JPS6142845A - 偏向される電子ビームの集束状態を制御する方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、１つの共通のターデッド平面内で複数の雅量
的な偏向位ｆｌＫ亘り周期的に偏向される電子ビームの
集束状態を制御１するための方法、及び装置に関する。

従来技術 この種の方法は、加工場所がターデッド平面内で例えは
ラスク形状に分布して設けられている場合に電子ビーム
を用いて溶接したり成るいは穿孔するのに用いることが
できる。さらに、この方法は、電子ビームを用いての表
面硬化ならひに電子ビームのエネルギの画定された面積
分布が酊融金生せしめる場合には電子ビームでの溶融も
しくは溶解に適用可能である（西独特許願公開公報第２
８１２２８５号参照）。この文献にも記述されているよ
うに、本発明による方法は、大きな凝縮領域内に、蒸気
から凝縮した均一な組成の層を形成しようとする場合に
、るつぼから材料を蒸発するのに％に適用可能である。

いずれの場合にも、１子ビームは、本明細書でターグツ
ト面と称する入射面上に、複数の離散した偏向位置から
なる所定の平面パターンを発生する。この平面パターン
は、１つまたは２つの寸法で互いに列に配列された個々
のフィールドもしくは領域からなり、該領域の大きさな
らびに個々の領域における電子ビームの時間（停滞時間
）により、位置的に設定されるエネルギ照射が行なわれ
る。

１子ビームを用いての溶融もしくは穿孔が望まれる場合
には、各偏向位＃において可能な限り同じビームブータ
ラ得る必要があるか、真空蒸着の場合罠は、位置もしく
は場所的に異なったエネルギ供給で蒸発効率を位置的に
異ならせて、例んらかの理由による上記の凝縮領域にお
ける不均一性を補償するのが望ましい。

１ｈ子ビーム装置とターグツト面との間に機械的相対運
動を行なう場合には、ビーム偏向を変えなくても良り、
シたがってまた集束状態も変える必要はない。しかしな
がら、機械的相対運動は大きな時間を消費し、したがっ
て多くの事例で使用不可能であるかまたは困給であり、
その実施には太ぎな費用が伴なう。このことはまた、同
様の理由から例えは溶融筐たは蒸発に際してターグツト
を運動させる場合にも当嵌まる。

しかしながらまｆＣ′Ｒ１子ビーム発生装置の方を運動
させる構成も極めて高価である。

したかつて従来においては、主として電子ビームの性貴
金利用し、電磁場または静電場を用いて電子ビームを可
変的に偏向し、それＫより、機械的に相対運動を実施す
る必要なく、比較的大きいターデッド平面内に多数の離
散的な偏向位置ｔＳ現していた。この方法の原理は、テ
レビジョン映像管の原理から公知である。しかしながら
、この方法には、集束状態の品質が偏向角の増大で減少
すると言う由々しい欠点がある。

西独特許公報第２０４７１３８号明細書から、位置１走
の１′子ビーム源から放出されて種々な離散した偏向位
置に偏向される１子ビームは入射場所において非常に異
なったビーム断面？ｌｌ−有し、その次め入射場所にお
けるエネルギ密度がそれに対応して変化することが知ら
れている。

これは望ましくない現象であり、したがって上記の文献
には、異なった入射場所における異なつた集束状態をド
エル時間（停滞時間）を異ならせることにより補償する
ことが提案されている。しかしながらこのような方策に
よる作用効果は非常に限定され、１子ビームの入射場所
における正確なビーム集束もしくは定められたビーム直
径が１費となる多数の事例に対しては適用できない。慣
に、禎々な離散偏向位置における１′子ビームの相対ド
エル時間を、例えは、非常に多数の偏向位置に対する電
子ビームの走行時間が予め定められていると言う理由か
ら、変えることができない場合には上述の公知の方法は
使用不可能である。

例えは、縦長に延在する蒸発るつぼから物質を、該蒸発
るつぼの上方を連続的に通過するテープに蒸着する場合
には、重子ビームの位置的に異なるエネルギ密度もしく
はドエル時間で、運動しているテープ上には、多くの適
用例において甘受し得ない不７５丁望な「ストライプパ
ターン」が住する。テープの走行方向全横切る方向に均
伸なＭ厚分布？ｌ−実現する上の本気的な前提条件であ
るテープ幅全体に亘り定められ７’ＣＭ着条件を実現す
るためには、全偏向領域に亘り一定のエネルギ密度のル
子ビーム焦点スポットか必要である。

