JPH05160004A - Ｘ線露光用マスク構造体及びこれを用いたｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光用マスク構造体及びこれを用いたｘ線露光装置Info
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マスク支持体のたわみやマスクチャッキング
のずれを検知することが出来る機能を有するＸ線マスク
構造体を提供し、検知された情報をＸ線露光装置にフィ
ードバックさせることにより、Ｘ線露光装置における歩
留まりや信頼性を向上させる。 【構成】 マスク保持枠、マスク支持枠、マスク支持体
及び吸収体パターンから成るマスク構造体において、定
常的状態からの状態変化が検知される機能を有している
ことを特徴とするＸ線露光用マスク構造体及びこれを用
いたＸ線露光装置。
のずれを検知することが出来る機能を有するＸ線マスク
構造体を提供し、検知された情報をＸ線露光装置にフィ
ードバックさせることにより、Ｘ線露光装置における歩
留まりや信頼性を向上させる。 【構成】 マスク保持枠、マスク支持枠、マスク支持体
及び吸収体パターンから成るマスク構造体において、定
常的状態からの状態変化が検知される機能を有している
ことを特徴とするＸ線露光用マスク構造体及びこれを用
いたＸ線露光装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣ、ＬＳＩ等の製造に
用いるＸ線露光用マスク構造体及びこれを用いたＸ線露
光装置に関する。
用いるＸ線露光用マスク構造体及びこれを用いたＸ線露
光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩ等の高密度化に伴いＸ線露
光機の開発が盛んになってきている。Ｘ線露光に用いる
Ｘ線マスク構造体は、図２に示す様な透過型タイプが主
流となっており、一般に、シリコン単結晶からなる支持
枠１上に、Ｘ線透過率が高く、且つ機械的速度が高い材
料を成膜して支持体２とし、更にその上に、金やタング
ステン等のＸ線吸収体パターン３が形成され、全体が保
持枠４に取り付けられた構成となっている。又、この様
なマスク構造体を用いた露光方式としは、マスクとウエ
ハ間の距離を３０〜５０μｍ程度に保って露光を行うプ
ロキシミティ方式と言われる方式が主流となっている。
この方式では、一つの画角を露光し終わり、次の画角へ
とステージを移動させる際に、マスクとウエハがぶつか
ってマスクを破損することのない様、マスクとウエハ間
距離を１５０μｍ程度まで広げてから移動させ、その後
再び３０〜５０μｍのマスク−ウエハ間距離に調整して
露光を行っている。
光機の開発が盛んになってきている。Ｘ線露光に用いる
Ｘ線マスク構造体は、図２に示す様な透過型タイプが主
流となっており、一般に、シリコン単結晶からなる支持
枠１上に、Ｘ線透過率が高く、且つ機械的速度が高い材
料を成膜して支持体２とし、更にその上に、金やタング
ステン等のＸ線吸収体パターン３が形成され、全体が保
持枠４に取り付けられた構成となっている。又、この様
なマスク構造体を用いた露光方式としは、マスクとウエ
ハ間の距離を３０〜５０μｍ程度に保って露光を行うプ
ロキシミティ方式と言われる方式が主流となっている。
この方式では、一つの画角を露光し終わり、次の画角へ
とステージを移動させる際に、マスクとウエハがぶつか
ってマスクを破損することのない様、マスクとウエハ間
距離を１５０μｍ程度まで広げてから移動させ、その後
再び３０〜５０μｍのマスク−ウエハ間距離に調整して
露光を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、Ｘ
線マスク支持体２は吸収体パターン３を支持すると同時
に、高いＸ線透過率を有する必要がある為、窒化シリコ
ンや炭化シリコン等の機械的強度の高い膜を、２μｍ程
度の膜厚で自立させて用いている。この為、プロミキシ
ティ方式で、上記した一つの画角を露光し終わり次の露
光領域へ移動させる際に生じるマスク−ウエハ間距離の
変動は、マスク支持体２に対し圧力変動という形で力が
加わることになり、マスク支持体２をたわませてしまう
という問題が生じる。このたわみ量は最大数１０μｍに
までも達し、たわみが緩和されるまでには０．１〜１秒
程度の時間を要する。又、露光中マスク支持体が帯電す
ると、上記と同様にマスク支持体２にたわみが生じると
いう問題がある。この様なマスク支持体２のたわみが生
じている間に露光を行なってしまうと、パターンの焼き
付け誤差を生じてしまうという問題が生じる。又、ウエ
ハとマスクが地面に対して垂直な状態で露光を行なうタ
イプのＸ線露光機においては、マスク構造体の自重やそ
