JPH06324072A - トンネル効果式加速度センサ - Google Patents
トンネル効果式加速度センサInfo
- Publication number
- JPH06324072A JPH06324072A JP6085826A JP8582694A JPH06324072A JP H06324072 A JPH06324072 A JP H06324072A JP 6085826 A JP6085826 A JP 6085826A JP 8582694 A JP8582694 A JP 8582694A JP H06324072 A JPH06324072 A JP H06324072A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- polysilicon
- acceleration sensor
- coated
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 title claims abstract description 19
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 13
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0894—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by non-contact electron transfer, i.e. electron tunneling
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単に製造可能なトンネル効果式加速度セン
サを提供する。 【構成】 シリコン基板１の上に導電性にドープされた
ポリシリコンから成る梁２が曲がり得るように支えられ
ており、シリコン基板１の上にこの梁２の下に梁のほう
に向けられて導電性にドープされたポリシリコンから成
る突起３が、この突起３と梁２との間にトンネル効果が
生ずるように密に梁２に隣接して配置されており、その
際に梁２に作用する慣性力の静電的補償のための電極４
が設けられている。
サを提供する。 【構成】 シリコン基板１の上に導電性にドープされた
ポリシリコンから成る梁２が曲がり得るように支えられ
ており、シリコン基板１の上にこの梁２の下に梁のほう
に向けられて導電性にドープされたポリシリコンから成
る突起３が、この突起３と梁２との間にトンネル効果が
生ずるように密に梁２に隣接して配置されており、その
際に梁２に作用する慣性力の静電的補償のための電極４
が設けられている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリシリコン中のトンネ
ル効果の原理による加速度センサに関する。
ル効果の原理による加速度センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】「アプライド・フィジクス・レターズ
（App.Phys.Lett.）」５８、第１００〜１０２頁（１９
９１）および「ジャーナル・オブ・ヴァキューム・サイ
エンス・テクノロジー（J.Vac.Sci.Technol.）」Ａ１
０、第２１１４〜２１１８頁のケニー（T.W.Kenny ）ほ
か著の刊行物に、シリコンの上にアンダーエッチングに
より弾性変形可能に支えられ基板のほうを向いた突起を
有する片持ち梁または長方形片が対向電極の上に取付け
られているトンネル効果式加速度センサが記載されてい
る。これらのセンサにより加速度の際に慣性力の結果と
しての弾性変位部分の偏位が検出され得る。いくつかの
実施態様では、可動部分の偏位を補償し得る電極が可動
部分および基板に設けられている。これらのセンサはコ
ンパクトなシリコンブロックの表面におけるアンダーエ
ッチングにより製造される。
（App.Phys.Lett.）」５８、第１００〜１０２頁（１９
９１）および「ジャーナル・オブ・ヴァキューム・サイ
エンス・テクノロジー（J.Vac.Sci.Technol.）」Ａ１
０、第２１１４〜２１１８頁のケニー（T.W.Kenny ）ほ
か著の刊行物に、シリコンの上にアンダーエッチングに
より弾性変形可能に支えられ基板のほうを向いた突起を
有する片持ち梁または長方形片が対向電極の上に取付け
られているトンネル効果式加速度センサが記載されてい
る。これらのセンサにより加速度の際に慣性力の結果と
しての弾性変位部分の偏位が検出され得る。いくつかの
実施態様では、可動部分の偏位を補償し得る電極が可動
部分および基板に設けられている。これらのセンサはコ
ンパクトなシリコンブロックの表面におけるアンダーエ
ッチングにより製造される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、簡単
に製造可能なトンネル効果式加速度センサおよびその製
造方法を提供することにある。
に製造可能なトンネル効果式加速度センサおよびその製
造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題は、請求項１の
特徴を有する加速度センサおよび請求項３の特徴を有す
る製造方法により解決される。他の実施態様は従属請求
