体装置の製造には現＃点でまだ畝条（の問題
が炊されており、その中の１つにＸｍｊｌｌ光における
パターンの合わせ練歩の間鵬カする。ウェハ土のパター
ンとマヌクパターンの位置ずれ検出に関して１研背が進
んでおり、フレネルゾーンプレートを甲いる方法、ある
い１回折格子を甲いる方法に１ってサブミクロンの半導
体装置製造に充分な構造が得られている。従って製造工
程中でウニ・・が質什しない場合にもちろんであるが、
変形してもウェー・内で均一に変形すなわち伸縮し斤場
合にもウェー・−露テマスクの間隙の調整でサブミクロ
ンの半導体装置製造に充分な合わせ精ＩｆＬが得られる
。しかし、現実にけウェハがｆｙＰＬない事、蛍ｙＶ／
がウェー・内で一様である事に期待でをないのでウェハ
の変形に対処する伺らかの方法が必曹とされる１本発明
にウェハの変形に合わせて露光マスクを変形させる事に
ぶって上記の開−を解決するものである・ 第１図に製造工程中でのウェハの変形の一例を示す図で
ある。実際に正方形を組合わせ声変形前のウェハ上の図
形であシ破ｔａニ製造工程においてｆ形し７？後の図形
である９図に示すとおり１図の下方に変化しておらず上
の２つの正方形に変形が生じている。従ってウェー・−
ｍ＋マスクの関ｉＩ−整だけでにウェハ全面において精
度良（パターンを合わせる事かで会ない、ｆｆｆ後のパ
ターンに変形前とｒｃｉｌじパターンを合わせる場合Ｋ
ｉｊ第２−の辺１１ａに対応する露光マスクの部分を辺
１１ｂの長さに縮め１辺１０ａを辺１０ｂの長さ辺１２
ａを辺１２ｂの長さに伸ばす必曹がある。第５図上記の
伸縮に対応出来る本発明のＸ ＠ｌ１ｌｊｆ甲マスクを
示すダである０図の１５ｔｆｊ７．線吸収体。
１４は吸収体を支持するマスク基金、１５．１６に支持
枠を示す、支持枠１５，１６上にチタン酸バリウム等の
強誘電体もしくにその他の田電物實からなる圧電′＃子
１７，１１３を付け１位置ずれ検出機構からの情報に応
じて各々の圧Ｗ素子を伸縮し、支持枠を変形し、ウェハ
のｆＶと一致させる。
枠を示す、支持枠１５，１６上にチタン酸バリウム等の
強誘電体もしくにその他の田電物實からなる圧電′＃子
１７，１１３を付け１位置ずれ検出機構からの情報に応
じて各々の圧Ｗ素子を伸縮し、支持枠を変形し、ウェハ
のｆＶと一致させる。
マスク基板１４σ薄い為支持枠の変形で容易に変形する
ウウエハと重なる位置にある支持体１６上にに支持枠の
ウニ・・１１１に圧Ｗ素子を設けるＪ＃が出来ないが、
ウェハと１ならない周辺の支持枠１５上には両面に圧Ｗ
素子１７．１８を設け１両者の８ｇ度の差に工ってウェ
ハのそジと露光マスクのそりを一致させる事も出来る０
以上述べた様に本発明のＸ−露光甲マスクは製造工程中
のウニＩ・のｆ形［％応で舞るｋめ極めて精■の良い位
置合わせが可能でありサブミクロンの半導体装置の製造
に必妙な合わせ精度を満たすものであるのでサブミクロ
ンの半導体装置の製造に大いに役立つ。
ウウエハと重なる位置にある支持体１６上にに支持枠の
ウニ・・１１１に圧Ｗ素子を設けるＪ＃が出来ないが、
ウェハと１ならない周辺の支持枠１５上には両面に圧Ｗ
素子１７．１８を設け１両者の８ｇ度の差に工ってウェ
ハのそジと露光マスクのそりを一致させる事も出来る０
以上述べた様に本発明のＸ−露光甲マスクは製造工程中
のウニＩ・のｆ形［％応で舞るｋめ極めて精■の良い位
置合わせが可能でありサブミクロンの半導体装置の製造
に必妙な合わせ精度を満たすものであるのでサブミクロ
ンの半導体装置の製造に大いに役立つ。
第１図げ軟ＸＩｆＭ露光の微略図である。
第２図にウェハの変形の一例１を示す図である。
ｖｉｔｓｒｙＪｖ本発明のＸ練露光甲マスクを示す図で
ある・ ６．１５．１６・・・支持枠 ７．１４・・・マスク基金 ８．１５−Ｘ＠吸収体 ５・・・ウェハー １７．１８・・・圧電素子 以上 株式会社 識訪精工舎
ある・ ６．１５．１６・・・支持枠 ７．１４・・・マスク基金 ８．１５−Ｘ＠吸収体 ５・・・ウェハー １７．１８・・・圧電素子 以上 株式会社 識訪精工舎
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）軟Ｘ線を吸収する材質からなるマスクパターンと、
軟Ｘ線を透過し易い材質がらなシ上にマスクパターンを
支える薄いマスク基数と、上１ニマスク基板を支える支
持枠を有するＸ線１ｉＩＥｆ甲マスクにおいて、＃Ｉｅ
支持粋士にＥＥｔ素子を有する事を％徴とするＸ線膵光
甲７２り。 ？）ＥＦＷ素子ｔＩ′ｊ強誘電体からなる事を特徴とす
る請求のか囲框１功記載のＸ線転写甲マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57001447A JPS58118648A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | Ｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57001447A JPS58118648A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58118648A true JPS58118648A (ja) | 1983-07-14 |
Family
ID=11501688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57001447A Pending JPS58118648A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58118648A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02228658A (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-11 | Nec Kyushu Ltd | 縮小投影型露光装置 |
| EP0410106A2 (en) * | 1989-07-24 | 1991-01-30 | International Business Machines Corporation | System for magnification correction of conductive x-ray lithography mask substrates |
| JPH0473766A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-09 | Toshiba Corp | プロキシミティ露光装置 |
| US5333167A (en) * | 1991-12-04 | 1994-07-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask structure for x-ray exposure and x-ray exposure device and method using it |
| KR100618675B1 (ko) * | 1999-04-16 | 2006-09-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 엑스-선 마스크의 구조 및 그 제조방법 |
-
1982
- 1982-01-08 JP JP57001447A patent/JPS58118648A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02228658A (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-11 | Nec Kyushu Ltd | 縮小投影型露光装置 |
| EP0410106A2 (en) * | 1989-07-24 | 1991-01-30 | International Business Machines Corporation | System for magnification correction of conductive x-ray lithography mask substrates |
| JPH0473766A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-09 | Toshiba Corp | プロキシミティ露光装置 |
| US5333167A (en) * | 1991-12-04 | 1994-07-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask structure for x-ray exposure and x-ray exposure device and method using it |
| KR100618675B1 (ko) * | 1999-04-16 | 2006-09-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 엑스-선 마스크의 구조 및 그 제조방법 |
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