JPH09274879A - 集束イオンビーム装置の加工位置補正方法 - Google Patents
集束イオンビーム装置の加工位置補正方法Info
- Publication number
- JPH09274879A JPH09274879A JP8082334A JP8233496A JPH09274879A JP H09274879 A JPH09274879 A JP H09274879A JP 8082334 A JP8082334 A JP 8082334A JP 8233496 A JP8233496 A JP 8233496A JP H09274879 A JPH09274879 A JP H09274879A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- ion beam
- working
- processing
- sample
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Abstract
(57)【要約】
【課題】集束イオンビーム加工装置の加工位置補正とし
て、加工位置の近くのイオンビームによる試料汚染，オ
ペレータの操作を少なく、加工位置のずれを補正する。 【解決手段】登録マークをマーク検出部１２よりマーク
位置を検出することにより、加工位置ずれ量を算出し、
この加工位置ずれ量を加工位置補正部１１へ供給し、イ
オンビーム制御部５でイオンビームの照射位置を補正す
る。
て、加工位置の近くのイオンビームによる試料汚染，オ
ペレータの操作を少なく、加工位置のずれを補正する。 【解決手段】登録マークをマーク検出部１２よりマーク
位置を検出することにより、加工位置ずれ量を算出し、
この加工位置ずれ量を加工位置補正部１１へ供給し、イ
オンビーム制御部５でイオンビームの照射位置を補正す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＦＩＢ加工装置に
おいて、集束イオンビームの照射位置のずれ量、または
ステージ位置のずれ量を、ビーム照射位置の制御を行う
ことによって、加工位置補正を行うことに関する。
おいて、集束イオンビームの照射位置のずれ量、または
ステージ位置のずれ量を、ビーム照射位置の制御を行う
ことによって、加工位置補正を行うことに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のＦＩＢ加工装置の基本構成を図４
に示す。イオンを放出するイオン源部１，イオン源部１
から放出されるイオンビームを加速，集束，偏向するイ
オンビーム制御系２，試料を装着，移動する試料室部
３，二次電子や二次イオンを検出する二次粒子検出器
６，走査型イオン顕微鏡（Scaning Ion Microscope：略
してＳＩＭ）画像を表示するＣＲＴ８，画像メモリ，画
像処理部からなる画像制御部９，キーボードやマウスな
どの入力操作部１０からなる。イオン源部１およびイオ
ンビーム制御系２には、それぞれそれらを制御するイオ
ン源制御部４およびイオンビーム制御部５が接続されて
いる。イオン源制御部４およびイオンビーム制御部５に
は、統括して制御するコンピュータ部７が接続されてい
る。
に示す。イオンを放出するイオン源部１，イオン源部１
から放出されるイオンビームを加速，集束，偏向するイ
オンビーム制御系２，試料を装着，移動する試料室部
３，二次電子や二次イオンを検出する二次粒子検出器
６，走査型イオン顕微鏡（Scaning Ion Microscope：略
してＳＩＭ）画像を表示するＣＲＴ８，画像メモリ，画
像処理部からなる画像制御部９，キーボードやマウスな
どの入力操作部１０からなる。イオン源部１およびイオ
ンビーム制御系２には、それぞれそれらを制御するイオ
ン源制御部４およびイオンビーム制御部５が接続されて
いる。イオン源制御部４およびイオンビーム制御部５に
は、統括して制御するコンピュータ部７が接続されてい
る。
【０００３】従来技術では、加工位置ずれを補正する機
能はない。
能はない。
【０００４】加工位置のずれを補正するには、加工中に
オペレータが加工中のＳＩＭ画像を観察することによ
り、加工位置がずれているかどうかを判断し、加工位置
がずれているようなら、加工を一時停止し、加工位置近
傍のＳＩＭ画像をＣＲＴ８上に表示し、現在加工されて
いた位置（ＣＲＴ上に表示されているＳＩＭ像）と、設
定した加工位置の情報から、加工位置ずれ量を判断し、
キーボードや、マウスなどの入力部１０より加工位置ず
れ量を入力する。入力された加工位置ずれ量をイオンビ
ーム制御部５へ設定することにより、イオンビーム照射
位置の制御を行い、加工位置ずれの補正を行っている。
オペレータが加工中のＳＩＭ画像を観察することによ
り、加工位置がずれているかどうかを判断し、加工位置
がずれているようなら、加工を一時停止し、加工位置近
傍のＳＩＭ画像をＣＲＴ８上に表示し、現在加工されて
いた位置（ＣＲＴ上に表示されているＳＩＭ像）と、設
定した加工位置の情報から、加工位置ずれ量を判断し、
キーボードや、マウスなどの入力部１０より加工位置ず
れ量を入力する。入力された加工位置ずれ量をイオンビ
ーム制御部５へ設定することにより、イオンビーム照射