項にあげられている。
特徴を有する加速度センサおよび請求項３の特徴を有す
る製造方法により解決される。他の実施態様は従属請求
項にあげられている。
【０００５】本発明によるセンサはシリコン基板上に弾
性変形し得るように支えられている梁から成っている。
トンネル効果のために必要な突起は基板の表面に構成さ
れており、またポリシリコンのほうを向いている。適当
な電位の印加により梁の静電的偏位を補償するために、
電極が設けられている。
性変形し得るように支えられている梁から成っている。
トンネル効果のために必要な突起は基板の表面に構成さ
れており、またポリシリコンのほうを向いている。適当
な電位の印加により梁の静電的偏位を補償するために、
電極が設けられている。
【０００６】
【実施例】以下、図１ないし８により本発明による加速
度センサおよびその製造方法を説明する。
度センサおよびその製造方法を説明する。
【０００７】図１のセンサではシリコン基板１の上に導
電性にドープされたポリシリコンから成る梁２が一端で
取付けられている。梁２はこうして曲がり得るように支
えられている。シリコン基板１が梁２を設けられている
表面に対して垂直に加速される場合には、この梁２がそ
の慣性の結果として曲がる。この曲がりは加速度の大き
さに関係しており、またトンネル効果の利用のもとに測
定される。この目的で梁２の下側に梁のほうを向いたシ
リコン、たとえばポリシリコンから成る突起３が配置さ
れている。ドーピングにより製造された電極４は、梁２
の曲がりを適当な電位の印加により静電的に補償する役
割をする。そのために必要な電圧は生起する加速度に対
する直接的な尺度となる。梁２と突起３との間のトンネ
ル電流はそれにより常に一定な値に保たれる。梁の非常
に小さい曲がりもトンネル電流の大きい変化に通ずるの
で、この方法は重力加速度の１００万分の１の範囲に達
する精度で加速度を測定するのに適している。上記のよ
うな梁の慣性の補償により重力加速度の１００倍までの
加速度が測定できる。こうして非常に大きい測定範囲が
実現される。
電性にドープされたポリシリコンから成る梁２が一端で
取付けられている。梁２はこうして曲がり得るように支
えられている。シリコン基板１が梁２を設けられている
表面に対して垂直に加速される場合には、この梁２がそ
の慣性の結果として曲がる。この曲がりは加速度の大き
さに関係しており、またトンネル効果の利用のもとに測
定される。この目的で梁２の下側に梁のほうを向いたシ
リコン、たとえばポリシリコンから成る突起３が配置さ
れている。ドーピングにより製造された電極４は、梁２
の曲がりを適当な電位の印加により静電的に補償する役
割をする。そのために必要な電圧は生起する加速度に対
する直接的な尺度となる。梁２と突起３との間のトンネ
ル電流はそれにより常に一定な値に保たれる。梁の非常
に小さい曲がりもトンネル電流の大きい変化に通ずるの
で、この方法は重力加速度の１００万分の１の範囲に達
する精度で加速度を測定するのに適している。上記のよ
うな梁の慣性の補償により重力加速度の１００倍までの
加速度が測定できる。こうして非常に大きい測定範囲が
実現される。
【０００８】図２の実施例では梁２はポリシリコン層５
により形成される空所のなかに位置している。電極４は
このポリシリコン層５のなかに、またシリコン基板１と
反対側を向いた梁２の側に位置している。ポリシリコン
層５の下の空所は真空にされていてよい。これらの実施
例の電極はそれぞれ補助的にメタライジングを施されて
いてよい。
により形成される空所のなかに位置している。電極４は
このポリシリコン層５のなかに、またシリコン基板１と
反対側を向いた梁２の側に位置している。ポリシリコン
層５の下の空所は真空にされていてよい。これらの実施
例の電極はそれぞれ補助的にメタライジングを施されて
いてよい。
【０００９】図２に示されている実施例に対する製造方
法を図３ないし８により説明する。シリコン基板１の上
に重なり合って全面にポリシリコンから成る第１の層６
と他の材料から成る第２の層７とが被覆される。ポリシ
リコンはこの他の材料に関して選択的にエッチング可能
でなければならない。第２の層７の材料としてはたとえ
ば酸化物または窒化物（たとえばＳｉＯ2 またはＳｉ3
Ｎ4 ）が用いられる。これらの層は、ボリシリコンから
成るただ１つの被覆された直方体が製造すべき突起の位
置に残されるように構造化される。第１の層６は第２の
層７の選択的な湿式化学的なアンダーエッチングにより
突起３を残して除去される（図４参照）。第２の層７の
残りの部分が除去される。ポリシリコンから成る突起３
は場合によってはたとえばタングステンから成るメタラ
イジングを施される。その後に全面に、図５の層構造が
生ずるように、補助層８（たとえばＳｉＯ2 が、またそ
の上に平坦化層９が析出される。平坦化層９としてはた
とえばＢＰＳＧ（ホウ燐ケイ酸ガラス）が用いられる。
このＢＰＳＧは全面の被覆の後に加熱により流動化され
る。それによって平らな表面が生ずる。図５による層列
はその後に均等に逆エッチングされ、その際にたとえば
レーザー干渉計によりそのつどの層の厚みがエッチング
の間に決定される。それにより、図６に示されているよ
うに補助層８がエッチングにより露出され、また突起３
が平らに覆われて残るまで逆エッチングされることが達
成される。こうして突起３からポリシリコンから成る製