の他の外乱によるチャッキングのずれが生じることがあ
り、最悪の場合には落下してマスク破損に至る可能性も
あるという問題がある。従って、本発明の目的は、上記
した様なマスク支持体のたわみやマスクチャッキングの
ずれを検知することが出来る機能を有するＸ線マスク構
造体を提供し、Ｘ線露光装置を使用する際の歩留まりや
信頼性を向上させるものである。
線マスク支持体２は吸収体パターン３を支持すると同時
に、高いＸ線透過率を有する必要がある為、窒化シリコ
ンや炭化シリコン等の機械的強度の高い膜を、２μｍ程
度の膜厚で自立させて用いている。この為、プロミキシ
ティ方式で、上記した一つの画角を露光し終わり次の露
光領域へ移動させる際に生じるマスク−ウエハ間距離の
変動は、マスク支持体２に対し圧力変動という形で力が
加わることになり、マスク支持体２をたわませてしまう
という問題が生じる。このたわみ量は最大数１０μｍに
までも達し、たわみが緩和されるまでには０．１〜１秒
程度の時間を要する。又、露光中マスク支持体が帯電す
ると、上記と同様にマスク支持体２にたわみが生じると
いう問題がある。この様なマスク支持体２のたわみが生
じている間に露光を行なってしまうと、パターンの焼き
付け誤差を生じてしまうという問題が生じる。又、ウエ
ハとマスクが地面に対して垂直な状態で露光を行なうタ
イプのＸ線露光機においては、マスク構造体の自重やそ
の他の外乱によるチャッキングのずれが生じることがあ
り、最悪の場合には落下してマスク破損に至る可能性も
あるという問題がある。従って、本発明の目的は、上記
した様なマスク支持体のたわみやマスクチャッキングの
ずれを検知することが出来る機能を有するＸ線マスク構
造体を提供し、Ｘ線露光装置を使用する際の歩留まりや
信頼性を向上させるものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、下記の本
発明によって達成される。即ち、本発明は、マスク保持
枠、マスク支持枠、マスク支持体及び吸収体パターンか
ら成るマスク構造体において、定常的状態からの状態変
化が検知される機能を有していることを特徴とするＸ線
露光用マスク構造体及びこれを用いたＸ線露光装置であ
る。
発明によって達成される。即ち、本発明は、マスク保持
枠、マスク支持枠、マスク支持体及び吸収体パターンか
ら成るマスク構造体において、定常的状態からの状態変
化が検知される機能を有していることを特徴とするＸ線
露光用マスク構造体及びこれを用いたＸ線露光装置であ
る。
【０００５】
【作用】本発明者らは前記した従来技術の問題点を解決
すべく鋭意研究の結果、マスク構造体に定常的状態から
の状態変化を検知し得るセンサを内蔵させれば、上記し
た様なマスク支持体のたわみやマスクチャッキングのず
れ、マスク落下等の情報を検知出来、更に、かかる情報
を本体にフィードバックすることによって、歩留り、信
頼性を向上させることが出来ることを知見して本発明に
至った。
すべく鋭意研究の結果、マスク構造体に定常的状態から
の状態変化を検知し得るセンサを内蔵させれば、上記し
た様なマスク支持体のたわみやマスクチャッキングのず
れ、マスク落下等の情報を検知出来、更に、かかる情報
を本体にフィードバックすることによって、歩留り、信
頼性を向上させることが出来ることを知見して本発明に
至った。
【０００６】
【実施例】実施例１ 図１は、本発明の一実施例である圧電体変位センサ内蔵
型マスク構造体の概略断面図（ａ）及びその斜視図
（ｂ）である。本発明のＸ線露光用マスク構造体は、マ
スク支持枠１、マスク支持体２、吸収体パターン３、マ
スク保持枠４から成る従来のマスク構造体に対し、マス
ク支持体２上に圧電体薄膜５を形成したことを特徴とす
る。尚、図１中では圧電体薄膜５を吸収体パターン３の
形成面と反対側に形成しているが、パターン３の形成面
に圧電体薄膜５を形成してもかまわない。かかる圧電体
薄膜５の上下から取り出す信号は、金属電極６によって
マスク保持枠４上に引き出し、不図示のマスクチャック
上の信号端子部と重なり合う位置に出力端子を形成する
ことにより取り出す。図３は、圧電体薄膜５を有する圧
電体変位センサ部の部分断面拡大図である。尚、引き出
し電極６の途中において、マスク支持枠１とマスク保持
枠４の接合部等の導電性が確保し難い箇所については、
ワイヤボンディング７等によって接続し、一方、単結晶
シリコン製マスク支持枠等の導電性のある箇所に電極６
を形成する場合には、あらかじめ絶縁膜８を形成してお
くことが好ましい。例えば、マスク支持体２の形成材料
として厚さ２μｍの窒化シリコン膜を用い、支持枠４の
開口径をφ５０ｍｍとしたとき、マスク−ウエハ間距離
の変動に伴うマスク支持体２の最大のたわみ量は約１０
