JPS6085519A - 電子ビ−ム描画方法 - Google Patents
電子ビ−ム描画方法Info
- Publication number
- JPS6085519A JPS6085519A JP58194780A JP19478083A JPS6085519A JP S6085519 A JPS6085519 A JP S6085519A JP 58194780 A JP58194780 A JP 58194780A JP 19478083 A JP19478083 A JP 19478083A JP S6085519 A JPS6085519 A JP S6085519A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- beams
- pattern
- electron
- mask pattern
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｆａ） 発明の技術分野
本発明は半導体素子の製造に欠くことのできないマスク
の製造方法に係り、特に可変矩形電子ビーム露光装置を
用いたマスクパターンの描画方法に関する。
の製造方法に係り、特に可変矩形電子ビーム露光装置を
用いたマスクパターンの描画方法に関する。
（ｂｌ 技術の背景
半導体装置が小形化、高密度実装化されるに伴って半導
体装置の主要部をなす半導体素子のツクターンは益々微
細化している。かかる微細化されたパターンを有する半
導体素子の製造において、ウェハープロセスで用いられ
るフォトマスクは欠くことのできない重要な用具であり
、半導体素子の品質や信頼性はフォトマスクの精度によ
って左右され極めて高い精度が要求される。これを実現
するためにマスクパターンの描画方法も従来の光を用い
た露光装置から電子ビームによる露光装置に変わってき
ている。
体装置の主要部をなす半導体素子のツクターンは益々微
細化している。かかる微細化されたパターンを有する半
導体素子の製造において、ウェハープロセスで用いられ
るフォトマスクは欠くことのできない重要な用具であり
、半導体素子の品質や信頼性はフォトマスクの精度によ
って左右され極めて高い精度が要求される。これを実現
するためにマスクパターンの描画方法も従来の光を用い
た露光装置から電子ビームによる露光装置に変わってき
ている。
第１図は電子ビーム露光装置の概略構成図である。電子
ビーム露光装置は大別して電子光学系コラム、コラム制
御部、ステージおよびステージ制御系、排気系およびコ
ンピュータシステムより構成される。
ビーム露光装置は大別して電子光学系コラム、コラム制
御部、ステージおよびステージ制御系、排気系およびコ
ンピュータシステムより構成される。
電子光学系コラムは電子銃、矩形ビーム成形機構、偏向
器およびブランキング電極等を含む複数段のレンズ系で
構成されており、電子銃のフィラメントには通常タング
ステンフィラメントが用Ｇ１られている。そして電子光
学系コラムはコラム制師部を介してコンピュータシステ
ムにより制御きれている。
器およびブランキング電極等を含む複数段のレンズ系で
構成されており、電子銃のフィラメントには通常タング
ステンフィラメントが用Ｇ１られている。そして電子光
学系コラムはコラム制師部を介してコンピュータシステ
ムにより制御きれている。
ステージはレーザ測長系をＸ／Ｙ軸に備えておりモータ
で駆動されるステージの位置が０．０１μｍ単位で測定
され、指定値からの誤差量は偏向器にフィードバンクさ
れてビーム位置を補正する。ステージ上には矩形ビーム
の寸法、位置、電流分布の測定や偏向器の自動調整等を
行うだめの電流検出器が設置されている。この検出器は
タングステン線を十字に張りその直下にファラデーカッ
プを取りつけた構造を有し信号処理系を介してコンピュ
ータシステムに結合される。
で駆動されるステージの位置が０．０１μｍ単位で測定
され、指定値からの誤差量は偏向器にフィードバンクさ
れてビーム位置を補正する。ステージ上には矩形ビーム
の寸法、位置、電流分布の測定や偏向器の自動調整等を
行うだめの電流検出器が設置されている。この検出器は
タングステン線を十字に張りその直下にファラデーカッ
プを取りつけた構造を有し信号処理系を介してコンピュ
ータシステムに結合される。
そして電子光学系コラムおよびステージを収容した露光
室の内部は排気系によって常に高真空が維持されている
。
室の内部は排気系によって常に高真空が維持されている
。
電子ビーム露光装置は上に述べた通り高精度の維持に各
種の配慮がなされているが、これだけでは高い精度を有
するマスクパターンを描画せしめることはできない。例
えば電子光学系コラムおよび露光室に流入する外気によ
って持ち込まれた塵埃、或いは乾板やそれを装填するマ
ガジン等Ｇこ付着して持ち込まれた塵埃が電子光学系コ
ラムの内部壁面を汚染し、それに帯電した静電気によっ
て電子ビームの方向が曲げられるという現象があられれ
る。
種の配慮がなされているが、これだけでは高い精度を有
するマスクパターンを描画せしめることはできない。例
えば電子光学系コラムおよび露光室に流入する外気によ
って持ち込まれた塵埃、或いは乾板やそれを装填するマ
ガジン等Ｇこ付着して持ち込まれた塵埃が電子光学系コ
