JPS63100362A - 材料検査方法 - Google Patents
材料検査方法Info
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- JPS63100362A JPS63100362A JP61150974A JP15097486A JPS63100362A JP S63100362 A JPS63100362 A JP S63100362A JP 61150974 A JP61150974 A JP 61150974A JP 15097486 A JP15097486 A JP 15097486A JP S63100362 A JPS63100362 A JP S63100362A
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
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Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は検査時間を短縮した材料検査方法に関する。
［従来の技術］
周知の如くマスクはウェハヘパターンを焼付けるための
原板であるが、このマスクの品質が最終的に出来上る電
気的素子の歩留りや性能に大きな影響を及ぼす。その為
、焼付けすべきパターンが描画されたマスクの検査は欠
くべからざるものとなっている。
原板であるが、このマスクの品質が最終的に出来上る電
気的素子の歩留りや性能に大きな影響を及ぼす。その為
、焼付けすべきパターンが描画されたマスクの検査は欠
くべからざるものとなっている。
さて、従来のマスク検査方法は、パターンが描画された
マスク上をビームにより適宜な一定の走査ピッチで走査
し、該走査により該材料から得られた情報（実測データ
）と理想的材料情報〈設計データ）とを比較し、パター
ンの欠陥（例えば、パターンの一部欠落部、パターンの
突起部、隣接するパターンとの間に出来たブリッジ部）
及びゴミ等を検査する様にしている。
マスク上をビームにより適宜な一定の走査ピッチで走査
し、該走査により該材料から得られた情報（実測データ
）と理想的材料情報〈設計データ）とを比較し、パター
ンの欠陥（例えば、パターンの一部欠落部、パターンの
突起部、隣接するパターンとの間に出来たブリッジ部）
及びゴミ等を検査する様にしている。
尚、この様な検査の後、該検査データに基づいて、マス
クリベアラ−等によりこの様な欠陥を修正する様にして
いる。
クリベアラ−等によりこの様な欠陥を修正する様にして
いる。
［発明が解決しようとする問題点］
所で、−最近、パターンの微細化が進んだ事から、検査
の為のビームの走査ピッチもそれに合せて細かくする必
要がある。
の為のビームの走査ピッチもそれに合せて細かくする必
要がある。
しかし、パターンの微細化に合せてビームの走査ピッチ
を細かくすると、マスクの検査時間が多大化してしまう
。その為、この様なマスク検査を半導体製造の一工程に
組込んだ場合、半導体ツノ造全体に要する時間が多大化
してしまう。
を細かくすると、マスクの検査時間が多大化してしまう
。その為、この様なマスク検査を半導体製造の一工程に
組込んだ場合、半導体ツノ造全体に要する時間が多大化
してしまう。
本発明はこの様な問題を解決し、パターンの描画された
材料の検査時間を短縮する事を目的としたものである。
材料の検査時間を短縮する事を目的としたものである。
［問題点を解決するための手段］
そこで、本発明は、パターンが描画されている材料上の
領域を密に走査し、それ以外の領域を粗く走査する様に
した。
領域を密に走査し、それ以外の領域を粗く走査する様に
した。
［作用］
パターンが描画されている材料上の領域を密に走査し、
それ以外の領域を粗く走査する。パターンが存在しない
領域を粗く走査したのは、パターンが存在しない領域に
ゴミの存在をチエツク出来れば良いからで、その様なゴ
ミは粗い走査で見付ける事が出来るからである。この様
に走査ずれば、材料上の全体を密に走査する場合に比べ
て、材料検査の為の走査時間が極めて短くなる。
それ以外の領域を粗く走査する。パターンが存在しない
領域を粗く走査したのは、パターンが存在しない領域に
ゴミの存在をチエツク出来れば良いからで、その様なゴ
ミは粗い走査で見付ける事が出来るからである。この様
に走査ずれば、材料上の全体を密に走査する場合に比べ
て、材料検査の為の走査時間が極めて短くなる。
〔実施例］