造すべき梁までのわずかな間隔が定められる。この梁２
は続いて、全面にポリシリコンから成る層が被覆され、
この層がドーピングの後に電極４（図７参照）を構成す
るため支えられた梁２を残して除去されることによって
製造される。次に補助層８が、図１による実施例が得ら
れるように除去される。他の方法は、別の補助層１０
（図８参照）を図７の構造の上に全面に被覆することに
ある。補助層１０が構造化され、また次いでポリシリコ
ン層５が先ず全面に被覆され、また次いで図２の実施例
に相応して残留部分を残して除去される。ポリシリコン
層５の下の補助層８および別の補助層１０はたとえばエ
ッチングチャネルにより除去され、またその後にポリシ
リコン層５が真空にされ、またエッチングチャネルの研
磨により鏡面化され得る。１つの有利な実施例は、ポリ
シリコン層５の逆エッチングの前にドーピングによりも
う１つの電極４が梁２のなかに構成された電極４の上側
に製造されることにより得られる。
法を図３ないし８により説明する。シリコン基板１の上
に重なり合って全面にポリシリコンから成る第１の層６
と他の材料から成る第２の層７とが被覆される。ポリシ
リコンはこの他の材料に関して選択的にエッチング可能
でなければならない。第２の層７の材料としてはたとえ
ば酸化物または窒化物（たとえばＳｉＯ2 またはＳｉ3
Ｎ4 ）が用いられる。これらの層は、ボリシリコンから
成るただ１つの被覆された直方体が製造すべき突起の位
置に残されるように構造化される。第１の層６は第２の
層７の選択的な湿式化学的なアンダーエッチングにより
突起３を残して除去される（図４参照）。第２の層７の
残りの部分が除去される。ポリシリコンから成る突起３
は場合によってはたとえばタングステンから成るメタラ
イジングを施される。その後に全面に、図５の層構造が
生ずるように、補助層８（たとえばＳｉＯ2 が、またそ
の上に平坦化層９が析出される。平坦化層９としてはた
とえばＢＰＳＧ（ホウ燐ケイ酸ガラス）が用いられる。
このＢＰＳＧは全面の被覆の後に加熱により流動化され
る。それによって平らな表面が生ずる。図５による層列
はその後に均等に逆エッチングされ、その際にたとえば
レーザー干渉計によりそのつどの層の厚みがエッチング
の間に決定される。それにより、図６に示されているよ
うに補助層８がエッチングにより露出され、また突起３
が平らに覆われて残るまで逆エッチングされることが達
成される。こうして突起３からポリシリコンから成る製
造すべき梁までのわずかな間隔が定められる。この梁２
は続いて、全面にポリシリコンから成る層が被覆され、
この層がドーピングの後に電極４（図７参照）を構成す
るため支えられた梁２を残して除去されることによって
製造される。次に補助層８が、図１による実施例が得ら
れるように除去される。他の方法は、別の補助層１０
（図８参照）を図７の構造の上に全面に被覆することに
ある。補助層１０が構造化され、また次いでポリシリコ
ン層５が先ず全面に被覆され、また次いで図２の実施例
に相応して残留部分を残して除去される。ポリシリコン
層５の下の補助層８および別の補助層１０はたとえばエ
ッチングチャネルにより除去され、またその後にポリシ
リコン層５が真空にされ、またエッチングチャネルの研
磨により鏡面化され得る。１つの有利な実施例は、ポリ
シリコン層５の逆エッチングの前にドーピングによりも
う１つの電極４が梁２のなかに構成された電極４の上側
に製造されることにより得られる。
【００１０】本発明によるセンサの製造は集積回路の技
術と共用可能な超小形機構のプロセス工程で行われる。
これにより、調節および評価のための電子回路がセンサ
と一緒にシリコン基板１のなかに集積可能であり、従っ
てまたセンサの精度およびＳＮ比が著しく改善されると
いう利点を生ずる。本発明によるセンサの利点は、精度
が高いこと、測定範囲が非常に大きいこと、横加速度の
際の感度が非常に小さいこと、評価回路が集積されてい
るので故障頻度が低いこと、寸法が小さいこと、重量が
軽いこと、また別の電子的または機械的構成要素との集
積が良好に可能であることである。
術と共用可能な超小形機構のプロセス工程で行われる。
これにより、調節および評価のための電子回路がセンサ
と一緒にシリコン基板１のなかに集積可能であり、従っ
てまたセンサの精度およびＳＮ比が著しく改善されると
いう利点を生ずる。本発明によるセンサの利点は、精度
が高いこと、測定範囲が非常に大きいこと、横加速度の
際の感度が非常に小さいこと、評価回路が集積されてい
るので故障頻度が低いこと、寸法が小さいこと、重量が
軽いこと、また別の電子的または機械的構成要素との集
積が良好に可能であることである。
【図１】本発明によるセンサの一実施例の断面図。
【図２】本発明によるセンサの別の実施例の断面図。
【図３】図２の実施例のセンサの一製造工程を示す断面
図。
図。
【図４】図２の実施例のセンサの一製造工程を示す断面
図。
図。
【図５】図２の実施例のセンサの一製造工程を示す断面
図。
図。
【図６】図２の実施例のセンサの一製造工程を示す断面
図。
図。
【図７】図２の実施例のセンサの一製造工程を示す断面
図。
図。
【図８】図２の実施例のセンサの一製造工程を示す断面
図。
図。