ラムの内部壁面を汚染し、それに帯電した静電気によっ
て電子ビームの方向が曲げられるという現象があられれ
る。
空間では必ず直進する光を用いた露光装置と、周囲の磁
場や電場の影響を受けて曲がる電子ビームを用いた露光
装置とでは当然使用方法Ｇこ差力くあり、電子ビームに
よる露光装置を用し）で高精度なマスクパターンを描画
せしめるには、それＧこ通したマスクパターンの描画方
法を確立する必要がある。
場や電場の影響を受けて曲がる電子ビームを用いた露光
装置とでは当然使用方法Ｇこ差力くあり、電子ビームに
よる露光装置を用し）で高精度なマスクパターンを描画
せしめるには、それＧこ通したマスクパターンの描画方
法を確立する必要がある。
（Ｃ） 従来技術と問題点
電子ビーム露光装置によるマスクパターンの描画は、矩
形ビームの寸法、露光手順、径路等の描画情報が全て記
憶装置内に格納されており、コンピュータシステムの制
御によって実行される。
形ビームの寸法、露光手順、径路等の描画情報が全て記
憶装置内に格納されており、コンピュータシステムの制
御によって実行される。
しかし電子銃のタングステンフィラメントが消耗される
にしたがって形状が変化したり、電子光学系コラムの内
部壁面を汚染した塵埃に帯電する静電気の量が変化した
り、或いは電子衝撃によりビーム成形用のアバ−チアに
熱ドリフトが生じる等、描画の途中で描画情報に含まれ
ていない数々の現象が発生し、ビーム位置が指定した位
置からずれる（以後ドリフトと称する）、矩形ビームの
寸法やビームの振り幅が変化する等の問題を惹起する。
にしたがって形状が変化したり、電子光学系コラムの内
部壁面を汚染した塵埃に帯電する静電気の量が変化した
り、或いは電子衝撃によりビーム成形用のアバ−チアに
熱ドリフトが生じる等、描画の途中で描画情報に含まれ
ていない数々の現象が発生し、ビーム位置が指定した位
置からずれる（以後ドリフトと称する）、矩形ビームの
寸法やビームの振り幅が変化する等の問題を惹起する。
かかる問題に対処するために描画の途中で定期的にビー
ムを基準位置に戻してドリフト量、矩形ビームの寸法、
ビームの振り幅の補正を行う必要がある。
ムを基準位置に戻してドリフト量、矩形ビームの寸法、
ビームの振り幅の補正を行う必要がある。
電子ビーム露光装置によるマスクパターンの描画におい
て前述の補正は欠くことのできない作業であるが、この
作業がまた次の問題の引金となる。
て前述の補正は欠くことのできない作業であるが、この
作業がまた次の問題の引金となる。
第２図は一般的なマスクの露光順序を示す図である。乾
板１はＸＹ方向に移動する図示してないステージの上に
載置されており、ビームは各チップ毎のマスクパターン
２の描画を行いながら、矢印３に沿って順次移動する。
板１はＸＹ方向に移動する図示してないステージの上に
載置されており、ビームは各チップ毎のマスクパターン
２の描画を行いながら、矢印３に沿って順次移動する。
各チップ毎のマスクパターン２の位置は基準点を原点と
する座標で指定されており、基準点Ｐは乾板１の外に設
定されている。なおＡおよびＢは前述の補正を行った点
を示している。
する座標で指定されており、基準点Ｐは乾板１の外に設
定されている。なおＡおよびＢは前述の補正を行った点
を示している。
このＡ点あるいはＢ点の前でビームがドリフトしていれ
ば補正によってパターンに若干の段差を生じるのは当然
であるが、従来の描画方法ではＡ点あるいはＢ点の前で
ビームがドリフトしていなくてもパターンに段差を生じ
ることがあり、マスクパターンの品質向上を阻害してい
る。
ば補正によってパターンに若干の段差を生じるのは当然
であるが、従来の描画方法ではＡ点あるいはＢ点の前で
ビームがドリフトしていなくてもパターンに段差を生じ
ることがあり、マスクパターンの品質向上を阻害してい
る。
（ｄｌ 発明の目的
本発明の目的は電子ビーム露光装置によるマスクパター
ンの描画において前述の問題を無くし、マスクパターン
の品質向上に寄与するマスクパターンの描画方法を提供
することにある。
ンの描画において前述の問題を無くし、マスクパターン
の品質向上に寄与するマスクパターンの描画方法を提供
することにある。
（ｅ） 発明の構成
そしてこの目的は描画の途中から電子ビームを基準点に
戻してビームの振り幅、スリソトザイズ、ドリフト量等
を補正した後、ステージ上に設けられた特定の場所で一
定時間のダミーパターン露光を行い、しかる後電子ビー
ムを正規の位置に移動せしめマスクパターンの描画を行
うことで達成している。
戻してビームの振り幅、スリソトザイズ、ドリフト量等
を補正した後、ステージ上に設けられた特定の場所で一
定時間のダミーパターン露光を行い、しかる後電子ビー
ムを正規の位置に移動せしめマスクパターンの描画を行
うことで達成している。
げ）発明の実施例
以下添付図により本発明の詳細な説明する。
第３図は第２図のＡ点およびＢ点の前後の任意の点にお
けるビーム位置の変化を、座標測定器によって検出した
データの一例、第４図は本発明になる描画方法によるマ
スクの露光順序を示す図であり、第２図と同じ対象物は
同一符号で表している。
けるビーム位置の変化を、座標測定器によって検出した
データの一例、第４図は本発明になる描画方法によるマ