位置の制御を行い、加工位置ずれの補正を行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来方法では、加
工位置の補正を行う度に加工位置の近くをイオンビーム
にて走査を行う。このことによって、試料面の加工位置
以外の部分を必要以上にイオンビームで汚染してしま
う。このことは、微細な部分の加工領域を加工する場合
大きな問題となる。また、加工中のＳＩＭ画像から、加
工位置のずれを判断するには、オペレータの経験等が必
要となり、経験のないオペレータには加工位置の補正を
行うことが困難である。また、加工を実行させたオペレ
ータが、補正を行う度に加工位置補正の操作を行わなけ
ればならないので、加工中にその場にいることが困難な
場合、加工位置のずれを補正することができない。
工位置の補正を行う度に加工位置の近くをイオンビーム
にて走査を行う。このことによって、試料面の加工位置
以外の部分を必要以上にイオンビームで汚染してしま
う。このことは、微細な部分の加工領域を加工する場合
大きな問題となる。また、加工中のＳＩＭ画像から、加
工位置のずれを判断するには、オペレータの経験等が必
要となり、経験のないオペレータには加工位置の補正を
行うことが困難である。また、加工を実行させたオペレ
ータが、補正を行う度に加工位置補正の操作を行わなけ
ればならないので、加工中にその場にいることが困難な
場合、加工位置のずれを補正することができない。
【０００６】本発明の目的は、所望の加工位置の近くの
イオンビームによる試料汚染や、オペレータの操作（常
時介在し補正処理を行うことなど）を少なく、加工位置
ずれの少ない加工を実行することのできるＦＩＢ加工装
置の加工位置補正方法を提供することにある。
イオンビームによる試料汚染や、オペレータの操作（常
時介在し補正処理を行うことなど）を少なく、加工位置
ずれの少ない加工を実行することのできるＦＩＢ加工装
置の加工位置補正方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は加工位置ずれ補正用検出マークとして登録
した登録マーク位置を加工実行前に検出し、このマーク
位置を検出用マーク位置として記憶し、加工途中にこの
登録マークの位置検出を行い、記録されたマーク位置と
検出されたマーク位置から加工位置の位置ずれ量を算出
し、ビーム照射位置を制御する機能を設けた。
に、本発明は加工位置ずれ補正用検出マークとして登録
した登録マーク位置を加工実行前に検出し、このマーク
位置を検出用マーク位置として記憶し、加工途中にこの
登録マークの位置検出を行い、記録されたマーク位置と
検出されたマーク位置から加工位置の位置ずれ量を算出
し、ビーム照射位置を制御する機能を設けた。
【０００８】登録マーク位置を検出し、このマーク位置
を記録する。加工中にこのマーク位置を検出し、記録さ
れたマーク位置と検出されたマーク位置から加工位置の
ずれ量を算出し、この加工位置ずれ量からイオンビーム
照射を制御することにより、加工位置の補正処理を行
い、加工位置ずれの少ない加工を行うことができる。
を記録する。加工中にこのマーク位置を検出し、記録さ
れたマーク位置と検出されたマーク位置から加工位置の
ずれ量を算出し、この加工位置ずれ量からイオンビーム
照射を制御することにより、加工位置の補正処理を行
い、加工位置ずれの少ない加工を行うことができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を図１，図２を用
いて説明する。図１は、実施例で用いたFIB加工装置の
ブロック図である。本発明の実施例では、図４の従来装
置と比較すると、加工位置補正用マークの検出を行うマ
ーク検出部１２，マーク検出部で検出されたマーク位置
から、加工位置ずれ量を算出し、イオンビーム制御部５
へ渡す情報を算出する加工位置補正部１１が接続される
点が異なる。この二つの制御部より、加工位置補正用登
録マークの検出，加工位置補正が実行可能となる。これ
により、所望の加工位置の近くのイオンビームによる試
料汚染，オペレータの操作を少なく、加工位置の補正を
行う。
いて説明する。図１は、実施例で用いたFIB加工装置の
ブロック図である。本発明の実施例では、図４の従来装
置と比較すると、加工位置補正用マークの検出を行うマ
ーク検出部１２，マーク検出部で検出されたマーク位置
から、加工位置ずれ量を算出し、イオンビーム制御部５
へ渡す情報を算出する加工位置補正部１１が接続される
点が異なる。この二つの制御部より、加工位置補正用登
録マークの検出，加工位置補正が実行可能となる。これ
により、所望の加工位置の近くのイオンビームによる試
料汚染，オペレータの操作を少なく、加工位置の補正を
行う。
【００１０】本実施例では、検出用の登録マーク１０２
（５μｍ×５μｍの十字マーク）を加工を行う前に加工
領域１０１を含まない位置に加工し、検出用の登録マー
クとして、マークのおよその位置とともに登録する。加
工実行前に、この登録マークの加工設定可能領域１００
内での正確な位置をマーク検出部１２に画像制御部９か
らマーク位置の近くのＳＩＭ画像情報を供給することに
より検出し、登録マーク位置とし記録する。加工を開始
する。このとき、加工位置補正の開始を制御するため
に、ある一定時間または、設定された時間で加工補正制
御を開始させるためのタイマを設定する。タイマより加
工補正制御処理が起動されたら、加工を一時停止し、登
録された検出用マークの近くをイオンビームで走査し、
マーク位置の近くのＳＩＭ画像を得、その画像情報から
マーク位置を検出し、登録マーク位置の登録位置と、こ
のときのマーク検出位置を比較して加工位置のずれ量と
して、加工位置補正部１２へこの加工位置のずれ量を供
給し、イオンビーム制御部へ設定するための設定量を算
出し、イオンビーム制御部５へ設定し、イオンビームの
照射位置を修正することにより加工位置補正を行う。補
正処理終了後、一時停止していた加工を再開し、再度タ
イマの設定を行う。
（５μｍ×５μｍの十字マーク）を加工を行う前に加工
領域１０１を含まない位置に加工し、検出用の登録マー
クとして、マークのおよその位置とともに登録する。加
工実行前に、この登録マークの加工設定可能領域１００
内での正確な位置をマーク検出部１２に画像制御部９か
らマーク位置の近くのＳＩＭ画像情報を供給することに
より検出し、登録マーク位置とし記録する。加工を開始
する。このとき、加工位置補正の開始を制御するため
に、ある一定時間または、設定された時間で加工補正制
御を開始させるためのタイマを設定する。タイマより加
工補正制御処理が起動されたら、加工を一時停止し、登
録された検出用マークの近くをイオンビームで走査し、
マーク位置の近くのＳＩＭ画像を得、その画像情報から
マーク位置を検出し、登録マーク位置の登録位置と、こ
のときのマーク検出位置を比較して加工位置のずれ量と
して、加工位置補正部１２へこの加工位置のずれ量を供
給し、イオンビーム制御部へ設定するための設定量を算
出し、イオンビーム制御部５へ設定し、イオンビームの
照射位置を修正することにより加工位置補正を行う。補
正処理終了後、一時停止していた加工を再開し、再度タ
イマの設定を行う。
【００１１】本実施例では、登録マークをＦＩＢ加工装
置で加工しているが、加工を行う試料上に既に存在する
場合そのマークを登録しても良い。また、加工するマー
クの形状もＬ字マークや、その他どのようなマークでも
検出可能であればよい。
置で加工しているが、加工を行う試料上に既に存在する
場合そのマークを登録しても良い。また、加工するマー
クの形状もＬ字マークや、その他どのようなマークでも
検出可能であればよい。
【００１２】マークの検出方法も、本実施例では、十字
マークのエッジ部分を検出して、そのエッジ部分の位置
から、マーク位置を検出しているが、この方法に限らず
画像処理によるマーク位置の検出も考えられる。
マークのエッジ部分を検出して、そのエッジ部分の位置
から、マーク位置を検出しているが、この方法に限らず
画像処理によるマーク位置の検出も考えられる。
【００１３】加工補正を開始させるための手段は、タイ
マによる時間軸での検出開始であるが、加工中のＳＩＭ
画像の輝度変化などの情報から判断して、加工補正制御
を開始しても良い。
マによる時間軸での検出開始であるが、加工中のＳＩＭ
画像の輝度変化などの情報から判断して、加工補正制御
を開始しても良い。
【００１４】加工位置の補正方法も、ビームの照射位置
の修正により補正しているが、ビームの照射位置の修正
より、ステージが補正に十分な微動が可能であればステ
ージを駆動しての加工位置補正法も考えられる。
の修正により補正しているが、ビームの照射位置の修正
より、ステージが補正に十分な微動が可能であればステ
ージを駆動しての加工位置補正法も考えられる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、所望の加工位置の近く
の集束イオンビームによる試料汚染，オペレータの介在
を少なく、加工を行うことが可能となるので、ＦＩＢ加
工装置の加工位置の高精度化に効果がある。
の集束イオンビームによる試料汚染，オペレータの介在
を少なく、加工を行うことが可能となるので、ＦＩＢ加
工装置の加工位置の高精度化に効果がある。
【図１】実施例で用いたＦＩＢ加工装置のブロック図。
【図２】実施例の説明図。
【図３】実施例を説明するフローチャート。
【図４】従来技術のＦＩＢ加工装置のブロック図。
１…イオン源部、２…イオンビーム制御系、３…試料室
部、４…イオン源制御部、５…イオンビーム制御部、６
…二次粒子検出器、７…コンピュータ部、８…ＣＲＴ、
９…画像制御部、１０…入力部、１１…加工位置補正
部、１２…マーク検出部。
部、４…イオン源制御部、５…イオンビーム制御部、６
…二次粒子検出器、７…コンピュータ部、８…ＣＲＴ、
９…画像制御部、１０…入力部、１１…加工位置補正
部、１２…マーク検出部。
Claims (3)
- 【請求項１】イオンビームを集束して試料上を走査し、
上記試料から放出される二次電子や、二次イオンなどの
二次粒子の強度を走査と同期して検出することにより顕
微鏡像を得、上記顕微鏡像より加工位置を設定する機能
を有する集束イオンビーム装置において、上記試料の加
工中に起こる集束イオンビームの照射位置のずれ，ステ
ージの位置ずれを検出し、補正する機能を有することを
特徴とする集束イオンビーム装置の加工位置補正方法。 - 【請求項２】請求項１において、上記集束イオンビーム
の照射位置のずれ，ステージの位置ずれを検出するため
のマークを登録する機能を有する集束イオンビーム装置
の加工位置補正方法。 - 【請求項３】請求項１または２において、上記登録する
ためのマークを加工する機能を有する集束イオンビーム
装置の加工位置補正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8082334A JPH09274879A (ja) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | 集束イオンビーム装置の加工位置補正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8082334A JPH09274879A (ja) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | 集束イオンビーム装置の加工位置補正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09274879A true JPH09274879A (ja) | 1997-10-21 |
Family
ID=13771672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8082334A Pending JPH09274879A (ja) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | 集束イオンビーム装置の加工位置補正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09274879A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6521890B2 (en) | 1998-07-03 | 2003-02-18 | Hitachi, Ltd. | Focused ion beam machining method and focused ion beam machining apparatus |
| JP2006156179A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Jeol Ltd | Ｆｉｂ自動加工時のドリフト補正方法及び装置 |
| US9310325B2 (en) | 2013-03-27 | 2016-04-12 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Focused ion beam apparatus and method of working sample using the same |
| JP2017162811A (ja) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | カール ツァイス マイクロスコーピー ゲーエムベーハーＣａｒｌ Ｚｅｉｓｓ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ ＧｍｂＨ | 物体の構築方法およびそれに関連する粒子ビームシステム |
-
1996
- 1996-04-04 JP JP8082334A patent/JPH09274879A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6521890B2 (en) | 1998-07-03 | 2003-02-18 | Hitachi, Ltd. | Focused ion beam machining method and focused ion beam machining apparatus |
| JP2006156179A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Jeol Ltd | Ｆｉｂ自動加工時のドリフト補正方法及び装置 |
| US7361909B2 (en) | 2004-11-30 | 2008-04-22 | Jeol Ltd. | Method and apparatus for correcting drift during automated FIB processing |
| JP4647977B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2011-03-09 | 日本電子株式会社 | Ｆｉｂ自動加工時のドリフト補正方法及び装置 |
| US9310325B2 (en) | 2013-03-27 | 2016-04-12 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Focused ion beam apparatus and method of working sample using the same |
| JP2017162811A (ja) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | カール ツァイス マイクロスコーピー ゲーエムベーハーＣａｒｌ Ｚｅｉｓｓ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ ＧｍｂＨ | 物体の構築方法およびそれに関連する粒子ビームシステム |
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