μｍであり、該支持体２上に５×１ｍｍ、厚さ３０００
Åのチタン酸バリウム膜を形成したとき、その端部の変
位量は、約４μｍに達する為、出力信号としては１．５
×１０-6Ｖ〜２×１０-6Ｖ程度の出力電圧を得ることが
出来る。又、チタン酸バリウム膜を、分極方向を変えて
更に１層積層しバイモルフ構造とすることにより、同じ
変位量で約８倍の出力電圧を得ることが出来る為、更に
感度の向上が図れる。以上の様にして得られる出力信号
を、露光機稼動中、常時モニターし、マスク支持体２の
たわみ量が、所望の仕様を満足出来る値以下となった時
に露光を開始する様な制御機構をＸ線露光装置に設ける
ことにより、マスク支持体のたわみによる焼き付け誤差
を生じない高スループットの露光が可能となる。
型マスク構造体の概略断面図（ａ）及びその斜視図
（ｂ）である。本発明のＸ線露光用マスク構造体は、マ
スク支持枠１、マスク支持体２、吸収体パターン３、マ
スク保持枠４から成る従来のマスク構造体に対し、マス
ク支持体２上に圧電体薄膜５を形成したことを特徴とす
る。尚、図１中では圧電体薄膜５を吸収体パターン３の
形成面と反対側に形成しているが、パターン３の形成面
に圧電体薄膜５を形成してもかまわない。かかる圧電体
薄膜５の上下から取り出す信号は、金属電極６によって
マスク保持枠４上に引き出し、不図示のマスクチャック
上の信号端子部と重なり合う位置に出力端子を形成する
ことにより取り出す。図３は、圧電体薄膜５を有する圧
電体変位センサ部の部分断面拡大図である。尚、引き出
し電極６の途中において、マスク支持枠１とマスク保持
枠４の接合部等の導電性が確保し難い箇所については、
ワイヤボンディング７等によって接続し、一方、単結晶
シリコン製マスク支持枠等の導電性のある箇所に電極６
を形成する場合には、あらかじめ絶縁膜８を形成してお
くことが好ましい。例えば、マスク支持体２の形成材料
として厚さ２μｍの窒化シリコン膜を用い、支持枠４の
開口径をφ５０ｍｍとしたとき、マスク−ウエハ間距離
の変動に伴うマスク支持体２の最大のたわみ量は約１０
μｍであり、該支持体２上に５×１ｍｍ、厚さ３０００
Åのチタン酸バリウム膜を形成したとき、その端部の変
位量は、約４μｍに達する為、出力信号としては１．５
×１０-6Ｖ〜２×１０-6Ｖ程度の出力電圧を得ることが
出来る。又、チタン酸バリウム膜を、分極方向を変えて
更に１層積層しバイモルフ構造とすることにより、同じ
変位量で約８倍の出力電圧を得ることが出来る為、更に
感度の向上が図れる。以上の様にして得られる出力信号
を、露光機稼動中、常時モニターし、マスク支持体２の
たわみ量が、所望の仕様を満足出来る値以下となった時
に露光を開始する様な制御機構をＸ線露光装置に設ける
ことにより、マスク支持体のたわみによる焼き付け誤差
を生じない高スループットの露光が可能となる。
【０００７】実施例２ 図４に、本発明の他の実施例である圧電体変位センサ内
蔵型マスク構造体の概略断面図（ａ）及びその斜視図
（ｂ）を示した。構成としては、従来のマスク構造体の
支持体２上に、支持枠４の開口径に対応した金属電極９
がリング状に設けられており、ここから引き出された電
極６によってマスク保持枠４上に信号を引き出し、不図
示のマスクチャックの信号端子部と接触できるようにし
てある。金属電極９の形成にはマスク支持体表面を任意
形状にマスキングした後、スパッタリング、抵抗加熱等
の成膜法を用いてもかまわないが、吸収体パターン３の
形成時に、一体形成すればプロセスの簡便化を図ること
が出来好ましい。
蔵型マスク構造体の概略断面図（ａ）及びその斜視図
（ｂ）を示した。構成としては、従来のマスク構造体の
支持体２上に、支持枠４の開口径に対応した金属電極９
がリング状に設けられており、ここから引き出された電
極６によってマスク保持枠４上に信号を引き出し、不図
示のマスクチャックの信号端子部と接触できるようにし
てある。金属電極９の形成にはマスク支持体表面を任意
形状にマスキングした後、スパッタリング、抵抗加熱等
の成膜法を用いてもかまわないが、吸収体パターン３の
形成時に、一体形成すればプロセスの簡便化を図ること
が出来好ましい。
【０００８】上記した様なマスク構造体を用いたマスク
支持体のたわみの測定は、図５に示すような構成によっ
て行なう。図５に示した様に、露光時にはマスク構造体
とレジスト１１を塗布したウエハ１０は、５０μｍ程度
のギャップを介して平行に保たれている。この時ウエハ
１０と金属電極９とは平行平版型のコンデンサを形作っ
ており、その容量は両者の距離に反比例した値となる。
その為、ウエハ１０側からの信号線１２とマスク側から
の信号線１３との間の容量をモニターすることにより、
ウエハ−マスク間の距離を求めることが出来る。例え
