DE3428802A1 - Verfahren und vorrichtung zur steuerung des fokussierungszustandes eines abgelenkten elektronenstrahls - Google Patents
Verfahren und vorrichtung zur steuerung des fokussierungszustandes eines abgelenkten elektronenstrahlsInfo
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Description
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LEYBOLD-HERAEUS GmbH
Bonner Straße 504
Bonner Straße 504
D-5000 Köln - 51
Verfahren und Vorrichtung zur Steuerung des
Fokussierungszustandes eines abgelenkten
Elektronenstrahls "
Fokussierungszustandes eines abgelenkten
Elektronenstrahls "
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Steuerung des Fokussierungszustandes eines periodisch über eine Vielzahl
von diskreten Ablenkpositionen innerhalb einer gemeinsamen Zielfläche abgelenkten Elektronenstrahls.
Ein derartiges Verfahren ist anwendbar beim Schweissen und Bohren mittels eines Elektronenstrahls, wenn die
Bearbeitungsstellen beispielsweise in rasterförmiger
Verteilung in der Zielfl'äche angeordnet sind. Das Verfahren
ist ferner anwendbar beim Oberflächenhärten mittels Elektronenstrahlen sowie beim Elektronenstrahlschmelzen,
wenn es darum geht, die Leistung des Elektronenstrahls in einer definierten flächenmäßigen Verteilung in die
Schmelze einzubringen (DE-OS 28 12 285). Wie die genannte Druckschrift zeigt, ist das erfindungsgemäße
Verfahren aber mit besonderem Vorteil anwendbar beim Aufdampfen von Stoffen aus einem Tiegel, wenn es
darum geht, innerhalb einer größeren Kondensationszone eine gleichförmige Zusammensetzung der aus dem
Dampf kondensierten Schichten zu erhalten.
In allen Fällen erzeugt der Elektronenstrahl auf seiner Auftreff-Fläche, die hier als Zielfläche bezeichnet
wird, ein definiertes Flächenmuster, das sich aus einer Vielzahl von diskreten Ablenkpositionen
zusammensetzt. Das Flächenmuster besteht aus einzelnen, in einer oder zwei Dimensionen aneinandergereihten
Feldern, wobei durch die Größe dieser Felder und die Verweilzeit des Elektronenstrahls
in den einzelnen Feldern eine örtlich definierte Leistungszufuhr bewirkt werden kann.
Während es beim Schweissen oder Bohren mit dem Elektronenstrahl erwünscht ist, in jeder Ablenkposition möglichst
identische Strahldaten zu erhalten, kann es beim Vakuumaufdampfen erwünscht sein, durch örtlich unterschiedliche
Leistungszufuhr eine örtlich unterschiedliche Verdampfungsleistung zu bewirken, um
auf andere Ursachen zurückzuführende Inhomogenitäten
im Kondensationsbereich des Danpfes zu kompensieren.
Bei einer mechanischen Relativbewegung zwischen Elektronenstrahlkanone
und Zielfläche bleibt die Strahlablenkung unverändert, so daß auch der Fokussierungszustand er-
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halten bleibt. Eine mechanische Relativbewegung ist
jedoch zeitraubend und daher für viele Fälle nicht brauchbar, oder schwierig und daher nur mit großem
Aufwand durchzuführen. So scheidet beispielsweise beim Schmelzen oder Verdampfen eine Bewegung des
Tiegels aus naheliegenden Gründen aus. Eine Bewegung
der Elektronenstrahl kanone gestaltet sich jedoch außerordentlich aufwendig.
Man hat daher in der Vergangenheit überwiegend von der
Eigenschaft des Elektronenstrahls Gebrauch gemacht, sich mittels elektromagnetischer oder elektrostatischer
Felder mehr oder weniger stark ablenken zu lassen, so daß dadurch eine Vielzahl von diskreten Ablenkpositionen
innerhalb einer relativ großen Zielfläche erreicht werden kann, ohne daß eine mechanische
Relativbewegung ausgeführt werden müßte. Das Prinzip
eines solchen Verfahrens ist von der Fernseh-BiIdröhre
her bekannt. Nun hat jedoch eine solche Maßnahme den erheblichen Nachteil, daß die Qualität des Fokussierungs
zustandes sich mit zunehmenden Ablenkwinkel verringert.
