JP2011033932A - 荷電粒子ビーム描画装置および方法 - Google Patents

Abstract

【課題】マスクの種類が異なる場合であっても、それぞれのマスク内の面内線幅均一性を向上させる。
【解決手段】マスク基板の上面にレジストを塗布することにより構成されたマスクMを載置する可動ステージ10a2aが設けられた描画室10a2と、レジストにパターンを描画するための荷電粒子ビーム10a1bを照射する光学鏡筒10a1とを具備する荷電粒子ビーム描画装置10において、近接効果およびかぶりに基づいて光学鏡筒10a1からレジストへの荷電粒子ビーム10a1bの照射量を補正する荷電粒子ビーム照射量補正部10b1aと、レジストに蓄積される荷電粒子ビーム10a1bの蓄積エネルギーと、レジストに蓄積される荷電粒子ビーム10a1bの蓄積照射量との比である変換係数を、レジスト上のパターン密度と、レジスト上の位置とに基づいて変更する変換係数変更部10b1a2とを設けた。
【選択図】図１

Description

本発明は、マスク基板の上面に塗布されたレジストに荷電粒子ビームによってパターンが描画される荷電粒子ビーム描画装置および方法に関する。

従来から、マスク基板の上面にレジストを塗布することにより構成されたマスクが描画室の可動ステージ上に載置され、レジストにパターンを描画するための荷電粒子ビームが光学鏡筒からレジストに照射され、近接効果およびかぶり（フォギング効果）に基づいて光学鏡筒からレジストへの荷電粒子ビームの照射量が補正される荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例としては、例えば特許文献１（特開２００７−２２０７２８号公報）などに記載されたものがある。

特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、特許文献１の式３および式４に基づいて近接効果補正照射量が算出される。また、特許文献１の式１５に基づいてかぶり補正照射量が算出される。更に、算出された近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを乗じて合成する特許文献１の式２に基づいて光学鏡筒からレジストへの荷電粒子ビームの補正照射量が算出される。

また、特許文献１の式１には、近接効果（特許文献１の段落〔０００４〕参照）およびかぶり（特許文献１の段落〔０００４〕参照）の影響を考慮したレジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積照射量と、レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギー（レジストの吸収量）との関係が記載されている。詳細には、特許文献１の式１の左辺が、「レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギー」に相当しており、特許文献１の式１の右辺が、「近接効果およびかぶりの影響を考慮したレジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積照射量」に相当している。

特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、「レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギー」（特許文献１の式１の左辺）と、「近接効果およびかぶりの影響を考慮したレジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積照射量」（特許文献１の式１の右辺）との比が定数（詳細には、特許文献１の式１では１）に設定されている。

特開２００７−２２０７２８号公報 特開２００７−２５８６５９号公報

下記の数式１は、特許文献１の式１に対応しており、従来の一般的な荷電粒子ビーム描画装置における「レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギー」と、「近接効果およびかぶりの影響を考慮したレジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積照射量」との関係を示している。

詳細には、数式１は、レジスト上のうち、ｘ軸方向に延びている所定の直線上の任意の位置ｘにおける「レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」と、「近接効果およびかぶりの影響を考慮したレジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積照射量」（数式１の右辺の括弧［ ］内）との関係を示している。

数式１において、Ｋは「レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積照射量」（数式１の右辺の括弧［ ］内）から「レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」への変換係数である。つまり、Ｋは「レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」と「レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積照射量」との比を示している。更に、Ｃは「レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」の閾値である。

また、数式１において、Ｄ（ｘ）はレジスト上の位置ｘに向かって光学鏡筒から照射される荷電粒子ビームの照射量を示している。更に、数式１の右辺の括弧［ ］内の左端の部分（Ｄ（ｘ）／２）は、レジスト上の位置ｘに向かって光学鏡筒から照射される荷電粒子ビームのうち、位置ｘでレジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積照射量を示している。つまり、数式１は、レジスト上の位置ｘに向かって光学鏡筒から照射される荷電粒子ビームの照射量（Ｄ（ｘ））の半分の量（Ｄ（ｘ）／２）が位置ｘでレジストに蓄積される、という考え方に基づいている。

更に、数式１の右辺の括弧［ ］内の中央の部分は、光学鏡筒からレジストの描画領域Ａ全体の任意の位置ｘ’に照射される荷電粒子ビームのうち、近接効果によってレジスト上の位置ｘに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積照射量を示している。詳細には、数式１において、ηは近接効果補正係数を示しており、ｇ_ｐは近接効果影響分布を示している。従来の一般的な荷電粒子ビーム描画装置では、近接効果影響分布ｇ_ｐとして、例えばガウス分布（正規分布）が用いられている。

また、数式１の右辺の括弧［ ］内の右端の部分は、光学鏡筒からレジストの描画領域Ａ全体の任意の位置ｘ’に照射される荷電粒子ビームのうち、かぶり（フォギング効果）によってレジスト上の位置ｘに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積照射量を示している。詳細には、数式１において、θはかぶり補正係数を示しており、ｇ_Ｆはかぶり影響分布を示している。従来の一般的な荷電粒子ビーム描画装置では、かぶり影響分布ｇ_Ｆとして、例えばガウス分布（正規分布）が用いられている。

ところで、荷電粒子ビーム描画装置では、近接効果およびかぶりの影響を考慮することなく、一定の基準照射量（特許文献１の段落〔００８４〕参照）の荷電粒子ビームを光学鏡筒からレジストに照射することによって、一定の線幅Ｗ（図５参照）を有する線状のパターンＰＬ１，ＰＬ２，ＰＬ３（図５参照）をマスクＭ（図５参照）のレジストに描画しようとすると、近接効果およびかぶりの影響によって、周りのパターン密度が高い位置ｘ３，ｘ４（図５および図６参照）における線状のパターンＰＬ２の線幅Ｗ（図６のグラフの縦軸）が、周りのパターン密度が低い位置ｘ１，ｘ６における線状のパターンＰＬ１，ＰＬ３の線幅Ｗ（図６のグラフの縦軸）よりも太くなる。

そこで、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、周りのパターン密度が高い位置ｘ３，ｘ４（図５および図６参照）における線状のパターンＰＬ２（図５参照）の線幅Ｗ（図６のグラフの縦軸）と、周りのパターン密度が低い位置ｘ１，ｘ６（図５および図６参照）における線状のパターンＰＬ１，ＰＬ３（図５参照）の線幅Ｗ（図６のグラフの縦軸）とが等しくなるように、レジスト上の各位置ｘ（例えば、位置ｘ１，ｘ２，ｘ３，ｘ４，ｘ５，ｘ６（図５および図６参照））における「レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積照射量」（数式１の右辺の括弧［ ］内）が調整される。