第１図は本発明の材料検査方法を実施する為の装置の一
興体例を示したものである。
興体例を示したものである。
図中１は電子銃、２は該電子銃からの電子ビームを材料
３上に集束する為の集束レンズ、４は該材料を載置した
ステージである。５Ｘ、５Ｙは材料上を電子ビームで走
査させる為のＸ、Ｙ方向偏向器である。６はクロック発
生器、７は該クロック発生器からのクロック信号の周波
数を１／Ｎ（Ｎは正の整数）に分周する分周器である。
３上に集束する為の集束レンズ、４は該材料を載置した
ステージである。５Ｘ、５Ｙは材料上を電子ビームで走
査させる為のＸ、Ｙ方向偏向器である。６はクロック発
生器、７は該クロック発生器からのクロック信号の周波
数を１／Ｎ（Ｎは正の整数）に分周する分周器である。
８Ｘ。
８Ｙは夫々前記クロック発生器６９分周器７からのりＯ
ツク信号を計数する為のカウンタである。
ツク信号を計数する為のカウンタである。
９Ｘ、９Ｙは夫々力・クンタ８Ｘ、８Ｙからの出力をア
ナログ信号に変換づるＤＡ変換器である。該各ＤＡ変換
器９Ｘ、９Ｙの出力は増幅器１０Ｘ。
ナログ信号に変換づるＤＡ変換器である。該各ＤＡ変換
器９Ｘ、９Ｙの出力は増幅器１０Ｘ。
１０Ｙを介して前記Ｘ、Ｙ方向偏向器５Ｘ、５Ｙに供給
される。１１Ｘ、１１Ｙは制御’８１１２からの指令に
従って前記各増幅器１０Ｘ、１０Ｙのゲインを制御する
ゲインコントロール回路である。
される。１１Ｘ、１１Ｙは制御’８１１２からの指令に
従って前記各増幅器１０Ｘ、１０Ｙのゲインを制御する
ゲインコントロール回路である。
１３は材料上から発生した反射電子を検出する為の検出
器である。該検出器の出力は増幅器１４゜ＡＤ変換器１
５を介して前記υＪｌｉＤ装置１２に送られる。該制御
装置には予めステージ４に載置されている材料３上の設
計データく各Ｘ、Ｙ座標を持つ各位置にパターンがある
か無いかのデータ）が記憶されており、該制御装置は該
設計データと、前記検出器１３からの実測データの差を
取る車により、欠陥を出している。
器である。該検出器の出力は増幅器１４゜ＡＤ変換器１
５を介して前記υＪｌｉＤ装置１２に送られる。該制御
装置には予めステージ４に載置されている材料３上の設
計データく各Ｘ、Ｙ座標を持つ各位置にパターンがある
か無いかのデータ）が記憶されており、該制御装置は該
設計データと、前記検出器１３からの実測データの差を
取る車により、欠陥を出している。
さて、例えば第２図に示す様に、材料上の×１〜Ｘ２と
ｙ１〜ｙ２の領域白文にパターンが描画されている場合
の材料検査方法について、以下に説明する。
ｙ１〜ｙ２の領域白文にパターンが描画されている場合
の材料検査方法について、以下に説明する。
上記した様に、材料上の×１〜×２とｙ１〜ｙ２の領域
丈にパターンが描画されている事を表すデータ（設計デ
ータ）は予め制御装置１２に記憶されている。該制御装
置は、このパターンが描画されている領域の位置データ
に基づいて、ゲインコントロール回路１１Ｘ、１１Ｙに
指令を送り、増幅器１０Ｘ、１０Ｙのゲインをコントロ
ールする。即ち、クロック信号発生器６からのりＯツク
信号はカウンタ８Ｘ、ＤＡ変換器９Ｘを介して増幅器１
０Ｘに、分周器７．カウンタ８Ｙ、ＤＡ変換器９Ｙを介
して増幅器１０Ｙに夫々入力される。
丈にパターンが描画されている事を表すデータ（設計デ
ータ）は予め制御装置１２に記憶されている。該制御装
置は、このパターンが描画されている領域の位置データ
に基づいて、ゲインコントロール回路１１Ｘ、１１Ｙに
指令を送り、増幅器１０Ｘ、１０Ｙのゲインをコントロ
ールする。即ち、クロック信号発生器６からのりＯツク
信号はカウンタ８Ｘ、ＤＡ変換器９Ｘを介して増幅器１
０Ｘに、分周器７．カウンタ８Ｙ、ＤＡ変換器９Ｙを介
して増幅器１０Ｙに夫々入力される。
この際、上記パターンが描画されている領域（×１〜Ｘ
２とｙ１〜ｙ２が作る領Ｖｊ、）以外の部分においては
、ビームがΔｔの時間にΔＸｉずつＸ方向にステップ走
査し、ＮΔｔの時間にΔｙａずつＹ方向にステップ走査
づる様に、一方パターンが描画されている領域（Ｘ＋〜
ｘ２とｙ１〜ｙ２が作る領域）においては、ビームがΔ
ｔの時間にΔＸｂ （ΔＸｂくΔＸａ ）ずつＸ方向
にステップ走査し、ＰＮΔｔ（Ｐ＞１）の時間にΔＶｂ
（ΔｙｂくΔｙｄ）ずつＹ方向にステップ走査する
様に制御装置１２は増幅器１０Ｘ、１０Ｙのゲインをコ
ントロールする。尚、Δｘｂ、ΔＸａ、Δｙｂ。
２とｙ１〜ｙ２が作る領Ｖｊ、）以外の部分においては