ば、マスク支持体２として、厚さ２μｍの窒化シリコン
膜を用い、支持枠４の開口径をφ５０ｍｍとし、図４
（ｂ）に示した様に、金属電極９を支持体２上のφ４０
ｍｍからφ５０ｍｍの間を占める位置にリング状に形成
し、マスク−ウエハ間距離を５０μｍに保った場合、ウ
エハ１０とマスク構造体との間の容量はレジストの膜
厚、誘電率等も考慮にいれると数１００ｐＦとなる。こ
の際にウエハステージの移動に伴いマスク支持体が最大
１０μｍたわむと、金属電極９の形成部におけるマスク
−ウエハ間距離の変動は、平均２〜５μｍ程度となる。
この変化はギャップ長の２〜１０％の変動に相当する
為、これに対応して容量も数１０ｐＦの変動を生ずる。
従って、Ｘ線露光装置に、ウエハ−マスク間の圧電容量
をモニターしながら、ウエハ−マスク間距離が所望の仕
様を満足する値の範囲にはいった時に露光を開始する様
な制御機構を設けることにより、マスクたわみによる焼
き付け誤差を生じない高スループットの露光が可能とな
る。尚、本実施例で用いた方式においては、抵抗率の低
い基板の使用や導電性レジストの使用等によって、より
応答速度及び精度を向上出来る。
支持体のたわみの測定は、図５に示すような構成によっ
て行なう。図５に示した様に、露光時にはマスク構造体
とレジスト１１を塗布したウエハ１０は、５０μｍ程度
のギャップを介して平行に保たれている。この時ウエハ
１０と金属電極９とは平行平版型のコンデンサを形作っ
ており、その容量は両者の距離に反比例した値となる。
その為、ウエハ１０側からの信号線１２とマスク側から
の信号線１３との間の容量をモニターすることにより、
ウエハ−マスク間の距離を求めることが出来る。例え
ば、マスク支持体２として、厚さ２μｍの窒化シリコン
膜を用い、支持枠４の開口径をφ５０ｍｍとし、図４
（ｂ）に示した様に、金属電極９を支持体２上のφ４０
ｍｍからφ５０ｍｍの間を占める位置にリング状に形成
し、マスク−ウエハ間距離を５０μｍに保った場合、ウ
エハ１０とマスク構造体との間の容量はレジストの膜
厚、誘電率等も考慮にいれると数１００ｐＦとなる。こ
の際にウエハステージの移動に伴いマスク支持体が最大
１０μｍたわむと、金属電極９の形成部におけるマスク
−ウエハ間距離の変動は、平均２〜５μｍ程度となる。
この変化はギャップ長の２〜１０％の変動に相当する
為、これに対応して容量も数１０ｐＦの変動を生ずる。
従って、Ｘ線露光装置に、ウエハ−マスク間の圧電容量
をモニターしながら、ウエハ−マスク間距離が所望の仕
様を満足する値の範囲にはいった時に露光を開始する様
な制御機構を設けることにより、マスクたわみによる焼
き付け誤差を生じない高スループットの露光が可能とな
る。尚、本実施例で用いた方式においては、抵抗率の低
い基板の使用や導電性レジストの使用等によって、より
応答速度及び精度を向上出来る。
【００１０】実施例３ 図６に、本実施例における加速度センサ内蔵型Ｘ線露光
用マスク構造体の断面概略図を示す。又、図７に加速度
センサ部の拡大断面概略図（ａ）、拡大正面概略図
（ｂ）を示す。マスク支持枠１の材料としては異方性エ
ッチングによって開口部を形成する為、面方位（１０
０）のシリコン単結晶（厚さ４〜５ｍｍ）を用い、その
周囲全面にわたって、マスク支持体２の形成材料である
窒化シリコンを約２μｍの膜厚に形成する。尚、この際
には後のプロセスでシリコン基板をエッチング除去する
部分をあらかじめマスキングしておく。加速度センサ１
００を形成する支持枠１上の部位は、カンチレバーの形
状や作製プロセス等の点から平面であることが望まし
く、本実施例においてはオリエンテーションフラットと
呼ばれる（１１０）面にカットされた面を用いて考え
る。図７に示した様にカンチレバー構造体１４は、おも
り部１４ａとカンチレバー部１４ｂとから成り、カンチ
レバー部上には電極１７及び１８にはさまれた圧電体膜
１６が形成されている。空胴部１５は、窒化シリコン膜
形成の際にマスキングされ、シリコン表面が露出してい
る部分をエッチングして作製する。その際、異方性エッ
チングによって行なう場合には図７（ｂ）に示す様に、
カンチレバーの角度を基板端面に垂直方向から５４．７
°傾けて形成すれば、（マスク）面の方向にエッチング
が抑制された矩形形状の空洞部１５を得ることが出来
る。電極１７及び１８からの信号は、マスク保持枠４上
に形成された引き出し電極６にワイヤボンディング７等
の方法により導かれて、不図示のマスクチャッキング面
上に形成された信号端子部に導かれる。マスクチャッキ
ングの際には図８に示す様に、カンチレバーが垂直方向
に振動するように取り付けられ、例えば、カンチレバー
構造体を厚さ２μｍの窒化シリコン膜で形成するとき、
おもり部１４ａの寸法を１．５ｍｍ×１．５ｍｍとし、