詳細には、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、数式１中の変換係数Ｋが変更されることなく、定数に設定された状態で、例えば、レジスト上の各位置ｘ（例えば、位置ｘ１，ｘ２，ｘ３，ｘ４，ｘ５，ｘ６（図５および図６参照））における「レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」（数式１の左辺）の値が閾値Ｃに一致するように、レジスト上の各位置ｘにおける「レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積照射量」（数式１の右辺の括弧［ ］内）が調整される。

ところが、本発明者の鋭意研究により、上述したレジスト上の各位置ｘ（例えば、位置ｘ１，ｘ２，ｘ３，ｘ４，ｘ５，ｘ６（図５および図６参照））における「レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積照射量」（数式１の右辺の括弧［ ］内）の調整を行うことによって、ある種類のマスクのレジストに描画される周りのパターン密度が高い位置ｘ３，ｘ４（図５および図６参照）における線状のパターンＰＬ２（図５参照）の線幅Ｗ（図６のグラフの縦軸）と、周りのパターン密度が低い位置ｘ１，ｘ６（図５および図６参照）における線状のパターンＰＬ１，ＰＬ３（図５参照）の線幅Ｗ（図６のグラフの縦軸）とを均一にすることができるものの、つまり、ある種類のマスク内の面内線幅均一性を向上させることができるものの、上述したレジスト上の各位置ｘにおける「レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積照射量」（数式１の右辺の括弧［ ］内）の調整を行っても、そのマスクとは種類が異なるマスクのレジストに描画される周りのパターン密度が高い位置ｘ３，ｘ４（図５、図７および図８参照）における線状のパターンＰＬ２（図５参照）の線幅Ｗ（図７および図８のグラフの縦軸）と、周りのパターン密度が低い位置ｘ１，ｘ６（図５、図７および図８参照）における線状のパターンＰＬ１，ＰＬ３（図５参照）の線幅Ｗ（図７および図８のグラフの縦軸）とを均一にすることが困難であることが見い出された。

上述した問題点に鑑み、本発明は、マスクの種類が異なる場合であっても、それぞれのマスク内の面内線幅均一性を向上させることができる荷電粒子ビーム描画装置および方法を提供することを目的とする。

詳細には、本発明は、レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギーとレジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積照射量との比である変換係数が定数に設定される場合よりも、種類が異なるそれぞれのマスク内の面内線幅均一性を向上させることができる荷電粒子ビーム描画装置および方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、マスク基板の上面にレジストを塗布することにより構成されたマスクを載置する可動ステージが設けられた描画室と、
レジストにパターンを描画するための荷電粒子ビームを照射する光学鏡筒と、
近接効果およびかぶりに基づいて光学鏡筒からレジストへの荷電粒子ビームの照射量を補正する荷電粒子ビーム照射量補正部と、
レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギーと、レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積照射量との比である変換係数を、レジスト上のパターン密度と、レジスト上の位置とに基づいて変更する変換係数変更部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。

本発明の別の一態様によれば、マスク基板の上面にレジストを塗布することにより構成されたマスクを描画室内の可動ステージ上に載置し、
光学鏡筒からマスクのレジストに荷電粒子ビームを照射することによってレジストにパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、
近接効果およびかぶりに基づいて光学鏡筒からレジストへの荷電粒子ビームの照射量を補正する場合に、レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギーと、レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積照射量との比である変換係数を、レジスト上のパターン密度と、レジスト上の位置とに基づいて変更することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法が提供される。

本発明によれば、マスクの種類が異なる場合であっても、それぞれのマスク内の面内線幅均一性を向上させることができる。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。 図１に示す制御計算機１０ｂ１の詳細図である。 第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットでマスクＭのレジスト上に描画することができるパターンＰの一例を説明するための図である。 マスクＭのレジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥの大きさとマスクＭのレジストに描画されるパターンＰの有無を説明するための図である。 荷電粒子ビーム照射量補正部１０ｂ１ａによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射量を補正する時に必要な例えばかぶり補正係数θなどのパラメータなどを決定するために評価用マスクＭのレジストに描画される評価用の線状のパターンＰＬ１，ＰＬ２，ＰＬ３などの一例を概略的に示した図である。 第１の種類のマスクＭのレジストに対して図５に示す手法で描画された評価用の線状のパターンＰＬ１，ＰＬ２，ＰＬ３の線幅Ｗの計測値を示した図である。 第２の種類のマスクＭのレジストに対して図５に示す手法で描画された評価用の線状のパターンＰＬ１，ＰＬ２，ＰＬ３の線幅Ｗの計測値を示した図である。 第３の種類のマスクＭのレジストに対して図５に示す手法で描画された評価用の線状のパターンＰＬ１，ＰＬ２，ＰＬ３の線幅Ｗの計測値を示した図である。

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。図２は図１に示す制御計算機１０ｂ１の詳細図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、マスク基板の上面にレジストを塗布することにより構成されたマスクＭに荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することによって、マスクＭのレジスト上に目的のパターンを描画するための描画部１０ａが設けられている。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えば電子ビームが用いられるが、第２の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えばイオンビーム等の電子ビーム以外の荷電粒子ビームを用いることも可能である。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、荷電粒子銃１０ａ１ａと、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向する偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによる描画が行われるマスクＭを載置する可動ステージ１０ａ２ａとが、描画部１０ａに設けられている。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画部１０ａの一部を構成する描画室１０ａ２に、マスクＭが載置された可動ステージ１０ａ２ａが配置されている。この可動ステージ１０ａ２ａは、例えば、ｘ軸方向（図１の左右方向）およびｙ軸方向（図１の手前側−奥側方向）に移動可能に構成されている。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画部１０ａの一部を構成する光学鏡筒１０ａ１に、荷電粒子銃１０ａ１ａと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、レンズ１０ａ１ｇ，１０ａ１ｈ，１０ａ１ｉ，１０ａ１ｊ，１０ａ１ｋと、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌと、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍとが配置されている。

具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、制御計算機１０ｂ１に入力された描画データを、荷電粒子ビーム照射量補正部１０ｂ１ａを介在させることなく、ショットデータ生成部１０ｂ１ｂに直接転送することができる。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、描画データが荷電粒子ビーム照射量補正部１０ｂ１ａを介在せしめられることなくショットデータ生成部１０ｂ１ｂに直接転送される場合、描画データに含まれている図形（例えば、特開２００９−８８３１３号公報の図３参照）に対応するパターンをマスクＭのレジストに描画するために、一定の基準照射量（特許文献１の段落〔００８４〕参照）の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが光学鏡筒１０ａ１からマスクＭのレジストに照射される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、制御計算機１０ｂ１に入力された描画データを、荷電粒子ビーム照射量補正部１０ｂ１ａを介した後に、ショットデータ生成部１０ｂ１ｂに転送することができる。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、描画データが荷電粒子ビーム照射量補正部１０ｂ１ａを介してショットデータ生成部１０ｂ１ｂに転送される場合、描画データに含まれている図形に対応するパターンをマスクＭのレジストに描画するために、荷電粒子ビーム照射量補正部１０ｂ１ａによって補正された照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが光学鏡筒１０ａ１からマスクＭのレジストに照射される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｂによって、マスクＭのレジスト上にパターンを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射するためのショットデータが生成される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｂによって生成されたショットデータが、偏向制御部１０ｂ１ｃに送られる。また、例えば、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｃによって偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆが制御され、その結果、荷電粒子銃１０ａ１ａからの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂがマスクＭのレジスト上の所望の位置に照射される。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のショットデータ生成部１０ｂ１ｂにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｃによって偏向制御回路１０ｂ２を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３参照）を透過せしめられてマスクＭのレジストに照射されるか、あるいは、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’以外の部分によって遮られてマスクＭのレジストに照射されないかが、切り換えられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射量（照射時間）を制御することができる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のショットデータ生成部１０ｂ１ｂにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｃによって偏向制御回路１０ｂ３を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄを制御することにより、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向される。次いで、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３参照）を透過せしめられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、マスクＭのレジストに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの大きさ、形状などを調整することができる。

図３は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットでマスクＭのレジスト上に描画することができるパターンＰの一例を説明するための図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３に示すように、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってマスクＭのレジスト上にパターンＰ（図３参照）が描画される時に、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの例えば正方形の開口１０ａ１ｌ’（図３参照）を透過せしめられる。その結果、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状が、例えば概略正方形になる。次いで、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３参照）を透過せしめられる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３に示すように、例えば、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂをビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３参照）を透過せしめられる荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状を、例えば矩形（正方形または長方形）にしたり、例えば三角形にしたりすることができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３に示すように、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを、マスクＭのレジスト上の所定の位置に所定の照射時間だけ照射し続けることにより（つまり、マスクＭのレジスト上の所定の位置に所定の照射量だけ照射することにより）、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状と概略同一形状のパターンＰ（図３参照）をマスクＭのレジスト上に描画することができる。

つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３に示すように、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂがビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向される量および向きを偏向制御部１０ｂ１ｃ（図２参照）によって制御することにより、例えば、図３に示すような概略正方形のパターンＰを、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットでマスクＭのレジスト上に描画することができる。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図３に示すように、例えば、概略正方形のパターンＰを描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのショットを複数回実行することにより、所定の線幅Ｗを有する線状のパターンＰＬをマスクＭのレジスト上に描画することができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のショットデータ生成部１０ｂ１ｂにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｃによって偏向制御回路１０ｂ４を介して主偏向器１０ａ１ｅを制御することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向される。

また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のショットデータ生成部１０ｂ１ｂにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｃによって偏向制御回路１０ｂ５を介して副偏向器１０ａ１ｆを制御することにより、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、副偏向器１０ａ１ｆによって更に偏向される。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、主偏向器１０ａ１ｅおよび副偏向器１０ａ１ｆによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、マスクＭのレジストに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射位置を調整することができる。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１のショットデータ生成部１０ｂ１ｂにより生成されたショットデータに基づき、ステージ制御部１０ｂ１ｄによってステージ制御回路１０ｂ６を介して可動ステージ１０ａ２ａの移動が制御される。

図４はマスクＭのレジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥの大きさとマスクＭのレジストに描画されるパターンＰの有無を説明するための図である。詳細には、図４（Ａ）はマスクＭのレジストのｘ軸（図４（Ｂ）参照）上に蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１および図３参照）の蓄積エネルギーＥを示している。図４（Ｂ）は荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってマスクＭのレジストにパターンＰが描画されない範囲Ａ１，Ａ３および荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってマスクＭのレジストにパターンＰが描画される範囲Ａ２を示している。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０に適用されるマスクＭでは、例えば、図４に示すように、マスクＭのレジストのｘ軸上のうち、マスクＭのレジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギーＥが所定の閾値Ｃより小さい範囲Ａ１（ｘ＜ｘａ），Ａ３（ｘｂ＜ｘ）では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１および図３参照）によってマスクＭのレジストにパターンＰが描画されない。一方、マスクＭのレジストのｘ軸上のうち、マスクＭのレジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギーＥが所定の閾値Ｃ以上になる範囲Ａ２（ｘａ≦ｘ≦ｘｂ）では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１および図３参照）によってマスクＭのレジストにパターンＰが描画される。

図５は荷電粒子ビーム照射量補正部１０ｂ１ａによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射量を補正する時に必要な例えばかぶり補正係数θなどのパラメータなどを決定するために評価用マスクＭのレジストに描画される評価用の線状のパターンＰＬ１，ＰＬ２，ＰＬ３などの一例を概略的に示した図である。

図５に示す例では、例えば、評価用マスクＭのレジストのｘ軸上の位置ｘ３〜位置ｘ４の周りのパターン密度が高くなるように（詳細には、位置ｘ３〜位置ｘ４の周りのパターン面積密度が１００％になるように）、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１および図３参照）によって評価用マスクＭのレジストにパターンＰａ，Ｐｂが描画される。一方、例えば、評価用マスクＭのレジストのｘ軸上の位置ｘ１〜位置ｘ２の周りのパターン密度が低くなるように設定される（詳細には、位置ｘ１〜位置ｘ２の周りのパターン面積密度が０％に設定される）。同様に、例えば、評価用マスクＭのレジストのｘ軸上の位置ｘ５〜位置ｘ６の周りのパターン密度が低くなるように設定される（詳細には、位置ｘ５〜位置ｘ６の周りのパターン面積密度が０％に設定される）。

更に、図５に示す例では、例えば、一定の基準照射量（特許文献１の段落〔００８４〕参照）の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１および図３参照）が光学鏡筒１０ａ１（図１参照）から評価用マスクＭのレジストのｘ軸上に照射され、評価用の線状のパターンＰＬ１，ＰＬ２，ＰＬ３が描画される。詳細には、例えば、評価用の線状のパターンＰＬ１，ＰＬ２，ＰＬ３の線幅Ｗの目標値が目標線幅Ｗｔ（図６参照）に設定された状態で、荷電粒子ビーム照射量補正部１０ｂ１ａ（図２参照）による荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射量の補正が実行されることなく、一定の基準照射量の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって評価用の線状のパターンＰＬ１，ＰＬ２，ＰＬ３が描画される。

図６は第１の種類のマスクＭのレジストに対して図５に示す手法で描画された評価用の線状のパターンＰＬ１，ＰＬ２，ＰＬ３の線幅Ｗの計測値を示した図である。図６のグラフの横軸の位置ｘ１，ｘ２，ｘ３，ｘ４，ｘ５，ｘ６は図５中のｘ軸上の位置ｘ１，ｘ２，ｘ３，ｘ４，ｘ５，ｘ６に概略対応している。マスクＭのレジストに描画された評価用の線状のパターンＰＬ１，ＰＬ２，ＰＬ３の線幅Ｗは、例えばＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）などを用いることによって計測することができる。

図５および図６に示す例では、例えば、評価用の線状のパターンＰＬ１の位置ｘ１における線幅Ｗ、および、評価用の線状のパターンＰＬ３の位置ｘ６における線幅Ｗは、例えば、評価用の線状のパターンＰＬ１，ＰＬ３の自己近接効果の影響などによって、目標線幅Ｗｔよりも細くなる傾向がある。一方、評価用の線状のパターンＰＬ２の位置ｘ３，ｘ４における線幅Ｗは、パターンＰａ，Ｐｂとの相互近接効果の影響、パターンＰａ，Ｐｂを描画する時のかぶり荷電粒子の影響などによって、目標線幅Ｗｔよりも太くなる傾向がある。

図７は第２の種類のマスクＭのレジストに対して図５に示す手法で描画された評価用の線状のパターンＰＬ１，ＰＬ２，ＰＬ３の線幅Ｗの計測値を示した図である。図８は第３の種類のマスクＭのレジストに対して図５に示す手法で描画された評価用の線状のパターンＰＬ１，ＰＬ２，ＰＬ３の線幅Ｗの計測値を示した図である。

従来の荷電粒子ビーム描画装置では、第１の種類のマスクＭのみが適用され、第２の種類のマスクＭおよび第３の種類のマスクＭが適用されていなかった。そのため、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、図６のグラフに示す線幅Ｗの曲線が目標線幅Ｗｔに一致する水平な直線になるように、光学鏡筒１０ａ１（図１参照）から第１の種類のマスクＭのレジストへの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射量が補正されていた。

詳細には、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、数式１中の変換係数Ｋを定数に設定した場合であっても、例えば、数式１の右辺の括弧［ ］内の右端の部分（かぶり電子の影響関数）を調整することにより、第１の種類のマスクＭのレジストに描画される評価用の線状のパターンＰＬ１，ＰＬ２，ＰＬ３（図５参照）の実際の線幅Ｗを目標線幅Ｗｔ（図６参照）に一致させることができた。つまり、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、数式１中の変換係数Ｋを定数に設定した場合であっても、例えば、光学鏡筒１０ａ１（図１参照）から第１の種類のマスクＭのレジストの描画領域Ａ（数式１参照）全体の任意の位置ｘ’（数式１参照）に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）のうち、かぶりによって第１の種類のマスクＭのレジスト上の位置ｘ（数式１参照）に蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量（数式１の右辺の括弧［ ］内の右端の部分）を調整することにより、第１の種類のマスクＭのレジストに描画される評価用の線状のパターンＰＬ１，ＰＬ２，ＰＬ３（図５参照）の実際の線幅Ｗを目標線幅Ｗｔ（図６参照）に一致させることができた。

ところが、本発明者の鋭意研究により、第１の種類のマスクＭのレジスト上の各位置ｘ（例えば、位置ｘ１，ｘ２，ｘ３，ｘ４，ｘ５，ｘ６（図５および図６参照））における「レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積照射量」（数式１の右辺の括弧［ ］内）の調整を行うことによって、第１の種類のマスクＭのレジストに描画される周りのパターン密度が高い位置ｘ３，ｘ４（図５および図６参照）における線状のパターンＰＬ２（図５参照）の線幅Ｗ（図６のグラフの縦軸）と、周りのパターン密度が低い位置ｘ１，ｘ６（図５および図６参照）における線状のパターンＰＬ１，ＰＬ３（図５参照）の線幅Ｗ（図６のグラフの縦軸）とを均一にすることができるものの、つまり、第１の種類のマスクＭ内の面内線幅均一性を向上させることができるものの、第２の種類のマスクＭおよび第３の種類のマスクＭのレジスト上の各位置ｘ（例えば、位置ｘ１，ｘ２，ｘ３，ｘ４，ｘ５，ｘ６（図５および図６参照））における「レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積照射量」（数式１の右辺の括弧［ ］内）の調整を行っても、第２の種類のマスクＭおよび第３の種類のマスクＭのレジストに描画される周りのパターン密度が高い位置ｘ３，ｘ４（図５、図７および図８参照）における線状のパターンＰＬ２（図５参照）の線幅Ｗ（図７および図８のグラフの縦軸）と、周りのパターン密度が低い位置ｘ１，ｘ６（図５、図７および図８参照）における線状のパターンＰＬ１，ＰＬ３（図５参照）の線幅Ｗ（図７および図８のグラフの縦軸）とを均一にすることが困難であることが見い出された。

そこで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、第１の種類のマスクＭのみならず、例えば第２の種類のマスクＭ、第３の種類のマスクＭなどのような、第１の種類のマスクＭとは種類が異なるマスクＭを適用することができるように、すなわち、第１の種類のマスクＭ内の面内線幅均一性を向上させることができると共に、例えば第２の種類のマスクＭ、第３の種類のマスクＭなどのような、第１の種類のマスクＭとは種類が異なるマスクＭ内の面内線幅均一性を向上させることができるように、後述する改良が施されている。

具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示すように、近接効果およびかぶりに基づいて光学鏡筒１０ａ１（図１参照）から、例えば第１の種類のマスクＭ、第２の種類のマスクＭ、第３の種類のマスクＭなどのレジストへの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射量を補正する荷電粒子ビーム照射量補正部１０ｂ１ａが制御計算機１０ｂ１に設けられている。更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」と、「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量」（数式２の右辺の括弧［ ］内）との比である「変換係数Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）」を、レジスト上のパターン密度と、レジスト上の位置ｘとに基づいて変更する変換係数変更部１０ｂ１ａ２が、例えば荷電粒子ビーム照射量補正部１０ｂ１ａに設けられている。

下記の数式２は、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０における「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」と、「近接効果およびかぶりの影響を考慮したレジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量」（数式２の右辺の括弧［ ］内）との関係を示している。下記の数式３は、数式２中の「関数Ｕ（ｘ）」について詳細に示している。

詳細には、数式２は、レジスト上のうち、ｘ軸方向に延びている所定の直線上の任意の位置ｘにおける「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」と、「近接効果およびかぶりの影響を考慮したレジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量」（数式２の右辺の括弧［ ］内）との関係を示している。

数式２において、Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）は「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量」（数式２の右辺の括弧［ ］内）から「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」への変換係数である。更に、Ｃは「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」の閾値である。

また、数式２において、Ｄ（ｘ）はレジスト上の位置ｘに向かって光学鏡筒１０ａ１から照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射量を示している。更に、数式２の右辺の括弧［ ］内の左端の部分（Ｄ（ｘ）／２）は、レジスト上の位置ｘに向かって光学鏡筒１０ａ１から照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのうち、位置ｘでレジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量を示している。つまり、数式２は、レジスト上の位置ｘに向かって光学鏡筒１０ａ１から照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射量（Ｄ（ｘ））の半分の量（Ｄ（ｘ）／２）が位置ｘでレジストに蓄積される、という考え方に基づいている。

更に、数式２の右辺の括弧［ ］内の中央の部分は、光学鏡筒１０ａ１からレジストの描画領域Ａ全体の任意の位置ｘ’に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのうち、近接効果によってレジスト上の位置ｘに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量を示している。詳細には、数式２において、ηは近接効果補正係数を示しており、ｇ_ｐは近接効果影響分布を示している。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、近接効果影響分布ｇ_ｐとして、例えばガウス分布（正規分布）が用いられている。

また、数式２の右辺の括弧［ ］内の右端の部分は、光学鏡筒１０ａ１からレジストの描画領域Ａ全体の任意の位置ｘ’に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂのうち、かぶり（フォギング効果）によってレジスト上の位置ｘに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量を示している。詳細には、数式２において、θはかぶり補正係数を示しており、ｇ_Ｆはかぶり影響分布を示している。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、かぶり影響分布ｇ_Ｆとして、例えばガウス分布（正規分布）が用いられている。

更に、数式３において、λは変換係数変更用係数（定数）を示しており、ｇ_ｒは変換係数変更用分布を示している。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、変換係数変更用分布ｇ_ｒとして、例えばガウス分布（正規分布）が用いられている。数式３の関数Ｕ（ｘ）の値は、パターン密度が高い位置ｘで大きい値になり、パターン密度が低い位置ｘで小さい値になる。

つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２、数式２および数式３に示すように、変換係数変更部１０ｂ１ａ２によって、「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」と、「近接効果およびかぶりの影響を考慮したレジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量」（数式２の右辺の括弧［ ］）との比である「変換係数Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）」が、レジスト上のパターン密度と、レジスト上の位置ｘとに基づいて変更される。

本発明者の鋭意研究では、上述したように「変換係数Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）」を設定することにより、第１の種類のマスクＭのレジストに描画される周りのパターン密度が高い位置ｘ３，ｘ４（図５および図６参照）における線状のパターンＰＬ２（図５参照）の線幅Ｗ（図６のグラフの縦軸）と、周りのパターン密度が低い位置ｘ１，ｘ６（図５および図６参照）における線状のパターンＰＬ１，ＰＬ３の線幅Ｗ（図６のグラフの縦軸）とを均一にすることができ、更に、第１の種類のマスクＭとは種類が異なる第２の種類のマスクＭのレジストに描画される周りのパターン密度が高い位置ｘ３，ｘ４（図５および図７参照）における線状のパターンＰＬ２（図５参照）の線幅Ｗ（図７のグラフの縦軸）と、周りのパターン密度が低い位置ｘ１，ｘ６（図５および図７参照）における線状のパターンＰＬ１，ＰＬ３の線幅Ｗ（図７のグラフの縦軸）とを均一にすることができ、また、第１の種類のマスクＭとは種類が異なる第３の種類のマスクＭのレジストに描画される周りのパターン密度が高い位置ｘ３，ｘ４（図５および図８参照）における線状のパターンＰＬ２（図５参照）の線幅Ｗ（図８のグラフの縦軸）と、周りのパターン密度が低い位置ｘ１，ｘ６（図５および図８参照）における線状のパターンＰＬ１，ＰＬ３の線幅Ｗ（図８のグラフの縦軸）とを均一にすることができた。

具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、第２の種類のマスクＭのレジストに描画されるパターンＰＬ１，ＰＬ２，ＰＬ３（図５参照）の線幅Ｗ（図７のグラフの縦軸）を均一にするために、数式２中の「変換係数Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）」が、例えば、数式４に示すような関数に設定されている。また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、第３の種類のマスクＭのレジストに描画されるパターンＰＬ１，ＰＬ２，ＰＬ３（図５参照）の線幅Ｗ（図８のグラフの縦軸）を均一にするために、数式２中の「変換係数Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）」が、例えば、数式５に示すような関数に設定されている。

数式４および数式５において、Ｋは所定の定数である。第２の種類のマスクＭが第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０に適用される場合には、例えば、かぶり補正係数θが０．０７に設定され、かぶり影響分布ｇ_Ｆの標準偏差σ_Ｆが１．５ｃｍに設定され、変換係数変更用係数λが０．３５に設定され、変換係数変更用分布ｇ_ｒの標準偏差σ_ｒが７．０ｍｍに設定されている。また、第３の種類のマスクＭが第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０に適用される場合には、例えば、かぶり補正係数θが０．０７に設定され、かぶり影響分布ｇ_Ｆの標準偏差σ_Ｆが１．５ｃｍに設定され、変換係数変更用係数λが０．０２５に設定され、変換係数変更用分布ｇ_ｒの標準偏差σ_ｒが７．０ｍｍに設定されている。

詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図２に示すように、例えば、かぶりに基づいて光学鏡筒１０ａ１（図１参照）からレジストへの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射量を補正するかぶり補正照射量算出部１０ｂ１ａ１が、荷電粒子ビーム照射量補正部１０ｂ１ａに設けられている。更に、近接効果に基づいて光学鏡筒１０ａ１からレジストへの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射量を補正する近接効果補正機能がかぶり補正照射量算出部１０ｂ１ａ１に組み込まれている。

具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、かぶり補正照射量算出部１０ｂ１ａ１（図２参照）によって、かぶりに基づいて光学鏡筒１０ａ１（図１参照）からレジストへの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射量が補正され、下記の数式６からかぶり補正照射量Ｆ（ｘ）が算出される。

第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、数式６に示すように、例えば、かぶり補正照射量算出部１０ｂ１ａ１（図２参照）によって、補正量ｆ_ｎ（ｘ）をｎ＝１からｎ＝∞まで加算することにより、かぶり補正照射量Ｆ（ｘ）が算出される。詳細には、補正量ｆ_１（ｘ）は下記の数式７に示すようになり、補正量ｆ_ｎ（ｘ）は下記の数式８に示すようになる。更に詳細には、数式７および数式８中の補正量ρ^＋（ｘ’）は下記の数式９に示すようになり、数式７および数式８中の補正係数ζは下記の数式１０に示すようになる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、数式７の右辺の分子が、「１」ではなく、「Ｋ／Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）」に設定される。

更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、近接効果に基づいて光学鏡筒１０ａ１（図１参照）からレジストへの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射量を補正する補正量に相当する補正量ｄ（ｘ_ｌ，ｊ）（数式９参照）が、数式７および数式８中の補正量ρ^＋（ｘ’）に組み込まれている。

尚、数式９において「ｓｍａｌｌ ｒｅｇｉｏｎ Ｐ」は、１個のかぶり補正メッシュ（特許文献１の段落〔０００６〕参照）に相当する複数個の近接効果補正メッシュ（特許文献１の段落〔０００６〕参照）を示している。また、ρ（ｘ_ｌ，ｊ）はレジスト上のパターン密度を示している。更に、△^２ _ｐは１個の近接効果補正メッシュの面積を示している。また、△^２ _Ｆは１個のかぶり補正メッシュの面積を示している。

つまり、特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、特許文献１の式１５に基づいてかぶり補正照射量が算出され、かぶり補正照射量とは別個に、特許文献１の式３および式４に基づいて近接効果補正照射量が算出される。更に、特許文献１に記載された荷電粒子ビーム描画装置では、別個に算出された近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とを乗じて合成することにより、光学鏡筒からレジストへの荷電粒子ビームの補正照射量が算出される（特許文献１の式２参照）。

それに対し、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、かぶり補正照射量算出部１０ｂ１ａ１（図２参照）によってかぶり補正照射量Ｆ（ｘ）が算出される（数式６〜数式１０参照）。更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、荷電粒子ビーム照射量補正部１０ｂ１ａ（図２参照）において、かぶり補正照射量Ｆ（ｘ）と、近接効果補正照射量ｄ（ｘ）と、基準照射量（特許文献１の段落〔００８４〕参照）と、下記の数式とに基づいて、近接効果およびかぶりの影響を考慮してレジスト上の位置ｘに向かって光学鏡筒１０ａ１（図１参照）から照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）の照射量Ｄ（ｘ）（数式２参照）が算出される。

Ｄ（ｘ）＝ｄ（ｘ）Ｆ（ｘ）×（基準照射量）
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、上記数式中の近接効果補正照射量ｄ（ｘ）が、特許文献１の式３および式４に基づいて算出される。

上述したように、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、例えば、第１の種類のマスクＭ、第２の種類のマスクＭおよび第３の種類のマスクＭのように、マスクＭの種類が異なる場合であっても、それぞれのマスクＭ内の面内線幅均一性を向上させることができる。詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」と「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量」（数式２の右辺の括弧［ ］）との比である変換係数Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）が定数に設定され、変更されない場合よりも、種類が異なるそれぞれのマスクＭ内の面内線幅均一性を向上させる。換言すれば、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、マスクＭの種類が異なる場合であっても、それぞれのマスクＭに生じる近接効果およびかぶりを正確に補正することができる。

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第３の実施形態について説明する。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、近接効果およびかぶり（フォギング効果）に対する補正が実行され、ローディング効果（特許文献１の段落〔０００４〕参照）に対する補正が実行されないが、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０と同様に近接効果およびかぶり（フォギング効果）に対する補正が実行されると共に、ローディング効果に対する補正も実行される。

詳細には、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ローディング効果によるパターン寸法変動量ΔＣＤに基づいて「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」と「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量」（数式２の右辺の括弧［ ］）との比である変換係数を変更する機能が変換係数変更部１０ｂ１ａ２（図２参照）に組み込まれている。

つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」と「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量」（数式２の右辺の括弧［ ］）との比である変換係数が「Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）」に設定されているのに対し、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」と「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量」（数式２の右辺の括弧［ ］）との比である変換係数が「ｅｘｐ（ΔＣＤ／ａ（ｄ（ｘ）））×Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）」に設定されている。上記の変換係数中の「ａ（ｄ（ｘ））」は、例えば「近接効果補正量（あるいはパターン密度）に依存する量」である。

すなわち、例えば、ローディング効果によるパターン寸法変動量ΔＣＤが存在しない（つまり、ゼロである）場合には、「ｅｘｐ（ΔＣＤ／ａ（ｄ（ｘ）））」の値が１になり、その結果、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０における変換係数「ｅｘｐ（ΔＣＤ／ａ（ｄ（ｘ）））×Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）」の値と、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０における変換係数Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）の値とが等しくなる。

一方、例えば、ローディング効果によるパターン寸法変動量ΔＣＤが存在する（つまり、ゼロでない）場合には、「ｅｘｐ（ΔＣＤ／ａ（ｄ（ｘ）））」の値が１とは異なる値になり、その結果、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０における変換係数「ｅｘｐ（ΔＣＤ／ａ（ｄ（ｘ）））×Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）」の値と、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０における変換係数Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）の値とが異なってくる。

つまり、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、マスクＭの種類が異なる場合であっても、それぞれのマスクＭに生じる近接効果、かぶりおよびローディング効果を正確に補正することができる。詳細には、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置では、特許文献２に記載された荷電粒子ビーム描画装置のように、別個に算出された近接効果補正照射量とかぶり補正照射量とローディング効果補正照射量とを乗じて合成することにより、光学鏡筒１０ａ１からレジストへの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの補正照射量が算出される（特許文献２の式９参照）のではなく、上述したように、ローディング効果によるパターン寸法変動量（ＣＤエラー）ΔＣＤに基づいて「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」と「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量」（数式２の右辺の括弧［ ］内）との比である変換係数が変更される。

そのため、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、かぶり補正照射量と近接効果補正照射量とローディング効果補正照射量とが別個に算出され、それらを乗じて合成することによって光学鏡筒１０ａ１からレジストへの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの補正照射量が算出される場合（特許文献２の式９参照）よりも、「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量」（数式２の右辺の括弧［ ］内）の調整作業をシンプルにすることができ、近接効果、かぶりおよびローディング効果の補正精度を容易に向上させることができる。

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第４の実施形態について説明する。第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、マスクＭのレジストに描画されるパターンの密度に主に依存する近接効果、かぶり（フォギング効果）およびローディング効果に対する補正が実行され、パターン密度に依存せず、パターンが描画されるマスクＭ面内の位置ｘに依存するパターン寸法変動に対する補正が実行されない。それに対し、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０と同様に、マスクＭのレジストに描画されるパターンの密度に主に依存する近接効果、かぶり（フォギング効果）およびローディング効果に対する補正が実行されると共に、パターン密度に依存せず、パターンが描画されるマスクＭ面内の位置ｘに依存するマスクＭの現像処理に伴うパターン寸法変動に対する補正も実行される（位置に依存するマスクＭの現像処理に伴うパターン寸法変動については、例えば、特開２００７−１５０２４３号公報の段落〔００４１〕中の「測定１」参照）。

詳細には、例えば、特開２００７−１５０２４３号公報の図９に記載されているように、マスクＭのレジストに荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画されるパターンの密度とは無関係に、マスクＭの現像処理に伴って、マスクＭの外周部分のレジスト上に描画されるパターンの線幅が、マスクＭの中央部分のレジスト上に描画されるパターンの線幅よりも太くなる傾向がある。

上述した位置依存を考慮し、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、マスクＭのレジスト上の位置ｘに基づいて「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」と「レジストに蓄積される荷電粒子１０ａ１ｂビームの蓄積照射量」（数式２の右辺の括弧［ ］）との比である変換係数を変更する機能が変換係数変更部１０ｂ１ａ２（図２参照）に組み込まれている。

つまり、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」と「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量」（数式２の右辺の括弧［ ］）との比である変換係数が「ｅｘｐ（ΔＣＤ／ａ（ｄ（ｘ）））×Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）」に設定されているのに対し、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」と「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量」（数式２の右辺の括弧［ ］）との比である変換係数が「ｅｘｐ（ΔＣＤ／ａ（ｄ（ｘ）））×（Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）＋γ（ｘ））」に設定されている。

詳細には、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、マスクＭの中央部分のレジスト上の位置ｘにおける関数γ（ｘ）の値がゼロになり、マスクＭの外周部分のレジスト上の位置ｘにおける関数γ（ｘ）の値がゼロよりも大きくなるように、関数「γ（ｘ）」が設定されている（詳細には、マスクＭのレジスト上の位置ｘと関数γ（ｘ）の値との関係を示す位置依存マップが作成されている）。

その結果、例えば、マスクＭの中央部分のレジスト上の位置ｘでは、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０における変換係数「ｅｘｐ（ΔＣＤ／ａ（ｄ（ｘ）））×（Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）＋γ（ｘ））」の値と、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０における変換係数「ｅｘｐ（ΔＣＤ／ａ（ｄ（ｘ）））×Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）」の値とが等しくなる。一方、例えば、マスクＭの外周部分のレジスト上の位置ｘでは、関数γ（ｘ）の値がプラスになり、その結果、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０における変換係数「ｅｘｐ（ΔＣＤ／ａ（ｄ（ｘ）））×（Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）＋γ（ｘ））」の値が、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０における変換係数「ｅｘｐ（ΔＣＤ／ａ（ｄ（ｘ）））×Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）」の値よりも大きくなる。そのため、例えば、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０においてマスクＭの外周部分のレジスト上の位置ｘに向かって光学鏡筒１０ａ１から照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射量Ｄ（ｘ）（数式２参照）が、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０においてマスクＭの外周部分のレジスト上の位置ｘに向かって光学鏡筒１０ａ１から照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射量Ｄ（ｘ）（数式２参照）よりも小さくなる。

つまり、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、レジスト上のパターン密度とレジスト上の位置ｘとに基づいて変換係数が変更されるのみならず、レジスト上のパターン密度とは無関係に、レジスト上の位置ｘのみに基づく変換係数の変更も実行される。詳細には、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、レジスト上のパターン密度とは無関係に、レジスト上の位置ｘのみが原因となって生じるパターン寸法変動量（ＣＤエラー）を低減するために、レジスト上の位置ｘのみに基づいて変換係数が変更される。

そのため、第４の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」と「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量」（数式２の右辺の括弧［ ］）との比である変換係数がレジスト上の位置ｘのみに基づいて変更されない場合よりも、レジスト上の位置ｘのみが原因となって生じるパターン寸法変動量（ＣＤエラー）を低減することができる。

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第５の実施形態について説明する。第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、マスクＭのレジストに描画されるパターンの密度に主に依存する近接効果、かぶり（フォギング効果）およびローディング効果に対する補正が実行され、パターン密度に依存せず、パターンが描画されるマスクＭ面内の位置ｘに依存するパターン寸法変動に対する補正が実行されない。それに対し、第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０と同様に、マスクＭのレジストに描画されるパターンの密度に主に依存する近接効果、かぶり（フォギング効果）およびローディング効果に対する補正が実行されると共に、パターン密度に依存せず、パターンが描画されるマスクＭ面内の位置ｘに依存するマスクＭの現像処理に伴うパターン寸法変動に対する補正も実行される。

詳細には、例えば、第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、マスクＭのレジスト上の位置ｘに基づいて「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」と「レジストに蓄積される荷電粒子１０ａ１ｂビームの蓄積照射量」（数式２の右辺の括弧［ ］）との比である変換係数を変更する機能が変換係数変更部１０ｂ１ａ２（図２参照）に組み込まれている。

つまり、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」と「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量」（数式２の右辺の括弧［ ］）との比である変換係数が「ｅｘｐ（ΔＣＤ／ａ（ｄ（ｘ）））×Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）」に設定されているのに対し、第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」と「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量」（数式２の右辺の括弧［ ］）との比である変換係数が「ｅｘｐ（ΔＣＤ／ａ（ｄ（ｘ）））×（Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）×β（ｘ））」に設定されている。

詳細には、第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、マスクＭの中央部分のレジスト上の位置ｘにおける関数β（ｘ）の値が１になり、マスクＭの外周部分のレジスト上の位置ｘにおける関数β（ｘ）の値が１よりも大きくなるように、関数「β（ｘ）」が設定されている（詳細には、マスクＭのレジスト上の位置ｘと関数β（ｘ）の値との関係を示す位置依存マップが作成されている）。

その結果、例えば、マスクＭの中央部分のレジスト上の位置ｘでは、第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０における変換係数「ｅｘｐ（ΔＣＤ／ａ（ｄ（ｘ）））×（Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）×β（ｘ））」の値と、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０における変換係数「ｅｘｐ（ΔＣＤ／ａ（ｄ（ｘ）））×Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）」の値とが等しくなる。一方、例えば、マスクＭの外周部分のレジスト上の位置ｘでは、関数β（ｘ）の値が１より大きくなり、その結果、第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０における変換係数「ｅｘｐ（ΔＣＤ／ａ（ｄ（ｘ）））×（Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）×β（ｘ））」の値が、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０における変換係数「ｅｘｐ（ΔＣＤ／ａ（ｄ（ｘ）））×Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）」の値よりも大きくなる。そのため、例えば、第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０においてマスクＭの外周部分のレジスト上の位置ｘに向かって光学鏡筒１０ａ１から照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射量Ｄ（ｘ）（数式２参照）が、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０においてマスクＭの外周部分のレジスト上の位置ｘに向かって光学鏡筒１０ａ１から照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射量Ｄ（ｘ）（数式２参照）よりも小さくなる。

つまり、第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、レジスト上のパターン密度とレジスト上の位置ｘとに基づいて変換係数が変更されるのみならず、レジスト上のパターン密度とは無関係に、レジスト上の位置ｘのみに基づく変換係数の変更も実行される。詳細には、第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、レジスト上のパターン密度とは無関係に、レジスト上の位置ｘのみが原因となって生じるパターン寸法変動量（ＣＤエラー）を低減するために、レジスト上の位置ｘのみに基づいて変換係数が変更される。

そのため、第５の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」と「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量」（数式２の右辺の括弧［ ］）との比である変換係数がレジスト上の位置ｘのみに基づいて変更されない場合よりも、レジスト上の位置ｘのみが原因となって生じるパターン寸法変動量（ＣＤエラー）を低減することができる。

以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第６の実施形態について説明する。第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、マスクＭのレジストに描画されるパターンの密度に主に依存する近接効果、かぶり（フォギング効果）およびローディング効果に対する補正が実行され、パターン密度に依存せず、パターンが描画されるマスクＭ面内の位置ｘに依存するパターン寸法変動に対する補正が実行されない。それに対し、第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０と同様に、マスクＭのレジストに描画されるパターンの密度に主に依存する近接効果、かぶり（フォギング効果）およびローディング効果に対する補正が実行されると共に、パターン密度に依存せず、パターンが描画されるマスクＭ面内の位置ｘに依存するマスクＭのＣｒ膜エッチング処理に伴うパターン寸法変動に対する補正も実行される（位置に依存するマスクＭのＣｒ膜エッチング処理に伴うパターン寸法変動については、例えば、特開２００７−１５０２４３号公報の段落〔００４１〕中の「測定２」参照）。

詳細には、例えば、特開２００７−１５０２４３号公報の図９に記載されているように、マスクＭのレジストに荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画されるパターンの密度とは無関係に、マスクＭのＣｒ膜エッチング処理に伴って、マスクＭの外周部分のレジスト上に描画されるパターンの線幅が、マスクＭの中央部分のレジスト上に描画されるパターンの線幅よりも太くなる傾向がある。

上述した位置依存を考慮し、第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、マスクＭのレジスト上の位置ｘに基づいて「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」と「レジストに蓄積される荷電粒子１０ａ１ｂビームの蓄積照射量」（数式２の右辺の括弧［ ］）との比である変換係数を変更する機能が変換係数変更部１０ｂ１ａ２（図２参照）に組み込まれている。

つまり、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」と「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量」（数式２の右辺の括弧［ ］）との比である変換係数が「ｅｘｐ（ΔＣＤ／ａ（ｄ（ｘ）））×Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）」に設定されているのに対し、第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」と「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量」（数式２の右辺の括弧［ ］）との比である変換係数が「ｅｘｐ（（ΔＣＤ＋Ｐ（ｘ））／ａ（ｄ（ｘ）））×Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）」に設定されている。

詳細には、第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、マスクＭの中央部分のレジスト上の位置ｘにおける関数Ｐ（ｘ）の値がゼロになり、マスクＭの外周部分のレジスト上の位置ｘにおける関数Ｐ（ｘ）の値がゼロよりも大きくなるように、関数「Ｐ（ｘ）」が設定されている（詳細には、マスクＭのレジスト上の位置ｘと関数Ｐ（ｘ）の値との関係を示す位置依存マップが作成されている）。

その結果、例えば、マスクＭの中央部分のレジスト上の位置ｘでは、第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０における変換係数「ｅｘｐ（（ΔＣＤ＋Ｐ（ｘ））／ａ（ｄ（ｘ）））×Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）」の値と、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０における変換係数「ｅｘｐ（ΔＣＤ／ａ（ｄ（ｘ）））×Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）」の値とが等しくなる。一方、例えば、マスクＭの外周部分のレジスト上の位置ｘでは、関数Ｐ（ｘ）の値がプラスになり、その結果、第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０における変換係数「ｅｘｐ（（ΔＣＤ＋Ｐ（ｘ））／ａ（ｄ（ｘ）））×Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）」の値が、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０における変換係数「ｅｘｐ（ΔＣＤ／ａ（ｄ（ｘ）））×Ｋ’（Ｕ（ｘ），ｘ）」の値よりも大きくなる。そのため、例えば、第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０においてマスクＭの外周部分のレジスト上の位置ｘに向かって光学鏡筒１０ａ１から照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射量Ｄ（ｘ）（数式２参照）が、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０においてマスクＭの外周部分のレジスト上の位置ｘに向かって光学鏡筒１０ａ１から照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射量Ｄ（ｘ）（数式２参照）よりも小さくなる。

つまり、第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、レジスト上のパターン密度とレジスト上の位置ｘとに基づいて変換係数が変更されるのみならず、レジスト上のパターン密度とは無関係に、レジスト上の位置ｘのみに基づく変換係数の変更も実行される。詳細には、第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、レジスト上のパターン密度とは無関係に、レジスト上の位置ｘのみが原因となって生じるパターン寸法変動量（ＣＤエラー）を低減するために、レジスト上の位置ｘのみに基づいて変換係数が変更される。

そのため、第６の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積エネルギーＥ（ｘ）」と「レジストに蓄積される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの蓄積照射量」（数式２の右辺の括弧［ ］）との比である変換係数がレジスト上の位置ｘのみに基づいて変更されない場合よりも、レジスト上の位置ｘのみが原因となって生じるパターン寸法変動量（ＣＤエラー）を低減することができる。

第７の実施形態では、上述した第１から第６の実施形態を適宜組み合わせることも可能である。

１０ 荷電粒子ビーム描画装置
１０ａ 描画部
１０ａ１ 光学鏡筒
１０ａ１ａ 荷電粒子銃
１０ａ１ｂ 荷電粒子ビーム
１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ 偏向器
１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆ 偏向器
１０ａ２ 描画室
１０ａ２ａ 可動ステージ
１０ｂ 制御部
１０ｂ１ 制御計算機
１０ｂ１ａ 荷電粒子ビーム照射量補正部
１０ｂ１ａ１ かぶり補正照射量算出部
１０ｂ１ａ２ 変換係数変更部
Ｍ マスク

Claims (5)

1. マスク基板の上面にレジストを塗布することにより構成されたマスクを載置する可動ステージが設けられた描画室と、
   レジストにパターンを描画するための荷電粒子ビームを照射する光学鏡筒と、
   近接効果およびかぶりに基づいて光学鏡筒からレジストへの荷電粒子ビームの照射量を補正する荷電粒子ビーム照射量補正部と、
   レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギーと、レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積照射量との比である変換係数を、レジスト上のパターン密度と、レジスト上の位置とに基づいて変更する変換係数変更部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
2. かぶりに基づいて光学鏡筒からレジストへの荷電粒子ビームの照射量を補正するかぶり補正照射量算出部を具備し、
   近接効果に基づいて光学鏡筒からレジストへの荷電粒子ビームの照射量を補正する近接効果補正機能をかぶり補正照射量算出部に組み込んだことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
3. ローディング効果によるパターン寸法変動量に基づいてレジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギーとレジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積照射量との比である変換係数を変更する機能を変換係数変更部に組み込んだことを特徴とする請求項１又は２に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
4. レジスト上の位置に基づいてレジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギーとレジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積照射量との比である変換係数を変更する機能を変換係数変更部に組み込んだことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
5. マスク基板の上面にレジストを塗布することにより構成されたマスクを描画室内の可動ステージ上に載置し、
   光学鏡筒からマスクのレジストに荷電粒子ビームを照射することによってレジストにパターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、
   近接効果およびかぶりに基づいて光学鏡筒からレジストへの荷電粒子ビームの照射量を補正する場合に、レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積エネルギーと、レジストに蓄積される荷電粒子ビームの蓄積照射量との比である変換係数を、レジスト上のパターン密度と、レジスト上の位置とに基づいて変更することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。

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