JP2016111180A - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents

Abstract

【目的】ＡＵ誤差に起因するパターンの寸法誤差を補正することが可能な描画装置を提供する。【構成】描画装置１００は、図形パターンが定義された設計データが描画装置に入力可能なフォーマットに変換された描画データに定義された図形パターンを用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部７４と、図形パターンが設計データに定義されている段階から図形パターンが実際に描画されるまでのデータ処理に使用される、それぞれ異なる複数のデータフォーマット間で生じるアドレスユニット（ＡＵ）誤差に起因する、設計データ上の図形パターンに対する実際に描画される図形パターンの寸法誤差を補正する補正項を演算する補正項演算部６８と、補正項を用いて照射量を補正する補正照射量演算部７６と、補正された照射量の荷電粒子ビームを用いて試料上に前記図形パターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図１

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に係り、例えば、データ変換時にＡＵ（アドレスユニット）の最小単位に丸められることで生じる誤差（ＡＵ誤差）に起因するパターンの寸法誤差を補正する装置および方法に関する。

近年のＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。そのために、優れた解像性を有する電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ）描画技術が例えば原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）の製造に用いられる。

図１３は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。可変成形型電子線描画装置は、以下のように動作する。第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式（ＶＳＢ方式）という。

まず、描画したい図形パターンが配置されたレイアウトデータ（設計データ）が作成されると、描画装置に入力可能なフォーマットの描画データへとデータ変換される。そして、かかる描画データが描画装置に入力されると、描画装置では、描画データを複数段のデータ変換処理を行って、描画データに定義された図形パターンを１回のビームのショットで照射可能な複数のショット図形に分割する。かかる複数のショット図形を繋ぎ合わせることで、レイアウトデータに定義された設計上の図形パターンを試料上に描画する。かかる一連の処理の際、データ上の図形サイズが、いくつかのデータ変換処理の前後でＡＵ（アドレスユニット）にずれが生じるため、最終的に描画される各ショット図形のサイズにかかるデータ変換時にＡＵ（アドレスユニット）の最小単位に丸められることで生じるＡＵ誤差に起因した誤差が生じる。その結果、レイアウトデータで定義した図形パターンのサイズに対して最終的に描画される図形パターンのサイズに誤差が生じる。ＡＵ誤差は、直接的には補正することが困難である。従来、ショットサイズに対して、かかる誤差のサイズが相対的に無視できる程度であったため、考慮されてこなかった。しかし、昨今のパターンの微細化に伴って、ショットサイズの微細化も進んでいる。

なお、ショット図形をサイズに応じて予め決められたリサイズ値でリサイズして、リサイズ処理されたショット図形に基づいて近接効果補正量を算出するという技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、ＡＵ誤差は、そもそもリサイズが困難な誤差であり、かかる技術によっても上述した問題を解決することは困難である。

特開２０１２−０１９０６６号公報

そこで、本発明は、かかる問題を克服し、ＡＵ誤差に起因するパターンの寸法誤差を補正することが可能な描画装置および方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
図形パターンが定義された設計データが描画装置に入力可能なフォーマットに変換された描画データを記憶する記憶部と、
描画データを読み出し、描画データに定義された図形パターンを用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部と、
図形パターンが設計データに定義されている段階から図形パターンが実際に描画されるまでのデータ処理に使用される、それぞれ異なる複数のデータフォーマット間で生じるアドレスユニット（ＡＵ）誤差に起因する、設計データ上の図形パターンに対する実際に描画される図形パターンの寸法誤差を補正する補正項を演算する補正項演算部と、
補正項を用いて照射量を補正する補正部と、
補正された照射量の荷電粒子ビームを用いて試料上に前記図形パターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。

また、補正項は、複数のデータフォーマットのうち、第１のデータフォーマットのデータに示す寸法の図形パターンを形成するのに適した第１の照射量と第２のデータフォーマットのデータに示す寸法の図形パターンを形成するのに適した第２の照射量との比を用いて演算されると好適である。

また、補正項は、第１と第２の照射量の第１の比と、複数のデータフォーマットのうち、第２の照射量と第３のデータフォーマットのデータに示す寸法の図形パターンを形成するのに適した第３の照射量との第２の比と、第３の照射量と第４のデータフォーマットのデータに示す寸法の図形パターンを形成するのに適した第４の照射量との第３の比と、を乗じることによって演算されると好適である。

本発明の他の態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
図形パターンが定義された設計データが描画装置に入力可能なフォーマットに変換された描画データを記憶する記憶部と、
描画データを読み出し、描画データに定義された図形パターンを用いて、図形パターンが設計データに定義されている段階から図形パターンが実際に描画されるまでのデータ処理に使用される、それぞれ異なる複数のデータフォーマット間で生じるアドレスユニット（ＡＵ）誤差に起因する、設計データ上の図形パターンに対する実際に描画される図形パターンの寸法誤差を演算する寸法誤差演算部と、
多重描画により図形パターンを描画する場合の少なくとも１つのパスにおいて照射される荷電粒子ビームの成形寸法を、寸法誤差に基づいて他のパスとは異なる寸法になるように調整する成形寸法調整部と、
多重描画のパス毎に、第１と第２のアパーチャ部材を用いて、調整された成形寸法に荷電粒子ビームを成形し、成形された荷電粒子ビームを用いて、試料上に図形パターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。

また、描画部は、第１と第２のアパーチャ部材間に配置された偏向器を有し、
偏向器に偏向電圧を印加するＤＡＣ（デジタルアナログ変換）アンプユニットをさらに備え、
成形寸法調整部は、ＤＡＣアンプユニットに出力する成形寸法データについて他のパスとは１ＡＵ分ずらした成形寸法に調整すると好適である。

本発明の他の態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
図形パターンが定義された設計データが描画装置に入力可能なフォーマットに変換された描画データを記憶する記憶部と、
描画データを読み出し、描画データに定義された図形パターンを用いて、図形パターンが設計データに定義されている段階から図形パターンが実際に描画されるまでのデータ処理に使用される、それぞれ異なる複数のデータフォーマット間で生じるアドレスユニット（ＡＵ）誤差に起因する、設計データ上の図形パターンに対する実際に描画される図形パターンの寸法誤差を演算する寸法誤差演算部と、
多重描画により図形パターンを描画する場合の少なくとも２つのパスにおいて、寸法誤差に基づいて、一方のグループのパス用のドーズ量に第１の係数を乗じて調整し、他方のグループのパス用のドーズ量に第２の係数を乗じて調整した調整ドーズ量を演算する調整ドーズ量演算部と、
多重描画のパス毎に、寸法誤差に基づいて調整されていない成形サイズであって、調整された調整ドーズ量の荷電粒子ビームを用いて、試料上に前記図形パターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
図形パターンが定義された設計データが描画装置に入力可能なフォーマットに変換された描画データを描画装置外部から入力し記憶装置に記憶する工程と、
記憶装置から描画データを読み出し、描画データに定義された図形パターンを用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する工程と、
図形パターンが設計データに定義されている段階から図形パターンが実際に描画されるまでのデータ処理に使用される、それぞれ異なる複数のデータフォーマット間で生じるアドレスユニット（ＡＵ）誤差に起因する、設計データ上の図形パターンに対する実際に描画される図形パターンの寸法誤差を補正する補正項を演算する工程と、
補正項を用いて照射量を補正する工程と、
補正された照射量の荷電粒子ビームを用いて試料上に図形パターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。

