JPS586130A - 電子ビ−ムの偏向補正方法 - Google Patents
電子ビ−ムの偏向補正方法Info
- Publication number
- JPS586130A JPS586130A JP10401681A JP10401681A JPS586130A JP S586130 A JPS586130 A JP S586130A JP 10401681 A JP10401681 A JP 10401681A JP 10401681 A JP10401681 A JP 10401681A JP S586130 A JPS586130 A JP S586130A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- deflection
- small
- area
- small area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は大偏向装置、小偏向装置を有する電子ビーム露
光装置に関する。
光装置に関する。
従来、電子ビーム施光装置に社電磁偏向方式や、静電偏
向方式が用いられていた。電磁偏向方式は、磁界によっ
てビームを偏向させる方゛式であり、大きな偏向を行な
うことができ、すなわち偏向利得が大きく、また偏向精
度も良かった。しかしながら電磁偏向方式は磁界を発生
させる丸めにコイルを用いており、前記コイル°゛の影
ＩＩＫよって高速偏向を行なうことが困難であった。静
電偏向方式は高速偏向が可能であり、さらに精度も良い
が、偏向感度が低いため大きな偏向を得ることが難しか
った。
向方式が用いられていた。電磁偏向方式は、磁界によっ
てビームを偏向させる方゛式であり、大きな偏向を行な
うことができ、すなわち偏向利得が大きく、また偏向精
度も良かった。しかしながら電磁偏向方式は磁界を発生
させる丸めにコイルを用いており、前記コイル°゛の影
ＩＩＫよって高速偏向を行なうことが困難であった。静
電偏向方式は高速偏向が可能であり、さらに精度も良い
が、偏向感度が低いため大きな偏向を得ることが難しか
った。
前記二つの偏向方式の欠点をおぎなう方法として、電磁
偏向方式と静電偏向方式の同時使用がある。
偏向方式と静電偏向方式の同時使用がある。
第１図は前記電磁偏向方式と静電偏向方式を同時に使用
した電子ビーム電光装曾の構成図である。カソード１１
グリツド２、アノード３より成る電子銃４によって発射
した電子ビーム５ｔｉ第１スリツト６、第ルンズ７、ブ
ランキング装置８、鯖２スリット９、第２レンズｌＯ１
第３レンズ１１を通過して短形の電子ビームになる。前
記短形の電子ビームを電磁偏向器に、静電偏向器１３で
偏光させ対物レンズ１４を介してウエノ１−Ｗに照射す
る。第１図に示し良電子ビーム纒光装置は大領域にわた
って偏向ができ、さらに小領域に対して高速偏向ができ
る特徴を有している。
した電子ビーム電光装曾の構成図である。カソード１１
グリツド２、アノード３より成る電子銃４によって発射
した電子ビーム５ｔｉ第１スリツト６、第ルンズ７、ブ
ランキング装置８、鯖２スリット９、第２レンズｌＯ１
第３レンズ１１を通過して短形の電子ビームになる。前
記短形の電子ビームを電磁偏向器に、静電偏向器１３で
偏光させ対物レンズ１４を介してウエノ１−Ｗに照射す
る。第１図に示し良電子ビーム纒光装置は大領域にわた
って偏向ができ、さらに小領域に対して高速偏向ができ
る特徴を有している。
しかしながら前記二つの方式の同時使用は別の欠点を有
している。その欠点は大領域を分割した小領域内の偏向
感度が各々、小領域によって異り、さらに回転、台形歪
等の誤差も多くなることである。
している。その欠点は大領域を分割した小領域内の偏向
感度が各々、小領域によって異り、さらに回転、台形歪
等の誤差も多くなることである。
本発明は前記問題点を解決するものであり、その目的と
するところは大領域にわたって精度が良く、高速偏向が
可能な電子ビーム無光装置を実現する電子ビームの偏光
補正方法を提供することにある。
するところは大領域にわたって精度が良く、高速偏向が
可能な電子ビーム無光装置を実現する電子ビームの偏光
補正方法を提供することにある。
本発明の特徴とするところ−は大領域にわたって電子ビ
ームを偏向する大領域ビーム偏向手段と、小領域のみ電
子ビームを偏光する小領域ビーム偏光手段とを有し、大
領域を小領域に分割して指定され九位曹が存在する小領
域に前記大領域ビーム偏向手段によって電子ビームを偏
向させ、さらに小領域ビーム偏向手段によって指定され
た位置に電子ビームを電光する電子ビーム無光装置にお
いて、前記大領域を小領域に分割したそれぞれの小領域
に対してあらかじめ前記小領域内の偏向利得、回転補正
係数、台形歪係数、シフト量を求め、電子ビームを無光
する際に小領域ビーム偏光手段において前記偏光利得、