カンチレバー部１４ｂの寸法を１．５ｍｍ×０．１５ｍ
ｍとするならば、１０ｇｆの力が加わったときカンチレ
バー上の圧電体膜１７の変位量は約４．５μｍとなる。
この時圧電体膜を厚さ３０００Åのチタン酸バリウムで
形成すれば、２〜３ｍＶの出力電圧が得られる。その
為、この出力電圧の変化を露光装置本体にフィードバッ
クさせ、例えば、力が加わってマスクのずれが生じた時
にチャッキングする力を強くする様な対策を講ずるマス
ク落下防止機構をＸ線露光装置に設ければ、マスクの落
下を未然に防ぐことが出来る。チャッキングする力を強
くする様な対策としては、、ずれを検知するとチャッキ
ング用のマグネットが強力になりそれ以上のずれを防止
する方法等がある。又、突然にチャッキング不能とな
り、マスク落下という事態に陥った場合においても、Ｘ
線露光装置に落下が始まる時に加わる加速度を瞬時に検
知し、落下してくるマスクを破損することなく受とめる
様な破損防止機構を設けておけば、これを作動させるこ
とにより、マスク破損に伴う長時間の稼動停止という事
態を回避することが出来る。尚、この場合には落下速度
に対してセンサの応答速度が速いことが必要条件である
が、本実施例中で述べた加速度センサは、マスクの自由
落下という最悪の事態に対しても十分対応することが出
来る応答速度を有している。
用マスク構造体の断面概略図を示す。又、図７に加速度
センサ部の拡大断面概略図（ａ）、拡大正面概略図
（ｂ）を示す。マスク支持枠１の材料としては異方性エ
ッチングによって開口部を形成する為、面方位（１０
０）のシリコン単結晶（厚さ４〜５ｍｍ）を用い、その
周囲全面にわたって、マスク支持体２の形成材料である
窒化シリコンを約２μｍの膜厚に形成する。尚、この際
には後のプロセスでシリコン基板をエッチング除去する
部分をあらかじめマスキングしておく。加速度センサ１
００を形成する支持枠１上の部位は、カンチレバーの形
状や作製プロセス等の点から平面であることが望まし
く、本実施例においてはオリエンテーションフラットと
呼ばれる（１１０）面にカットされた面を用いて考え
る。図７に示した様にカンチレバー構造体１４は、おも
り部１４ａとカンチレバー部１４ｂとから成り、カンチ
レバー部上には電極１７及び１８にはさまれた圧電体膜
１６が形成されている。空胴部１５は、窒化シリコン膜
形成の際にマスキングされ、シリコン表面が露出してい
る部分をエッチングして作製する。その際、異方性エッ
チングによって行なう場合には図７（ｂ）に示す様に、
カンチレバーの角度を基板端面に垂直方向から５４．７
°傾けて形成すれば、（マスク）面の方向にエッチング
が抑制された矩形形状の空洞部１５を得ることが出来
る。電極１７及び１８からの信号は、マスク保持枠４上
に形成された引き出し電極６にワイヤボンディング７等
の方法により導かれて、不図示のマスクチャッキング面
上に形成された信号端子部に導かれる。マスクチャッキ
ングの際には図８に示す様に、カンチレバーが垂直方向
に振動するように取り付けられ、例えば、カンチレバー
構造体を厚さ２μｍの窒化シリコン膜で形成するとき、
おもり部１４ａの寸法を１．５ｍｍ×１．５ｍｍとし、
カンチレバー部１４ｂの寸法を１．５ｍｍ×０．１５ｍ
ｍとするならば、１０ｇｆの力が加わったときカンチレ
バー上の圧電体膜１７の変位量は約４．５μｍとなる。
この時圧電体膜を厚さ３０００Åのチタン酸バリウムで
形成すれば、２〜３ｍＶの出力電圧が得られる。その
為、この出力電圧の変化を露光装置本体にフィードバッ
クさせ、例えば、力が加わってマスクのずれが生じた時
にチャッキングする力を強くする様な対策を講ずるマス
ク落下防止機構をＸ線露光装置に設ければ、マスクの落
下を未然に防ぐことが出来る。チャッキングする力を強
くする様な対策としては、、ずれを検知するとチャッキ
ング用のマグネットが強力になりそれ以上のずれを防止
する方法等がある。又、突然にチャッキング不能とな
り、マスク落下という事態に陥った場合においても、Ｘ
線露光装置に落下が始まる時に加わる加速度を瞬時に検
知し、落下してくるマスクを破損することなく受とめる
様な破損防止機構を設けておけば、これを作動させるこ
とにより、マスク破損に伴う長時間の稼動停止という事
態を回避することが出来る。尚、この場合には落下速度
に対してセンサの応答速度が速いことが必要条件である
が、本実施例中で述べた加速度センサは、マスクの自由
落下という最悪の事態に対しても十分対応することが出
来る応答速度を有している。
【００１１】
【効果】以上説明した様に本発明では、Ｘ線露光用マス
ク構造体自体に露光ムラに影響を及ぼす状態変化を検知
し得る機能を持たせることにより、常時マスク構造体の
状態変化をモニターすることが出来る。この為、かかる