本発明の他の態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
図形パターンが定義された設計データが描画装置に入力可能なフォーマットに変換された描画データを描画装置外部から入力し記憶装置に記憶する工程と、
記憶装置から描画データを読み出し、描画データに定義された図形パターンを用いて、図形パターンが設計データに定義されている段階から図形パターンが実際に描画されるまでのデータ処理に使用される、それぞれ異なる複数のデータフォーマット間で生じるアドレスユニット（ＡＵ）誤差に起因する、設計データ上の図形パターンに対する実際に描画される図形パターンの寸法誤差を演算する工程と、
多重描画により図形パターンを描画する場合の少なくとも１つのパスにおいて照射される荷電粒子ビームの成形寸法を、寸法誤差に基づいて他のパスとは異なる寸法になるように調整する工程と、
多重描画のパス毎に、第１と第２のアパーチャ部材を用いて、調整された成形寸法に荷電粒子ビームを成形し、成形された荷電粒子ビームを用いて、試料上に前記図形パターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。

本発明の他の態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
図形パターンが定義された設計データが描画装置に入力可能なフォーマットに変換された描画データを描画装置外部から入力し記憶装置に記憶する工程と、
記憶装置から描画データを読み出し、描画データに定義された図形パターンを用いて、図形パターンが設計データに定義されている段階から図形パターンが実際に描画されるまでのデータ処理に使用される、それぞれ異なる複数のデータフォーマット間で生じるアドレスユニット（ＡＵ）誤差に起因する、設計データ上の図形パターンに対する実際に描画される図形パターンの寸法誤差を演算する工程と、
多重描画により図形パターンを描画する場合の少なくとも２つのパスにおいて、寸法誤差に基づいて、一方のグループのパス用のドーズ量に第１の係数を乗じて調整し、他方のグループのパス用のドーズ量に第２の係数を乗じて調整した調整ドーズ量を演算する工程と、
多重描画のパス毎に、寸法誤差に基づいて調整されていない成形サイズであって、調整された調整ドーズ量の荷電粒子ビームを用いて、試料上に前記図形パターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。

本発明の一態様によれば、ＡＵ誤差に起因するパターンの寸法誤差を補正できる。よって、精度の高い寸法でパターンを描画できる。

実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態１における各領域を説明するための概念図である。 実施の形態１における図形パターンのＡＵ誤差の一例を示す図である。 実施の形態１における設計上の図形パターンのサイズと変換後の図形パターンのサイズとの関係を示す図である。 実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。 実施の形態２における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態２における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。 実施の形態２におけるパス間の成形サイズの調整方法を説明するための図である。 実施の形態３における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態３における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。 実施の形態３における調整係数を演算する手法を説明するための図である。 実施の形態３における各パスのドーズプロファイルの一例を示す図である。 可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。

以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型（ＶＳＢ型）の描画装置の一例である。描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、ブランキング偏向器（ブランカー）２１２、ブランキングアパーチャ２１４、第１の成形アパーチャ２０３、投影レンズ２０４、成形偏向器２０５、第２の成形アパーチャ２０６、対物レンズ２０７、主偏向器２０８、及び副偏向器２０９が配置されている。描画室１０３内には、少なくともＸＹ方向に移動可能なＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、レジストが塗布された描画対象となる試料１０１（基板）が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造するための露光用のマスクやシリコンウェハ等が含まれる。マスクにはマスクブランクスが含まれる。

制御部１６０は、制御計算機１１０、メモリ１１２、偏向制御回路１２０、ＤＡＣ（デジタル・アナログコンバータ）アンプユニット１３０，１３２（偏向アンプ）、及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４２，１４４を有している。制御計算機１１０、メモリ１１２、偏向制御回路１２０、及び記憶装置１４０，１４２，１４４は、図示しないバスを介して互いに接続されている。偏向制御回路１２０にはＤＡＣアンプユニット１３０，１３２が接続されている。ＤＡＣアンプユニット１３０は、ブランキング偏向器２１２に接続されている。ＤＡＣアンプユニット１３２は、成形偏向器２０５に接続されている。主偏向器２０８、及び副偏向器２０９用のＤＡＣアンプユニットについては、記載を省略している。

また、制御計算機１１０内には、ショットデータ生成部６４、補正項演算部６８、照射量Ｄ（ｘ）演算部７４、補正照射量演算部７６、照射時間ｔ（ｘ）演算部７８、及び、描画制御部７９が配置される。ショットデータ生成部６４、補正項演算部６８、照射量Ｄ（ｘ）演算部７４、補正照射量演算部７６、照射時間ｔ（ｘ）演算部７８、及び、描画制御部７９といった各機能は、プログラムといったソフトウェアで構成されても良い。或いは、電子回路等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、これらの組み合わせであってもよい。制御計算機１１０内に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度メモリ１１２に記憶される。

図形パターンが定義されたレイアウトデータ（設計データ）が描画装置１００に入力可能なフォーマットに変換された描画データが描画装置１００の外部から入力され、記憶装置１４０（記憶部）に記憶（格納）されている。かかるレイアウトデータから描画データへの変換は外部装置によって実施されればよい。また、後述する各ＡＵずれ情報が描画装置１００の外部から入力され、記憶装置１４４に格納されている。ＡＵずれ情報には、各データのデータフォーマットのＡＵの最小単位ＡＵｕｎｉｔの情報が含まれる。

ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。

図２は、実施の形態１における各領域を説明するための概念図である。図２において、試料１０１の描画領域１０は、主偏向器２０８の偏向可能幅で、例えばｙ方向に向かって短冊状に複数のストライプ領域２０に仮想分割される。また、各ストライプ領域２０は、副偏向器２０９の偏向可能サイズで、メッシュ状に複数のサブフィールド（ＳＦ）３０（小領域）に仮想分割される。そして、各ＳＦ３０内の各ショット位置４２にショット図形が描画される。

偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプユニット１３０に対して、ブランキング制御用のデジタル信号が出力される。そして、ＤＡＣアンプユニット１３０では、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、ブランキング偏向器２１２に印加する。かかる偏向電圧によって電子ビーム２００が偏向させられ、各ショットのビームが形成される。

偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプユニット１３２に対して、成形偏向制御用のデジタル信号が出力される。そして、ＤＡＣアンプユニット１３２では、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、成形偏向器２０５に印加する。かかる偏向電圧によって電子ビーム２００が偏向させられ、各ショットのビームの図形種とサイズが決定される。

描画装置１００では、複数段の偏向器を用いて、ストライプ領域２０毎に描画処理を進めていく。ここでは、一例として、主偏向器２０８、及び副偏向器２０９といった２段偏向器が用いられる。ＸＹステージ１０５が例えば−ｘ方向に向かって連続移動しながら、１番目のストライプ領域２０についてｘ方向に向かって描画を進めていく。そして、１番目のストライプ領域２０の描画終了後、同様に、或いは逆方向に向かって２番目のストライプ領域２０の描画を進めていく。以降、同様に、３番目以降のストライプ領域２０の描画を進めていく。そして、主偏向器２０８が、ＸＹステージ１０５の移動に追従するように、ＳＦ３０の基準位置Ａに電子ビーム２００を順に偏向する。また、副偏向器２０９（第２の偏向器）が、各ＳＦ３０の基準位置Ａから、当該ＳＦ３０内に照射されるビームのショット位置４２に電子ビーム２００を偏向する。このように、主偏向器２０８、及び副偏向器２０９は、サイズの異なる偏向領域をもつ。

図３は、実施の形態１における図形パターンのＡＵ誤差の一例を示す図である。上述したように、設計上の図形パターンが配置されたレイアウトデータ（設計データ）が、描画装置１００に入力可能なフォーマットの描画データに変換され、かかる描画データが描画装置１００に入力される。レイアウトデータと描画データではデータフォーマットが異なるため、変換の際、ＡＵ（アドレスユニット）にずれが生じる。その結果、各データ上の値はＡＵグリッドに丸められるので定義される図形パターンのサイズにもデータ変換時にＡＵ（アドレスユニット）の最小単位に丸められることで生じるＡＵ誤差（ａ）が生じる。さらに、描画装置１００では、描画データを複数段のデータ変換処理を行って、描画データ上の図形パターンを１回のビームのショットで照射可能な複数のショット図形に分割する。かかる複数のショット図形を繋ぎ合わせることで、設計上の図形パターンを試料上に描画する。かかるショット図形に分割する際、ショット図形が定義されるショットデータのデータフォーマットが描画データと異なるため、変換の際、ＡＵにずれが生じる。その結果、分割されたショット図形のサイズにもＡＵ誤差（ｂ）が生じる。さらに、ショット図形を定義したショットデータが、ビーム成形する偏向電圧を生成するＤＡＣアンプ１３２でデジタル信号をアナログ信号に変換する際にも、ＤＡＣアンプ１３２のデジタル信号のＡＵがショットデータ上のＡＵと異なる場合があるため、ＡＵにずれが生じる。その結果、描画されるショット図形のサイズにさらにＡＵ誤差（ｃ）が生じる。このように、レイアウトデータ上（設計上）の段階から実際に描画される段階までの間に、ＡＵ誤差（ａ）からＡＵ誤差（ｃ）といった複数のＡＵ誤差（例えば、３回のＡＵ誤差）が積み重なり得る。例えば、１ＡＵを１ｎｍに設定した場合に、１ＡＵあたり、ＡＵ誤差（ａ）として、例えば、０．１ｎｍの誤差が生じる。ＡＵ誤差（ｂ）として、例えば、０．１２５ｎｍの誤差が生じる。ＡＵ誤差（ｃ）として、例えば、０．０６ｎｍの誤差が生じる。図３の例では、設計上の理想的な矩形の図形５０に対して、実際に生成される図形５２は、ＡＵ誤差δ分だけ、例えば、小さくなり、サイズに誤差が生じる。

図４は、実施の形態１における設計上の図形パターンのサイズと変換後の図形パターンのサイズとの関係を示す図である。図４の例では、上述した例えば３回のＡＵ誤差発生原因となる各工程において、それぞれ、例えば、設計上の理想的な図形サイズＬに対して、変換後の図形は、図４（ａ）に示すサイズＬ’_１、若しくは図４（ｂ）に示すサイズＬ’_２となる。その際、設計上の理想的な図形サイズＬと、ＡＵの最小単位ＡＵｕｎｉｔと、描画の最初(もしくはストライプ領域を描画する毎)のオフセット（成形オフセット）調整後に残る誤差Δが決まれば、データ変換前後のＡＵの差により丸められることで図４（ａ）に示すＡＵ誤差δ１或いは図４（ｂ）に示すＡＵ誤差δ２が求まる。誤差Δは、オフセット調整後の描画の最初、もしくはストライプ領域を描画する毎に得られる。なお、サイズＬ’_１＝Ｌ’_２となるが、δ１≠δ２となる。図形サイズＬが小さい方が、大きい場合に比べて、変換後の図形のサイズへ誤差が与える影響は大きくなる。なお、複数の処理工程で生じるＡＵ誤差の値は、処理工程毎に異なることは言うまでもない。

なお、レイアウトデータと描画データとの間でのＡＵずれの情報と、描画データとショットデータの間でのＡＵずれの情報と、ショットデータとＤＡＣアンプ制御データとの間でのＡＵずれの情報とは、それぞれの仕様が定まれば、予め、描画装置１００に入力できる。よって、ＡＵの最小単位ＡＵｕｎｉｔがわかる。また、描画の最初（もしくはストライプ領域を描画する毎）のオフセット調整後に残る誤差Δは、オフセット調整後に、描画制御部７９から入力すればよい。よって、描画データに定義される図形パターン毎に、当該図形パターンについてのＡＵ誤差（ａ）からＡＵ誤差（ｃ）といった複数のＡＵ誤差のそれぞれに起因する寸法ずれ量が演算できる。同様に、当該図形パターンがショット分割された後の各ショット図形についてのＡＵ誤差（ａ）からＡＵ誤差（ｃ）といった複数のＡＵ誤差のそれぞれに起因する寸法ずれ量が演算できる。よって、実施の形態１では、かかるＡＵ誤差に起因する図形パターンの寸法誤差を補正する。

図５は、実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図５において、実施の形態１における描画方法は、ショットデータ生成工程（Ｓ１０２）と、照射量Ｄ（ｘ）演算工程（Ｓ２０４）と、補正項演算工程（Ｓ２０６）と、補正照射量演算工程（Ｓ２１４）と、描画工程（Ｓ２２０）と、いう一連の工程を実施する。かかる一連の各工程はストライプ領域毎に実施される。すなわち、前のストライプ領域の描画工程（Ｓ２２０）が終了する前に次のストライプ領域のショットデータ生成工程（Ｓ１０２）から補正照射量演算工程（Ｓ２１４）までの各工程が終了するようにリアルタイム処理が実施される。その際、描画制御部７９は、当該ストライプ領域用の補正項演算工程（Ｓ２０６）が開始されるまでに当該ストライプ領域のオフセット調整を終了させておく。これにより、オフセット調整後の誤差Δを得ることができる。

まず、外部装置において、図形パターンが定義されたレイアウトデータ（設計データ）が描画装置１００に入力可能なフォーマットの描画データに変換される。描画データは、上述したように描画装置１００に入力され、記憶装置１４０に記憶される。かかるフォーマット変換の際、各図形パターンの寸法（サイズ）には、ＡＵ誤差（ａ）が含まれる。

ショットデータ生成工程（Ｓ１０２）として、ショットデータ生成部６４は、記憶装置１４０から描画データを読み出し、描画データに定義された図形パターンを、１回の電子ビーム２００のショットで照射可能なサイズの複数のショット図形に分割する。描画データは、例えば、描画対象チップのチップ領域を短冊上に仮想分割されたフレーム領域毎にファイル構成されている。また、チップには複数の図形パターンが配置されるが、描画装置１００では、１回のビームショットで形成可能なサイズが限られている。そのため、データ変換処理の中で、各図形パターンは、１回のビームショットで形成可能なショット図形に分割される。これにより、各ショット図形の図形種、サイズ、位置等がショットデータとして生成される。ショットデータは、順次、記憶装置１４２に格納される。かかるショット分割の際、各ショット図形のサイズには、ＡＵ誤差（ｂ）が含まれる。

照射量Ｄ（ｘ）演算工程（Ｓ２０４）として、Ｄ（ｘ）演算部７４は、記憶装置１４０から描画データを読み出し、描画データに定義される図形パターンを用いて、電子ビーム２００の照射量Ｄ（ｘ）を演算する。試料１０１の描画領域を所定のサイズの複数のメッシュ領域に分割して、メッシュ領域毎に照射量を演算する。例えば、近接効果等を補正する場合には、近接効果補正照射係数Ｄｐ（ｘ）を演算して、近接効果補正照射係数Ｄｐ（ｘ）と基準照射量Ｄｂの積を演算することにより求めることができる。

補正項演算工程（Ｓ２０６）として、補正項演算部６８は、図形パターンがレイアウトデータに定義されている段階から図形パターンが実際に描画されるまでのデータ処理に使用される、それぞれ異なる複数のデータフォーマット間で生じるＡＵ誤差に起因する、設計データ上の図形パターンに対する実際に描画される図形パターンの寸法誤差を補正する補正項を演算する。具体的には、以下のように演算する。まず、記憶装置１４０から描画データを読み出すと共に、記憶装置１４４からＡＵずれ情報を読み出し、当該ストライプ領域のオフセット調整後の誤差Δを入力し、ＡＵずれ情報とオフセット調整後の誤差Δを用いて、レイアウトデータに定義されている図形パターンの寸法を例えば理想値（基準値１）とした場合に、レイアウトデータから描画データに変換された際のＡＵ誤差（ａ）を含む図形パターンの寸法を演算する。そして、描画データに定義されている図形パターンの寸法を例えば理想値（基準値２）とした場合に、描画データに定義されている図形パターンをショット分割した後のショットデータに定義されるＡＵ誤差（ｂ）を含む各ショット図形の寸法を演算する。そして、ショットデータに定義されているショット図形の寸法を例えば理想値（基準値３）とした場合に、ショットデータに定義されているショット図形をビーム成形するＤＡＣアンプ１３２に出力するＤＡＣアンプ制御データに変換された際のＡＵ誤差（ｃ）を含む各ショット図形の寸法を演算する。

ここで、レイアウトデータ（第１のデータフォーマットのデータ）に示す寸法（基準値１）の図形パターンを形成する場合には、かかる寸法形成に適した照射量Ｄ１（第１の照射量）が存在する。一方、描画データ（第２のデータフォーマットのデータ）に示す、基準値１に対してＡＵ誤差（ａ）が加算された寸法の図形パターンを形成する場合には、かかる寸法形成に適した照射量Ｄ２（第２の照射量）が存在する。また、ショットデータ（第３のデータフォーマットのデータ）に示す、基準値２に対してＡＵ誤差（ｂ）が加算された寸法の図形パターンを形成する場合には、かかる寸法形成に適した照射量Ｄ３（第３の照射量）が存在する。そして、ＤＡＣアンプ制御データ（第４のデータフォーマットのデータ）に示す、基準値３に対してＡＵ誤差（ｃ）が加算された寸法の図形パターンを形成する場合には、かかる寸法形成に適した照射量Ｄ４（第４の照射量）が存在する。なお、記憶装置１４４には、図示しない照射量と寸法ＣＤとの関係データを予め記憶しておき、それぞれの寸法形成に適した照射量Ｄ１〜Ｄ４は、かかる照射量と寸法ＣＤとの関係データから取得すればよい。基準値１〜３は、いずれもＡＵ誤差が無いと仮定した値である。よって、ここでの基準値１〜３に適した照射量はいずれもＤ１と見做すことができる。

ＡＵ誤差（ａ）が生じる前後での基準値１に対する図形パターンの寸法比は、照射量で換算すると、照射量Ｄ１と照射量Ｄ２の比（Ｄ２／Ｄ１）（第１の比）で定義できる。同様に、ＡＵ誤差（ｂ）が生じる前後での基準値２に対する図形パターンの寸法比は、照射量で換算すると、照射量Ｄ１と照射量Ｄ３の比（Ｄ３／Ｄ１）（第２の比）で定義できる。同様に、ＡＵ誤差（ｃ）が生じる前後での基準値３に対する図形パターンの寸法比は、照射量で換算すると、照射量Ｄ１と照射量Ｄ４の比（Ｄ４／Ｄ１）（第３の比）で定義できる。ＡＵ誤差（ａ）が生じる前の設計上の図形パターンＬと、実際に描画される図形パターンの寸法Ｌ’の比（Ｌ’／Ｌ）は、これらの比を合成した値で定義できる。かかる合成値は誤差を生じさせる照射量分なので、これを補正するように補正項ΔＤ（ｘ）（補正係数）を演算すればよい。よって、補正項演算部６８は、補正項ΔＤ（ｘ）として、式（１）に示すように１から比Ｄ２／Ｄ１と比Ｄ３／Ｄ１と比Ｄ４／Ｄ１との積を差分した値を演算する。ｘは、位置（ベクトル）を示す。

なお、上述した例では、ＡＵ誤差が生じる各データ変換処理の変換前の寸法をそれぞれ基準値として、変換後の相対的な寸法を求めているため、その時点だけのＡＵ誤差が含まれることを前提にしているが、これに限るものではない。ＡＵ誤差を順に累積加算し、実際の寸法として、それぞれ求めてもよい。そして、それぞれ実際の寸法に適した照射量をＤ１，Ｄ２’，Ｄ３’，Ｄ４’としてもよい。かかる場合には、補正項ΔＤ（ｘ）として、１から比Ｄ２’／Ｄ１と比Ｄ３’／Ｄ２’と比Ｄ４’／Ｄ３’との積を差分した値を演算すればよい。また、比Ｄ２’／Ｄ１と比Ｄ３’／Ｄ２’と比Ｄ４’／Ｄ３’との積は、比Ｄ４’／Ｄ１と同じ値になる。よって、基準値に適した照射量Ｄ１と、ＡＵ誤差を順に累積加算し、ＡＵ誤差（ｃ）が生じた後のＡＵ誤差（ａ）〜（ｃ）のすべてを含む実際に描画される寸法に適した照射量Ｄ４’を求めて、１から比Ｄ４’／Ｄ１を差分した値を演算することによって補正項ΔＤ（ｘ）を演算してもよい。

補正照射量演算工程（Ｓ２１４）として、補正照射量演算部（補正部）は、補正項を用いて照射量Ｄ（ｘ）を補正する。具体的には、補正照射量Ｄ’（ｘ）は、式（２）に示す照射量Ｄ（ｘ）と補正項ΔＤ（ｘ）との積によって求めることができる。

そして、照射時間ｔ（ｘ）演算部７８は、得られた補正照射量Ｄ’（ｘ）を電流密度Ｊで割ることで照射時間を演算する。演算された照射時間データ（照射量データ）は、記憶装置１４２に格納される。

描画工程（Ｓ２２０）として、描画制御部８６は、偏向制御回路１２０等を介して描画部１５０を制御して、描画処理を開始する。描画部１５０は、演算された補正照射量Ｄ’（ｘ）の電子ビーム２００を用いて試料１０１上に図形パターンを描画する。具体的には、以下のように動作する。偏向制御回路１２０は、記憶装置１４２に格納された照射時間データを取得する。そして、偏向制御回路１２０は、ショット毎の照射時間を制御するデジタル信号をＤＡＣアンプユニット１３０に出力する。そして、ＤＡＣアンプユニット１３０は、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅した上で偏向電圧としてブランキング偏向器２１２に印加する。

電子銃２０１（放出部）から放出された電子ビーム２００は、ブランキング偏向器２１２内を通過する際にブランキング偏向器２１２によって、ビームＯＮの状態では、ブランキングアパーチャ２１４を通過するように制御され、ビームＯＦＦの状態では、ビーム全体がブランキングアパーチャ２１４で遮へいされるように偏向される。ビームＯＦＦの状態からビームＯＮとなり、その後ビームＯＦＦになるまでにブランキングアパーチャ２１４を通過した電子ビーム２００が１回の電子ビームのショットとなる。ブランキング偏向器２１２は、通過する電子ビーム２００の向きを制御して、ビームＯＮの状態とビームＯＦＦの状態とを交互に生成する。例えば、ビームＯＮの状態では電圧を印加せず、ビームＯＦＦの際にブランキング偏向器２１２に電圧を印加すればよい。かかる各ショットの照射時間で試料１０１に照射される電子ビーム２００のショットあたりの照射量が調整されることになる。

以上のようにブランキング偏向器２１２とブランキングアパーチャ２１４を通過することによって生成された各ショットの電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形の穴を持つ第１の成形アパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形に成形する。そして、第１の成形アパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２の成形アパーチャ２０６上に投影される。成形偏向器２０５によって、かかる第２の成形アパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させる（可変成形を行なう）ことができる。かかる可変成形はショット毎に行なわれ、通常ショット毎に異なるビーム形状と寸法に成形される。そして、第２の成形アパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、主偏向器２０８、及び副偏向器２０９によって偏向され、連続的に移動するＸＹステージ１０５に配置された試料１０１の所望する位置に照射される。

以上のように、実施の形態１によれば、一連のＡＵ誤差によって、パターンサイズそのものをそれ以上補正することが困難な場合であっても、照射量の変調によって補正できる。よって、かかる一連のＡＵ誤差に起因するパターンの寸法誤差を補正できる。よって、精度の高い寸法でパターンを描画できる。

実施の形態２．
実施の形態１では、一連のＡＵ誤差によって生じた誤差を含む寸法と設計寸法との比を照射量比に換算して、かかる一連のＡＵ誤差によって生じた誤差寸法を補正する場合について説明した。一連のＡＵ誤差によって生じた誤差寸法を補正する手法はこれに限るものではない。実施の形態２では、多重描画を用いて補正する手法について説明する。

図６は、実施の形態２における描画装置の構成を示す概念図である。図６において、制御計算機１１０内に、補正項演算部６８、及び補正照射量演算部７６の代わりに、寸法誤差演算部６７、成形データ調整部７５、及びパス照射量演算部７７を配置する。その他の構成は、図１と同様である。

ショットデータ生成部６４、寸法誤差演算部６７、照射量Ｄ（ｘ）演算部７４、成形データ調整部７５、パス照射量演算部７７、照射時間ｔ（ｘ）演算部７８、及び、描画制御部７９といった各機能は、プログラムといったソフトウェアで構成されても良い。或いは、電子回路等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、これらの組み合わせであってもよい。制御計算機１１０内に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度メモリ１１２に記憶される。

図７は、実施の形態２における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図７において、実施の形態２における描画方法は、ショットデータ生成工程（Ｓ１０２）と、照射量演算工程（Ｓ２０４）と、寸法誤差演算工程（Ｓ２１０）と、成形寸法調整工程（Ｓ２１２）と、パス毎の照射量演算工程（Ｓ２１６）と、描画工程（Ｓ２２０）と、いう一連の工程を実施する。以下、特に説明した点以外の内容は実施の形態１と同様である。

ショットデータ生成工程（Ｓ１０２）と、照射量演算工程（Ｓ２０４）の内容は実施の形態１と同様である。なお、ショットデータ生成工程（Ｓ１０２）において、実施の形態２では、多重描画を行うことを前提とするため、多重描画のパス毎にショットデータを生成する。

寸法誤差演算工程（Ｓ２１０）として、寸法誤差演算部６７は、記憶装置１４０から描画データを読み出し、描画データに定義された図形パターンを用いて、図形パターンがレイアウトデータ（設計データ）に定義されている段階から図形パターンが実際に描画されるまでのデータ処理に使用される、それぞれ異なる複数のデータフォーマット間で生じるＡＵ誤差に起因する、設計データ上の図形パターンに対する実際に描画される図形パターンの寸法誤差を演算する。