回転補正係数、台形歪係数、シフト量を用いて電子ビー
ムが指定された位置に精度よく無光するように偏光を補
正する電子ビーム補正方法を提供することである。
ームを偏向する大領域ビーム偏向手段と、小領域のみ電
子ビームを偏光する小領域ビーム偏光手段とを有し、大
領域を小領域に分割して指定され九位曹が存在する小領
域に前記大領域ビーム偏向手段によって電子ビームを偏
向させ、さらに小領域ビーム偏向手段によって指定され
た位置に電子ビームを電光する電子ビーム無光装置にお
いて、前記大領域を小領域に分割したそれぞれの小領域
に対してあらかじめ前記小領域内の偏向利得、回転補正
係数、台形歪係数、シフト量を求め、電子ビームを無光
する際に小領域ビーム偏光手段において前記偏光利得、
回転補正係数、台形歪係数、シフト量を用いて電子ビー
ムが指定された位置に精度よく無光するように偏光を補
正する電子ビーム補正方法を提供することである。
以下、本発明の実施例を用いて詳細な説明を行なう。
第２図は本発明の実施例を示す。データ発生装置１５０
大領域データ出力１６は大領域変換回路１７の入力１Ｂ
に入る。大領域変換回路１７の変換出力１９Ｆｉデジタ
ルアナログ変換回路２００Å力２１に入る。前記デジタ
ル変換回路２０の出力２２は増幅器２３を介して、電磁
偏向器２４に接続される。また前記データ発生装置１５
の小領域データ出力２５、小領域補正出力２６は小領域
変換回路２７０入力２Ｂ、２９にそれぞれ接続される。
大領域データ出力１６は大領域変換回路１７の入力１Ｂ
に入る。大領域変換回路１７の変換出力１９Ｆｉデジタ
ルアナログ変換回路２００Å力２１に入る。前記デジタ
ル変換回路２０の出力２２は増幅器２３を介して、電磁
偏向器２４に接続される。また前記データ発生装置１５
の小領域データ出力２５、小領域補正出力２６は小領域
変換回路２７０入力２Ｂ、２９にそれぞれ接続される。
小領域変換回路２７の出力３０はデジタル変換回路３１
０入力３２に入る。デジタルアナログ変換回路３１の出
力３３は増幅器３４を介して静電偏向器３５に接続され
る。データ発生装置１５より発生した大領域偏向データ
は大領域変換回路１７に入る。大領域変換回路１７では
大領域における、あらかじめ求められ、前記大領域変換
回路１７にセットされている偏向利得、回転補正係数、
台形歪係数、シフト量等補正係数を用いて（１八（２）
式に示すデータの補正を行なう。
０入力３２に入る。デジタルアナログ変換回路３１の出
力３３は増幅器３４を介して静電偏向器３５に接続され
る。データ発生装置１５より発生した大領域偏向データ
は大領域変換回路１７に入る。大領域変換回路１７では
大領域における、あらかじめ求められ、前記大領域変換
回路１７にセットされている偏向利得、回転補正係数、
台形歪係数、シフト量等補正係数を用いて（１八（２）
式に示すデータの補正を行なう。
Ｘ’＝Ｇ１・Ｘ＋Ｒ１拳Ｙ＋Ｈ１・Ｘ＠Ｙ＋Ｐｔ（Ｘ、
Ｙ）＋０１’（１） （１）、（２）式においてＸ％ｙ１１データ発生装置よ
り発生するＸ軸方向、Ｙ軸方向の偏向データ、Ｘ’Ｙ’
は変換後の偏向データ、Ｇ１、Ｇ２は偏向利得、Ｒ１、
Ｒ２は回転補正係数、Ｈｌ、Ｒ２は台形歪形数、０１．
０２はシフト量、醪（Ｘ’、Ｙ）、ノ（ｘ％’）は大領
域における上記以外の歪補正関数である。前記補正され
た偏向データすなわちｙ′、Ｙ′はデジタルアナログ変
換回路２０によってアナログの値に変換され、さらに増
幅器２３によって増幅されて、電磁偏向器２４に入る。
Ｙ）＋０１’（１） （１）、（２）式においてＸ％ｙ１１データ発生装置よ
り発生するＸ軸方向、Ｙ軸方向の偏向データ、Ｘ’Ｙ’
は変換後の偏向データ、Ｇ１、Ｇ２は偏向利得、Ｒ１、
Ｒ２は回転補正係数、Ｈｌ、Ｒ２は台形歪形数、０１．
０２はシフト量、醪（Ｘ’、Ｙ）、ノ（ｘ％’）は大領
域における上記以外の歪補正関数である。前記補正され
た偏向データすなわちｙ′、Ｙ′はデジタルアナログ変
換回路２０によってアナログの値に変換され、さらに増
幅器２３によって増幅されて、電磁偏向器２４に入る。
前記動作によって大領域中の小領域が限定される。また
データ発生装置１１ｒ１５より発生した小領域偏向デー
タは小領域変換回路２７に入る。この時同時に、前記大
領域偏向データで指定された小領域の各補正係数すなわ
ち前記指定された小領域の偏向利得、回転補正係数、台
形歪係数、シフト量がデータ発生！ｌ装置より小領域変
換回路に入る。
データ発生装置１１ｒ１５より発生した小領域偏向デー
タは小領域変換回路２７に入る。この時同時に、前記大
領域偏向データで指定された小領域の各補正係数すなわ
ち前記指定された小領域の偏向利得、回転補正係数、台
形歪係数、シフト量がデータ発生！ｌ装置より小領域変
換回路に入る。
小ｉｌＩ埴変換回路では前記補正係数を用いて（３）、
（４）式に示す変換を行なう。
（４）式に示す変換を行なう。
Ｉ’＝＝ｇ１．Ｘ＋ｒｔ＠）ｒ＋ｈｌ−Ｘ−ｙ＋Ｏｔ
（３）ｙ′＝ｇ２ ・ｙ＋ｒ２−ｘ＋ｈ２
− ｘ−ｙ＋ｏ２ （４１（３７、（４）式にお
いて、ｘ−ｙはデータ発生装置より発生する小領域のＸ
軸、ｙ軸方向の偏向データ、ｙ′、ｙ′は変換後の偏向
データ、ｇｌ、ｇ２＃ｉ偏向利得、ｒｌ、ｒ２は回転補
正係数、ｈｌ、ｈ２は台形歪係数、０１．０２はシフト
量である。前記補正係数すなわちｇＬｇ２、ｒｌ、ｒ２
、ｇｌＸ ｇ２、ｏｌ、ｏ２はそれぞれの小領域ＶＣよ
って異っている。前記補正された偏向データ、すなわち
ｘ ｅ 、ｙ Ｉはデジタルアナログ変換回路３１によ
ってアナログ値に変換され、さらに増幅器によって増幅
されて静電偏向器３５へ入る。
（３）ｙ′＝ｇ２ ・ｙ＋ｒ２−ｘ＋ｈ２
− ｘ−ｙ＋ｏ２ （４１（３７、（４）式にお
いて、ｘ−ｙはデータ発生装置より発生する小領域のＸ
軸、ｙ軸方向の偏向データ、ｙ′、ｙ′は変換後の偏向
データ、ｇｌ、ｇ２＃ｉ偏向利得、ｒｌ、ｒ２は回転補
正係数、ｈｌ、ｈ２は台形歪係数、０１．０２はシフト
量である。前記補正係数すなわちｇＬｇ２、ｒｌ、ｒ２
、ｇｌＸ ｇ２、ｏｌ、ｏ２はそれぞれの小領域ＶＣよ
って異っている。前記補正された偏向データ、すなわち
ｘ ｅ 、ｙ Ｉはデジタルアナログ変換回路３１によ
ってアナログ値に変換され、さらに増幅器によって増幅
されて静電偏向器３５へ入る。
前記動作は電磁偏向器によって大きく電子ビームを偏向
させ、ついで高速て静電偏向させて、大領域にわたって
高速で高精度な電子ビームの偏向補正を行なっている。
させ、ついで高速て静電偏向させて、大領域にわたって
高速で高精度な電子ビームの偏向補正を行なっている。
前記説明中、大領域の補正はかならずしも必要ではなく
、小さな補正ですむ場合には小領域内て補正することが
できる。さらに、小領域の補正係数は第２図ＶＣ示した
データ発生装置１５に格納しであるが、前記の補正係数
は他のメモリ等に格納し、必要表時に読出す方法もある
。
、小さな補正ですむ場合には小領域内て補正することが
できる。さらに、小領域の補正係数は第２図ＶＣ示した
データ発生装置１５に格納しであるが、前記の補正係数
は他のメモリ等に格納し、必要表時に読出す方法もある
。
第３図は大領域あるいは小領域の補正係数を求める時に
使う補正マスクを示す。マークｍ １− ｍ １２は基
板上に段差又は異程薄膜で形成したものである。先ず大
領域偏向における電子ビームをＭｌにセットし、小領域
偏向において閉領域３６内のマークｍ１、ｍ２、ｍ５、
ｍ６の位置を測定する。＠記求めたｍｌ、ｍ２、ｍ５、
ｍ６の位置データより補正係数すなわち、偏向利得、回
転補正係数、台 ４゜形垂係数、シフト量を求める。尚
、位置の求め方は小領域偏向器を走査させ、基板の電位
を求めることによって得られる。電子ビームを照射する
ことにより、マークｍ１〜ｍ２は基板に対してたとえば
Ｊ！４種薄膜で形成されているので反射量が異り、基板
の電位が照射する場所によって変化するのである０次に
大領域偏向における電子ビームをＭ２にセットし、閉領
域３７内のマークｍ２、ｍ３、ｍ６、ｍｌの位置を求め
、さらに前記位置データより補正係数を求める。前記動
作を大領域内のすべての小領域に対して行なうことによ
り、小領域の補正係数を全て求めることができる。
使う補正マスクを示す。マークｍ １− ｍ １２は基
板上に段差又は異程薄膜で形成したものである。先ず大
領域偏向における電子ビームをＭｌにセットし、小領域
偏向において閉領域３６内のマークｍ１、ｍ２、ｍ５、
ｍ６の位置を測定する。＠記求めたｍｌ、ｍ２、ｍ５、
ｍ６の位置データより補正係数すなわち、偏向利得、回
転補正係数、台 ４゜形垂係数、シフト量を求める。尚
、位置の求め方は小領域偏向器を走査させ、基板の電位
を求めることによって得られる。電子ビームを照射する
ことにより、マークｍ１〜ｍ２は基板に対してたとえば
Ｊ！４種薄膜で形成されているので反射量が異り、基板
の電位が照射する場所によって変化するのである０次に
大領域偏向における電子ビームをＭ２にセットし、閉領
域３７内のマークｍ２、ｍ３、ｍ６、ｍｌの位置を求め
、さらに前記位置データより補正係数を求める。前記動
作を大領域内のすべての小領域に対して行なうことによ
り、小領域の補正係数を全て求めることができる。
以上、本発明の実施例を用いて詳細な説明を行なった。
本発明を用いることによシミ磁偏向方式と静電偏向方式
の二つを用いた従来得られなかった大領域にわたって高
精度な偏向が可能となる電子ビーム偏向装置を得ること
ができる。
の二つを用いた従来得られなかった大領域にわたって高
精度な偏向が可能となる電子ビーム偏向装置を得ること
ができる。
第１図は電子ビーム露光装置を示す図、第２図は本発明
の実施例を示す図、第３図は帯止用マスクを示す図であ
る。 １５・・・・・・データ発生装置、 １７・・・・・・大領域変換回路、 ２７・・・・・・小領域変換回路、
の実施例を示す図、第３図は帯止用マスクを示す図であ
る。 １５・・・・・・データ発生装置、 １７・・・・・・大領域変換回路、 ２７・・・・・・小領域変換回路、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ）大領域にわたって電子ビームを偏向する大領域ビー
ム、偏向手段と、小領域のみ電子ビームを偏向する小領
域ビーム偏向手段とを有し。 大領域を小領域に分割して指定された位置が存在する小
領域に前記大領域ビーム偏向手段によって、電子ビーム
を偏向させ、さらに小領域ビーム偏向手段によって指定
された位置に電子ビ“−ムを霧光する電子ビーム農光装
置において、前記大領域を小領域に分割したそれぞれの
小領域に対してあらかじめ前記小領域内の偏向利得、回
転補正係数、台形歪係数、シフト量を求め電子ビームを
露光する際に小領域ビーム偏向手段において前記偏向利
得、回転補正係数、台形歪係数、シフト量を用いて電子
ビームが指定された位置に精度よく露光するように偏角
を補正す５ことＥ！像とする電子ビーム補正方法。 ２）前記偏光利得、回転補正係数、台形歪係数、シフト
量を基板上に、段差又は、異種薄膜で形成したマークを
それぞれ、小領域内に少なくとも３個以上含むメツシュ
状基￥ｉＫ電子ビームを照射して、前記基板の出力から
求める特許請求の範囲１記載の電子ビーム傾正方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10401681A JPS586130A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | 電子ビ−ムの偏向補正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10401681A JPS586130A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | 電子ビ−ムの偏向補正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS586130A true JPS586130A (ja) | 1983-01-13 |
Family
ID=14369456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10401681A Pending JPS586130A (ja) | 1981-07-03 | 1981-07-03 | 電子ビ−ムの偏向補正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS586130A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617626A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-14 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム描画方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4921796A (ja) * | 1972-06-23 | 1974-02-26 | ||
| JPS5093571A (ja) * | 1973-12-19 | 1975-07-25 | ||
| JPS5452987A (en) * | 1977-10-05 | 1979-04-25 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure device |
| JPS5527689A (en) * | 1978-08-21 | 1980-02-27 | Jeol Ltd | Electro beam exposing method |
| JPS5577144A (en) * | 1978-12-07 | 1980-06-10 | Jeol Ltd | Electron beam exposure method |
| JPS55102231A (en) * | 1979-01-27 | 1980-08-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method for correcting distortion of electron beam exposure device and circuit thereof |
-
1981
- 1981-07-03 JP JP10401681A patent/JPS586130A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4921796A (ja) * | 1972-06-23 | 1974-02-26 | ||
| JPS5093571A (ja) * | 1973-12-19 | 1975-07-25 | ||
| JPS5452987A (en) * | 1977-10-05 | 1979-04-25 | Fujitsu Ltd | Electron beam exposure device |
| JPS5527689A (en) * | 1978-08-21 | 1980-02-27 | Jeol Ltd | Electro beam exposing method |
| JPS5577144A (en) * | 1978-12-07 | 1980-06-10 | Jeol Ltd | Electron beam exposure method |
| JPS55102231A (en) * | 1979-01-27 | 1980-08-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Method for correcting distortion of electron beam exposure device and circuit thereof |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS617626A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-14 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム描画方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3922546A (en) | Electron beam pattern generator | |
| JPH0336299B2 (ja) | ||
| KR930003134B1 (ko) | 전자비임 노광(露光)방법과 그의 장치 | |
| JP2750069B2 (ja) | 電子ビーム投射偏向装置 | |
| US3857041A (en) | Electron beam patterning system for use in production of semiconductor devices | |
| US4891524A (en) | Charged particle beam exposure system and method of compensating for eddy current effect on charged particle beam | |
| JPS586130A (ja) | 電子ビ−ムの偏向補正方法 | |
| JPH03270215A (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法及び露光装置 | |
| JPS58121625A (ja) | 電子ビ−ム露光装置 | |
| US4424450A (en) | Hybrid moving stage and rastered electron beam lithography system employing approximate correction circuit | |
| JPH0669112A (ja) | 透過マスク板 | |
| JPH05160009A (ja) | 荷電ビーム描画装置および荷電ビームによるパターン形成方法 | |
| JPS6341186B2 (ja) | ||
| JP3101100B2 (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JP3710422B2 (ja) | 近接露光方式電子ビーム露光装置の副偏向器のゲイン較正方法 | |
| JPH03173119A (ja) | 電子線描画装置 | |
| JPS6221216A (ja) | 電子ビ−ム露光装置 | |
| JPS63150842A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JPH07312338A (ja) | 荷電粒子ビーム露光方法及び装置 | |
| JP2502704B2 (ja) | 電子ビ―ム描画方法 | |
| JP3232583B2 (ja) | 電子線描画装置 | |
| JPS6273712A (ja) | 電子ビ−ム露光装置 | |
| JPH0423315A (ja) | 電子ビーム描画装置 | |
| JP3083428B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法 | |
| JPH03259510A (ja) | 電子ビーム露光装置 |