JPH0336299B2 - - Google Patents
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- JPH0336299B2 JPH0336299B2 JP57167919A JP16791982A JPH0336299B2 JP H0336299 B2 JPH0336299 B2 JP H0336299B2 JP 57167919 A JP57167919 A JP 57167919A JP 16791982 A JP16791982 A JP 16791982A JP H0336299 B2 JPH0336299 B2 JP H0336299B2
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 49
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 21
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
- H01J37/3026—Patterning strategy
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01J2237/3175—Lithography
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- H01J2237/31764—Dividing into sub-patterns
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は電子ビーム露光装置に係り、特に露光
するパターンに応じて高精度或いは低精度で露光
すべきかをコードで指定して露光することのでき
る可変矩形ビーム露光装置に関する。
するパターンに応じて高精度或いは低精度で露光
すべきかをコードで指定して露光することのでき
る可変矩形ビーム露光装置に関する。
従来から細く集束した電子ビームを用いる集束
ビーム型の電子ビーム露光装置に代つて走査或い
はパターン作製過程において描画する図形に合せ
て矩形断面の電子ビームの形状と大きさを可変
し、露光の速度を早めた可変矩形電子ビーム露光
装置が提案されている。
ビーム型の電子ビーム露光装置に代つて走査或い
はパターン作製過程において描画する図形に合せ
て矩形断面の電子ビームの形状と大きさを可変
し、露光の速度を早めた可変矩形電子ビーム露光
装置が提案されている。
上述のような可変矩形電子ビーム露光装置は、
通常電流密度が一定で、ビーム電流はビーム面積
に比例する。このような可変矩形電子ビーム露光
装置では電子電子クーロン相互作用による弊害が
ある。これを以下に説明する。
通常電流密度が一定で、ビーム電流はビーム面積
に比例する。このような可変矩形電子ビーム露光
装置では電子電子クーロン相互作用による弊害が
ある。これを以下に説明する。
第１図に示すように横軸にビーム断面の面積ま
たはビーム電流を取り縦軸にビームのボケ（焦点
ボケ）をとると、ビーム断面の面積またはビーム
電流が増加するとボケ量は曲線１のように増大す
る。このようなボケを除くために本出願人は先に
リフオーカスコイルを設けて焦点の調整を行うこ
とを提案した。このような補正を行うとボケは曲
線２のように低減される。しかし、リフオーカス
を行うと露光位置が変化してしまうので更に元の
位置に振り戻す操作を行う必要があつた。
たはビーム電流を取り縦軸にビームのボケ（焦点
ボケ）をとると、ビーム断面の面積またはビーム
電流が増加するとボケ量は曲線１のように増大す
る。このようなボケを除くために本出願人は先に
リフオーカスコイルを設けて焦点の調整を行うこ
とを提案した。このような補正を行うとボケは曲
線２のように低減される。しかし、リフオーカス
を行うと露光位置が変化してしまうので更に元の
位置に振り戻す操作を行う必要があつた。
さて、リフオーカスを行つても、大きな面積の
ビームでは第１図に示すように小さい面積のビー
ムよりもボケが大きく、大きなビームで露光した
場合と小さいビームで露光した場合では、同じパ
ターンでも大きなビームで露光した場合の方が、
パターン形状が劣化する。しかしながら描画スピ
ードの点から言うと大きなビームで露光した方
が、早く、小さいビームで露光するとパターンの
きれはよいが多大な露光時間を要する欠点を有す
る。
ビームでは第１図に示すように小さい面積のビー