状態変化をＸ線露光装置の制御部にフィードバックさせ
て、例えば、ステージ移動によってマスク支持体が変形
した場合には変形している間は露光を停止し、帯電によ
り変形した場合には電荷を逃がす手段を講じることによ
り、パターン精度の優れた露光を行なうことが出来、歩
留まりの向上を達成出来る。又、本発明によれば、マス
クのずれを検知することが出来、Ｘ線露光装置に検知し
た信号に応じて作動するマスクの落下防止機構や破損防
止機構を設けることにより、マスクの落下を未然に防止
することが出来、更に、露光機内でのマスク破損による
長時間の稼動停止といった事態を有効に回避することが
出来る。
ク構造体自体に露光ムラに影響を及ぼす状態変化を検知
し得る機能を持たせることにより、常時マスク構造体の
状態変化をモニターすることが出来る。この為、かかる
状態変化をＸ線露光装置の制御部にフィードバックさせ
て、例えば、ステージ移動によってマスク支持体が変形
した場合には変形している間は露光を停止し、帯電によ
り変形した場合には電荷を逃がす手段を講じることによ
り、パターン精度の優れた露光を行なうことが出来、歩
留まりの向上を達成出来る。又、本発明によれば、マス
クのずれを検知することが出来、Ｘ線露光装置に検知し
た信号に応じて作動するマスクの落下防止機構や破損防
止機構を設けることにより、マスクの落下を未然に防止
することが出来、更に、露光機内でのマスク破損による
長時間の稼動停止といった事態を有効に回避することが
出来る。
【図１】（ａ）は圧電体変位センサを内蔵したマスク構
造体の概略断面図である。（ｂ）は同斜視図である。
造体の概略断面図である。（ｂ）は同斜視図である。
【図２】従来のマスク構造体を表す断面概略図である。
【図３】図１における圧電体変位センサ部の部分拡大図
である。
である。
【図４】（ａ）は実施例２におけるマスク構造体を示す
概略断面図である。（ｂ）は同斜視図である。
概略断面図である。（ｂ）は同斜視図である。
【図５】図４のマスク構造体を用い、ウエハとマスクと
の間の電気容量を測定する際の構成を示す図である。
の間の電気容量を測定する際の構成を示す図である。
【図６】実施例３におけるマスク構造体を示す概略断面
図である。
図である。
【図７】（ａ）は図６における加速度センサ部の拡大概
略断面図である。（ｂ）は同拡大概略正面図である。
略断面図である。（ｂ）は同拡大概略正面図である。
【図８】実施例５におけるマスク構造体のチャッキング
方向を表す図である。
方向を表す図である。
１：マスク支持枠 ２：マスク支持体 ３：吸収体パターン ４：マスク保持枠 ５、１６：圧電体薄膜 ６：引き出し電極 ７：ワイヤボンディング接続部 ８：絶縁体 ９：金属電極 ９０ａ：圧電体下部電極 ９０ｂ：圧電体上部電極 １０：ウエハ １１：レジスト １２：ウエハ側信号線 １３：マスク側信号線 １４：カンチレバー構造体 １４ａ：カンチレバー構造体のおもり部 １４ｂ：カンチレバー構造体のカンチレバー部 １５：空胴部 １７、１８：圧電体用電極 １９：Ｖブロック １００：加速度センサ形成部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 9274−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 41/08 Ｚ
Claims (9)
- 【請求項１】 マスク保持枠、マスク支持枠、マスク支
持体及び吸収体パターンから成るマスク構造体におい
て、マスク構造体の定常的状態からの状態変化が検知さ
れる機能を有していることを特徴とするＸ線露光用マス
ク構造体。 - 【請求項２】 状態変化がマスク支持体のたわみ量であ
る請求項１に記載のＸ線露光用マスク構造体。 - 【請求項３】 たわみ量の変化が、支持体表面に形成さ
れた圧電体薄膜からの出力電圧によって検知される請求
項２に記載のＸ線露光用マスク構造体。 - 【請求項４】 たわみ量の変化が、支持体表面に形成さ
れた金属電極とウエハとの間の静電容量の変化によって
検知される請求項２に記載のＸ線露光用マスク構造体。 - 【請求項５】 状態変化が、マスク構造体に働く加速度
である請求項１に記載のＸ線露光用マスク構造体。 - 【請求項６】 加速度の変化が、マスク支持枠と一体に
形成された加速度センサーによって検知される請求項５
に記載のＸ線露光用マスク構造体。 - 【請求項７】 請求項２に記載のＸ線露光用マスク構造
体を使用するＸ線露光装置において、検知されたマスク
支持体におけるたわみ量の変化が定常的状態に戻った後
に露光を開始するように制御されていることを特徴とす
るＸ線露光装置。 - 【請求項８】 請求項５に記載のＸ線露光用マスク構造