１ シリコン基板 ２ 梁 ３ 突起 ４ 電極 ５ ポリシリコン層 ７ 第２の層 ８ 補助層 ９ 平坦化層 １０ 別の補助層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヘルムート クローゼ ドイツ連邦共和国 81929 ミユンヘン シユテフアン‐ゲオルゲ‐リング ９
Claims (4)
- 【請求項１】 シリコン基板（１）の上に導電性にドー
プされたポリシリコンから成る梁（２）が曲がり得るよ
うに支えられており、シリコン基板（１）の上にこの梁
（２）の下に梁（２）のほうに向けられて導電性にドー
プされたポリシリコンから成る突起（３）が、この突起
（３）と梁（２）との間にトンネル効果が生ずるように
密に梁（２）に隣接して配置されており、その際に梁
（２）に作用する慣性力の静電的補償のための電極
（４）が設けられていることを特徴とするトンネル効果
式加速度センサ。 - 【請求項２】 梁（２）がポリシリコン層（５）により
囲まれた空所のなかに位置しており、また電極（４）が
梁（２）およびこのポリシリコン層（５）において互い
に向かい合うように構成されていることを特徴とする請
求項１記載の加速度センサ。 - 【請求項３】 第１の工程で、構造化されたドーピング
を施されたシリコン基板（１）の上にポリシリコンから
成る第１の層（６）が、またその上に他の材料から成る
第２の層が被覆され、第２の工程でこれらの両層（６、
７）が、第３の工程で第１の層（６）の湿式化学的なア
ンダーエッチングにより突起（３）を残すように構造化
され、第４の工程で全面に補助層（８）および平坦化層
（９）が被覆され、第５の工程でこの補助層（８）の平
らな部分が露出かつ構造化され、第６の工程で全面にポ
リシリコンから成る層が被覆され、電極（４）の製造の
ためにドープされ、また支えられた梁（２）を残して除
去され、また第７の工程で補助層（８）が梁（２）に過
度な応力を加える部分を残して除去されることを特徴と
する請求項１記載の加速度センサの製造方法。 - 【請求項４】 請求項２による加速度センサを製造する
ため、第７の工程の前に全面に別の補助層（１０）が被
覆かつ構造化され、次いで全面にポリシリコン層（５）
が被覆され、電極（４）の製造のためにドープされ、ま
た梁（２）の上に掛かっている部分を残して除去され、
また第７の工程でこの別の補助層（１０）が同じく除去
されることを特徴とする請求項３記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4311123 | 1993-04-05 | ||
| DE4311123.8 | 1993-04-05 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06324072A true JPH06324072A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=6484762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6085826A Pending JPH06324072A (ja) | 1993-04-05 | 1994-03-31 | トンネル効果式加速度センサ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5431051A (ja) |
| EP (1) | EP0619494B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06324072A (ja) |
| DE (1) | DE59402799D1 (ja) |
| TW (1) | TW247374B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105319394A (zh) * | 2015-12-07 | 2016-02-10 | 太原理工大学 | 一种基于共振光隧穿效应的角加速度检测器及检测方法 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5476819A (en) * | 1993-07-26 | 1995-12-19 | Litton Systems, Inc. | Substrate anchor for undercut silicon on insulator microstructures |
| JPH09507575A (ja) * | 1994-01-18 | 1997-07-29 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | トンネル効果−センサ |
| US5596194A (en) * | 1994-08-19 | 1997-01-21 | Hughes Aircraft Company | Single-wafer tunneling sensor and low-cost IC manufacturing method |
| GB9426363D0 (en) * | 1994-12-29 | 1995-03-01 | Lynxvale Ltd | A micromechanical accelerometer |
| DE19506401A1 (de) * | 1995-02-23 | 1996-08-29 | Siemens Ag | Beschleunigungssensor |