ムよりもボケが大きく、大きなビームで露光した
場合と小さいビームで露光した場合では、同じパ
ターンでも大きなビームで露光した場合の方が、
パターン形状が劣化する。しかしながら描画スピ
ードの点から言うと大きなビームで露光した方
が、早く、小さいビームで露光するとパターンの
きれはよいが多大な露光時間を要する欠点を有す
る。
本発明は上記従来の欠点に鑑み、パターンに応
じて高精度で描画するか低精度で描画するかパタ
ーン毎に許容される最大ビームサイズを与えて分
割露光し、適正な露光を行えるようにした電子ビ
ーム露光装置を提供することを目的とするもので
ある。
じて高精度で描画するか低精度で描画するかパタ
ーン毎に許容される最大ビームサイズを与えて分
割露光し、適正な露光を行えるようにした電子ビ
ーム露光装置を提供することを目的とするもので
ある。
上記目的は本発明によれば、第１の矩形孔を有
するマスクの該矩形電子ビームを可変調整デフレ
クタによつて第２の矩形孔を有するマスク上に偏
向して結像させ、該第２の矩形孔を通過する電子
ビームの寸法を可変させ、主偏向器を介して試料
上の所定位置に該電子ビームをシヨツトさせてパ
ターンを描画する可変矩形電子ビーム露光装置に
おいて、上記各パターンを記述するデータとし
て、露光開始位置データとパターンサイズのデー
タを有することに加えて、各パターン毎に許容さ
れる最大矩形ビームのサイズを示す最大ビーム寸
法又は該最大ビーム寸法をコードで記述したデー
タをパターン毎に有し、前記パターンサイズと最
大ビーム寸法あるいはそのコードからパターン描
画の際のビームサイズと走査ビツチとシヨツトの
個数を一意的に決定する手段を有し、ビームサイ
ズデータを可変調整デフレクタに与え、走査ピツ
チとシヨツトの個数と露光開始位置データに基づ
くデータを上記主偏向器に与えて、上記パターン
の露光を行うことを特徴とする電子ビーム露光装
置によつて達成される。
するマスクの該矩形電子ビームを可変調整デフレ
クタによつて第２の矩形孔を有するマスク上に偏
向して結像させ、該第２の矩形孔を通過する電子
ビームの寸法を可変させ、主偏向器を介して試料
上の所定位置に該電子ビームをシヨツトさせてパ
ターンを描画する可変矩形電子ビーム露光装置に
おいて、上記各パターンを記述するデータとし
て、露光開始位置データとパターンサイズのデー
タを有することに加えて、各パターン毎に許容さ
れる最大矩形ビームのサイズを示す最大ビーム寸
法又は該最大ビーム寸法をコードで記述したデー
タをパターン毎に有し、前記パターンサイズと最
大ビーム寸法あるいはそのコードからパターン描
画の際のビームサイズと走査ビツチとシヨツトの
個数を一意的に決定する手段を有し、ビームサイ
ズデータを可変調整デフレクタに与え、走査ピツ
チとシヨツトの個数と露光開始位置データに基づ
くデータを上記主偏向器に与えて、上記パターン
の露光を行うことを特徴とする電子ビーム露光装
置によつて達成される。
以下、本発明の一実施例を図面について説明す
る。
る。
第２図は本発明の露光方法を説明するための試
料３のパターンを示すもので試料３のパターン４
部分は精密に露光を行なわなくてもよい部分を、
パターン５部分は精密に露光を行なわなくてはな
らない部分を示すとすればパターン４部分は最大
ビームサイズを大きくして露光し、パターン５部
分は最大ビームサイズを小さくして露光するよう
にする。このために本発明では各パターン毎に許
容される最大ビームサイズを寸法またはコードで
指定するようにしたものである。
料３のパターンを示すもので試料３のパターン４
部分は精密に露光を行なわなくてもよい部分を、
パターン５部分は精密に露光を行なわなくてはな
らない部分を示すとすればパターン４部分は最大
ビームサイズを大きくして露光し、パターン５部
分は最大ビームサイズを小さくして露光するよう
にする。このために本発明では各パターン毎に許
容される最大ビームサイズを寸法またはコードで
指定するようにしたものである。
第３図のように例えば露光すべきパターン寸法
がl3×l4であればパターン全体の寸法を知つて等
分割した電子ビームサイズによつて露光を行う。
がl3×l4であればパターン全体の寸法を知つて等
分割した電子ビームサイズによつて露光を行う。
このためには電子ビームの矩形状の最大パター
ン寸法が例えば4μm□であるとすれば第３図のl4
方向のみについて考えると長さl4方向に分割され
るべき個数nxは nx＝〔l4／4μ〕 …(1) で表せる。例えばl4＝21μであるとすれば(1)式か