スクの露光順序を示す図であり、第２図と同じ対象物は
同一符号で表している。
第３図によれば通常の描画を行っているときにはビーム
位置は＋側にあってほぼ安定しているが、補正の直後は
一側に移動し時間の経過と共に＋側に移行していること
を示している。これは電子光学系コラムの内部壁面を汚
染した塵埃に帯電する静電気の量が、通常の描画作業を
行っている際は飽和状態に達して安定しているのに対し
、電子の流れがパターン描画モードと異なる補正作業を
行うことにより静電気の量が変化したための現象と考え
られる。
位置は＋側にあってほぼ安定しているが、補正の直後は
一側に移動し時間の経過と共に＋側に移行していること
を示している。これは電子光学系コラムの内部壁面を汚
染した塵埃に帯電する静電気の量が、通常の描画作業を
行っている際は飽和状態に達して安定しているのに対し
、電子の流れがパターン描画モードと異なる補正作業を
行うことにより静電気の量が変化したための現象と考え
られる。
そこで本発明になる方法では第４図に示す如く、Ａおよ
びＢ点から電子ビームを基準点Ｐに移動せしめて補正を
行い、補正の直後からビーム位置が安定するまでの間、
ステージ上に設けられた特定の場所で一定時間のダミー
パターンＤによる露光を行い、しかる後電子ビームを正
規の位置に移動せしめる一連のプログラムを描画情報の
中に組み込み、コンピユークシステムの記憶装置に記憶
させることで補正作業の後のパターンの段差を皆無にし
ている。
びＢ点から電子ビームを基準点Ｐに移動せしめて補正を
行い、補正の直後からビーム位置が安定するまでの間、
ステージ上に設けられた特定の場所で一定時間のダミー
パターンＤによる露光を行い、しかる後電子ビームを正
規の位置に移動せしめる一連のプログラムを描画情報の
中に組み込み、コンピユークシステムの記憶装置に記憶
させることで補正作業の後のパターンの段差を皆無にし
ている。
（ｇｌ 発明の効果
以上述べたように本発明によれば、電子ビーム露光装置
によるマスクパターンの描画におＬＪるパターンの段差
を皆無にすることができ、マスクパターンの品質向上に
寄与する描画方法を提供することができる。
によるマスクパターンの描画におＬＪるパターンの段差
を皆無にすることができ、マスクパターンの品質向上に
寄与する描画方法を提供することができる。
第１図は電子ビーム露光装置の概略構成図、第２図は一
般的なマスクの露光順序を示す図、第３図は第２図のＡ
点およびＢ点の前後の任意の点におけるビーム位置の変
化を、座標測定器によって検出したデータの一例、第４
図は本発明になる描画方法によるマスクの露光順序を示
す図である。 図においてＡおよびＢ点は補正する点、Ｐは基準点、Ｄ
はダミーパターン、１は乾板、２は各チップ毎のマスク
パターン、３の矢印はビームの移動。 方向を示す。 第３璽 （右ｍ） 察Ａ図
般的なマスクの露光順序を示す図、第３図は第２図のＡ
点およびＢ点の前後の任意の点におけるビーム位置の変
化を、座標測定器によって検出したデータの一例、第４
図は本発明になる描画方法によるマスクの露光順序を示
す図である。 図においてＡおよびＢ点は補正する点、Ｐは基準点、Ｄ
はダミーパターン、１は乾板、２は各チップ毎のマスク
パターン、３の矢印はビームの移動。 方向を示す。 第３璽 （右ｍ） 察Ａ図
Claims (1)
- 可変矩形電子ビーム露光装置によるマスクパターンの描
画工程において、描画の途中から電子ビームを基準点に
戻してビームの振り幅、スリットサイズ、ドリフト量等
を補正した後、ステージ上に設けられた特定の場所で一
定時間のダミーパターン露光を行い、しかる後電子ビー
ムを正規の位置に移動せしめマスクパターンの描画を行
うことを特徴とする電子ビーム描画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58194780A JPS6085519A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 電子ビ−ム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58194780A JPS6085519A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 電子ビ−ム描画方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6085519A true JPS6085519A (ja) | 1985-05-15 |
Family
ID=16330127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58194780A Pending JPS6085519A (ja) | 1983-10-18 | 1983-10-18 | 電子ビ−ム描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6085519A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021157301A1 (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及び記録媒体 |