発明の課題 したがって本発明の課題は、全ターｒット面において、
もしくは全偏向領域に亘り、予め定められたエネルギ密
度を１する１ば子ビーム焦点スポットを鞠ることができ
る冒頭に述べた制御１方法を提供することにある。

発明の構成 上の課艙は、冒頭に述べた方法において、本発明によれ
は、最初に可変の偏向場を用い個々の離散した偏向位置
における重子ビームの集束状態を所定の焦点スポット形
態に校正し、該焦点スポット形態に対応する集束データ
を関連の位シデータと共に記憶装ｆｌＫ記憶し、そして
各ビーム位置に対する動作中関連の集束データを記憶装
置から読出してビーム集束金相応に再制御することによ
り解決される。

この場合、実施に当っては、装置のＶ＠整で電子ビーム
會、偏向装置におりる所定の偏向電流により逐次所定の
偏同位僅に設定して視覚による観察下で集束状態もしく
は焦点スポット形態をポテンショメータで手動で設定す
る。そのための装ｆｆ／に課せられる前提条件に関して
は追つ　。

て詳述する。Ｘ−Ｙ座標によって定められる各偏向位か
で、集束状態を定める餉気的データを求めて、入カキ−
の操作により関連の偏向位置に属する集束データのため
の記憶場所に記憶する。この過程企失施するのに要する
時間は所望の精Ｎに依存する。しかしなから、このよう
にして装置を一担設定した後には、非常に長い期間に亘
り記憶されているデータ金一定に保持し利用することが
できる。

＃：置の自動的動作においては、各ビーム位置に関連の
集束データを関連の偏向位ｋを基槃罠して記憶装置から
読出し℃ビーム集束を相応にｐ）制御する。この過程は
、容易に１００ＯＨ２にもなり祷る対応の周波数で周期
的に行なわれる。

例えは真空蒸着においては、相応に高い偏向周波数を用
いれは、へ子ビームで蒸発物質の表面金子連続的に照射
した場合でも、溶融物の熱的慣性が原因で蒸発過程は夫
負的に連続的に行なわれる可能性かある。本発明による
方法によれは、上記の課題は全面的に解決される。即ち
、物子ビームの全偏向領域に亘り、予め冗められたエネ
ルギ密度の１子ビ一ム焦点スポットが祷られ、各偏向位
ｒＩＩＫおける異なったビーム偏向の否定的な影響は自
動的に且つ高い速度で補正される。これにより、各偏向
位置において重子ビームと照射される材料との間に正確
に予め定められた交互作用を維持することが可能となる
。

したがって、例えば溶接の場合には、常に同じ性質を７
．−る酸液個所（俗接点）が得られる。

走行するテープの運動方向を横切る縦軸騰に沿五 い設置された縦軸方向に延びるつぼから蒸着する場合に
は、層の厚さおよび層の組成に関し極めて高い均ｐ性を
Ｍする層が得られる。このことは特に同一のテープが順
次多数の蒸発るつぼ上を通されて該るつぼから異なった
蒸発物質を蒸着される場合に特に有利である。筐た、本
発明よる制御方法の特記丁べき％徴は、関与プロセスパ
ラメータの高い再現性にある。

本発明による１ｕυ御方法はまた、コンパクトで価格的
に手頃な装置の構造を可能にする。従来、偏向角を相応
に小さく保持できるようにするために、電子ビーム装部
とターデッド平面との間の間隔をできるたけ大きく保持
するように努力が払われて来たが、本発明の制御方法に
よれは、太ぎた最大偏向角を用いて１子ビーム装置をタ
ーグツト面に接近して配置することができる。

その結果、減少した容積の装胃寸法となり、これにより
少ない費用で迅速に装ｆｆｌ排気することが可能となる
。

自明なように、本発明においても、各偏向位ｈＫおける
相対的ドエル時間は異なるように選択される。しかしな
がら、この相対的ドエル時間は異なった集束状態に対す
る補正量とはならないので相対的ドエル時間を変える必
要はなく、したがって、走査周波数は一旦定められた値
で一定に留まる。例えは、Ｘ窒蒸着の場合には、るつぼ
の端部に位置する偏向位置における相対的ドエル時間を
長（選択するのが合目的的である。と言うのは、この位
置においては、付加的に存在する水冷るつぼ端壁により
熱受容Ｉか高いからである。各偏向位置に必要とされる
相対的ドエル時間は、本発明による集束制御が正確に追
従するプログラム側部１により予め定められる。なお、
プログラム制御による限定されたドエル時間の設定は従
来技術に栖しく西独特許願公開公報第２８１２２８５号
参照）、シたがってここでは詳細には述べない。

一般に蒸発るつぼの端面を除いては、総ての偏向位＃に
おいて一定もしくは同じエネルギ密度を有する電子ビー
ム焦点スポットを得ることが望ましい。このことは、同
じ溶接個所または穴の形成が問題となる場合には、不可
欠である。

本発明は、さらに、上に述べた方法を冥加するための装
置にも関する。この装置は、従来の場合と同ｍＫビーム
発生器と、集束装置と、Ｘ−Ｙ座標でのビーム偏向用偏
向装置とを備えた亀子ビーム銃装置奮１する。装置はま
た、所定のドエル時間を守りなからＸ−Ｙ座標により確
定される個々の偏向位置に電子ビーム全偏向するための
制御Ｉ装置を備える。

先に述べた課題全解決するために１本発明によれは、さ
らに、 ａ）　上＠ｃ！　ｔｉ子ビーム銃装置の電子ビームのビ
ーム路に、ｉｏ［］Ｏａｚまでの周波数で上記電子ビー
ムラ衿集束することかできる複極装＠を詐け、そして ｂ）上記制御装置に、上記偏向位置のＸ−Ｙ座標のため
の記憶場７９ｒと、各偏向位置に関連の集束データのた
めの記憶場所と、マイクロプロセッサと全１丸け、該マ
イクロプロセッサにより、個々の偏向位置へのビーム運
動およびドエル時間（停滞時間）ならびに個々の偏向位
置における集束状態を上記記憶場所から読出されるデー
タに従がい制御可能であることにより解決される。

謂ゆる４極構造および８極構造のようなｍｓ装置の電子
顕微鏡における使用は知られている。

しかしながら、この場合の複極構造は電子顕微鏡分野で
は静的に駆動される。即ち、所定の電流で駆動されてい
る。

本発明の他の不利な実施態様は特許請求の範囲第６項以
下に記述されている。

実施例 以下、第１図ないしｗ、７図を参照し、本発明の実施例
ならびにその動作態様について詳細に説明する。

第１図には、ビーム発生器２、を磁集束装醇３、末完Ｂ
ＡＫよる複極装＠４およびＸ−Ｙ座標でビームを偏向す
るための従来の偏向装部５を含む電子ビーム銃装置１が
非常に簡略な形態で図示しである。この電子ビーム銃装
鮪の詳細に関しては追って第４図ないし第７図を参照し
更に詳細に説明する。

１子ビーム銃装置１には、マイクロプロセッサ７′ｔ−
中枢とする制御装置６が設けられている。

このマイクロプロセッサ７には、制御命令等を入力する
ためのキーボード９を備えた入力装置８が設けられてい
る。入力装置８はさらに、複（り装置４會用い集束デー
タに基すき制御を行なうための設定装９Ｊ１０および１
１を備えている。

これら設定もしくは制御装置１０および１１はポテンシ
ョメータのノブで象徴的に示されている。

マイクロプロセッサ７にはさらに、偏向位置のＸ−Ｍｉ
標のための記憶場所１３ならひに各偏向位置に所属する
集束データの几めの記憶場所１４ｔ−ｍする記憶装置１
２が接続されている。

マイクロプロセッサ７には、さらに、複伜装＠４を制御
するための制御回路１５ならびに偏向装置５を制御Ｉす
るための制御回路１６が後負接続されている。

入力装置８およびマイクロプロセッサ７を用いて、個々
の偏向位置における相対ドエル時間（停滞時間ンを含め
偏向プログラムが予め設定される。

電子ビーム装置の下側には、被蒸発ｖ！Ｊ１８が充填さ
れている縦方向に延在する蒸発るつぼ１７が示されてい
る。偏向装置５から出射する電子ビームは、蒸発物１８
の上表面に亘り周期的に偏向され、該電子ビームは既述
のプログラムに従がい、図面に太い破称で表わした離散
的な偏向位置Ｆ１ないしＦｎ　ｔ”とる。電子ビームの
２つの最端偏向位置は破線１９および２０で示されてい
る。したがって、偏向位置Ｆ１およびＦｎが最端偏向位
置となる。蒸発るつぼ１７の中心部で円形の焦点スポッ
トに弔している電子ビームは、位＆ＦｘおよびＦｎで著
しく歪んだ楕円状の焦点スポットの形Ｍｋとることにな
ろう。

そこで本発明によれは、各偏向位置に対して設定装置１
０およびＩＩＫより複極装置４が、総ての入射位動にお
ける焦点スポットの幾何学的形態が予め定められた好ま
しくは同じ集束状態に対応するように調整されるのであ
る。・各個々の偏向位置で得られる集束データは、キー
メート９の操作により記憶場所１４に格納されて続出し
可能に保持される。総ての偏向位置が存在する平面をク
ーグツト面２１と称する。該クーグツト面は第２図にお
いて蒸発るつぼ１７の内側の限界壁を表わ１内側の矩形
２２により包摂される面である。

第２図には、合計２４個の偏向位置からなる偏向パター
ンが示されており、この図において、離散的な偏向位置
は〕１ツチング金引いて示した円で表わしている。ハン
チングを引いた円の面。

径は、関連の偏向位置に短時間静止保持される電子ビー
ムの直径に対応する。図示の例では、２４個の偏向位置
はそれぞれ１２の偏向位色、ヲ七する２つり列に分布し
ているが、しかしながら１つの列の長さならびに列内の
偏向位置の数は災外的に任意に選択可能であり、そして
列の数も自由に選択可能で夛・る。個々の偏向位置、よ
り正確には個々の偏向位置の中心点は、基準点Ｐを原点
とするＸ−Ｙ座標により決定される。

電子ビームの走査は、関連の偏向コイルの偏向電流を段
階的に変化することにより行なわれる。

Ｘ方向における偏向電流の波形は、１２０段七有する階
段状曲線により表わ丁ことができる。

しかしながらこのようなビーム偏向は従来技術に鳥する
ものであり、ここでは詳述しない。関連のＸ−Ｙ座標は
記憶場所１３に格納されている。所定のビーム位置に達
すると迩ちに関連の集束データか記憶場所１４から続出
されて、ビームは相応に補正され、それにより１２図に
示したように極めて均吟性の高い平面パターンが得られ
る。

第６図には、例えは、回転附称の蒸発るつぼ１７ａｉ電
子ビームで照射する場合に個々の偏向位＃Ｆ１ないしＦ
ａ　′ｔ−円上に配列し得ることが示されている。この
場合には、クーグツト面１１は、蒸発るつぼの内縁によ
り画定される円形の平面である。この場合にも、各＄＋
Ｐｈの各偏同位＃Ｆ′工ないしＦ′６において同じ集束
状態、即ちビーム断面の絶対円形で同じビーム心径全央
現することが課題である。このように丁れは、ビームエ
ネルギが同じであると言う前提条件で、有ゆる場合に一
定のエネルギ密度が得られる。

第４図には、電子ビーム銃装ｙｔ１の実用的な実施例の
本旬的部分が示されている。ベネルト亀＆２２だけが示
されているビーム発生器２には、ビーム銃の軸脚Ａ　−
Ａに沿い電子ビーム全放出する陰極（図示せず）が存在
する。電子ビームの加速は従来の場合と同様に加速陽極
２３によって行なわれる。該加速陽極は、漏斗状の中間
部側２４を介してビーム案内管２５の方向に突出してい
る。なお、ビーム案内管は、図には輪郭だけが破線で示
されている。加速陽極２３の下側にはさらにシャック弁
２６が存在し、該シャック弁は操作軸２７を介してビー
ム路から揺動により取出丁ことか可能である。ビーム発
生器２は、２止壁の外管２８により気密に囲繞されてお
り、ビーム発生器２０餉域において所倣の動作真空度が
維持されている。

物子ビーム案内管１は、さらに、取付はフランジ２９を
備えており、この取付はフランジ２９には、下側から外
套管３０が連接される。

該外套管３０内には１子光学的要素が総て収容されてい
る。これら電子光学的要素には、第５図１および第７図
と関連して追って詳述する偏向装置が含まれ、該偏向装
置のうち第４図には、外套管から下方に突出している磁
極片３１および３２だけが示されている。

拡大尺で示した第５図から明らかなように、ビーム案内
管２５および外套管３０はリング部材３３により相互に
連結されている。外套管３０の上ｎＡＫはさらにフラン
ジ３４が設けられており、この７ランゾ罠より、外套管
３０は取付け７ランゾ２９に締着される。該取付はフラ
ンジ２９は、半径方向内面きに延びてビーム案内管２５
に達している。このようにして、ビーム案内管２５と外
套管３０との［口１には気密に閉鎖された中空円筒状の
竪間３５か形成され、この空間もしくは室内にはリング
状の［Ｉ＃１ｊ隙３６および３７を残して、内壁３Ｂ、
外壁３９およびリング状の部分４０全弔する中空円筒状
のスリーブが配設されている。これらの部分は、取付け
７ランジ２９で連結されている。このスリーブ内には、
集束装置３、複極装置４および偏向装＄５が配設されて
いる。中空空間もしくは室には和子元学的装置の９７＋
作温度を可能な限り但いレベルに保持する九めに冷媒が
通流する。

本例の場合、４′！＃構造であるｖＬ極装＠４は集束装
置？１３０１ぐ下側に配列されておって、断面線Ｖ［−
Ｖｌに沿う平面で電子ビームに対し、ターｒ−）面にお
いて所定の幾何学的形態ヲ七する焦点スポット奮発生せ
しめるようなビーム断面を付与することができる。隻“
子ビームに対する４極構造の作用１体は公知であり、し
たがってここでは詳述しない。

第６図から明らかなように、複極装置４はリング形状に
閉じた磁石ヨーク４１から構成されており、該ヨーク４
１には切欠き４２が設けられ、該切欠き内には、磁極片
４４と巻線４５とを肩するコイル鉄心４３か配設されて
いる。コイル鉄心４３は、ねじ棒４６を介して磁石ヨー
ク４１に連結されている。ビーム案内管２５°および内
壁３８は非磁性材料から形成されるものであることは理
解されるであろう。

第７図には、偏向装置５が詳細に示しである。

磁石ヨーク４７上には、面径方向に対慣して、磁極片５
０および５１ならびに巻ルー５２および５：ｌ備えたコ
イル鉄心４８および４９か設けられている。さらに、コ
イル鉄心５４および５５が、９０度ずつ変位して配設さ
れており、該コイル鉄心には宵磁巻線５６および５７か
装着されている。コイル鉄心５４および５５は、リング
部材３３′に貫通して延長しておつ℃該すング部材を貫
通して突出した部分に磁極片３１および３２會担持して
いる（第４図および第５図参照）。なお、集束装置３お
よび偏向装め〜５は従来技術に篇するものであり、した
かつて詳細な説明は省略する。

複極装置４のコイル鉄心４３は、可変の再集束を行なう
周波数に従がい積層体もしくは変圧器用のシート積層側
から形成される。したがって、該複極装置４は、集束装
＃３では不可能な相当に高い周波数で再集束を行なうこ
とができる。８極構造の場合には、磁極の数は、第６図
の壕１合の２倍となり極間間隔はそれぞれ４５度となる
。複極装置においては、同じ極性の極が互いに回い合い
したがって、磁場はビーム銃軸１１ｉ１ｄＡ−Ａｉ通り
直径方向には分布しない。他方２つの隣接する１１ｉ磁
コイルには、互いに反対の磁極を形成するように電流が
流される。４極構造を使用する場合には、制御回路１５
は２つの独立した電流出力端を肩する必要があり、また
８極構造を使用する場合には４つの独立した電流出力會
有しなければならない。

【図面の簡単な説明】

第１図は、蒸発るつぼを加熱するための関連の制御装置
のブロックダイヤグラムと組合せて電子ビーム銃装鵞の
概略的構成を示す略図、第２図は、２列に配列されｆｃ
偏向位置を肩するターゲツト面のｍ面図、第６図は、円
形に配列された偏向位賃會弔するターゲツト面の頂面図
、第４図は、ビーム路領域における電子ビーム装置ａ−
一部切除して示す図、第５図は第７図の縁■−■に沿い
断面が互いに直角に位置する第４図の下側部分における
軸方向断面図、第６図は、ｔ７＃５図の線■−■に沿う
半径方向断面図、そして第７図は、第５図の紛■−■に
おける半径方向断面図である。 １・・・電子ビーム銃装置、２・・・ビーム発住器、３
・・・ビーム集束装置、　　４・・・複極装置、５・・
・偏向装置、　　　　６・・・制御装置、７・・・マイ
クロプロセッサ、８・・・入力装置、９・・・キーボー
ド、　　　　１０．１１・・・設定装置、１２・・・記
憶装置、１３．１４・・・記憶御所、１５．１６・・・
制御回路、１７・・・蒸発るつぼ、１Ｂ・・・被蒸発物
、１９．２０・・・最端偏向位置、２１・・・ターゲツ
ト面、　　２２・・・ベネルト電極、２３・・・加速陽
極、　　　　２４・・・中間部材、２５・・・ビーム案
内管、　　２６・・・シャツタ弁、２７・・・操作軸、
　　　　　２９・・・取付け７ランジ、３０・・・外套
管、　　３１，３２，４４・・・磁極片、３３・・・リ
ング部材、　　　３４・・・７ランジ、３５・・・中空
寥、　　　　　３８・・・内壁、３９・・・外Ｒ１４０
・・・リング状部分、４１．４７・・・磁石ヨーク、４
２・・・切欠き、４３．４８，４９，５４，５５・・・
コイル鉄心、４５・・・巻線、　　　　　　４６・・・
ねじ棒、５０．５１・・・磁極片、　　５６，５７・・
・巻線。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、１つの共通のターゲツト平面内で複数の離散的な偏
   向位置に亘り周期的に偏向される電子ビームの集束状態
   を制御するための方法において、最初に、可変の偏向場
   を用い個々の離散した偏向位置における電子ビームの集
   束状態を所定の焦点スポット形態に校正ないし調整し、 該焦点スポット形態に対応する集束データを関連の位置
   データと共に記憶装置に記憶し、そして各ビーム位置に
   対する動作中関連の集束データを記憶装置から読出して
   ビーム集束を相応に再制御することを特徴とする偏向さ
   れる電子ビームの集束状態を制御する方法。 ２、ビーム発生器と、集束装置と、ターゲツト平面内で
   Ｘ−Ｙ座標に従がいビーム偏向を行なうための偏向装置
   と、確定されたドエル時間ないし滞留時間を維持しなが
   ら前記Ｘ−Ｙ座漂で定められる個々の偏向位置に電子ビ
   ームを偏向するための制御装置とを備えた電子ビーム銃
   装置を用いて、１つの共通のターゲツト平面内で複数の
   離散的な偏向位置に亘り周期的に偏向される電子ビーム
   の集束状態を制御するための方法を実施するための装置
   において、 ａ）前記電子ビーム装置（１）の電子ビーム銃のビーム
   路に、１０００Ｈｚまでの周波数で前記電子ビームを再
   集束することができる複極装置（４）を設け、そして、 ｂ）前記制御装置（６）に、前記偏向位置のＸ−Ｙ座標
   のための記憶場所（１３）と、各偏向位置に関連の集束
   データのための記憶場所（１４）と、マイクロプロセッ
   サ（７）とを設け、該マイクロプロセッサにより、個個
   の偏向位置へのビーム運動およびドエル時間（停滞時間
   ）ならびに個々の偏向位置における集束状態を、前記記
   憶場所（１３、１４）から読出されるデータに従がい制
   御可能であることを特徴とする装置。 ３、複極装置（４）が４極装置である特許請求の範囲第
   ２項記載の装置。 ４、複極装置の磁極が、磁極片（４４）を備えた積層コ
   イル鉄心（４３）を有している特許請求の範囲第２項記
   載の装置。 ５、電子ビーム装置が、ビーム案内管および外套管によ
   り画定された円筒状の中空室を備え、該中空室内に集束
   装置および偏向装置が配設され、複極装置（４）は前記
   集束装置（３）と偏向装置（５）との間で前記中空室（
   ３５）内に配設されている特許請求の範囲第２項記載の
   装置。