らｎ＝5.25となるがこの場合ｎ＝６とし小数点以
下を切り上げる。かくすればl4方向の寸法は4μm
以下の電子ビームサイズで分割が可能となる。電
子ビームサイズの具体的寸法Sxは Sx＝l4／nxｐ …(2) （但し、ｐ＝0.001μm等適宜に選択する。）で表
せる。
ン寸法が例えば4μm□であるとすれば第３図のl4
方向のみについて考えると長さl4方向に分割され
るべき個数nxは nx＝〔l4／4μ〕 …(1) で表せる。例えばl4＝21μであるとすれば(1)式か
らｎ＝5.25となるがこの場合ｎ＝６とし小数点以
下を切り上げる。かくすればl4方向の寸法は4μm
以下の電子ビームサイズで分割が可能となる。電
子ビームサイズの具体的寸法Sxは Sx＝l4／nxｐ …(2) （但し、ｐ＝0.001μm等適宜に選択する。）で表
せる。
更に第３図で始めの露光位置６より矢印７で示
すように最終位置８まで順次シヨツトを進めて等
分割露光を行う場合のピツチpxは px＝l4／nxｑ …(3) （但し、ｑ＝0.001μm等適宜に選択するも、ある
所定の長さl4をｎ等分した場合のトータル誤差が
ある範囲内にあるようなｑの値を選択する。）で
表される。
すように最終位置８まで順次シヨツトを進めて等
分割露光を行う場合のピツチpxは px＝l4／nxｑ …(3) （但し、ｑ＝0.001μm等適宜に選択するも、ある
所定の長さl4をｎ等分した場合のトータル誤差が
ある範囲内にあるようなｑの値を選択する。）で
表される。
上記実施例ではパターンのl4方向（ｘ方向）の
みについて考慮したがl3方向（ｙ方向）も同様に
考慮した電子ビームのパターンサイズSy、ピツチ
py、個数ny等を定める。また、上記実施例では等
分割する場合について述べたが分割描画して行つ
て最後に端数が生じたときには電子ビームの最大
ビームサイズを縮めて露光する端数処理方法や端
数の残り寸法がl3であれば最大パターンサイズと
の関係が l2＜l5＜2l2 …(4) の関係にあつたときl5の半分の値にメモリ（割算
器）でパターン寸法を定めてシヨツト露光する場
合も含むものである。
みについて考慮したがl3方向（ｙ方向）も同様に
考慮した電子ビームのパターンサイズSy、ピツチ
py、個数ny等を定める。また、上記実施例では等
分割する場合について述べたが分割描画して行つ
て最後に端数が生じたときには電子ビームの最大
ビームサイズを縮めて露光する端数処理方法や端
数の残り寸法がl3であれば最大パターンサイズと
の関係が l2＜l5＜2l2 …(4) の関係にあつたときl5の半分の値にメモリ（割算
器）でパターン寸法を定めてシヨツト露光する場
合も含むものである。
このような分割方法を用いて、試料のパターン
の重要度即ち、小さい面積のビームを用いて、比
較的ゆつくりと高精度で描画するか、大きい面積
のビームを用いて比較的早く低精度で露光するか
に応じて、矩形サイズデータに加えて、パターン
の分割方法を決定する最大ビームサイズ又はコー
ドをあらかじめ付加して与えられた該パターンデ
ータに基づいてパターン毎にシヨツト分割して行
く電子ビーム露光装置を第４図について説明す
る。
の重要度即ち、小さい面積のビームを用いて、比
較的ゆつくりと高精度で描画するか、大きい面積
のビームを用いて比較的早く低精度で露光するか
に応じて、矩形サイズデータに加えて、パターン
の分割方法を決定する最大ビームサイズ又はコー
ドをあらかじめ付加して与えられた該パターンデ
ータに基づいてパターン毎にシヨツト分割して行
く電子ビーム露光装置を第４図について説明す
る。
電子ビーム露光装置９内には試料３と電極群が
コラム及びチエンバー内に配設されている。
コラム及びチエンバー内に配設されている。
電極構成について説明すると、コラム内に配設
したカソード１０から放出された電子ビームはグ
リツド１１、アノード１２のアパチヤーを通つて
矩形孔１３ａを有する第１のマスク１３に照射さ
れる。該第１のマスク１３の矩形孔１３ａを通過
して矩形状となされた矩形電子ビームは集束レン
ズ１４によつて第２のマスク１６上に集束され
る。
したカソード１０から放出された電子ビームはグ
リツド１１、アノード１２のアパチヤーを通つて
矩形孔１３ａを有する第１のマスク１３に照射さ
れる。該第１のマスク１３の矩形孔１３ａを通過
して矩形状となされた矩形電子ビームは集束レン
ズ１４によつて第２のマスク１６上に集束され
る。
更に可変調整デフレクタ１５によつて第２のマ
スク１６に穿つた矩形孔１６ａ上に偏向させるこ
