JP2014515889A - レジスト形状におけるクリティカルディメンション及びラフネスの制御方法及び制御システム - Google Patents
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Abstract
【選択図】図4
Description
Claims (19)
- 初期ラインラフネス及び初期クリティカルディメンションを有する、基板上のフォトレジストレリーフ形状の処理方法であって、
第1の露光において、前記初期ラインラフネスを第2ラインラフネスに減少させるように構成された第1の角度範囲及び第1のイオン線量率で、前記フォトレジストレリーフ形状にイオンを向けるステップと、
第2の露光において、前記第1のイオン線量率よりも高い第2のイオン線量率であって、前記フォトレジストレリーフ形状を膨張させるように構成された第2のイオン線量率で、前記フォトレジストレリーフ形状にイオンを向けるステップと、
を含む処理方法。 - 前記第1の露光の後、前記初期クリティカルディメンションが第2のクリティカルディメンションに減少し、前記第2の露光の後、前記第2のクリティカルディメンションが第3のクリティカルディメンションに増加する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1及び第2の露光の後、前記レジスト形状が前記第2のラインラフネスとほぼ等しい第3のラインラフネスを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1及び第2の露光の後、前記レジスト形状が前記初期クリティカルディメンションとほぼ等しい第3のクリティカルディメンションを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記第1及び第2の露光の後、前記レジスト形状が前記初期クリティカルディメンションの所定の公差限界の範囲内の第3のクリティカルディメンションを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記予め定められた公差限界は、前記初期クリティカルディメンションから+/−5ナノメートルである、請求項5に記載の方法。
- 前記第2の露光の間に、前記第1の角度範囲とは異なる第2の角度範囲にわたってイオンを供給するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の露光の間に、前記フォトレジストレリーフ形状を有する基板を第1の温度に冷却するステップと、
前記第2の露光の間に、前記基板を前記第1の温度よりも高い第2の温度に冷却するステップと、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第1及び第2の露光により前記イオンを向けるステップは、
プラズマシース及びイオンを有するプラズマを生成するステップと、
前記プラズマ及び前記プラズマシースの間に規定される境界の形状を修正するように機能する開口を規定する抽出プレートを提供するステップと、
前記レジスト形状を有する基板と、前記修正された形状を有する前記境界を越えて前記レジスト形状にイオンを引き込むように構成された前記プラズマとの間に、バイアスを供給するステップと、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 第1のプラズマ出力レベルで前記第1の露光を実行するステップと、
より高い第2のプラズマ出力レベルで前記第2の露光を実行するステップと、
を含む、請求項9に記載の方法。 - 前記第1の露光の間に、前記フォトレジストレリーフ形状を有する前記基板に対して、ある角度範囲にわたってイオンを供給するように構成された前記抽出プレートの1以上のスキャンを実行するステップと、
前記第2の露光の間に、前記基板に対して、前記抽出プレートの1以上のスキャンを実行するステップと、
を含む、請求項9に記載の方法。 - 前記第1の露光の間に、第1の出力レベルで、プラズマの一連のパルスを供給するステップと、
前記第2の露光の間に、前記第2の露光の期間にわたる平均プラズマ出力が第1の露光の期間にわたる平均プラズマ出力よりも高い第2の出力レベルで、前記プラズマの一連のパルスを供給するステップと、
を含む、請求項9に記載の方法。 - 前記第2の露光の間に、第3の一連のパルスを供給するステップであって、前記第2及び第3の一連のパルスは異なるプラズマ出力レベルに対応するステップをさらに含む、請求項12に記載の方法。
- 前記第1の露光は、前記第2の露光の後に発生する、請求項1に記載の方法。
- 基板上のフォトレジストレリーフ形状の処理システムであって、
プラズマシースを有するプラズマを生成するように構成されたプラズマ源と、
前記プラズマと前記基板との間に配置され、ある角度範囲にわたってイオンを前記基板に向けるように構成された抽出プレートと、
前記プラズマに対する前記基板の露光条件を変化させるように機能する調整器であって、第1の露光の間に、第1のイオン線量率及び第1の角度広がりでイオンが前記フォトレジストに向けられ、第2の露光の間に、前記第1の線量率よりも高い第2のイオン線量率でイオンが前記フォトレジストに向けられ、前記第1の露光は、前記初期ラインラフネスを第2のラインラフネスに減少させるように構成され、前記第2の露光は、前記フォトレジストレリーフ形状を膨張させるように構成され、前記第1及び第2の露光の後、前記フォトレジストレリーフ形状の第3のラインラフネスが前記初期ラインラフネスよりも小さく、第3のクリティカルディメンションが前記第2のクリティカルディメンションよりも大きくなるように機能する調整器と、
を有する処理システム。 - 前記第3のクリティカルディメンションは、前記初期クリティカルディメンションの所定の公差限界の範囲内である、請求項15に記載のシステム。
- 前記第3のラインラフネスは、前記第2のラインラフネスとほぼ等しい、請求項15に記載のシステム。
- 初期ラインエッジラフネス及び初期クリティカルディメンションを有する、基板上のフォトレジストレリーフ形状の処理方法であって、
第1の露光において、前記フォトレジストは前記初期クリティカルディメンションより小さい第2のクリティカルディメンションを示し、前記フォトレジストレリーフ形状が前記初期ラインラフネスより小さい第2のラインラフネスを示すまで、第1の線量率及び第1の角度広がりで、イオンを前記フォトレジストレリーフ形状に向けるステップと、
第2の露光において、前記フォトレジストレリーフ形状が前記第2のクリティカルディメンションより大きい第3のクリティカルディメンションに膨張するまで、前記第1の線量率よりも大きい第2の線量率で、イオンを前記フォトレジストレリーフ形状に向けるステップと、
を含む処理方法。 - 前記レジスト形状は、前記第2のラインラフネスとほぼ等しい第3のラインラフネスを有する、請求項18に記載の方法。
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