JP5687838B2 - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
荷電粒子ビームを放出する放出部と、
荷電粒子ビームの複数のショットを順に基板上へと偏向する主副2段の偏向器と、
主副2段の偏向器の内、偏向領域が主偏向器よりも狭い副偏向器が偏向可能な第n番目の小領域内の荷電粒子ビームの最終ショットが完了する前に当該最終ショットが完了したことを示す完了信号を生成する完了信号生成部と、
主副2段の偏向器の偏向制御を行ない、完了信号を受信して第n+1番目の小領域への偏向制御処理を開始する偏向制御部と、
を備えたことを特徴とする。
完了信号生成部は、残りショット時間が所定の時間より短い場合に完了信号を生成すると好適である。
複数のショットデータをショット順に順次入力して格納する記憶装置と、
をさらに備え、
完了信号生成部は、第n番目の小領域内の荷電粒子ビームの最終ショット用のショットデータが記憶装置に入力された場合に完了信号を生成すると好適である。
第n番目の小領域内の最終ショット前に生成される事前信号と、第n番目の小領域用の識別情報との一方を検出した場合に、検出信号を出力する検出部と、
をさらに備え、
完了信号生成部は、検出信号を入力した場合に完了信号を生成すると好適である。
荷電粒子ビームの複数のショットを順に基板上へと偏向する主副2段の偏向器の内、偏向領域が主偏向器よりも狭い副偏向器が偏向可能な第n番目の小領域内の荷電粒子ビームの最終ショットが完了する前に当該最終ショットが完了したことを示す完了信号を生成する工程と、
完了信号を受信して当該最終ショットが完了する前に第n+1番目の小領域への偏向制御処理を開始する工程と、
前記第n番目の小領域内の残りショット時間を演算する工程と、
を備え、
前記残りショット時間が所定の時間より短い場合に前記完了信号を生成することを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型(VSB型)の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、ブランキング偏向器(ブランカー)212、ブランキングアパーチャ214、第1の成形アパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2の成形アパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画対象となるマスク等の試料216が配置される。
12SF残り時間演算部
14,18 検出部
16 判定部
20 SFE生成/送信部
22 FIFO回路
30,32 記憶装置
34 送信部
36 ショット完了識別情報生成部
100 描画装置
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
120 偏向制御回路
122,124,126 I/F回路
132,134,136,138 DACアンプユニット
140 記憶装置
150 描画部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 第1の成形アパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206 第2の成形アパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
212 ブランキング偏向器
214 ブランキングアパーチャ
216 試料
330 電子線
340 試料
410 第1のアパーチャ
411 開口
420 第2のアパーチャ
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (2)
- 荷電粒子ビームを放出する放出部と、
前記荷電粒子ビームの複数のショットを順に基板上へと偏向する主副2段の偏向器と、
前記主副2段の偏向器の内、偏向領域が主偏向器よりも狭い副偏向器が偏向可能な第n番目の小領域内の前記荷電粒子ビームの最終ショットが完了する前に当該最終ショットが完了したことを示す完了信号を生成する完了信号生成部と、
前記主副2段の偏向器の偏向制御を行ない、前記完了信号を受信して第n+1番目の小領域への偏向制御処理を開始する偏向制御部と、
を備え、
前記第n番目の小領域内の残りショット時間を演算する残り時間演算部をさらに備え、
前記完了信号生成部は、前記残りショット時間が所定の時間より短い場合に前記完了信号を生成し、
前記第n番目の小領域内の前記荷電粒子ビームの最終ショットが完了した時点以降に最終ショットが完了したことを示す識別情報を生成するショット完了識別情報生成部と、
前記第n番目の小領域内の最終ショット前に生成される事前信号と、前記第n番目の小領域用の前記識別情報との一方を検出した場合に、検出信号を出力する検出部と、
をさらに備え、
前記完了信号生成部は、前記検出信号を入力した場合に前記完了信号を生成することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記第n番目の小領域内へ複数回ショットするための複数のショットデータを生成するショットデータ生成部と、
前記複数のショットデータをショット順に順次入力して格納する記憶装置と、
をさらに備え、
前記完了信号生成部は、第n番目の小領域内の前記荷電粒子ビームの最終ショット用のショットデータが前記記憶装置に入力された場合に前記完了信号を生成することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
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