とで第２のマスク矩形孔から任意の大きさの矩形
断面を有する電子ビームを取り出すことができ
る。
スク１６に穿つた矩形孔１６ａ上に偏向させるこ
とで第２のマスク矩形孔から任意の大きさの矩形
断面を有する電子ビームを取り出すことができ
る。
このように適宜の寸法になされた矩形断面の電
子ビームは集束レンズ１７とアパチヤー１８ａを
有する電極１８を通つてリフオーカスレンズ１９
ａ上に集束されてリフオーカス用のデフレクシヨ
ンコイル１９にコンピユータ等よりのリフオーカ
ス用信号が与えられて焦点ボケ調整がなされる。
子ビームは集束レンズ１７とアパチヤー１８ａを
有する電極１８を通つてリフオーカスレンズ１９
ａ上に集束されてリフオーカス用のデフレクシヨ
ンコイル１９にコンピユータ等よりのリフオーカ
ス用信号が与えられて焦点ボケ調整がなされる。
リフオーカスレンズ１９ａを通過した電子ビー
ム２１は主偏向器２０により試料３上にデジタル
的に矩形電子ビームを走査させてワンシヨツト毎
の露光がなされる。次にこれら電極群を制御する
ための制御系について説明するにコンピユータ等
の中央処理装置２２からはカソード１０やブラン
キング用電極等へ制御信号が与えられるが、これ
らは本発明とは直接関係がないので本発明に関係
のある主偏向器２０及び可変調整デフレクタ１５
についてのみ説明する。
ム２１は主偏向器２０により試料３上にデジタル
的に矩形電子ビームを走査させてワンシヨツト毎
の露光がなされる。次にこれら電極群を制御する
ための制御系について説明するにコンピユータ等
の中央処理装置２２からはカソード１０やブラン
キング用電極等へ制御信号が与えられるが、これ
らは本発明とは直接関係がないので本発明に関係
のある主偏向器２０及び可変調整デフレクタ１５
についてのみ説明する。
中央処理装置２２からバツフアメモリ２３へは
予めパターンデータが転送されている。
予めパターンデータが転送されている。
バツフアメモリに蓄積されているパターンデー
タは次の通りである。第２図に示すパターンに於
いて、パターン４では例えば露光開始位置データ
として始点座標X4，Y4、パターンサイズデータ
としてパターンサイズx4，y4、パターン５では始
点座標X5，Y5、パターンサイズx5，y5であり、
パターン４については最大ビーム4μとして、コ
ード01が与えられ、パターン５については最大ビ
ーム2.5μとしてコード02が与えられている。
タは次の通りである。第２図に示すパターンに於
いて、パターン４では例えば露光開始位置データ
として始点座標X4，Y4、パターンサイズデータ
としてパターンサイズx4，y4、パターン５では始
点座標X5，Y5、パターンサイズx5，y5であり、
パターン４については最大ビーム4μとして、コ
ード01が与えられ、パターン５については最大ビ
ーム2.5μとしてコード02が与えられている。
従つて、パターンデータとして、
X4，Y4，x4，y4，01（コード）；X5，Y5，x5，
y5，02（コード）…… というように蓄積されている。
y5，02（コード）…… というように蓄積されている。
これらのパターンデータを順次読み出して描画
していくが、その様子を説明する。
していくが、その様子を説明する。
まずパターン４のデータX4，Y4，x4，y4，01
（コード）を読み出すと、パターンサイズx4，y4、
とコード01からコード01に対応するメモリ２４ａ
がアクセスされる。
（コード）を読み出すと、パターンサイズx4，y4、
とコード01からコード01に対応するメモリ２４ａ
がアクセスされる。
コード01はこの場合最大ビームサイズ4μを示
しているものとする。ｘ方向のパターンサイズx4
について、最大許容ビームサイズ4μである時に、
前に説明したように(1)〜(3)式で表わされるパター
ンサイズx4に対する電子ビームサイズSx、ピツチ
px、個数nxが、メモリ２４ａのアドレスに格納さ
れており、出力される。
しているものとする。ｘ方向のパターンサイズx4
について、最大許容ビームサイズ4μである時に、
前に説明したように(1)〜(3)式で表わされるパター
ンサイズx4に対する電子ビームサイズSx、ピツチ
px、個数nxが、メモリ２４ａのアドレスに格納さ
れており、出力される。
ｙ方向のパターンサイズy4についても最大ビー
ムサイズ4μであるからメモリ２４ａのアドレス
から(1)〜(3)式に従つた電子ビームサイズＳ、ピツ
チpy、個数nyが出力として読み出される。パター
ン５は、コード02が付与され、これは最大ビーム