、ビームがΔｔの時間にΔＸｉずつＸ方向にステップ走
査し、ＮΔｔの時間にΔｙａずつＹ方向にステップ走査
づる様に、一方パターンが描画されている領域（Ｘ＋〜
ｘ２とｙ１〜ｙ２が作る領域）においては、ビームがΔ
ｔの時間にΔＸｂ （ΔＸｂくΔＸａ ）ずつＸ方向
にステップ走査し、ＰＮΔｔ（Ｐ＞１）の時間にΔＶｂ
（ΔｙｂくΔｙｄ）ずつＹ方向にステップ走査する
様に制御装置１２は増幅器１０Ｘ、１０Ｙのゲインをコ
ントロールする。尚、Δｘｂ、ΔＸａ、Δｙｂ。
Δｙａを任意にコントロールする事により密及び粗の程
度をコントロールする事が出来る。該コントロールによ
り、該増幅器１０Ｘ、１０Ｙから夫々前記Ｘ、Ｙ方向偏
向器５Ｘ、５Ｙに供給されるＸ方向走査信号、Ｙ方向走
査信号が夫々第３図＜ａ）、（ｂ）に示す波形となる。
度をコントロールする事が出来る。該コントロールによ
り、該増幅器１０Ｘ、１０Ｙから夫々前記Ｘ、Ｙ方向偏
向器５Ｘ、５Ｙに供給されるＸ方向走査信号、Ｙ方向走
査信号が夫々第３図＜ａ）、（ｂ）に示す波形となる。
該各Ｘ方向走査信号、Ｙ方向走査信号に従ってビームは
パターンが描画されている領域（Ｘ＋〜Ｘ２とｙ１〜ｙ
２が作る領域）以外の部分においては、Δｔの時間にΔ
ｘａずつＸ方向に粗くステップ走査し、ＮΔｔの時間に
ΔｙａずつＹ方向に粗くステップ走査する。そして、パ
ターンが描画されている領域（Ｘ＋〜Ｘ２とｙ１〜ｙ２
が作る領域）においては、Δｔの時間にΔＸｂ （Δ
ｘｂくΔＸａ）ずつＸ方向に密にステップ走査し、ＰＮ
Δｔ（Ｐ＞１）の時間にΔＶｂ （ΔｙｂくΔ’／ａ
）ずつＹ方向に密にステップ走査する。
パターンが描画されている領域（Ｘ＋〜Ｘ２とｙ１〜ｙ
２が作る領域）以外の部分においては、Δｔの時間にΔ
ｘａずつＸ方向に粗くステップ走査し、ＮΔｔの時間に
ΔｙａずつＹ方向に粗くステップ走査する。そして、パ
ターンが描画されている領域（Ｘ＋〜Ｘ２とｙ１〜ｙ２
が作る領域）においては、Δｔの時間にΔＸｂ （Δ
ｘｂくΔＸａ）ずつＸ方向に密にステップ走査し、ＰＮ
Δｔ（Ｐ＞１）の時間にΔＶｂ （ΔｙｂくΔ’／ａ
）ずつＹ方向に密にステップ走査する。
この様にして、材料３上がビームにより走査される事に
より、該材料から発生した反射電子は検出器１３に検出
され、増幅器１４及びＡＤ変換器１５を介して前記制御
装置１２に送られる。該制御装置は該検出器からの材料
上のパターンデータと予め記憶されている設計データ差
を取り、欠陥を測定する。
より、該材料から発生した反射電子は検出器１３に検出
され、増幅器１４及びＡＤ変換器１５を介して前記制御
装置１２に送られる。該制御装置は該検出器からの材料
上のパターンデータと予め記憶されている設計データ差
を取り、欠陥を測定する。
尚、前記実施例では電子ビーム走査による検査方法を示
したが、イオンビーム走査や光走査による検査法にも応
用出来る。又、前記実施例では反射電子を検出する様に
したが、その代わりに２次電子を検出する様にしてもよ
い。
したが、イオンビーム走査や光走査による検査法にも応
用出来る。又、前記実施例では反射電子を検出する様に
したが、その代わりに２次電子を検出する様にしてもよ
い。
［発明の効果］
本発明ではパターンが描画されている材料上の領域を密
に走査し、それ以外の領域を粗く走査する様にしたので
、材料上の全体を密に走査ザる場合に比べて、材料検査
の為の走査時間が極めて短くなる。その為、この様なマ
スク検査を２Ｆ導体製造の一工程に組込んだ場合、半尋
体製造全体に要りる時間が短縮する。
に走査し、それ以外の領域を粗く走査する様にしたので
、材料上の全体を密に走査ザる場合に比べて、材料検査
の為の走査時間が極めて短くなる。その為、この様なマ
スク検査を２Ｆ導体製造の一工程に組込んだ場合、半尋
体製造全体に要りる時間が短縮する。
第１図は本発明の材料検査方法を実施する為の装置の一
具体例を示したものである。 １：電子銃 ２：集束レンズ ３：材料 ４：ス
テージ ５Ｘ、５Ｙ：Ｘ、Ｙ方向偏向器 ６：クロ
ック発生器 ７：分周器８Ｘ、８Ｙ：カウンタ ９
Ｘ、９Ｙ：ＤＡ変換器 １０Ｘ、１０Ｙ：増幅器
１１Ｘ、、１１Ｙニゲインコントロ一ル回路 １２：
制ｍ＋装買 １３：検出器 手続補正ｔＭ （方式） 昭和６２年１１月１３臼 １、事件の表示 ＋１（ｊ和６１年特許願第１５０９７４号２、発明の名
称 材料検査方法 ３、補正をする者 （Ｔ Ｅ Ｌ ０４２５ （４３） １１６５）４、補
正命令の日付く発進口） 昭和６２年１０月２７日 ６、補正の内容 （１）明細書第８頁の第１２行目を以下の様に補正する
。 「装置の一員体例を示したもの、第２図は本発明の詳細
な説明に用いた材料上の成る領域を示したもの、第３図
は本発明の詳細な説明に用いた信号波形図を示したもの
である。」 以上
具体例を示したものである。 １：電子銃 ２：集束レンズ ３：材料 ４：ス
テージ ５Ｘ、５Ｙ：Ｘ、Ｙ方向偏向器 ６：クロ
ック発生器 ７：分周器８Ｘ、８Ｙ：カウンタ ９
Ｘ、９Ｙ：ＤＡ変換器 １０Ｘ、１０Ｙ：増幅器
１１Ｘ、、１１Ｙニゲインコントロ一ル回路 １２：
制ｍ＋装買 １３：検出器 手続補正ｔＭ （方式） 昭和６２年１１月１３臼 １、事件の表示 ＋１（ｊ和６１年特許願第１５０９７４号２、発明の名
称 材料検査方法 ３、補正をする者 （Ｔ Ｅ Ｌ ０４２５ （４３） １１６５）４、補
正命令の日付く発進口） 昭和６２年１０月２７日 ６、補正の内容 （１）明細書第８頁の第１２行目を以下の様に補正する
。 「装置の一員体例を示したもの、第２図は本発明の詳細
な説明に用いた材料上の成る領域を示したもの、第３図
は本発明の詳細な説明に用いた信号波形図を示したもの
である。」 以上
Claims (1)
- パターンが描画された材料上をビームで走査する事によ
って該材料から得られた情報に基づいてパターンの欠陥
を検査する方法において、パターンが描画されている材
料上の領域を密に走査し、それ以外の領域を粗く走査し
た事を特徴とする材料検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150974A JPS63100362A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 材料検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150974A JPS63100362A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 材料検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63100362A true JPS63100362A (ja) | 1988-05-02 |
| JPH0523501B2 JPH0523501B2 (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=15508514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61150974A Granted JPS63100362A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 材料検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63100362A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02204954A (ja) * | 1989-02-01 | 1990-08-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 走査型透過電子顕微鏡法 |
| WO2022254698A1 (ja) * | 2021-06-04 | 2022-12-08 | 株式会社日立ハイテク | 試料像観察装置及び方法 |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP61150974A patent/JPS63100362A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02204954A (ja) * | 1989-02-01 | 1990-08-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 走査型透過電子顕微鏡法 |
| WO2022254698A1 (ja) * | 2021-06-04 | 2022-12-08 | 株式会社日立ハイテク | 試料像観察装置及び方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0523501B2 (ja) | 1993-04-02 |
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