具体的には、以下のように演算する。まず、記憶装置１４０から描画データを読み出すと共に、記憶装置１４４からＡＵずれ情報を読み出し、ＡＵずれ情報を用いて、レイアウトデータに定義されている図形パターンの寸法を例えば理想値（基準値）とした場合に、レイアウトデータから描画データに変換された際のＡＵ誤差（ａ）を含む図形パターンの寸法を演算する。そして、描画データに定義されている図形パターンの寸法を例えば理想値（基準値）とした場合に、描画データに定義されている図形パターンをショット分割した後のショットデータに定義されるＡＵ誤差（ｂ）を含む各ショット図形の寸法を演算する。そして、ショットデータに定義されているショット図形の寸法を例えば理想値（基準値）とした場合に、ショットデータに定義されているショット図形をビーム成形するＤＡＣアンプ１３２に出力するＤＡＣアンプ制御データに変換された際のＡＵ誤差（ｃ）を含む各ショット図形の寸法を演算する。そして、それぞれ基準値からの誤差分を合計する。これにより、設計データ上の図形パターンに対する実際に描画される図形パターンの寸法誤差が演算できる。かかる寸法誤差（誤差分の合計）は通常、１ＡＵよりも小さい値となる。

成形寸法調整工程（Ｓ２１２）として、成形データ調整部７５（成形寸法調整部）は、多重描画により図形パターンを描画する場合の少なくとも１つのパスにおいて照射される電子ビームの成形寸法を、得られた寸法誤差に基づいて他のパスとは異なる寸法になるように調整する。

図８は、実施の形態２におけるパス間の成形サイズの調整方法を説明するための図である。図８において、縦軸にショット図形の成形サイズ（ＡＵ）を示す。横軸に設計上のショット図形のサイズを示す。設計上のショット図形の成形サイズＬに対して、ＤＡＣアンプ制御データには成形サイズＬ’が定義される。数値上、ＬとＬ’は同じ値を示す。しかしながら、成形サイズＬ’には、ＡＵ誤差（ａ）〜（ｃ）が含まれているので、実際に描画されるショット図形のサイズを設計上の成形サイズＬにするためには誤差δが不足する。しかし、ＤＡＣアンプ１３２の制御上、かかる（Ｌ＋δ）に成形サイズを合わせることは困難である。そこで、例えば、多重度Ｎ＝２の多重描画を行う場合に、１パス目に成形サイズＬ’のＡＵ値（ａ）に合わせて電子ビームを成形し、２パス目に成形サイズＬ’のＡＵ値（ａ）に誤差方向に１ＡＵずらしたＡＵ値（ｂ）に合わせて電子ビームを成形するように電子ビームの成形寸法を調整する。成形データ調整部７５は、ＤＡＣアンプユニット１３２に出力する成形寸法データについて他のパスとは１ＡＵ分ずらした成形寸法に調整する。具体的には、成形データ調整部７５は、各パスのショットデータに定義される成形サイズ（ショットサイズ）を必要に応じて変更（シフト）する。図８の例では、同じ位置にショットするショット図形の２パス目用のショットデータのショットサイズを１ＡＵ分変更（シフト）する。これにより、１パス目の成形サイズＡＵ値と２パス目の成形サイズＡＵ値との間の寸法が設計寸法になるように調整する。

かかる１ＡＵ分異なる寸法の電子ビームを多重描画することで、多重描画後の寸法を設計寸法に近づけることができる。なお、寸法誤差（誤差分の合計）が１ＡＵよりも大きくなった場合（例えばｋＡＵ）には、ｋＡＵ分異なる寸法の電子ビームを多重描画すればよい。

パス毎の照射量演算工程（Ｓ２１６）として、パス照射量演算部７７は、パス毎の各メッシュ領域の照射量を演算する。多重度Ｎであれば、１パス分の照射量を、例えば、Ｄ_ｋ（ｘ）＝Ｄ（ｘ）／Ｎとすればよい。或いはパス毎に照射量の値を変更してもよい。ｋは、パス番号を示す。

そして、照射時間ｔ（ｘ）演算部７８は、得られたパス毎の照射量Ｄ_ｋ（ｘ）を電流密度Ｊで割ることで照射時間を演算する。演算された照射時間データ（照射量データ）は、記憶装置１４２に格納される。

描画工程（Ｓ２２０）として、描画部１５０は、多重描画のパス毎に、第１と第２のアパーチャ部材２０３，２０６を用いて、調整された成形寸法に電子ビームを成形し、成形された電子ビーム２００を用いて、試料１０１上に図形パターンを描画する。具体的な動作内容は実施の形態１と同様である。電子ビームの成形寸法は、成形偏向器２０５の偏向量によって定まる。よって、成形偏向器２０５の偏向量を調整することでパス毎に成形寸法を調整できる。多重描画の方法は、ストライプ領域毎に位置をずらしながら多重描画を行っても良いし、１パス目のすべてのストライプ領域の描画処理が終了後に２パス目のすべてのストライプ領域の描画処理を行うようにしてもよい。

以上のように、実施の形態２によれば、多重描画を利用して、リサイズ困難なＡＵ誤差に起因するパターンの寸法誤差を補正できる。よって、精度の高い寸法でパターンを描画できる。

実施の形態３．
実施の形態２では、多重描画の各パスの成形寸法自体をリサイズ調整することによって一連のＡＵ誤差によって生じた誤差寸法を小さくする場合について説明した。多重描画を用いて一連のＡＵ誤差によって生じた誤差寸法を補正する手法はこれに限るものではない。実施の形態３では、各パスの成形寸法自体をリサイズ調整する代わりに、多重描画の各パスのドーズ量（照射量）を調整することによって補正する手法について説明する。

図９は、実施の形態３における描画装置の構成を示す概念図である。図９において、制御計算機１１０内の成形データ調整部７５を削除した点以外は、図６と同様である。

ショットデータ生成部６４、寸法誤差演算部６７、照射量Ｄ（ｘ）演算部７４、パス照射量演算部７７、照射時間ｔ（ｘ）演算部７８、及び、描画制御部７９といった各機能は、プログラムといったソフトウェアで構成されても良い。或いは、電子回路等のハードウェアで構成されてもよい。或いは、これらの組み合わせであってもよい。制御計算機１１０内に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度メモリ１１２に記憶される。

図１０は、実施の形態３における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図１０において、実施の形態３における描画方法は、ショットデータ生成工程（Ｓ１０２）と、照射量演算工程（Ｓ２０４）と、寸法誤差演算工程（Ｓ２１０）と、パス毎の照射量演算工程（Ｓ２１６）と、パス毎の照射量調整工程（Ｓ２１９）と、描画工程（Ｓ２２０）と、いう一連の工程を実施する。以下、特に説明した点以外の内容は実施の形態２と同様である。

ショットデータ生成工程（Ｓ１０２）から寸法誤差演算工程（Ｓ２１０）までの各工程の内容と、パス毎の照射量演算工程（Ｓ２１６）までの各工程の内容とは実施の形態２と同様である。

パス毎の照射量演算工程（Ｓ２１９）として、パス照射量演算部７７（調整ドーズ量演算部）は、多重描画により図形パターンを描画する場合の少なくとも２つのパスにおいて、寸法誤差に基づいて、一方のグループのパス用のドーズ量に係数（１）（第１の係数）を乗じて調整し、他方のグループのパス用のドーズ量に係数（２）（第２の係数）を乗じて調整した調整ドーズ量を演算する。

図１１は、実施の形態３における調整係数を演算する手法を説明するための図である。図１１では、例えば、多重度＝２（２パス）で多重描画する場合の例を示している。実施の形態２では、１パス目の成形サイズをｘ１にし、２パス目の成形サイズをｘ２にするといったように、１パス目と２パス目において１ＡＵ分ずらしてビーム成形することを説明した。かかる場合、本来のドーズ量Ｄ_０／２で１パス目と２パス目のビーム照射を行った場合、多重度＝２（２パス）の多重描画では、試料上に形成されるパターンのサイズは、図１１に示すように、ｘ０（＝ｘ１＋（ｘ２−ｘ１）／２）となる。しかし、設計サイズＬとはまだずれが残る。そこで、実施の形態３では、１ＡＵ分ずらしてビーム成形する場合の１パス目の成形サイズｘ１と設計サイズＬと差ｎと、２パス目の成形サイズｘ２と設計サイズＬと差ｍとを用いて、ドーズ量を線形補間する。具体的には、１パス目のドーズ量として、照射量演算工程（Ｓ２０４）で求めたドーズ量Ｄ_０にｍ／（ｍ＋ｎ）で求まる係数（１）を乗じた調整ドーズ量Ｄ_１を演算する。同様に、２パス目のドーズ量として、照射量演算工程（Ｓ２０４）で求めたドーズ量Ｄ_０にｎ／（ｍ＋ｎ）で求まる係数（２）を乗じた調整ドーズ量Ｄ_２を演算する。

図１２は、実施の形態３における各パスのドーズプロファイルの一例を示す図である。図１２（ａ）では、１パス目の調整ドーズ量Ｄ_１のドーズプロファイルの一例を示す。図１２（ｂ）では、２パス目の調整ドーズ量Ｄ_２のドーズプロファイルの一例を示す。かかる各パスのドーズ量が多重描画によって合成加算されることによって、ＡＵ誤差を無くす、或いは小さくできる。

なお、多重度Ｎが２よりも大きい場合、各パスをグループ（１）とグループ（２）に振り分ける。そして、グループ（１）の各パス用のドーズ量として、照射量演算工程（Ｓ２０４）で求めたドーズ量Ｄ_０にｍ／｛ａ（ｍ＋ｎ）｝で求まる係数（３）（第１の係数）を乗じた調整ドーズ量Ｄ_１を演算する。グループ（２）の各パス用のドーズ量として、照射量演算工程（Ｓ２０４）で求めたドーズ量Ｄ_０にｎ／｛ｂ（ｍ＋ｎ）｝で求まる係数（４）（第２の係数）を乗じた調整ドーズ量Ｄ_２を演算する。なお、ａはグループ（１）のパスの数、ｂはグループ（２）のパスの数とすればよい。

或いは、多重度Ｎが２よりも大きい場合、Ｎ個のパスのうち、α個（αは２以上の整数）をＡＵ誤差の調整用に使用する場合、かかるα個のパスをグループ（１）とグループ（２）に振り分ける。そして、グループ（１）の各パス用のドーズ量として、照射量演算工程（Ｓ２０４）で求めたドーズ量Ｄ_０にαｍ／｛ａ（ｍ＋ｎ）Ｎ｝で求まる係数（５）（第１の係数）を乗じた調整ドーズ量Ｄ_１を演算する。グループ（２）の各パス用のドーズ量として、照射量演算工程（Ｓ２０４）で求めたドーズ量Ｄ_０にαｎ／｛ｂ（ｍ＋ｎ）Ｎ｝で求まる係数（６）（第２の係数）を乗じた調整ドーズ量Ｄ_２を演算する。なお、ａはグループ（１）のパスの数、ｂはグループ（２）のパスの数とすればよい。α個のパスとは異なる残りのパスについては、照射量演算工程（Ｓ２０４）で求めたドーズ量Ｄ_０に１／Ｎを乗じたドーズ量にすればよい。

そして、照射時間ｔ（ｘ）演算部７８は、得られたパス毎の照射量Ｄ_ｋ（ｘ）を電流密度Ｊで割ることで照射時間を演算する。演算された照射時間データ（照射量データ）は、記憶装置１４２に格納される。ｋは、パス番号を示す。

描画工程（Ｓ２２０）として、描画部１５０は、多重描画のパス毎に、寸法誤差に基づいて調整されていない成形サイズであって、調整された調整ドーズ量の電子ビームを用いて、試料１０１上に図形パターンを描画する。具体的な動作内容は実施の形態１と同様である。実施の形態３では、電子ビームの成形寸法を調整する代わりに、照射するドーズ量で調整する。特に、ＡＵ誤差に基づいて線形補間を行うことで、より高精度にＡＵ誤差を補正できる。

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置及び方法は、本発明の範囲に包含される。

１０ 描画領域
２０ ストライプ領域
３０ ＳＦ
６４ ショットデータ生成部
６７ 寸法誤差演算部
６８ 補正項演算部
７４ 照射量演算部
７５ 成形データ調整部
７６ 補正照射量演算部
７７ パス照射量演算部
７８ 照射時間演算部
７９ 描画制御部
１００ 描画装置
１０１ 試料
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１１０ 制御計算機
１１２ メモリ
１２０ 偏向制御回路
１３０，１３２ ＤＡＣアンプユニット
１４０，１４２ 記憶装置
１５０ 描画部
１６０ 制御部
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０２ 照明レンズ
２０３ 第１の成形アパーチャ
２０４ 投影レンズ
２０５ 成形偏向器
２０６ 第２の成形アパーチャ
２０７ 対物レンズ
２０８ 主偏向器
２０９ 副偏向器
２１２ ブランキング偏向器
２１４ ブランキングアパーチャ
３３０ 電子線
３４０ 試料
４１０ 第１のアパーチャ
４１１ 開口
４２０ 第２のアパーチャ
４２１ 可変成形開口
４３０ 荷電粒子ソース

Claims (9)

1. 図形パターンが定義された設計データが描画装置に入力可能なフォーマットに変換された描画データを記憶する記憶部と、
   前記描画データを読み出し、前記描画データに定義された図形パターンを用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部と、
   前記図形パターンが前記設計データに定義されている段階から前記図形パターンが実際に描画されるまでのデータ処理に使用される、それぞれ異なる複数のデータフォーマット間で生じるアドレスユニット（ＡＵ）誤差に起因する、前記設計データ上の前記図形パターンに対する実際に描画される前記図形パターンの寸法誤差を補正する補正項を演算する補正項演算部と、
   前記補正項を用いて前記照射量を補正する補正部と、
   補正された照射量の荷電粒子ビームを用いて試料上に前記図形パターンを描画する描画部と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
2. 前記補正項は、前記複数のデータフォーマットのうち、第１のデータフォーマットのデータに示す寸法の図形パターンを形成するのに適した第１の照射量と第２のデータフォーマットのデータに示す寸法の図形パターンを形成するのに適した第２の照射量との比を用いて演算されることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
3. 前記補正項は、前記第１と第２の照射量の第１の比と、前記複数のデータフォーマットのうち、前記第２の照射量と第３のデータフォーマットのデータに示す寸法の図形パターンを形成するのに適した第３の照射量との第２の比と、前記第３の照射量と第４のデータフォーマットのデータに示す寸法の図形パターンを形成するのに適した第４の照射量との第３の比と、を乗じることによって演算されることを特徴とする請求項２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
4. 図形パターンが定義された設計データが描画装置に入力可能なフォーマットに変換された描画データを記憶する記憶部と、
   前記描画データを読み出し、前記描画データに定義された図形パターンを用いて、前記図形パターンが前記設計データに定義されている段階から前記図形パターンが実際に描画されるまでのデータ処理に使用される、それぞれ異なる複数のデータフォーマット間で生じるアドレスユニット（ＡＵ）誤差に起因する、前記設計データ上の前記図形パターンに対する実際に描画される前記図形パターンの寸法誤差を演算する寸法誤差演算部と、
   多重描画により前記図形パターンを描画する場合の少なくとも１つのパスにおいて照射される荷電粒子ビームの成形寸法を、前記寸法誤差に基づいて他のパスとは異なる寸法になるように調整する成形寸法調整部と、
   前記多重描画のパス毎に、第１と第２のアパーチャ部材を用いて、調整された成形寸法に荷電粒子ビームを成形し、成形された荷電粒子ビームを用いて、試料上に前記図形パターンを描画する描画部と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
5. 前記描画部は、前記第１と第２のアパーチャ部材間に配置された偏向器を有し、
   前記偏向器に偏向電圧を印加するＤＡＣ（デジタルアナログ変換）アンプユニットをさらに備え、
   前記成形寸法調整部は、前記ＤＡＣアンプユニットに出力する成形寸法データについて前記他のパスとは１ＡＵ分ずらした成形寸法に調整することを特徴とする請求項４記載の荷電粒子ビーム描画装置。
6. 図形パターンが定義された設計データが描画装置に入力可能なフォーマットに変換された描画データを記憶する記憶部と、
   前記描画データを読み出し、前記描画データに定義された図形パターンを用いて、前記図形パターンが前記設計データに定義されている段階から前記図形パターンが実際に描画されるまでのデータ処理に使用される、それぞれ異なる複数のデータフォーマット間で生じるアドレスユニット（ＡＵ）誤差に起因する、前記設計データ上の前記図形パターンに対する実際に描画される前記図形パターンの寸法誤差を演算する寸法誤差演算部と、
   多重描画により前記図形パターンを描画する場合の少なくとも２つのパスにおいて、前記寸法誤差に基づいて、一方のグループのパス用のドーズ量に第１の係数を乗じて調整し、他方のグループのパス用のドーズ量に第２の係数を乗じて調整した調整ドーズ量を演算する調整ドーズ量演算部と、
   前記多重描画のパス毎に、前記寸法誤差に基づいて調整されていない成形サイズであって、調整された調整ドーズ量の荷電粒子ビームを用いて、試料上に前記図形パターンを描画する描画部と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
7. 図形パターンが定義された設計データが描画装置に入力可能なフォーマットに変換された描画データを描画装置外部から入力し記憶装置に記憶する工程と、
   前記記憶装置から前記描画データを読み出し、前記描画データに定義された図形パターンを用いて、荷電粒子ビームの照射量を演算する工程と、
   前記図形パターンが前記設計データに定義されている段階から前記図形パターンが実際に描画されるまでのデータ処理に使用される、それぞれ異なる複数のデータフォーマット間で生じるアドレスユニット（ＡＵ）誤差に起因する、前記設計データ上の前記図形パターンに対する実際に描画される前記図形パターンの寸法誤差を補正する補正項を演算する工程と、
   前記補正項を用いて前記照射量を補正する工程と、
   補正された照射量の荷電粒子ビームを用いて試料上に前記図形パターンを描画する工程と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
8. 図形パターンが定義された設計データが描画装置に入力可能なフォーマットに変換された描画データを描画装置外部から入力し記憶装置に記憶する工程と、
   前記記憶装置から前記描画データを読み出し、前記描画データに定義された図形パターンを用いて、前記図形パターンが前記設計データに定義されている段階から前記図形パターンが実際に描画されるまでのデータ処理に使用される、それぞれ異なる複数のデータフォーマット間で生じるアドレスユニット（ＡＵ）誤差に起因する、前記設計データ上の前記図形パターンに対する実際に描画される前記図形パターンの寸法誤差を演算する工程と、
   多重描画により前記図形パターンを描画する場合の少なくとも１つのパスにおいて照射される荷電粒子ビームの成形寸法を、前記寸法誤差に基づいて他のパスとは異なる寸法になるように調整する工程と、
   前記多重描画のパス毎に、第１と第２のアパーチャ部材を用いて、調整された成形寸法に荷電粒子ビームを成形し、成形された荷電粒子ビームを用いて、試料上に前記図形パターンを描画する工程と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
9. 図形パターンが定義された設計データが描画装置に入力可能なフォーマットに変換された描画データを描画装置外部から入力し記憶装置に記憶する工程と、
   前記記憶装置から前記描画データを読み出し、前記描画データに定義された図形パターンを用いて、前記図形パターンが前記設計データに定義されている段階から前記図形パターンが実際に描画されるまでのデータ処理に使用される、それぞれ異なる複数のデータフォーマット間で生じるアドレスユニット（ＡＵ）誤差に起因する、前記設計データ上の前記図形パターンに対する実際に描画される前記図形パターンの寸法誤差を演算する工程と、
   多重描画により前記図形パターンを描画する場合の少なくとも２つのパスにおいて、前記寸法誤差に基づいて、一方のグループのパス用のドーズ量に第１の係数を乗じて調整し、他方のグループのパス用のドーズ量に第２の係数を乗じて調整した調整ドーズ量を演算する工程と、
   前記多重描画のパス毎に、前記寸法誤差に基づいて調整されていない成形サイズであって、調整された調整ドーズ量の荷電粒子ビームを用いて、試料上に前記図形パターンを描画する工程と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。

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