| US5689107A (en) * | 1995-09-01 | 1997-11-18 | Hughes Aircraft Company | Displacement-based opto-electronic accelerometer and pressure sensor |
| US5756895A (en) * | 1995-09-01 | 1998-05-26 | Hughes Aircraft Company | Tunneling-based rate gyros with simple drive and sense axis coupling |
| US5798283A (en) * | 1995-09-06 | 1998-08-25 | Sandia Corporation | Method for integrating microelectromechanical devices with electronic circuitry |
| US5963788A (en) * | 1995-09-06 | 1999-10-05 | Sandia Corporation | Method for integrating microelectromechanical devices with electronic circuitry |
| GB9524241D0 (en) * | 1995-11-28 | 1996-01-31 | Smiths Industries Plc | Rate sensors |
| US5638946A (en) * | 1996-01-11 | 1997-06-17 | Northeastern University | Micromechanical switch with insulated switch contact |
| DE19821527A1 (de) | 1998-05-13 | 1999-12-02 | Siemens Ag | Schwingkreis |
| US6327909B1 (en) * | 1999-11-30 | 2001-12-11 | Xerox Corporation | Bistable mechanical sensors capable of threshold detection and automatic elimination of excessively high amplitude data |
| US9547019B2 (en) * | 2013-01-09 | 2017-01-17 | Farrokh Mohamadi | MEMS tunneling micro seismic sensor |
| CN103543292B (zh) * | 2013-11-06 | 2016-06-08 | 中北大学 | 一种基于电容效应和隧道效应的复合式加速度计 |
| CN105548610B (zh) * | 2015-12-07 | 2018-05-04 | 太原理工大学 | 一种基于共振光隧穿效应的加速度检测器及检测方法 |
| CN111579818B (zh) * | 2020-07-06 | 2021-09-28 | 吉林大学 | 一种高灵敏度低噪声加速度检测装置及方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4638669A (en) * | 1985-05-07 | 1987-01-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Quantum tunneling cantilever accelerometer |
| JPH0821722B2 (ja) * | 1985-10-08 | 1996-03-04 | 日本電装株式会社 | 半導体振動・加速度検出装置 |
| US5265470A (en) * | 1987-11-09 | 1993-11-30 | California Institute Of Technology | Tunnel effect measuring systems and particle detectors |
| DE3834531A1 (de) * | 1988-10-11 | 1990-04-12 | Deutsche Forsch Luft Raumfahrt | Beschleunigungsaufnehmer |
-
1994
- 1994-03-09 EP EP94103620A patent/EP0619494B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-09 DE DE59402799T patent/DE59402799D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-11 TW TW083102132A patent/TW247374B/zh active
- 1994-03-29 US US08/219,538 patent/US5431051A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-31 JP JP6085826A patent/JPH06324072A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105319394A (zh) * | 2015-12-07 | 2016-02-10 | 太原理工大学 | 一种基于共振光隧穿效应的角加速度检测器及检测方法 |
| CN105319394B (zh) * | 2015-12-07 | 2018-03-13 | 太原理工大学 | 一种基于共振光隧穿效应的角加速度检测器及检测方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0619494B1 (de) | 1997-05-21 |
| EP0619494A1 (de) | 1994-10-12 |
| TW247374B (ja) | 1995-05-11 |
| US5431051A (en) | 1995-07-11 |
| DE59402799D1 (de) | 1997-06-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06324072A (ja) | トンネル効果式加速度センサ | |
| US5576250A (en) | Process for the production of accelerometers using silicon on insulator technology | |
| US5987989A (en) | Semiconductor physical quantity sensor | |
| US5563343A (en) | Microelectromechanical lateral accelerometer | |
| US4776924A (en) | Process for the production of a piezoresistive gauge and to an accelerometer incorporating such a gauge | |
| JP5078196B2 (ja) | センサの設計およびプロセス | |
| US6240782B1 (en) | Semiconductor physical quantity sensor and production method thereof | |
| US8749250B2 (en) | Micromechanical component and manufacturing method for a micromechanical component | |
| JP4705229B2 (ja) | マイクロマシニング型の回転角加速度センサ | |
| US5495761A (en) | Integrated accelerometer with a sensitive axis parallel to the substrate | |
| JP2517467B2 (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
| US5473944A (en) | Seam pressure sensor employing dielectically isolated resonant beams and related method of manufacture | |
| US6402968B1 (en) | Microelectromechanical capactive accelerometer and method of making same | |
| JPH06302832A (ja) | 加速度センサ | |
| US5446616A (en) | Electrode structure and method for anodically-bonded capacitive sensors | |
| US6225140B1 (en) | CMOS compatable surface machined pressure sensor and method of fabricating the same | |
| JP2007279056A (ja) | 半導体力学量センサ | |
| US20030154789A1 (en) | Capacitive type dynamic quantity sensor | |
| JP3614460B2 (ja) | トンネル効果式センサの製造方法 | |
| JPH06123632A (ja) | 力学量センサ | |
| US5747991A (en) | Capacitance type acceleration sensor | |
| US5911157A (en) | Tunnel effect sensor | |
| US6718824B2 (en) | Semiconductor dynamic quantity detecting sensor and manufacturing method of the same | |
| US6656368B2 (en) | Nonstick layer for a micromechanical component | |
| JP2002257847A (ja) | 加速度センサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040122 |