サイズは2.5μであり、パターンサイズx5に対する
メモリ２４ｂのアドレスから(1)〜(2)式に従つた電
子ビームサイズSx、ピツチpx、個数xが出力とし
て与えられ、パターンサイズy5に対するメモリ２
４ｂのアドレスから(1)〜(3)式に従つた電子ビーム
サイズSy、ピツチpy、個数nyが出力として与えら
れる。
ムサイズ4μであるからメモリ２４ａのアドレス
から(1)〜(3)式に従つた電子ビームサイズＳ、ピツ
チpy、個数nyが出力として読み出される。パター
ン５は、コード02が付与され、これは最大ビーム
サイズは2.5μであり、パターンサイズx5に対する
メモリ２４ｂのアドレスから(1)〜(2)式に従つた電
子ビームサイズSx、ピツチpx、個数xが出力とし
て与えられ、パターンサイズy5に対するメモリ２
４ｂのアドレスから(1)〜(3)式に従つた電子ビーム
サイズSy、ピツチpy、個数nyが出力として与えら
れる。
同様に他のパターンデータが別のコード指定、
例えば最大ビームサイズが2μの場合、コード03
でありメモリ２４ｃがアクセスされ、最大ビーム
サイズが1.6μの場合コードは04でありメモリ２４
ｄがアクセスされる。
例えば最大ビームサイズが2μの場合、コード03
でありメモリ２４ｃがアクセスされ、最大ビーム
サイズが1.6μの場合コードは04でありメモリ２４
ｄがアクセスされる。
これらのメモリ２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４
ｄはすべてパターンサイズｘまたはｙの寸法を
0.05μ単位に200μまで4000種類のアドレスで表わ
した時の(1)〜(3)式で示される最大ビームサイズ
Sx、ピツチpx、個数nxが記憶され、出力される。
即ち、複数メモリ２４ａ〜２４ｄの内容はパター
ンサイズデータをアドレスにして出力されるべき
データが(1)〜(3)式で与えられるようにある最大矩
形に対しての割り算結果として格納されて、アド
レスは全部共通で、0.05μ単位で0.05μから200μま
で4000番地がある。更にこのメモリ２４ａ，２４
ｂ，２４ｃ，２４ｄは、それぞれ最大矩形ビーム
が4μ，2.5μ，2μ，1.6μである時の(1)〜(3)式の割り
算結果として電子ビームサイズSx、ピツチpx、及
び個数nxが格納されている。このメモリは
DRAM又はSRAMで形成されておりこの内容は
CPUから適宜書き直す事ができる。
ｄはすべてパターンサイズｘまたはｙの寸法を
0.05μ単位に200μまで4000種類のアドレスで表わ
した時の(1)〜(3)式で示される最大ビームサイズ
Sx、ピツチpx、個数nxが記憶され、出力される。
即ち、複数メモリ２４ａ〜２４ｄの内容はパター
ンサイズデータをアドレスにして出力されるべき
データが(1)〜(3)式で与えられるようにある最大矩
形に対しての割り算結果として格納されて、アド
レスは全部共通で、0.05μ単位で0.05μから200μま
で4000番地がある。更にこのメモリ２４ａ，２４
ｂ，２４ｃ，２４ｄは、それぞれ最大矩形ビーム
が4μ，2.5μ，2μ，1.6μである時の(1)〜(3)式の割り
算結果として電子ビームサイズSx、ピツチpx、及
び個数nxが格納されている。このメモリは
DRAM又はSRAMで形成されておりこの内容は
CPUから適宜書き直す事ができる。
今、あるパターンデータのコードが01で指定さ
れた場合には、メモリ２４ａがアクセスされパタ
ーンデータサイズをアドレスとして、最大矩形ビ
ームサイズ4μの場合ビームサイズSx、Syが出力
されて補正演算回路２５で適当な補正がなされ、
デジタル−アナログ変換器２６，２７（以下
DACと記す）でアナログ変換されたデジタル信
号は増幅回路２８，２９（以下AMPと記す）に
より増幅されて可変調整デフレクタ１５のＸ軸及
びＹ軸デフレクタに与えられてカソード１０から
放出され、第１のマスク１３で矩形状になされた
電子ビームを所定量ＸまたはＹ軸方向に偏倚させ
て、第２のマスク１６の矩形孔１６ａの中心位置
より偏向した点に電子ビームを集中させてSx，Sy
で表わされるビームサイズの矩形断面を有する電
子ビームを得る。
れた場合には、メモリ２４ａがアクセスされパタ
ーンデータサイズをアドレスとして、最大矩形ビ
ームサイズ4μの場合ビームサイズSx、Syが出力
されて補正演算回路２５で適当な補正がなされ、
デジタル−アナログ変換器２６，２７（以下
DACと記す）でアナログ変換されたデジタル信
号は増幅回路２８，２９（以下AMPと記す）に