体を使用するＸ線露光装置において、マスク構造体に働
く加速度を検知した信号に基づき作動するマスクの落下
防止機構が設けられていることを特徴とするＸ線露光装
置。 - 【請求項９】 請求項５に記載のＸ線露光用マスク構造
体を使用するＸ線露光装置において、マスク構造体に働
く加速度を検知した信号に基づき作動するマスク破損防
止機構が設けられていることを特徴とするＸ線露光装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34762091A JP3012069B2 (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | Ｘ線露光用マスク構造体及びこれを用いたｘ線露光装置 |
| US07/984,527 US5333167A (en) | 1991-12-04 | 1992-12-02 | Mask structure for x-ray exposure and x-ray exposure device and method using it |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34762091A JP3012069B2 (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | Ｘ線露光用マスク構造体及びこれを用いたｘ線露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160004A true JPH05160004A (ja) | 1993-06-25 |
| JP3012069B2 JP3012069B2 (ja) | 2000-02-21 |
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ID=18391455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34762091A Expired - Fee Related JP3012069B2 (ja) | 1991-12-04 | 1991-12-04 | Ｘ線露光用マスク構造体及びこれを用いたｘ線露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5333167A (ja) |
| JP (1) | JP3012069B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006129348A1 (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Topcon Corporation | 半導体製造装置 |
| JP2012252040A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-20 | V Technology Co Ltd | 露光装置 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6144719A (en) * | 1996-01-22 | 2000-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure method, exposure device and device producing method |
| US5854819A (en) * | 1996-02-07 | 1998-12-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask supporting device and correction method therefor, and exposure apparatus and device producing method utilizing the same |
| US6069931A (en) * | 1997-02-28 | 2000-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask structure and mask holding mechanism for exposure apparatus |
| JP3377165B2 (ja) * | 1997-05-19 | 2003-02-17 | キヤノン株式会社 | 半導体露光装置 |
| JP3332872B2 (ja) * | 1998-10-27 | 2002-10-07 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