Durch die DE-AS 20 47 138 ist es bekannt, daß ein von
einer feststehenden Elektronenstrahlquel1e ausgehender,
zu verschiedenen diskreten Ablenkpositionen hin abgelenkter Elektronenstrahl an den Auftreffstellen sehr
verschiedene Strahl querschnitte aufweisen kann, so daß sich die Leistungsdichte an den Auftreffstellen entsprechend
ändert. Dies ist ein unerwünschter Vorgang, und in der genannten Schrift wird daher vorgeschl agen-s
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den unterschiedlichen Fokussierungszustand an den verschiedenen
Auftreffstellen durch unterschiedliche Verweilzeiten
zu kompensieren. Die Wirkung einer solchen Maßnahme ist aber außerordentlich begrenzt und für
zahlreiche Fälle nicht anwendbar, bei denen es auf eine exakte Strahlfokussierung bzw. auf einen definierten
Strahl durchmesser an der Auftreffstelle des
Elektronenstrahls ankommt. Insbesondere ist die bekannte
Maßnahme dann nicht brauchbar, wenn die relativen Verweil zeiten des Elektronenstrahls in
den verschiedenen diskreten Ablenkpositionen nicht
verändert werden können, weil beispielsweise die Durchlaufzeit des Elektronenstrahls für eine sehr
große Zahl von Ablenkpositionen vorgegeben ist.
Wenn beispielsweise aus einem langgestreckten Verdampfertiegel
Stoffe auf ein oberhalb des Verdampfertiegels kontinuierlich vorbei geführtes Band aufgedampft
werden, dann haben örtlich unterschiedliche Leistungsdichten bzw. Verwei1zeiten des Elektronen-Strahls
ein unerwünschtes "Streifenmuster" auf dem bewegten Band zur Folge, das bei zahlreichen Anwendungs
fällen nicht toleriert werden kann. Um über die gesamte Bandbreite definierte Verdampfungsbedingungen
zu erhalten - dies ist eine wesentliche Voraussetzung für eine homogene Schichtdickenverteilung quer zur
Bandlaufrichtung - benötigt man über den gesamten Ablenkbereich einen Elektronenstrahlbrennf1 eck
konstanter Leistungsdichte.
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Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Steuerverfahren der eingangs beschriebenen Art anzugeben,
durch das in der gesamten Zielfläche bzw. über den gesamten Ablenkbereich ein Elektronenstrahlbrennfl
eck vorgegebener Leistungsdichte erhalten wird.
Die Lösung der gestellten Aufgabe erfolgt bei dem eingangs beschriebenen Verfahren erfindungsgemäß
dadurch, daß man zu Beginn den Fokussierungszustand des Elektronenstrahls in jeder einzelnen diskreten
Ablenkposition mittels variabler Ablenkfelder auf eine vorgegebene Brennfleckgeometrie einjustiert,
die dieser Brennfleckgeometrie entsprechenden
Fokussierungsdaten mit den zugehörigen Positionsdaten in einem Speicher speichert und während des
Betriebes zu jeder Strahlposition die zugehörigen Fokussierungsdaten vom Speicher abfragt und die
Strahlfokussierung entsprechend nachsteuert.
Dabei wird in der Praxis so vorgegangen, daß man bei der Einstellung der Vorrichtung den Elektronenstrahl
nacheinander mittels definierter Ablenkströme in der Ablenkeinheit in definierte Ablenkpositionen
bringt und unter visueller Beobachtung den Fokussierungszustand bzw. die Brennfleckgeometrie
durch Potentiometer manuell einstellt. Auf die vorrichtungsseitigen Voraussetzungen hierfür wird weiter
unten noch näher eingegangen. Zu jeder Ablenkposition,
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die durch X-Y-Koordinaten definiert ist, werden die elektrischen, den Fokussierungszustand definierenden
Daten ermittelt und durch Betätigung einer Eingabetaste in die Speicherplätze für die zu der betreffenden
Ablenkposition gehörenden Fokussierungsdaten eingegeben. Dieser Vorgang ist je nach der
geforderten Präzision entsprechend zeitraubend; nach einer einmaligen Einstellung der Vorrichtung
können jedoch die gespeicherten Daten über einen sehr langen Zeitraum konstant gehalten werden.
Beim automatischen Betrieb der Vorrichtung werden dann die zu jeder Strahl position gehörenden Fokussierungs
daten nach Maßgabe der zugehörigen Ablenkposition
vom Speicher abgefragt und die Strahlfokussierung entsprechend nachgesteuert. Dieser Vorgang erfolgt
zyklisch bzw. periodisch mit einer entsprechenden Frequenz, die ohne weiteres bis zu 1000 Hz betragen
kann.
Beim Vakuumaufdampfen hat beispielsweise eine entsprechend
hohe Ablenkfrequenz die Wirkung, daß der Verdampfungsvorgang trotz diskontinuierlicher Beaufschlagung
der Oberfläche des Verdampfungsmaterials mit dem Elektronenstrahl wegen der Wärmeträgheit der
Schmelze praktisch kontinuierlich erfolgt. Mit der erfindungsgemäßen Lösung wird die gestellte Aufgabe
in vollem Umfange gelöst, d.h. über den gesamten Ablenkbereich des Elektronenstrahls wird ein Elektronenstrahl
brennfleck vorgegebener Leistungsdichte erhalten,
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und der negative Einfluß unterschiedlicher Strahlablenkungen
in jeder Ablenkposition wird automatisch und mit hoher Geschwindigkeit korrigiert. Dies ermöglicht
die Einhaltung genau vorgegebener Wechsel-Wirkungen zwischen dem Elektronenstrahl und der beschossenen Materie in jeder Ablenkposition. So
werden beispielsweise beim Schweissen Schweißstellen
(Punkte) stets gleicher Eigenschaften erhalten. Beim
Vakuumaufdampfen aus langgestreckten Tiegeln, deren längste Achse quer zur Bewegungsrichtung eines
laufenden Bandes verläuft, werden Schichten mit einer außerordentlich großen Homogenität hinsichtlich
der Schichtdicke und der Schichtzusammensetzung erhalten. Dies macht sich insbesondere dann vorteilhaft
bemerkbar, wenn das gleiche Band nacheinander über mehrere Verdampfertiegel hinweg bewegt wird,
aus denen unterschiedliche Verdampfungsmaterialien
freigesetzt werden. Insbesondere aber zeichnet sich das erfindungsgemäße Steuerverfahren durch eine
hohe Reproduzierbarkeit der beeinflußten Verfahrensparameter aus.
Das erfindungsgemäße Steuerverfahren ermöglicht auch
den Bau kompakterer und damit kostengünstigerer Vorrichtungen. Während man bisher bestrebt war, den Abstand
zwischen der Elektronenstrahlkanone und der
Zielfläche möglichst groß zu halten, um den Ablenkwinkel entsprechend klein halten zu können, ist es mit
dem erfindungsgemäßen Steuerverfahren möglich, die
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Elektronenstrahlkanone unter Inkaufnahme eines größeren
maximalen Ablenkwinkels näher an die Zielfläche heranzurücken.
Dies führt zu Vorrichtungsabmessungen von geringerem Bauvolumen, die auch schneller und mit geringerem
Aufwand evakuiert werden können.
Selbstverständlich können beim Erfindungsgegenstand
die relativen Verwei1 zeiten in einer jeden Ablenkposition
auch unterschiedlich gewählt werden. Da die
relative Verweildauer aber keine Korrekturgröße für unterschiedliche Fokussierungszustände mehr ist,
brauchen die relativen Verweilzeiten nicht mehr geändert werden, so daß bei einmal getroffener Zahl
die Abtastfrequenz konstant bleibt. So ist es beispielsweise beim Vakuumaufdampfen zweckmäßig, die
relativen Verwei1zeiten in den Ablenkpositionen
an den Tiegelenden langer zu wählen, weil an diesen Stellen ein erhöhter Wärmebedarf durch die hier zusätzlich
vorhandenen wassergekühlten Tiegelstirnwände auftritt. Die für jede Ablenkposition erforderliehen
relativen Verweilzeiten werden durch eine
Programmsteuerung vorgegeben, der die erfindungsgemäße
Fokussierungssteuerung exakt folgt. Die Einstellung definierter Verweilzeiten durch eine Programmsteuerung
ist bereits Stand der Technik (DE-OS 28 12 285) und wird daher hier nicht näher beschrieben.
Außerhalb der Stirnseiten eines Verdampfertiegels
ist es aber in der Regel wünschenswert, an allen Ablenkpositionen einen Elektronenstrahlbrennfleck mit
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konstanter bzw. identischer Leistungsdichte zu erhalten. Eine solche Maßnahme ist dann sogar unerläßlich,
wenn es sich um die Herstellung identischer Schweißstellen oder Bohrungen handelt.
Die Erfindung bezieht sich außerdem auf eine Vorrichtung zur Durchführung des weiter oben beschriebenen
Verfahrens. Eine solche Vorrichtung besitzt in herkömmlicher Weise eine Elektronenstrahlkanone
mit einem Strahlerzeuger, einer Fokussierungseinheit und einer Ablenkeinheit für die Strahlablenkung
in X-Y-Koordinaten. Eine Vorrichtung besitzt weiterhin eine Steuereinheit für die Ablenkung
des Elektronenstrahls in die einzelnen, durch die
X-Y-Koordinaten definierten Ablenkpositionen unter Einhaltung definierter Verwei1 zeiten.
Zur Lösung der gleichen Aufgabe wird daher gemäß der weiteren Erfindung
a) die Elektronenstrahlkanone im Strahlweg des Elektronenstrahls
mit einer Vielpolanordnung ausgerüstet, durch die der Elektronenstrahl mit einer Frequenz bis zu
1000 Hz nachfokussierbar ist, und ferner enthält
b) die Steuereinheit Speicherplätze für die X-Y-Koordinaten der Ablenkpositionen und Speicherplätze
für die zu jeder Ablenkposition gehörenden Fokussierungs·
daten sowie einen Mikroprozessor, durch den die
Strahlbewegung in die einzelnen Ablenkpositionen und
die Verweilzeiten sowie die Fokussierungszustände
in den einzelnen Ablenkpositionen nach Maßgabe der Abfrage der Speicherplätze steuerbar ist.
Zwar ist die Verwendung von Viel pol anordnungen, sogenannten
Quadrupolen und Oktupolen bei Elektronenstrahlmikroskopen
bekannt, jedoch werden diese Vielpolan-Ordnungen dort statisch, d.h. mit eingeprägtem Strom
betrieben.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen des Erfindungsgegenstandes ergeben sich aus den übrigen Unteransprüchen
.
Ein Ausführungsbeispiel des Erfindungsgegenstandes
und seine Wirkungsweise werden nachfolgend anhand der Figuren 1 bis 7 näher erläutert.
Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Darstellung einer Elektronenstrahlkanone
in Verbindung mit einem Blockschaltbild der zugehörigen Steuereinheit für
die Beheizung eines Verdampfertiegels,
Figur 2 eine Draufsicht auf eine Zielfläche mit in zwei Reihen angeordneten Ablenkpositionen,
Figur 3 einei Draufsicht auf eine Zielfläche mit im Kreis angeordneten Ablenkpositionen,
Figur 4 eine teilweise geschnittene Elektronenstrahlkanone
im Bereich des Strahlweges,
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Figur 5 einen Axialschnitt durch den unteren Teil von Figur 4, wobei die Schnittebenen im
rechten Winkel zueinander stehen gemäß der Linie V-V in Figur 7,
Figur 6 einen Radial schnitt durch den Gegenstand von Figur 5 entlang der Linie VI-VI, und
Figur 7 einen Radialschnitt entlang der Linie VII-VII
in Figur 5.
In Figur 1 ist in sehr schematischer Darstellung eine
Elektronenstrahl kanone 1 dargestellt, zu der ein Strahlerzeuger 2, eine elektromagnetische Fokussierungseinheit
3, die erf inxlungsgemäße Vielpol anordnung 4 und eine herkömmliche Ablenkeinheit 5 für die Strahlablenkung
in X-Y-Koordinaten gehört. Einzelheiten einer solchen Elektronenstrahlkanone werden anhand der
Figuren 4 bis 7 noch näher erläutert.
Der Elektronenstrahlenkanone 1 ist eine Steuereinheit
zugeordnet, deren Kernstück ein Mikroprozessor 7 ist.
Dem Mikroprozessor ist eine Eingabeeinheit 8 mit einem
Tastenfeld 9 für die Eingabe von Steuerbefehlen etc.
zugeordnet. Die Eingabeeinheit besitzt ferner Stelleinrichtungen
10 und 11 für die Beeinflussung der Fokussierungsdaten mittels der Viel pol anordnung 4. Die
Stelleinrichtungen 10 und 11 sind durch Potentiometerknöpfe
symbolisiert.
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Dem Mikroprozessor 7 aufgeschaltet ist weiterhin eine
Speichereinheit 12 mit Speicherplätzen 13 für die X-Y-Koordinaten der Ablenkpositionen und mit Speicherplätzen
14 für die zu jeder Ablenkposition gehörenden Fokussierungsdaten.
Dem Mikroprozessor 7 nachgeschaltet ist eine Steuerschaltung
15 für die Ansteuerung der Vielpolanordnung 4 sowie eine Steuerschaltung 16 für die
Ansteuerung der Ablenkeinheit 5.
Mittels der Eingabeeinheit 8 und des Mikroprozessors 7
wird auch das Ablenkprogramm einschließlich der
relativen Verweil zeiten in den einzelnen Ablenkpositionen vorgegebenen.
Unterhalb der Elektronenstrahlkanone 1 ist ein langgestreckter
Verdampfertiegel 17 dargestellt, der mit einem Verdampfungsgut 18 gefüllt ist. Der aus der Ablenkeinheit
5 austretende Elektronenstrahl wird nun periodisch über die Oberfläche des Verdampfungsgutes
abgelenkt, wobei er nach dem weiter oben geschriebenen Programm diskrete Ablenkpositionen F, bis Fn einnimmt,
die hier durch schwarze Striche symbolisiert sind. Die beiden extremen Ablenkstellungen des Elektronenstrahls
sind durch gestrichelte Linien 19 und 20 angedeutet. Es ergibt sich, daß extreme Verhältnisse
in den Ablenkpositionen F. und Fn vorliegen. Ein
Elektronenstrahl, der in der Mitte des Verdampfertiegels
noch einen kreisförmigen Brennfleck aufweist, hätte in den
Positionen F. und F stark verzerrte bzw. elliptische
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Brennf1eckgeometrien. Hier greift nun die Erfindung ein,
und zwar wird für jede der Ablenkpositionen mittels der
Stelleinrichtungen 10 und 11 die Vielpolanordnung 4
in der Weise verstellt, daß die Brennfleckgeometrie an
allen Auftreffstellen vorgegebenen, vorzugsweise identischen, Fokussierungszuständen entspricht. Die in jeder einzelnen
Ablenkposition ermittelten Fokussierungsdaten werden
durch Betätigung des Tastenfeldes 9 in die Speicherplätze 14 eingegeben und dort auf Abruf bereit gehalten.
Die Fläche, in der sämtliche Ablenkpositionen liegen, wird als tielfläche 21 bezeichnet; sie ist in Figur
von dem inneren Rechteck 22 umrissen, das die innere Begrenzungswand des Verdampfertiegels 17 darstellt.
In Figur 2 ist ein aus insgesamt vierundzwanzig Ablenkpositionen zusammengesetztes Ablenkmuster zu
erkennen, bei dem die diskreten Ablenkpositionen durch schraffierte Kreise dargestellt sind. Die Durchmesser
der schraffierten Kreise entsprechen dem Durchmesser
des in der betreffenden Ablenkposition kurzzeitig festgehaltenen Elektronenstrahls. Im dargestellten
Fall sind die vierundzwanzig Ablenkpositionen auf zwei
Reihen mit je zwölf Ablenkpositionen verteilt, jedoch ist die Länge einer Reihe oder Zeile und die Anzahl der
darin liegenden Ablenkpositionen praktisch beliebig wählbar,
und auch die Anzahl der Reihen oder Zeilen ist weitgehend frei wählbar. Die Lage der einzelnen Ablenkpositionen,
genauer, der Mittelpunkte der einzelnen Ablenkpositionen, ist durch X-Y-Koordinaten festgelegt,
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die von einem Bezugspunkt P ausgehen. Das Fortbewegen des Elektronenstrahls erfolgt durch stufenweise Veränderung
des Ablenkstromes der jeweils zugehörigen Ablenkspule.
Der Verlauf des Ablenkstroms in X-Richtung läßt sich durch eine Treppenkurve mit zwölf Stufen
darstellen. Einzelheiten einer solchen Strahlablenkung
sind jedoch Stand der Technik und werden daher nicht näher erläutert. Die betreffenden X-Y-Koordinaten
werden in die Speicherplätze 13 eingegeben. Sobald die definierte Strahl position erreicht ist, werden die
zugehörigen Fokussierungsdaten aus den Speicherplätzen 14 abgerufen und der Strahl entsprechend
korrigiert, wodurch sich das in Figur 2 gezeigte äußerst gleichmäßige Flächenmuster ergibt.
Anhand von Figur 3 ist dargestellt, daß die einzelnen Ablenkpositionen F-| bis Fg auch auf einem Kreis angeordnet
sein können, wenn es beispielsweise darum geht,
einen rotationssymmetrischen Verdampfertiegel 17a
zu beschiessen. In diesem Falle ist die Zielfläche eine Kreisfläche, die durch den Innenrand des Verdampfertiegels
begrenzt wird. Auch hier geht es darum, in jeder Ablenkposition F. bis Fg an jeder Stelle
den gleichen Fokussierungszustand, d.h. den gleichen
Strahldurchmesser bei absoluter Kreisform des Strahl- -querschnitts zu erzielen. Gleichbleibende Strahlleistung
vorausgesetzt, ergibt sich hierdurch in allen Fällen eine konstante Leistungsdichte.
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Figur 4 zeigt die wesentlichen Teile einer praktischen Ausführungsform einer Elektronenstrahlkanone 1. Im
Strahlerzeuger 2, von dem nur die Wehnel t-El ektrode 22
sichtbar ist, befindet sich eine hier nicht dargestellte Katode, die entlang der Kanonenachse A-A einen
Elektronenstrahl aussendet. Die Beschleunigung des
Elektronenstrahls erfolgt in herkömmlicher Weise durch
eine Beschleunigungsanode 23S die sich über ein
trichterförmiges Zwischenstück 24 in Richtung auf
ein Strahlführungsrohr 25 fortsetzt, von dem hier nur die Umrißlinien gestrichelt dargestellt sind. Unterhalb
der Beschleunigungsanode 23 befindet sich noch ein Absperrventil 26, das über eine Betätigungswelle
aus dem Strahlweg herausschwenkbar ist. Der Strahlerzeuger 2 ist vakuumdicht von einem doppelwandigen
Außenrohr 28 umgeben, um im Bereich des Strahlerzeugers 2 das erforderliche Betriebsvakuum aufrechterhalten
zu können.
Zur Elektronenstrahlkanone 1 gehört weiterhin ein Befestigungsflansch 29, an den sich nach unten hin
ein Mantelrohr 30 anschließt, in dem sämtliche elektronenoptischen Teile untergebracht sind. Hierzu
gehört auch die in den Figuren 5 und 7 noch näher erläuterte Ablenkeinheit, von der in Figur 4 nur
die unten aus dem Mantelrohr herausragenden Polschuhe 31 und 32 zu sehen sind.
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Aus der in einem größeren Maßstab gehaltenen Figur ist ersichtlich, daß das Strahl führungsrohr 25 und
das Mantelrohr 30 durch ein Ringteil 33 miteinander verbunden sind. Am oberen Ende des Mantelrohres 30
befindet sich weiterhin ein Flansch 34, mit dem das Mantelrohr 30 gegen den Befestigungsflansch 29 verspannt
ist, der radial einwärts bis zum Strahlführungsrohr 25 reicht. Auf diese Weise wird zwischen
dem Strahlführungsrohr 25 und dem Mantelrohr 30 ein hermetisch geschlossener hohlzylindrischer Raum 35
gebildet, in dem unter Belassung von Ringspalten 36 und 37 eine hohlzylindrische Hülse mit einer Innenwand
38, einer Außenwand 39 und einem Ringteil 40 angeordnet ist. Die betreffenden Teile sind mit dem
Befestigungsflansch 29 verbunden. In dieser Hülse sind die Fokussierungseinheit 3, die Vielpolanordnung
4 und die Ablenkeinheit 5 angeordnet. Die Hohlräume sind von einem Kühlmedium durchströmt,
um die Betriebstemperaturen der elektronenoptischen Einrichtungen auf einem möglichst niedrigen Niveau
zu halten.
Die Viel pol anordnung 4, im vorliegenden Fall ein Quadrupol , ist unmittelbar unterhalb der Fokussierungs·
einheit 3 angeordnet und eröffnet die Möglichkeit, dem Elektronenstrahl in der Ebene gemäß der Schnittlinie
VI-VI einen Strahlquerschnitt aufzuzwingen, der in der Zielfläche einen Brennfleck mit der vorgegebenen
Geometrie erzeugt. Der Einfluß von Quadrupolen
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auf den Elektronenstrahl ist an sich bekannt und wird daher nicht näher erläutert.
Wie aus Figur 6 hervorgeht, besteht die Vielpolanordnung
4 aus einem ringförmig geschlossenen Magnetjoch 41 mit Ausnehmungen 42, in denen Spulenkerne
mit Polschuhen 44 und Magentwicklungen 45 angeordnet
sind. Die Spulenkerne 43 sind über Schraubzapfen mit dem Magnetjoch 41 verbunden. Es versteht sich,
daß das Strahlführungsrohr 25 und die Innenwand 38 aus a-magnetischem Werkstoff bestehen.
In Figur 7 ist die Ablenkeinheit 5 im Detail dargestellt.
Auf einem Magnetjoch 47 befinden sich diametral gegenüber Spulenkerne 48 und 49 mit Polschuhen 50
und 51, sowie Magnetwicklungen 52 und 53. Um 90 Grad
hierzu versetzt sind Spulenkerne 54 und 55 angeordnet, auf denen sich Magnetwicklungen 56 und 57
befinden. Die Spulenkerne 54 und 55 sind durch das Ringteil 33 hindurch verlängert und tragen jenseits
dieses Ringteils die Polschuhe 31 und 32 (Figuren 4 und 5). Einzelheiten der Fokussierungseinheit 3 und der
Ablenkeinheit 5 sind jedoch Stand der Technik, so daß sich ein weiteres Eingehen hierauf erübrigt.
Die Spulenkerne 43 der Vielpol anordnung 4 sind je nach der Frequenz, mit der die veränderliche Nachfokussierung
durchgeführt werden muß, lamelliert bzw. aus Transformatorenblech ausgeführt. Sie erlauben da-
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durch eine Nachfokussierung mit einer entsprechend hohen Frequenz, die mit der Fokussierungseinrichtung
nicht möglich wäre. Bei einem Oktupol wäre die Anzahl der Magnetpole gegenüber Figur 6 noch verdoppelt,
und zwar mit einem Polabstand von jeweils 45 Grad. Bei den Viel pol anordnungen liegen sich jeweils
gleichartige Pole gegenüber, so daß die Magnetfelder nicht diametral durch die Kanonenachse A-A verlaufen.
Andererseits sind jeweils zwei benachbarte Magnetspulen so vom Strom durchflossen, daß sie entgegengesetzte
Pole bilden. Bei Verwendung eines Quadrupols muß die Steuerschaltung 15 zwei unabhängige Stromausgänge
aufweise, bei Verwendung eines Oktupols vier unabhängige Stromausgänge.
'24- Leerseite -
Claims (5)
- 845,2ANSPRÜCHE:Verfahren zur Steuerung des Fokussierungs-Zustandes eines periodisch über eine Vielzahl von diskreten Ablenkpositionen innerhalb einer gemeinsamen Zielfläche abgelenkten Elektronenstrahls, dadurch gekennzeichnet, daß man zu Beginn den Fokussierungszustand des Elektronenstrahls in jeder einzelnen diskreten Ablenkposition mittels variabler Ablenkfelder auf eine vorgegebene Brennfleckgeometrie einjustiert, die dieser Brennfleckgeometrie entsprechenden Fokussierungsdaten mit den zugehörigen Positionsdaten in einem Speicher speichert und während des Bef triebes zu jeder Strahlposition die zugehörigen Fokussierungsdaten vom Speicher abfragt u.nd die Strahlfokussierung entsprechend nachsteuert.
- 2. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, unter Verwendung einer Elektronenstrahlkanone mit einem Strahlerzeuger, einer Fokussierungseinheit und einer Ablenkeinheit für die Strahlablenkung in X-Y-Koordinaten innerhalb der Ziel fläche und einer Steuereinheit für die Ablenkung des Elektronenstrahls in die einzelnen, durch die X-Y-Koordinaten definierten Ablenkpositionen unter Einhaltung definierter Verweilzeiten, dadurch gekennzeichnet, daß84512a) die Elektronenstrahlkanone (1) im Strahlweg des Elektronenstrahls eine Vielpolanordnung (4) aufweist, durch die der Elektronenstrahl mit einer Frequenz bis zu 1000 Hz nachfokussierbar ist, und daßb) die Steuereinheit (6) Speicherpl "ätze (13) für die X-Y-Koordinaten der Ablenkpositionen und Speicherplätze (14) für die zu jeder Ablenkposition gehörenden Fokussierungsdaten sowie einen Mikroprozessor (7) enthältj durch den die Strahl bewegung in die einzelnen Ablenkpositionen und die Verwei1 zeiten sowie die Fokussierungszusta'nde in den einzelnen Ablenkpositionen nach Maßgabe der Abfrage der Speicherplätze (13, 14) steuerbar ist.
- 3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet daß die Viel pol anordnung (4) eine Quadrupolanordnung ist.
- 4. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Pole der Viel pol anordnung geblechte Spülenkerne (43) mit Polschuhen (44) besitzen.
- 5. Vorrichtung nach Anspruch 2, bei der die Elektronenstrahlkanone einen von einem Strahlführungsrohr und einem Mantelrohr begrenzten zylindrischen Hohlraum aufweist, in dem die Fokussierungseinheit und die Ablenkeinheit angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Vielpolanordnung (4) im gleichen Hohlraum (35) zwischen der Fokussierungseinheit (3) und der Ablenkeinheit (5) angeordnet ist.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: LEYBOLD AG, 6450 HANAU, DE |
|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8363 | Opposition against the patent | ||
8330 | Complete disclaimer |