より増幅されて可変調整デフレクタ１５のＸ軸及
びＹ軸デフレクタに与えられてカソード１０から
放出され、第１のマスク１３で矩形状になされた
電子ビームを所定量ＸまたはＹ軸方向に偏倚させ
て、第２のマスク１６の矩形孔１６ａの中心位置
より偏向した点に電子ビームを集中させてSx，Sy
で表わされるビームサイズの矩形断面を有する電
子ビームを得る。
以上説明したように、予めコードを指定する事
により、別々のコードに別々の最大ビームサイズ
を対応させる事で、各パターン毎に付加したコー
ドを入力とし、ビームサイズを出力とするメモリ
を用いてパターン毎の分割方法で指定できる。更
に各メモリ２４ａ〜２４ｄに記憶されたピツチデ
ータpx，pyをレジスタ３０にセツトし、露光すべ
きビームサイズSx，Syをシヨツトする毎にpx，py
を積算器３４で積算し、バツフアメモリ２３から
のパターンの露光開始位置を示す始点座標X1…
…，Y1……とそれぞれＸ方向、Ｙ方向独立に加
算回路３２で加算し、さらに該加算回路３２は補
正演算回路も兼ており、補正された出力をDAC
３３、AMP３５を通して主偏向器２０のＸ偏向
器へ印加し、DAC３４、AMP３６を通して主偏
向器２０のＹ偏向器へ印加して、ビームの位置決
め偏向を行なう。積算器３１でのピツチpx，pyの
積算はシヨツト個数nx，nyで与えられる個数だけ
ｘ，ｙ方向に行なわれる。
により、別々のコードに別々の最大ビームサイズ
を対応させる事で、各パターン毎に付加したコー
ドを入力とし、ビームサイズを出力とするメモリ
を用いてパターン毎の分割方法で指定できる。更
に各メモリ２４ａ〜２４ｄに記憶されたピツチデ
ータpx，pyをレジスタ３０にセツトし、露光すべ
きビームサイズSx，Syをシヨツトする毎にpx，py
を積算器３４で積算し、バツフアメモリ２３から
のパターンの露光開始位置を示す始点座標X1…
…，Y1……とそれぞれＸ方向、Ｙ方向独立に加
算回路３２で加算し、さらに該加算回路３２は補
正演算回路も兼ており、補正された出力をDAC
３３、AMP３５を通して主偏向器２０のＸ偏向
器へ印加し、DAC３４、AMP３６を通して主偏
向器２０のＹ偏向器へ印加して、ビームの位置決
め偏向を行なう。積算器３１でのピツチpx，pyの
積算はシヨツト個数nx，nyで与えられる個数だけ
ｘ，ｙ方向に行なわれる。
本発明は上記したように構成させたので露光す
べきパターンに応じて高精度で露光すべき部分は
そのような精度のコード指定により許容最大ビー
ムサイズで露光がなされ、低精度で露光すべき部
分はそのような精度のコード指定による許容最大
ビームサイズで露光がなされるので複雑な制御系
を必要とせず露光時間も短くすることができる特
徴を有する。
べきパターンに応じて高精度で露光すべき部分は
そのような精度のコード指定により許容最大ビー
ムサイズで露光がなされ、低精度で露光すべき部
分はそのような精度のコード指定による許容最大
ビームサイズで露光がなされるので複雑な制御系
を必要とせず露光時間も短くすることができる特
徴を有する。
第１図は従来の電子ビーム露光装置の電子ビー
ムと電子ビームボケとの関係を示す線図、第２図
は本発明の露光方法を説明するための露光パター
ンの説明図、第３図は本発明の電子ビーム露光装
置の分割露光方法を説明するためのパターン図、
第４図は本発明の電子ビーム露光装置の系統図で
ある。 ３……試料、９……電子ビーム露光装置、１０
……カソード、１３……第１のマスク、１６……
第２のマスク、２０……主偏向器、２２……中央
処理装置、２３……バツフアメモリ、２４ａ，２
４ｂ，２４ｃ，２４ｄ……メモリ、２５……補正
演算回路、２６，２７，３３，３４……DAC、
２８，２９，３５，３６……AMP、３０……レ
ジスタ、３１……積算器、３２……加算及び補正
演算回路。
ムと電子ビームボケとの関係を示す線図、第２図
は本発明の露光方法を説明するための露光パター
ンの説明図、第３図は本発明の電子ビーム露光装
置の分割露光方法を説明するためのパターン図、
第４図は本発明の電子ビーム露光装置の系統図で
ある。 ３……試料、９……電子ビーム露光装置、１０
……カソード、１３……第１のマスク、１６……
第２のマスク、２０……主偏向器、２２……中央
処理装置、２３……バツフアメモリ、２４ａ，２
４ｂ，２４ｃ，２４ｄ……メモリ、２５……補正
演算回路、２６，２７，３３，３４……DAC、
２８，２９，３５，３６……AMP、３０……レ
ジスタ、３１……積算器、３２……加算及び補正
演算回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の矩形孔を有するマスクの該矩形孔を通
過させた矩形電子ビームを可変調整デフレクタに
よつて第２の矩形孔を有するマスク上に偏向して
結像させ、該第２の矩形孔を通過する電子ビーム
の寸法を可変させ、主偏向器を介して試料上の所
定位置に該電子ビームをシヨツトさせてパターン
を描画する可変矩形電子ビーム露光装置におい
て、 上記各パターンを記述するデータとして、露光
開始位置データとパターンサイズのデータを有す
ることに加えて、各パターン毎に許容される最大
矩形ビームのサイズを示す最大ビーム寸法又は該
最大ビーム寸法をコードで記述したデータをパタ
ーン毎に有し、 前記パターンサイズと最大ビーム寸法あるいは
そのコードからパターン描画の際のビームサイズ
と走査ピツチとシヨツトの個数を一意的に決定す
る手段を有し、 ビームサイズデータを上記可変調整デフレクタ
に与え、走査ピツチと個数と露光開始位置データ
に基づくデータを上記主偏向器に与えて、上記パ
ターンの露光を行うことを特徴とする電子ビーム
露光装置。 ２ 前記パターンサイズと最大ビーム寸法のデー
タを入力として与え、出力として、ビームのシヨ
ツトサイズと走査ピツチ又は、シヨツトの個数を
与えるメモリを有してなることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の電子ビーム露光装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167919A JPS5957431A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 電子ビ−ム露光装置 |
| DE8383305721T DE3377177D1 (en) | 1982-09-27 | 1983-09-26 | Electron beam exposure system |
| EP83305721A EP0104922B1 (en) | 1982-09-27 | 1983-09-26 | Electron beam exposure system |
| US06/536,322 US4586141A (en) | 1982-09-27 | 1983-09-27 | Method and apparatus for an electron beam exposure system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167919A JPS5957431A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 電子ビ−ム露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5957431A JPS5957431A (ja) | 1984-04-03 |
| JPH0336299B2 true JPH0336299B2 (ja) | 1991-05-31 |
Family
ID=15858481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57167919A Granted JPS5957431A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 電子ビ−ム露光装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4586141A (ja) |
| EP (1) | EP0104922B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5957431A (ja) |
| DE (1) | DE3377177D1 (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4692579A (en) * | 1984-05-18 | 1987-09-08 | Hitachi, Ltd. | Electron beam lithography apparatus |
| DE3428802A1 (de) * | 1984-08-04 | 1986-02-13 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren und vorrichtung zur steuerung des fokussierungszustandes eines abgelenkten elektronenstrahls |
| JPS6229135A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-07 | Advantest Corp | 荷電粒子ビ−ム露光方法及びこの方法を用いた荷電粒子ビ−ム露光装置 |
| JPH0646550B2 (ja) * | 1985-08-19 | 1994-06-15 | 株式会社東芝 | 電子ビ−ム定位置照射制御方法および電子ビ−ム定位置照射制御装置 |
| JPS6246518A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム描画方法 |
| JPH0691005B2 (ja) * | 1985-12-24 | 1994-11-14 | 株式会社東芝 | 荷電ビ−ム描画方法 |
| JPS63199421A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-17 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム描画方法 |
| JPH0622195B2 (ja) * | 1987-02-26 | 1994-03-23 | 東芝機械株式会社 | 荷電ビ−ム描画装置 |
| JPH0616405B2 (ja) * | 1987-09-02 | 1994-03-02 | 株式会社日立製作所 | 電子顕微鏡 |
| ATE108283T1 (de) * | 1988-11-10 | 1994-07-15 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur steuerung der verdampfungsratenverteilung eines elektronenstrahls. |
| JPH03166713A (ja) * | 1989-11-27 | 1991-07-18 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム露光方法 |
| JP3043031B2 (ja) * | 1990-06-01 | 2000-05-22 | 富士通株式会社 | 露光データ作成方法，パターン露光装置及びパターン露光方法 |
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Citations (1)
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Family Cites Families (12)
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1982
- 1982-09-27 JP JP57167919A patent/JPS5957431A/ja active Granted
-
1983
- 1983-09-26 EP EP83305721A patent/EP0104922B1/en not_active Expired
- 1983-09-26 DE DE8383305721T patent/DE3377177D1/de not_active Expired
- 1983-09-27 US US06/536,322 patent/US4586141A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5783030A (en) * | 1980-11-11 | 1982-05-24 | Fujitsu Ltd | Exposure of electron beam |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0104922A3 (en) | 1985-11-06 |
| JPS5957431A (ja) | 1984-04-03 |
| US4586141A (en) | 1986-04-29 |
| DE3377177D1 (en) | 1988-07-28 |
| EP0104922A2 (en) | 1984-04-04 |
| EP0104922B1 (en) | 1988-06-22 |
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