| JP3311302B2 (ja) * | 1998-10-27 | 2002-08-05 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
| US6295332B1 (en) * | 1999-06-12 | 2001-09-25 | Robert Allen Selzer | Method of improving x-ray lithography in the sub 100nm range to create high quality semiconductor devices |
| US6556281B1 (en) | 2000-05-23 | 2003-04-29 | Asml Us, Inc. | Flexible piezoelectric chuck and method of using the same |
| US7196775B2 (en) * | 2004-08-23 | 2007-03-27 | Asml Holding N.V. | Patterned mask holding device and method using two holding systems |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58118648A (ja) * | 1982-01-08 | 1983-07-14 | Seiko Epson Corp | Ｘ線露光用マスク |
| EP0279670B1 (en) * | 1987-02-18 | 1997-10-29 | Canon Kabushiki Kaisha | A reflection type mask |
| US5012500A (en) * | 1987-12-29 | 1991-04-30 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray mask support member, X-ray mask, and X-ray exposure process using the X-ray mask |
| EP0323264B1 (en) * | 1987-12-29 | 1997-05-14 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray exposure process using an electrically conductive x-ray mask |
| JPH01278019A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-08 | Canon Inc | リソグラフィ用マスクの構造体 |
| JPH01282818A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-14 | Canon Inc | Ｘ線露光方法、装置およびｘ線露光用原版 |
| US4964145A (en) * | 1989-07-24 | 1990-10-16 | International Business Machines Corporation | System for magnification correction of conductive X-ray lithography mask substrates |
-
1991
- 1991-12-04 JP JP34762091A patent/JP3012069B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-12-02 US US07/984,527 patent/US5333167A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006129348A1 (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Topcon Corporation | 半導体製造装置 |
| JP2012252040A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-20 | V Technology Co Ltd | 露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3012069B2 (ja) | 2000-02-21 |
| US5333167A (en) | 1994-07-26 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |