DE4028842C1 - - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Steuerung der Bedampfungsstromdichte und/oder deren Verteilung, mittels Elektronenstrahls von einem Ver­ dampfungsobjekt verdampften Materials in einem Be­ handlungsraum sowie eine Steueranordnung hierfür.

Die normierte Leistungsdichtenverteilung p/p_max eines für die Verdampfung eines Materials, üblicherweise Target genannt, verwendeten Elektronenstrahls ist, wie in Fig. 1 dargestellt, im wesentlichen glocken­ förmig.

Bei einem Modellstrahl S_m angenommener homogener, normierter Leistungsdichteverteilung p/p_max ist, wie in Fig. 2a dargestellt, insbesondere aufgrund der Wärmediffusion, auch die normierte Temperaturvertei­ lung ϑ/ϑ_max in dem mit dem Strahl beaufschlagten Ver­ dampfungsbereich im wesentlichen glockenförmig. Es ergibt sich somit bei einem leistungsdicht nicht ho­ mogen verteilten, realen Strahl gemäß Fig. 1 eine ganz ausgesprochen peripher abfallende normierte Tem­ peraturverteilung, wie in Fig. 2b dargestellt, mit einer ausgesprochenen Temperaturüberhöhung im Ver­ dampfungsflächenmittenbereich.

Nebst zu einer hohen thermischen Belastung des zu verdampfenden Materials, des Targetmaterials, führt unter anderem dies, bei hoher Strahlleistung, zu Ver­ formungen der Verdampfungsoberfläche (Targetoberflä­ che), wie dies in "Elektronenstrahltechnologie", S. Schiller et al., Wissenschaftliche Verlagsgesell­ schaft mbH, Stuttgart, 1977, S. 174, dargestellt ist. Wird die Strahlleistung, bei unveränderter, normier­ ter Leistungsdichteverteilung, verändert, so durch­ läuft die Verdampfungsrate, definiert als pro Zeit­ einheit vom Verdampfungsobjekt verdampfte Material­ menge, ein ausgesprochenes Maximum, wie dies in ange­ gebener Literaturstelle, S. 173, gezeigt ist.

Der Dampfstrom, der sich vom Elektronenstrahlauf­ treffbereich ausbreitet, ergibt im Behandlungsraum, lokal betrachtet, unterschiedliche Dampfstromdichten.

Von der normierten Strahlleistungsdichten-Verteilung einerseits, anderseits von der Strahlleistung abhän­ gig, ergeben sich nun weiter normierte Dampfstrom­ dichteverteilungen im Behandlungsraum, wie im genann­ ten Buch, S. 142, gezeigt. Das obgenannte Buch wird hiermit in die vorliegende Beschreibung durch Bezug­ nahme integriert.

Das Auftreten von Spritzern bei zu hoher Strahllei­ stung, bei gegebener, normierter Dichteverteilung, ist eine der Limiten für eine Erhöhung der Verdamp­ fungsrate, wie dies zur Erhöhung der Anlagenwirt­ schaftlichkeit wünschbar ist. Eine zweite diesbezüg­ liche Grenze liegt bei der Mitveränderung der Dampf­ stromdichteverteilung gemäß angegebener Stelle, Schiller, S. 142.

Während grundsätzlich angestrebt wird, die Dampf­ stromdichte zu erhöhen, um die Anlagenproduktivität zu erhöhen, richtet sich die Wahl einer optimalen Dampfstromdichteverteilung nach dem jeweiligen Anla­ gentyp, so beispielsweise danach, wie im Behand­ lungsraum durch Elektronenstrahlverdampfen zu be­ schichtende Werkstücke angeordnet sind oder welches Schichtprofil angestrebt wird.

Ohne die obgenannten Grenzen könnte mithin bei einer gegebenen Anlage ansonsten die Produktivität erhöht werden durch Erhöhung der Verdampfungsrate bzw., be­ trachtet am interessierenden Ort der vorzunehmenden Beschichtung, des Dampfstromes, bzw., lokal betrach­ tet, der Dampfstromdichte. Dies durch Erhöhung der dem verdampften Flächenbereich durch den Elektronen­ strahl aufgebrachten Strahlleistung.

Sowohl die Beschichtungsqualität wie auch die Anla­ genproduktivität an einer solchen Anlage könnte wei­ ter durch gezielte Optimierung der Dampfstromdichte­ verteilung (Raumausnützung!) erhöht werden. Da das Verdampfungsratenmaximum gemäß S. 173 oben angegebe­ ner Literaturstelle im allgemeinen nicht bei der gleichen Strahlleistung (bei konstant gehaltener, normierter Leistungsdichteverteilung) auftritt, wie eine anlagenspezifisch erwünschte Dampfstromdichte­ verteilung, wäre es erwünscht, entweder die Bedamp­ fungsstromdichte oder die Bedampfungsstromdichtever­ teilung zu optimieren oder Bedampfungsstromdichte und Bedampfungsstromdichteverteilung anlagenspezifisch wirtschaftlichkeitsoptimal auszulegen.

Es geht darum, einen Weg zu finden, die einem be­ trachteten Verdampfungsflächenbereich aufbringbare Strahlleistung erhöhen zu können und dabei auch die Dampfstromdichteverteilung einstellen zu können und dabei die bekannten, oben erwähnten Grenzen zu umge­ hen, d. h. ohne das Verdampfungsobjekt thermisch zu überlasten, unzulässige Oberflächenverformungen zu erzeugen mit einhergehender Spritzerbildung.

Die vorliegende Erfindung setzt sich dies zum Ziel.

Zu diesem Zweck zeichnet sich das Verfahren eingangs genannter Art nach dem Wortlaut von Anspruch 1 aus, die erfindungsgemäße Anordnung nach demjenigen von Anspruch 8.

Während es an sich bekannt ist, die Lage der Auf­ trefffläche eines Elektronenstrahls auf der Oberflä­ che des Verdampfungsobjektes gesteuert zu verändern, um diesen sukzessive abzudampfen, wird auf diese be­ kannte, gesteuerte Lageänderung im Sinne einer Groß­ hubsteuerung bzw. Arbeitspunktsteuerung des Elektro­ nenstrahls in der vorliegenden Beschreibung Bezug ge­ nommen.

Die erfindungsgemäß eingesetzte Oszillation der Auf­ treffflächenlage hingegen erfolgt in Größenordnungen von höchstens einigen Auftreffflächendurchmessern und ist als Kleinsignalverhalten der Auftrefffläche zu betrachten, d. h. ist dem jeweiligen dynamisch verän­ derten Arbeitspunkt überlagert.

Bevorzugte Ausführungsvarianten des erfindungsgemäßen Verfahrens bzw. der erfindungsgemäßen Steueran­ ordnung sind, entsprechend, in den Ansprüchen 2 bis 7 bzw. 9 bis 15 spezifiziert.

Die Fig. 1 bis 2b dienten der Erläuterung im Zusam­ menhang mit der eingangs besprochenen Problemstel­ lung.

Die Erfindung wird anschließend beispielsweise an­ hand von weiteren Figuren erläutert.

Es zeigen:

Fig. 3 zur Erläuterung des erfindungsgemäßen Vor­ gehens über der Zeitachse t die x-Lagenkoor­ dinate der Auftrefffläche eines erfindungs­ gemäß oszillierten Elektronenstrahls,

Fig. 4 eine angenommene, der Darstellung bei sta­ tionärem Strahl von Fig. 3 entsprechende Temperaturverteilung im Verdampfungsobjekt und im Bereich der Elektronenstrahlauftreff­ fläche, wobei die x-Koordinate parallel zur Auftrefffläche gewählt sei und, weiterhin qualitativ, die Temperaturverteilung, wie sie bei erfindungsgemäßem Vorgehen erreicht wird,

Fig. 5 schematisch in Blockdiagrammform eine erfin­ dungsgemäße Strahlsteuerung für einen Ge­ radeaus-Elektronenstrahl,

Fig. 6 schematisch eine bevorzugte, erfindungsge­ mäße Steuerung an einem umgelenkten Elek­ tronenstrahl.

In Fig. 3 ist über der Zeit t, beispielsweise in der x-Achse, mit Nullpunkt an einer betrachteten Arbeits­ punktlage der Auftrefffläche und in die Auftreffflä­ che gelegt, die Ausdehnung in x-Richtung der Auf­ trefffläche Q eingetragen. Erfindungsgemäß wird nun die Lage der Auftrefffläche Q um die momentane Ar­ beitslage, d. h. hier die Nullage, oszillierend be­ wegt.

In Fig. 3 ist dies einfachheitshalber durch eine si­ nusförmige Lagemodulation dargestellt.

Der Mittelpunkt Q₀ der Auftrefffläche Q wird auf der Kurve a oszillierend bewegt. Die Randpunkte (in x-Richtung betrachtet) B, C der idealisiert, klar be­ grenzt angenommenen Auftrefffläche Q laufen auf ent­ sprechenden, verschobenen Bahnen b bzw. c.

Wird nun auf der x-Koordinate, beispielsweise ent­ sprechend der Oszillationsamplitude des Auftreffflä­ chenmittelpunktes Q₀ ein Ort x₀ betrachtet, so ist ersichtlich, daß der obere Berandungspunkt B der Auftrefffläche Q zur Zeit t₁ diesen Ort x₀ passiert und daß danach, bis dieser Punkt B, zur Zeit t₂, diesen Ort x₀ wiederum passiert, der Lagepunkt x₀ in­ nerhalb der Strahlauftrefffläche Q liegt.

Betrachtet man, im Unterschied dazu, beispielsweise die Arbeitspunktlage entsprechend x = 0, so wird er­ sichtlich, daß der untere Berandungspunkt C der Auf­ trefffläche Q diese Arbeitspunktlage im Zeitpunkt t₃ erstmals erreicht und im Zeitpunkt t₄ der obere Be­ randungspunkt B der Zielfläche Q diese Lage verläßt.

Somit ist der Lagepunkt x₀ während der Zeitspanne τ₁ zwischen den Zeitpunkten t₁ und t₂ dem Elektronen­ strahl ausgesetzt, welche wesentlich länger ist als die Zeitspanne τ₂ zwischen den Zeitpunkten t₃ und t₄, während welcher die Arbeitspunktlage des Strahles dem Elektronenstrahl ausgesetzt ist.

Wie nun ersichtlich, ist die über die Zeit gemittelte Strahlleistungsdichte, welche einem Ort, wie x₀, der Verdampfungsfläche der Strahlauftrefffläche Q ausge­ setzt ist, abhängig von seiner relativen Lage bezüg­ lich des momentanen Strahlarbeitspunktes sowie von Oszillationsamplitude sowie von der Kurvenform der Lagemodulation der Auftrefffläche Q.

Bis anhin wurde jeweils Bezug genommen auf die momen­ tane Auftrefffläche Q des Strahles. Durch das erfin­ dungsgemäße Vorgehen ergibt sich aber eine momentan bearbeitete Verdampfungsfläche, wie in Fig. 3 mit M eingetragen, entlang welcher durch Wahl der Modula­ tionskurvenform die in der Zeit gemittelte Leistungs­ dichtenverteilung eingestellt werden kann. Dabei muß berücksichtigt werden, daß das zu verdampfende Ob­ jektmaterial eine materialspezifische, thermische Trägheit aufweist. Das Material wirkt leistungsmit­ telnd, womit die momentan abgearbeitete Fläche M als eine einheitliche Strahlauftrefffläche, allerdings mit nun daran gezielt eingestellter Leistungsdichte­ verteilung, zu betrachten ist.

Selbstverständlich wird das anhand von Fig. 3 gezeig­ te Vorgehen gegebenenfalls zweidimensional ausge­ führt, d. h. der Strahl wird auf der Verdampfungsober­ fläche in zwei zueinander rechtwinkligen Richtungen oszilliert, und es wird durch Wahl der jeweiligen Mo­ dulationen in x- und y-Richtung in der Art von Lissa­ joux-Figuren das erwünschte Modulationsmuster einge­ stellt.

In Fig. 4 ist rein qualitativ, über der als Beispiel dargestellten x-Koordinate, die Temperaturverteilung ϑ_a bei einem herkömmlich, stationär von einem Elek­ tronenstrahl beaufschlagten Verdampfungsobjekt darge­ stellt.

Wird nun, wie anhand von Fig. 3 erläutert wurde, der Strahl um seinen Arbeitspunkt oszillierend mit ge­ zielt gegebener Kurvenform bewegt, so wird, über Steuerung der Leistungsdichtenverteilung, die Tempe­ raturverteilung ϑ_M gesteuert. So entstehen bei sinus­ förmiger Modulation gemäß Fig. 3 aufgrund der Erhö­ hung der Leistungsdichte an den Randbereichen der Ar­ beitsfläche M Temperaturüberhöhungen E und F, dazwi­ schen beispielsweise Verläufe, wie strichpunktiert dargestellt.

Diese Temperaturverteilung ϑ_M wird entsprechend dem zu verdampfenden Material weitgehend durch Modula­ tionskurvenform und Modulationsgrundfrequenz be­ stimmt. So können je nach Gegebenheiten nebst einer sinusförmigen Oszillationskurvenform auch Dreieckver­ läufe, Sägezahnverläufe, parabelastförmige Verläufe oder andere ein- oder zweidimensional eingesetzt wer­ den.

Durch die erfindungsgemäß gezielte Oszillierung der Strahlauftrefffläche Q auf dem Verdampfungsobjekt wird es nun möglich, bei gegebener hoher Strahl- und damit Verdampfungsleistung an einem betrachteten Ort einer Behandlungskammer eine erwünscht hohe Dampf­ stromdichte zu erreichen bzw. einen optimalen Bedamp­ fungswirkungsgrad im Sinne zugeführter Strahlleistung zu erzielter Bedampfungswirkung, oder es kann bei vorgegebener Anlagekonfiguration eine optimale Dampf­ stromdichteverteilung im Behandlungsraum angestrebt werden.

Im konkreten Fall wird ein optimaler Betrieb unter Berücksichtigung der Dampfstromdichte, des Wirkungs­ grades sowie der Dampfstromdichteverteilung einge­ stellt. Dabei wird es weiter möglich, die thermische Belastung des Verdampfungsmaterials tief zu halten, im Sinne tiefer Gradienten.

In Fig. 5 ist schematisch eine erfindungsgemäße Steueranordnung für einen Elektronenstrahl 14 darge­ stellt. Einem Strahlerzeuger 10 nachgeschaltet, ist eine steuerbare Elektronenoptik als Ablenkeinheit 12 vorgesehen. Diese kann beispielsweise auf dem Ablenk­ effekt von Magnetfeldern bezüglich bewegter Elektro­ nen arbeiten. Um die erstrebte Oszillationsbewegung des geraden Elektronenstrahls 14 auf dem Verdamp­ fungsobjekt 16 gezielt zu realisieren, ist der Ab­ lenkeinheit 12 ein Modulator 18 zugeschaltet, woran Modulationsfrequenz f_mod, Modulationsamplitude S_pp, Modulationskurvenform eingebbar sind, den jeweiligen Bedürfnissen, insbesondere dem jeweiligen Material des Verdampfungsobjektes 16, entsprechend.

In Fig. 6 ist schematisch eine bevorzugte Realisation einer erfindungsgemäßen Steueranordnung dargestellt.

Von einer Elektronenemissionskathode 20, hier als mit Heizstrom I_H direkt beheizte Kathodenwendel darge­ stellt, werden thermisch Elektronen emittiert. Über der Kathode 20 ist in Form einer Blende die Anode 22 angeordnet. Zwischen Kathode 20 und Anode 22 ist ein Beschleunigungsspannungsgenerator 24 geschaltet, wo­ bei (nicht dargestellt) die Kathodenseite oder die Anodenseite auf ein Bezugspotential, wie auf Massepo­ tential gelegt sein kann.

Der durch das Beschleunigungsfeld E_b beschleunigte Elektronenstrahl 26 wird durch ein Umlenkmagnetfeld B_u um mindestens 90°, vorzugsweise 180° bis 270°, um­ gelenkt und trifft schließlich auf die Oberfläche des Verdampfungsobjektes 28 auf.

Mit Hilfe des Umlenkmagnetfeldes B_u, d. h. mit dessen Modulation kann nun in einer ersten erfindungsgemä­ ßen Ausführung das Umlenkungsmaß des Strahles 26 mo­ duliert werden und damit die Lage der Auftrefffläche am Verdampfungsobjekt 28. Bei diesem Vorgehen muß bedacht werden, einerseits, daß mit dem Umlenkfeld B_u üblicherweise die Arbeitspunkteinstellung des Elektronenstrahls vorgenommen wird und daß es wünschbar sein kann, zur Steuerung der erfindungsge­ mäßen Oszillation eine davon unabhängige Steuergrö­ ße einzusetzen.

Als zweites muß berücksichtigt werden, daß Elektro­ magnetanordnungen zur Erzeugung des Umlenkfeldes mit oszillierendem Anteil relativ tiefe Grenzfrequenzen aufweisen, womit dieses Vorgehen sich für tiefere Mo­ dulationsfrequenzen eignet.

Im weiteren ergibt die oszillierende Umlenkung eine teilweise nicht vernachläßigbare Fokussierungsmodu­ lation des Strahles.

Unter Berücksichtigung der erwähnten Einschränkung wird deshalb bevorzugterweise, wie nachmals noch zu erläutern sein wird, zusätzlich oder anstelle einer Umlenkfeldmodulation die Beschleunigungsspannung zwi­ schen Anode 22 und Kathode 20 moduliert. Hierzu wird der Beschleunigungsspannungsgenerator 24, wie schema­ tisch dargestellt, um einen Gleichspannungswert, bei­ spielsweise um 10 KV moduliert, beispielsweise mit einer Amplitude bis zu einigen 100 V.

Bei Modulation der Beschleunigungsspannung kann dies bis zu wesentlich höheren Frequenzen erfolgen als bei Modulation des Umlenkmagnetfeldes. Während die Modu­ lation mittels Umlenkmagnetfeldes beispielsweise eine Grenzfrequenz bei einigen 100 Hz aufweist, ist diese Grenzfrequenz bei Beschleunigungsspannungsmodulation bei einigen kHz.

Soll nun aber die Auftrefffläche des Elektronen­ strahls in zwei Richtungen oszillierend bewegt wer­ den, so wird dies vorzugsweise in der einen Richtung mit der erwähnten Beschleunigungsspannung realisiert, in der andern Richtung elektromagnetisch.

Zur Modulation der Beschleunigungsspannung zwischen Anode und Kathode ist am Beschleunigungsspannungsge­ nerator 24 ein Modulationssteuereingang E₂₄ vorgese­ hen, welchem ein Modulator 26 vorgeschaltet ist, an welchem wiederum Modulationsfrequenz, Modulationsam­ plitude bzw. Modulationskurvenform eingegeben werden, die Kurvenformen beispielsweise fest programmiert in EPROM′s.

Es hat sich gezeigt, daß die Modulation der Be­ schleunigungsspannung, vorzugsweise zwischen Anode und Kathode, einen relativ geringen Einfluß auf die Ausdehnung der Auftrefffläche Q im Sinne einer Fokus­ sierung bzw. Defokussierung nimmt und daß damit, wie erwünscht, eine Steuergröße eigens für diese erfin­ dungsgemäße Modulation realisiert ist, die unabhän­ gig von weiteren Steuergrößen, wie dem Umlenkfeld B_u oder einem lateralen Ablenkfeld für die jeweilige Ar­ beitspunktlage des Elektronenstrahls 26 ist.

Dasselbe Vorgehen, d. h. Modulation der Beschleuni­ gungsspannung, vorzugsweise zwischen Anode 22 und Ka­ thode 20, kann auch in Form einer Rechteckmodulation oder Treppenmodulation erfolgen, womit an der Ver­ dampfungsfläche M hohe randständige Temperaturüberhö­ hungen erreicht werden bzw., bei Treppenmodulation, mehrere derartige Überhöhungen und womit, im Extrem­ fall, mit einem Elektronenstrahl eine Zwei- oder Mehrbrennflächenquelle realisiert wird.

Im weiteren ist es auch möglich, die Modulation der erwähnten Beschleunigungsspannung rechteckförmig zwi­ schen einem "Ein"-Wert und einem "Aus"-Wert für den Elektronenstrahl zu modulieren.

Die erfindungsgemäß eingesetzte Modulation kann im weiteren für ein Lock-in-Detektionsverfahren verwen­ det werden, indem in einem in Fig. 6 mit P angedeute­ ten Behandlungsraum ein selektiv auf die Modulations­ frequenz abgestimmter Detektor für den Dampfstrom vorgesehen wird, womit der Dampfstrom gemessen werden kann, und zwar unabhängig von Hintergrundstörungen und auch unabhängig von möglicherweise im gleichen Behandlungsprozeß von einer weiteren Verdampfungs­ quelle verdampftem Material zur Beschichtung eines Werkstückes.

Bei der Wahl von Modulationsfrequenz, Modulationsam­ plitude und -kurvenform muß, wie erwähnt wurde, auf die Größe des Verdampfungsobjekts bzw. Targets sowie sein thermisches Verhalten in der Lagerung mit Küh­ lung berücksichtigt werden.

Zusätzlich zur beschriebenen Lageoszillation des Strahls kann die Leistungsdichteverteilung auch durch eine Pulslängenmodulation der Strahlleistung beein­ flußt werden, d. h. einer Leistungs/Zeitmodulation oder einer Energie/Zeitmodulation.

Claims (15)

1. Verfahren zur Steuerung der Bedampfungsstromdichte und/oder deren Verteilung, mittels Elektronenstrahls von einem Verdampfungsobjekt (16, 28) verdampften Ma­ terials in einem Behandlungsraum (P), dadurch gekenn­ zeichnet, daß durch gezieltes Oszillieren des Elek­ tronenstrahls (14, 26) auf dem Verdampfungsobjekt (16, 28) in mindestens einer Richtung (x) um eine mo­ mentane Arbeitspunktlage (x = 0), die in der Zeit (t) gemittelte Leistungsdichteverteilung des Strahls am Bereich (M) um die Arbeitspunktlage gesteuert wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1 für einen um mindestens 90° umgelenkten Elektronenstrahl (26), dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Lage der Auftrefffläche des Elektronenstrahls (26) durch Modulation einer Be­ schleunigungsspannung für den Elektronenstrahl oszil­ liert wird, bevorzugterweise durch eine zwischen Emissionskathode (20) und Anode (22) aufgebrachte Be­ schleunigungsspannung.

3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, da­ durch gekennzeichnet, daß die Arbeitspunktlage der Auftrefffläche am Verdampfungsobjekt (28) durch Steuerung eines Umlenkmagnetfeldes (_u) für den Elek­ tronenstrahl verstellt wird.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da­ durch gekennzeichnet, daß die Oszillation durch Mo­ dulation einer Beschleunigungsspannung und/oder eines Umlenkmagnetfeldes (_u) für den Strahl erfolgt, vor­ zugsweise frequenzselektiv durch die Beschleunigungs­ spannung oder das Umlenkmagnetfeld.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, da­ durch gekennzeichnet, daß, durch Rechteck- oder Treppenmodulation, mit dem Elektronenstrahl (26) im wesentlichen ein Zwei- oder Mehrbrennfleck-Verdamp­ fungsbereich erzeugt wird.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, da­ durch gekennzeichnet, daß zusätzlich zu der Lage-Os­ zillation die zeitgemittelte Leistungsdichtenvertei­ lung durch eine Leistungs/Zeit- oder Energie/Zeit-Mo­ dulation des Elektronenstrahls eingestellt wird.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, da­ durch gekennzeichnet, daß im Behandlungsraum ein auf die Frequenz der Oszillation selektiv abgestimmter Detektor für den Dampfstrom vorgesehen wird.

8. Anordnung zur Steuerung der Bedampfungsstromdichte und/oder deren Verteilung in einer Behandlungskammer, von einem Verdampfungsobjekt mittels eines Elektro­ nenstrahls verdampften Materials, dadurch gekenn­ zeichnet, daß vorgesehen sind:

• - eine Ablenkeinrichtung (12, 24, _u) für den Elek­ tronenstrahl mit mindestens einem Steuereingang,
• - dem Steuereingang zugeordnet eine Modulatorein­ heit (18, 26), woran Modulationsfrequenz und/oder Modulationshub und/oder Modulationskurvenform verstellbar oder vorgebbar sind.

9. Anordnung nach Anspruch 8 an einer Elektronen­ strahlquelle mit einem Umlenkmagnetfeld, mittels wel­ chem der Elektronenstrahl um mindestens 90° umgelenkt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Ablenkeinrich­ tung durch einen Beschleunigungsspannungsgenerator (24), vorzugsweise zwischen eine Anode und eine Ka­ thode geschaltet, gebildet ist.

10. Anordnung nach einem der Ansprüche 8 oder 9, da­ durch gekennzeichnet, daß die Ablenkeinrichtung eine Umlenkanordnung zur Erzeugung eines Umlenkmagnetfel­ des für den Elektronenstrahl umfaßt, woran, für die Ablenkung, eine Elektromagnetanordnung vorgesehen ist.

11. Anordnung nach einem der Ansprüche 8 bis 10, da­ durch gekennzeichnet, daß die Ablenkeinrichtung eine Elektromagnetanordnung zur Erzeugung eines Umlenkma­ gnetfeldes (_u) für den Elektronenstrahl und einen Beschleunigungsspannungsgenerator (24), der vorzugs­ weise eine Anoden/Kathodenspannung liefert, umfaßt.

12. Anordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeich­ net, daß die Elektromagnetanordnung mit einer Modu­ latoreinheit zur Modulation bei tieferen Modulations­ frequenzen verbunden ist und der Generator mit einer Modulatoreinheit zur Modulation bis zu diesbezüglich höheren Modulationsfrequenzen.

13. Anordnung nach einem der Ansprüche 8 bis 12, da­ durch gekennzeichnet, daß die Ablenkanordnung für die oszillierende Ablenkung des Elektronenstrahls in einer Richtung eine Elektromagnetanordnung aufweist für eine oszillierende Ablenkung in einer zweiten, zur ersten senkrechten Richtung, einen modulierbaren Beschleunigungsspannungsgenerator für den Elektronen­ strahl.

14. Anordnung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeich­ net, daß eine Magnetanordnung zur Umlenkung des Strahls um mindestens 90° in einer die erste Richtung enthaltenden Ebene vorgesehen ist.

15. Anordnung nach einem der Ansprüche 8 bis 14, da­ durch gekennzeichnet, daß im Behandlungsraum ein auf die Modulationsfrequenz der Ablenkanordnung abge­ stimmter Dampfstrom- bzw. Partikeldetektor vorgesehen ist.