-
1983
- 1983-10-18 JP JP58194780A patent/JPS6085519A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021157301A1 (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及び記録媒体 |
| JP2021125548A (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画用プログラム |
| TWI788762B (zh) * | 2020-02-05 | 2023-01-01 | 日商紐富來科技股份有限公司 | 荷電粒子束描繪裝置， 荷電粒子束描繪方法及荷電粒子束描繪用程式 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9495499B2 (en) | Compensation of dose inhomogeneity using overlapping exposure spots | |
| US20170357153A1 (en) | Method for Compensating Pattern Placement Errors Caused by Variation of Pattern Exposure Density in a Multi-Beam Writer | |
| JP2000133567A (ja) | 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 | |
| JP4074240B2 (ja) | 偏向歪み補正システム、偏向歪み補正方法、偏向歪み補正プログラム及び半導体装置の製造方法 | |
| US20080011965A1 (en) | Charged-particle beam pattern writing method and apparatus and software program for use therein | |
| US5892237A (en) | Charged particle beam exposure method and apparatus | |
| JP2960746B2 (ja) | ビーム照射方法および電子ビーム描画方法とビーム照射装置並びに電子ビーム描画装置 | |
| US6352799B1 (en) | Charged-particle-beam pattern-transfer methods and apparatus including beam-drift measurement and correction, and device manufacturing methods comprising same | |
| KR100257640B1 (ko) | 전자선 노광 방법 및 그 장치 | |
| KR102429977B1 (ko) | 멀티-빔 라이터 내의 패턴 노출 밀도의 변동에 기인하는 패턴 위치 에러를 보상하는 방법 | |
| JPS6085519A (ja) | 電子ビ−ム描画方法 | |
| US4424450A (en) | Hybrid moving stage and rastered electron beam lithography system employing approximate correction circuit | |
| JPH05251318A (ja) | 荷電粒子ビーム描画によるパターン形成方法 | |
| JP3388066B2 (ja) | 電子ビーム露光装置及びこの装置における偏向効率調整方法 | |
| JPS59169133A (ja) | パタ−ン修正装置 | |
| JPH05234863A (ja) | 電子線描画装置によるパターン描画方法 | |
| JPS63237526A (ja) | 荷電ビ−ム描画方法 | |
| JPS62160721A (ja) | 電子線描画装置 | |
| JP3194539B2 (ja) | 電子ビーム露光装置及び露光方法 | |
| KR100734252B1 (ko) | 빔 감지기를 포함한 이온주입장치 및 그에 의한 도즈량측정방법 | |
| JP2005340345A (ja) | 電子線装置、電子ビームの偏向位置歪み測定方法、電子ビームの偏向位置補正方法 | |
| JP2022153968A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 | |
| Rose et al. | Supporting 256-Mb and 1-Gb DRAM mask-making requirements with the Lepton EBES4 e-beam reticle generator | |
| JP2502704B2 (ja) | 電子ビ―ム描画方法 | |
| JP2020088276A (ja) | セトリング時間の取得方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |