JP2007258659A - 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents

Abstract

【目的】より高精度な寸法変動補正を行なうビーム照射量で描画する描画方法、及び装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の荷電粒子ビーム描画方法は、近接効果補正照射量計算工程（Ｓ５０４）と、近接効果補正残差補正照射量計算工程（Ｓ１０２）と、近接効果補正照射量等の補正照射量が近接効果補正残差補正照射量で補正された照射量で試料に荷電粒子ビームを照射する照射工程（Ｓ５１６）と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、補正残差を低減させることができる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置に係り、例えば、電子ビーム描画により生じる近接効果やかぶりにより生じるパターン寸法変動量や、描画後のパターン形成におけるローディング効果により生じるパターン寸法変動量をビーム照射量で補正する方法、及び描画装置に関する。

半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（レチクル或いはマスクともいう。）が必要となる。ここで、電子線（電子ビーム）描画技術は本質的に優れた解像性を有しており、高精度の原画パターンの生産に用いられる。

図２１は、従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線描画装置（ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ）描画装置）における第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形例えば長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形（ＶＳＢ：Ｖａｒｉａｂｌｅ Ｓｈａｐｅｄ Ｂｅａｍ）方式という。

ここで、レジスト膜が塗布されたマスク等の試料に電子ビームを照射する場合に、近接効果やかぶりといったレジストパターンの寸法を変動させる要因が存在する。近接効果は照射した電子がマスクで反射し、レジストを再照射する現象で、影響範囲は十数μｍ程度である。一方、かぶりは近接効果による後方散乱電子が、レジストを飛び出し電子鏡筒の下面で再度散乱し、再度マスクを照射するといった多重散乱によるレジスト照射現象で、近接効果に比べて広範囲（数ｍｍ〜数ｃｍ）に及ぶ。近接効果もかぶりもレジストを再照射する現象で、従来、かかる要因を補正するための補正手法が研究されている（例えば、特許文献１参照）。その他、形成されたレジストパターンをマスクとして下層の遮光膜等をエッチングする場合にエッチングされる遮光膜等が寸法変動を引き起こすローディング効果を補正する手法等が開示されている（例えば、特許文献２参照）。

また、これら近接効果やローディング効果を補正するために、回路パタン全体を、５００μｍ角のグローバルローディング効果小区画、０．５μｍ角の近接効果小区画、５０ｎｍ角のマイクロローディング効果小区画にそれぞれ分割し影響度マップ作成を行なう。そして、５０％の所定面積密度の回路パタンを適切に描画でき照射量（固定値）と、近接効果影響値αマップと、ローディング効果補正量ΔＣＤから求めた近接効果補正係数ηマップを用いて、描画するための照射量を算出する手法についての記載が文献に開示されている（例えば、特許文献３参照）。
特開平１１−２０４４１５号公報 特許第３６８０４２５号公報 特開２００５−１９５７８７号公報

上述したように、電子ビーム描画に代表される荷電粒子ビーム描画では、レジスト膜が塗布されたマスク等の試料に電子ビームを照射する場合に、近接効果やかぶりといったレジストパターンの寸法を変動させる要因が存在する。そのため、例えば、ナノメートル（ｎｍ）オーダの精度が要求されるパターンの描画の際においては、“近接効果”及び“かぶり”の影響によって、描画パターンの仕上がり寸法に不均一な分布が生じるという問題が生じてしまう。さらに、描画後にはローディング効果と呼ばれる寸法変動が生じてしまう。かかるローディング効果としては、例えば、レジスト膜の現像ローディング効果、レジスト膜の下層の遮光膜となるクロム（Ｃｒ）をエッチングする際のＣｒ−ローディング効果、或いはウェハ製作工程における化学機械研磨（ＣＭＰ）でのパターン寸法変動に伴うローディング効果等が挙げられる。

一方、電子ビーム描画では、パターン線幅の微細化に伴いより高精度なマスク面内の線幅均一性が求められている。ここで、上述した近接効果等をビームの照射量で補正する場合にはモデル式を用いて補正量が計算される。しかしながら、かかるモデル式は、補正残差を持っている。そして、かかる近接効果補正残差やかぶりやローディング効果によるマスク面内の寸法変動は１ｎｍ／ｍｍ程度と近接効果に比べて緩やかで、変動量は１０〜２０ｎｍ程度である。このマスク面内の寸法変動は、レジスト種、レジスト厚、レジスト塗付装置或いは方法、露光後ベーク（ＰＥＢ）装置或いは方法、現像装置或いは方法、エッチング装置或いは方法などにより生じる。よって、これらレジスト種、レジスト厚、ＰＥＢ、現像むら等によってはかかる補正残差による寸法変動が無視できない場合が生じてしまう。また、かぶりやローディング効果による寸法変動の補正においても高精度化が望まれている。

そこで、本発明は、かかる問題点を克服し、より高精度な寸法変動補正を行なうビーム照射量で描画する描画方法、及び装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する荷電粒子ビーム描画における近接効果を補正する近接効果補正照射量を少なくとも含む荷電粒子ビーム描画における補正照射量を計算する補正照射量計算工程と、
かかる補正照射量の補正残差を補正する補正残差補正照射量を計算する補正残差補正照射量計算工程と、
補正残差補正照射量で補正された補正照射量により補正される荷電粒子ビームの照射量を計算する照射量計算工程と、
かかる照射量になるように試料に荷電粒子ビームを照射する照射工程と、
を備えたことを特徴とする。

補正照射量が補正残差補正照射量で補正されることで補正残差を補正することができる。そして、かかる補正照射量で荷電粒子ビームの照射量を補正することにより、少なくとも近接効果が補正された荷電粒子ビームの照射量を得ることができる。

そして、上述した補正残差補正照射量計算工程において、補正残差補正照射量として、近接効果補正照射量の補正残差を補正する近接効果補正残差補正照射量を計算することを特徴とする。

上述したように、レジスト種、レジスト厚、ＰＥＢ、現像むら等によっては寸法変動が無視できない近接効果の補正残差が生じる。よって、近接効果補正照射量の補正残差を補正することでかかる寸法変動を低減させることができる。

そして、試料の面内位置で変化する寸法感度を用いて、上述した近接効果補正残差補正照射量は計算される。

また、上述した補正照射量計算工程において、補正照射量として、近接効果補正照射量の他に、試料の面内位置で変化する寸法感度を用いてローディング効果に起因するパターンの寸法変動を補正するローディング効果補正照射量を計算することを特徴とする。

近接効果補正で用いるメッシュサイズのメッシュ領域内では、ローディング効果はパターン密度に依存せずに寸法が一定量変化する現象である。しかしながら、後述するように、パターン密度毎に寸法感度は変化すると共に、試料の面内位置によっても変化する。よって、試料の面内位置で変化するかかる寸法感度を用いてローディング効果補正照射量を計算することで、より高精度なローディング効果補正照射量を得ることができる。

そして、ローディング効果補正照射量には、ローディング効果補正残差が加算されると好適である。

そして、試料には、半導体デバイスの製造に用いられるマスクを含んでいる。

そのため、ローディング効果補正照射量には、マスクを用いて製造されるウェハ上に生じると予測される寸法誤差の値が加算されると好適である。

また、ローディング効果補正照射量には、マスクを用いて製造されるウェハ上に生じると予測される寸法誤差の値の他に、さらに、上述したローディング効果補正残差が加算されるとなお好適である。

また、上述した補正照射量計算工程において、補正照射量として、近接効果補正照射量の他に、かぶりに起因するパターンの寸法変動を補正するかぶり補正照射量を計算することよい。さらに、かぶり補正の補正残差を、かぶり補正照射量に乗算するとなお好適である。

また、本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する荷電粒子ビーム描画における近接効果に起因するパターンの寸法変動を補正する近接効果補正照射量を計算する近接効果補正照射量計算部と、
近接効果補正照射量の補正残差を補正する近接効果補正残差補正照射量を計算する近接効果補正残差補正照射量計算部と、
かぶりに起因するパターンの寸法変動を補正するかぶり補正照射量を計算するかぶり補正照射量計算部と、
ローディング効果に起因するパターンの寸法変動を補正するローディング効果補正照射量を計算するローディング効果補正照射量計算部と、
近接効果補正照射量と近接効果補正残差補正照射量とかぶり補正照射量とローディング効果補正照射量とを合成して、荷電粒子ビームの照射量を計算する照射量計算部と、
かかる照射量で試料を荷電粒子ビームを用いて描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。

上述したように、レジスト種、レジスト厚、ＰＥＢ、現像むら等によっては寸法変動が無視できない近接効果の補正残差が生じる。そして、近接効果補正残差補正照射量をかぶり補正、ローディング効果補正用の照射量と共に近接効果補正照射量に合成することによって、より高精度に寸法変動を低減させることができる。

本発明によれば、補正残差を低減させることができる。その結果、高精度なパターン寸法を得ることができる。

実施の形態１．
以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子を用いたビームでも構わない。

また、実施の形態１では、近接効果補正はもちろんのこと、上述した近接効果補正残差、かぶり、ローディング効果を補正するために、マスク等の試料の試料面全面を例えば１ｍｍ程度のメッシュ状の小領域（近接効果補正残差補正メッシュ領域とかぶり補正メッシュ領域とローディング効果補正メッシュ領域との３つの領域とも後述する補正マップを用いるため同じサイズとする。）に区切り、そのメッシュ領域ごとの補正データを格納した補正マップと、マップに格納された補正値と近接効果補正照射量を引数にした照射量補正テーブルを作成する。この補正マップと照射量補正テーブルを用いて、マップの値と近接効果補正照射量（＝パターン密度）毎に補正値を変えて描画する。以下、図面を用いて説明する。

図１は、実施の形態１における描画方法のフローチャートの要部を示す図である。
図１において、電子ビーム描画方法は、電子ビーム描画動作前の準備工程と電子ビーム描画動作工程とを行なう。電子ビーム描画動作前の準備工程として、補正照射量計算工程の一例となる近接効果補正残差補正照射量計算工程（Ｓ１０２）、補正残差補正照射量計算工程の一例となる近接効果補正残差補正マップ作成工程（Ｓ１０４）、近接効果補正残差補正データテーブル作成工程（Ｓ１０６）、補正照射量計算工程の一例となるかぶり補正照射量計算工程（Ｓ２０２）、かぶり補正マップ作成工程（Ｓ２０４）、かぶり補正データテーブル作成工程（Ｓ２０６）、補正照射量計算工程の一例となるローディング効果補正照射量計算工程（Ｓ３０２）、ローディング効果補正マップ作成工程（Ｓ３０４）、ローディング効果補正データテーブル作成工程（Ｓ３０６）、マップ合成工程（Ｓ４０２）という一例の工程を実施する。かかる準備を経て、電子ビーム描画方法は、描画動作工程として、入力工程（Ｓ５０２）、近接効果補正照射量計算工程（Ｓ５０４）、近接効果補正残差補正データ取得工程（Ｓ５０６）、かぶり補正データ取得工程（Ｓ５０８）、ローディング効果補正データ取得工程（Ｓ５１０）、照射量合成工程（Ｓ５１２）、照射時間計算工程（Ｓ５１４）、照射工程（Ｓ５１６）という一例の工程を実施する。

図２は、実施の形態１における描画装置の要部構成の一例を示す概念図である。
図２において、荷電粒子ビーム描画装置の一例であり電子ビーム描画装置の一例となる描画装置１００は、描画部１５０となる電子鏡筒１０２と描画室１０３を備え、制御系として、制御計算機１１０、記憶装置の一例となるメモリ１３０、制御計算機２１０、記憶装置の一例となるメモリ２３０、記憶装置の一例となる磁気ディスク装置１４６、記憶装置の一例となる磁気ディスク装置１４８、偏向制御回路１４０を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、ブランキング（ＢＬＫ）偏向器２０５、ブランキング（ＢＬＫ）アパーチャ２０６を有している。描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５を有している。制御計算機１１０内では、近接効果補正照射量計算部１１２、補正照射量取得演算部１１４、照射量合成部１１６、照射時間計算部１１８、描画データ処理部１２０といった各機能を有している。制御計算機２１０内では、近接効果補正残差補正照射量計算部２１２、かぶり補正照射量計算部２１４、ローディング効果補正照射量計算部２１６、マップ作成部２１８、テーブル作成部２２０といった各機能を有している。

制御計算機１１０には、磁気ディスク装置１４６に記憶されたパターンデータ１５２が磁気ディスク装置１４６を介して入力される。同様に、制御計算機１１０には、磁気ディスク装置１４８に記憶された補正マップ１５４、近接効果補正残差補正データテーブル１５６、かぶり補正データテーブル１５８、ローディング効果補正データテーブル１６２が磁気ディスク装置１４８を介して入力される。制御計算機１１０に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報はその都度メモリ１３０に記憶される。制御計算機２１０に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報はその都度メモリ２３０に記憶される。

制御計算機１１０には、メモリ１３０、偏向制御回路１４０、磁気ディスク装置１４６、磁気ディスク装置１４８が図示していないバスを介して接続されている。制御計算機２１０には、メモリ２３０、磁気ディスク装置１４８が図示していないバスを介して接続されている。偏向制御回路１４０は、ＢＬＫ偏向器２０５に接続される。

図２では、実施の形態１を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成が含まれることは言うまでもない。

また、図２では、コンピュータの一例となる制御計算機１１０で、近接効果補正照射量計算部１１２、補正照射量取得演算部１１４、照射量合成部１１６、照射時間計算部１１８、描画データ処理部１２０といった各機能といった各機能の処理を実行するように記載しているがこれに限るものではなく、電気的な回路によるハードウェアにより実施させても構わない。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。

同様に、図２では、コンピュータの一例となる制御計算機２１０で、近接効果補正残差補正照射量計算部２１２、かぶり補正照射量計算部２１４、ローディング効果補正照射量計算部２１６、マップ作成部２１８、テーブル作成部２２０といった各機能の処理を実行するように記載しているがこれに限るものではなく、電気的な回路によるハードウェアにより実施させても構わない。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。

電子銃２０１から出た所定の電流密度Ｃに制御された荷電粒子ビームの一例となる電子ビーム２００は、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５上の試料１０１の所望する位置に照射される。ここで、試料１０１上の電子ビーム２００が、所望する照射量を試料１０１に入射させる照射時間に達した場合、試料１０１上に必要以上に電子ビーム２００が照射されないようにするため、例えば静電型のブランキング偏向器２０５で電子ビーム２００を偏向すると共にブランキングアパーチャ２０６で電子ビーム２００をカットし、電子ビーム２００が試料１０１面上に到達しないようにする。ブランキング偏向器２０５の偏向電圧は、偏向制御回路１４０及び図示していないアンプによって制御される。

ビームＯＮ（ブランキングＯＦＦ）の場合、電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、図１における実線で示す軌道を進むことになる。一方、ビームＯＦＦ（ブランキングＯＮ）の場合、電子銃２０１から出た電子ビーム２００は、図１における点線で示す軌道を進むことになる。また、電子鏡筒１０２内およびＸＹステージ１０５が配置された描画室１０３内は、図示していない真空ポンプにより真空引きされ、大気圧よりも低い圧力となる真空雰囲気となっている。

図２では、本実施の形態１を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略しているが、描画装置１００は、上述した構成の他に、電子鏡筒１０２内に、照明レンズ、第１のアパーチャ、投影レンズ、成形偏向器、第２のアパーチャ、対物レンズ、対物偏向器等を備えていても構わない。ビームＯＮ（ブランキングＯＦＦ）の場合、かかる構成では、電子銃２０１から出た電子ビーム２００が、照明レンズにより矩形、例えば長方形の穴を持つ第１のアパーチャ全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形、例えば長方形に成形する。そして、第１のアパーチャを通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズにより第２のアパーチャ上に投影される。かかる第２のアパーチャ上での第１のアパーチャ像の位置は、成形偏向器によって制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。そして、第２のアパーチャを通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズにより焦点を合わせ、対物偏向器により偏向されて、移動可能に配置されたＸＹステージ１０５上の試料１０１の所望する位置に照射される。かかる構成にすることにより可変成形型（ＶＳＢ型）ＥＢ描画装置とすることができる。

ここで、描画動作に入る前に、補正マップ１５４、近接効果補正残差補正データテーブル１５６、かぶり補正データテーブル１５８、ローディング効果補正データテーブル１６２を作成する。

まず、近接効果のモデルについて説明する。近接効果は照射した電子がマスクで反射し、レジストを再照射する現象で、影響範囲は十数μｍ程度である。近接効果は、以下の式（式１）で表すことができる。

ここで、Ｅはレジスト吸収量で一定値、Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）は近接効果補正照射量、ηは近接効果補正係数、κ_ｐ（ｘ，ｙ）は近接効果影響分布とする。経験的に影響分布κ_ｐ（ｘ，ｙ）はガウス分布に近いことが知られている。また、近接効果補正係数ηと近接効果影響分布κ_ｐ（ｘ，ｙ）は別の実験で求めておく。そして、近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）は、式１を満たし、以下の式（式２（式２−１〜式２−４））で表すことができる。

かかる式２を解くことで近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）を求めることができる。例えば、近接効果補正照射量の計算誤差を０．５％程度に抑えるためには、１μｍ程度のメッシュ（領域）ごとにｎ＝３までの補正項を考慮したＤ_ｐ（ｘ，ｙ）を計算すればよい。パターンデータ１５２に沿った実際の近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）の計算は、Ｓ５０４で計算することになる。

Ｓ（ステップ）１０２において、近接効果補正残差補正照射量計算工程として、近接効果補正残差補正照射量計算部２１２は、近接効果補正照射量の補正残差を補正する近接効果補正残差補正照射量ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）を計算する。

図３は、実施の形態１における近接効果補正評価パターンの一例を示す図である。
図３において、基板５０には、パターン密度（パターン面積密度）がほぼ０％のパターンと５０％のパターンとほぼ１００％のパターンとで１組となる近接効果補正評価パターン５２が複数配列されている。近接効果補正評価パターン５２は、基板５０の各位置において寸法変動が評価できるように規則的に複数配列されているものを用いる。
まず、図３に示す近接効果補正評価パターン５２でパターン密度によらず寸法が一定になるように近接効果補正係数ηを変えながら描画し、ηを最適化する。このηを用いて、式２から基準となる近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）が決めることができる。

図４は、実施の形態１における近接効果補正照射量とパターン密度との関係を示す図である。
図４に示すように、それぞれのパターン（密度）毎に、近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）は一意に決まるので、近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）はパターン密度の情報をもつことがわかる。近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）は実際に描画に用いる照射量Ｄ（ｘ，ｙ）に対する相対値であるが、デジタルデータとして計算処理を簡略化するために、以下の式（式３）で２０４８階調化する。

ここで、Ｉ_ｐは近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）の階調値を示す。Ｒｏｕｎｄ｛｝は四捨五入して、整数にする関数とする。Ｄ_ｍａｘとＤ_ｍｉｎは、それぞれ近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）の階調範囲の最大値と最小値である。これらは、近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）の取り得る範囲より、充分大きくとり、ここでは、図４に示す近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）の取り得る範囲（１〜２．２）を考慮して、例えばＤ_ｍａｘ＝５、Ｄ_ｍｉｎ＝０とする。

図５は、実施の形態１における照射量と各パターン寸法との関係を示す図である。
図５に示すように、各パターンは、パターン密度によって照射量に対するパターン寸法変動量が異なることがわかる。
図６は、実施形態１における近接効果補正照射量と寸法感度との関係を示す図である。
寸法感度［ｎｍ／％］は照射量が１％変化した時の寸法ＣＤ変動量［ｎｍ］である。図６に示すように、寸法感度は、パターン（密度）毎に異なることになる。この寸法感度は後述するように寸法誤差を補正照射量に変換するのに用いる。図６では、横軸に照射量として、近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）の階調値Ｉ_ｐで示した。

ここで、上述した近接効果補正モデル式となる式２は、補正残差を持っていて、式２で補正を行う場合、例えばレジスト種類等によっては、補整残差が無視できない場合がある。

図７は、実施の形態１におけるパターン寸法と近接効果補正照射量との関係を示す図である。
図７では、近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）について、階調値Ｉ_ｐで示した。ここで、近接効果補正が完全な場合には、実線で示す「補正モデル」のようにパターン寸法は近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）に依存しないはずである。しかしながら、図７に示すように、例えばレジスト種類等によっては、点線で示すように、寸法誤差、すなわち補正残差が存在し、補正残差は近接効果補正照射量、言い換えれば、パターン密度に依存することがわかる。かかる寸法誤差は、図６に示した近接効果補正照射量毎の寸法感度を使って、近接効果補正残差を補正する近接効果補正残差補正照射量ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）に変換することができる。

図８は、実施の形態１における近接効果補正照射量と近接効果補正残差補正照射量との関係を示す図である。
図８の点線に示すグラフは、以下の多項式（式４）で近似することができる。

式４に示す多項式で、多項式の係数Ａｊ、オーダーＮは残差が最小になるように決定する。ここでは、多項式を用いたが、関数系は任意に選んでもよい。

図９は、図８の点線で示すグラフの多項式の係数を示す図である。
図８の例では、オーダーＮ＝２の２次多項式が最適となり、多項式の係数Ａｊは、図９に示す値となる。

ここで、レジスト膜厚や現像むら等により、マスク面内でメッシュ領域毎に近接効果補正残差が異なる場合がある。
図１０は、実施の形態１における近接効果補正残差の分布の一例を示す図である。
図１０に示すように、マスク面内でメッシュ領域毎に近接効果補正残差が領域１〜４と異なる場合がある。同様の理由により、寸法感度も異なる場合がある。ここで、レジスト膜厚や現像むらはｍｍからｃｍのオーダーで変化するため、図１０では、マスク面内を例えば１ｍｍ角程度のメッシュに分割してメッシュ領域毎に近接効果補正残差の分布を示している。

図１１は、実施の形態１における領域毎の近接効果補正照射量とパターン寸法との関係を示す図である。
図１１に示すように、パターンは、領域毎に近接効果補正照射量に対するパターン寸法ＣＤが異なることがわかる。図１１では、横軸を近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）の階調値Ｉ_ｐで示した。
図１２は、実施の形態１における領域毎の近接効果補正照射量と寸法感度との関係を示す図である。
図１１に示す近接効果補正照射量変化に対する寸法ＣＤ変動量を寸法感度［ｎｍ／％］とすると、図１２に示すように、寸法感度は、領域毎に異なることがわかる。すなわち、寸法感度は、試料の面内位置で変化する。図１２でも、横軸を近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）の階調値Ｉ_ｐで示した。

図１３は、図１２における領域毎の寸法感度を用いて、近接効果補正残差補正照射量を求めた結果を示す図である。
図１４は、図１３における領域毎の点線で示すグラフの多項式の係数を示す図である。
図１４では、２次多項式でフィットした場合の領域毎の係数Ａｊ（ｋ）を示す。ｋは補正種類番号で、４つの領域（領域１〜４）に対応し、例えば領域１をｋ＝０として、図１３、図１４の例では、補正種類番号ｋは、０〜３の４種類の番号をとる。また、上述した式４は、以下の式（式５）のように示すことができる。式４と同様、式５についても、多項式を用いたが、関数系は任意に選んでもよい。

そして、図１４の領域毎の係数Ａｊ（ｋ）と式５とから、近接効果補正残差補正照射量計算部２１２は、近接効果補正照射量毎に近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）の階調値Ｉ_ｐと補正種類番号ｋとを変数とする近接効果補正残差補正照射量ｄ_ｐ（Ｉ_ｐ，ｋ）を計算することができる。

Ｓ１０４において、近接効果補正残差補正マップ作成工程として、マップ作成部２１８は、近接効果補正残差補正マップを作成する。
上述したように、レジスト膜厚や現像むらはｍｍからｃｍのオーダーで変化するため、マスク面内を例えば１ｍｍ角程度のメッシュに分割し、図１０に示す各メッシュで使うべき補正種類番号を格納し、近接効果補正残差補正マップとする。ここでは、補正種類番号ｋの値が格納されるため、例えば補正種類番号ｋ＝０〜４の場合には、各メッシュ領域毎の情報量として２ビットの情報量で格納すればよい。

Ｓ１０６において、近接効果補正残差補正データテーブル作成工程として、テーブル作成部２２０は、計算される近接効果補正残差補正照射量ｄ_ｐ（Ｉ_ｐ，ｋ）を用いて、Ｉ_ｐとｋを引数とした近接効果補正残差補正データＴ_ｐ（Ｉ_ｐ，ｋ）のテーブルとなる近接効果補正残差補正データテーブルを作成する。かかる近接効果補正残差補正データテーブルには、以下の式（式６）を満たす値を計算して格納する。

ここで、図４の例を用いると近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）の階調値Ｉ_ｐの取り得る範囲は４０９≦Ｉ_ｐ≦９０１なので、データ値が発散しないように、階調値Ｉ_ｐが４０９以下の場合は、最小値であるＩ_ｐ＝４０９を式６における近接効果補正残差補正照射量ｄ_ｐ（Ｉ_ｐ，ｋ）計算に用いる。同様に、階調値Ｉ_ｐが９０１以上の場合は、最大値であるＩ_ｐ＝９０１を式６における近接効果補正残差補正照射量ｄ_ｐ（Ｉ_ｐ，ｋ）計算に用いる。ここで、式６の近接効果補正残差補正データＴ_ｐ（Ｉ_ｐ，ｋ）の取り得る値は、近接効果補正補正残差が負の場合も考慮すると、−２０４７から２０４７となる。従って、かかる近接効果補正残差補正データテーブルの１つのデータサイズは、これより大きい１６ビットとし、上位の余ったビットの位の値で近接効果補正残差補正データＴ_ｐ（Ｉ_ｐ，ｋ）の値が正又は負であることを識別するように構成すると好適である。例えば、式６が負の場合は、最上位ビットを立てた値（「１」とする）を格納しておく。

図１５は、実施の形態１における近接効果補正残差補正データテーブルの一例を示す図である。
図１５では、Ｉ_ｐが８９４以上でｋが１や２をとる場合には、近接効果補正残差補正データＴ_ｐ（Ｉ_ｐ，ｋ）の値が大きくなり負であることがわかる。

次に、グローバル寸法（ＧＣＤ）補正の一例として、かぶりやローディング効果に起因する寸法変動の影響を補正する場合について説明する。かぶり、ローディング効果がある場合、上述した式１を拡張して、以下の式（式７）のように表すことができる。かぶり、ローディング効果がある場合は、（式７）に限らず、特願２００５−３０９２４７号（出願日：２００５／１０／２５）に示した値であっても良い。

ここで、Ｄ（ｘ，ｙ）は補正照射量、θはかぶり補正係数、κ_Ｆ（ｘ，ｙ）はかぶり影響分布、Ｓ（ｘ，ｙ）は寸法感度［ｎｍ／％］、Ｌ（ｘ，ｙ）はローディング効果による寸法エラー［ｎｍ］とする。また、ローディング効果による寸法エラーＬ（ｘ，ｙ）は、以下の式（式８）で表すことができる。

ここで、γはローディング効果補正係数［ｎｍ］、ρ（ｘ，ｙ）はパターン密度、κ_Ｌ（ｘ，ｙ）はローディング効果影響分布とする。ここで、式１では、左辺のレジスト吸収量について、パターン密度によらず、一定の値となるように解を求めた。また、ローディング効果はパターン密度によらず、寸法が一定量変化する現象である。しかしながら、図１２に示すように寸法感度は近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）の階調値Ｉ_ｐの変化に対して変動する。そして、近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）は、パターン密度に応じて変動する。よって、寸法感度はパターン密度毎に異なる。そして、寸法感度がパターン密度毎に異なるため、パターン密度毎に式８の左辺のレジスト吸収量を変える必要がある。従って、ローディング効果により場所ごと、パターン密度毎に左辺のレジスト吸収量が変化する現象として式１に取り込むことになる。

また、補正照射量Ｄ（ｘ，ｙ）は以下の式（式９）のように、各補正照射量の積として求めることができる。

式９において、近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）は式１の解となる式２を満たす。また、ここで、Ｄ_Ｆ（ｘ，ｙ）はかぶり補正照射量、Ｄ_Ｌ（ｘ，ｙ）はローディング効果補正照射量とする。

まず、ローディング効果が存在しない場合を考える。近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）とかぶり補正照射量Ｄ_Ｆ（ｘ，ｙ）の積は以下の積分方程式（式１０）を満足するとする。

近接効果の影響範囲（数十μｍ）に比べて、かぶりの影響範囲（ｍｍ〜ｃｍ）は非常に広いことから、かぶり補正照射量Ｄ_Ｆ（ｘ，ｙ）は右辺２項目の積分では一定値とみなすことができるので、式１０は、以下の式（式１１）に変形することができる。

そして、式１１に式１を代入すると、以下の式（式１２）と表すことができる。

そして、式１２の積分内でＤ_Ｆ（ｘ，ｙ）が一定であると仮定すると以下の式（式１３）に変形することができる。

ここで、ローディング効果を含めた場合、式７に式９を代入すると、以下の式（式１４）となる。

近接効果の影響範囲（数十μｍ）に比べて、かぶりとローディング効果の影響範囲（ｍｍ〜ｃｍ）は非常に広いことから、式１４において、Ｄ_Ｆ（ｘ，ｙ）とＤ_Ｌ（ｘ，ｙ）は右辺２項目の積分では一定値とみなすことができる。また、３項目の積分でＤ_Ｆ（ｘ，ｙ）とＤ_Ｌ（ｘ，ｙ）が一定と仮定すると、式１４は、以下の式（式１５）となる。

そして、式１を用いると、式１５は、以下の式（式１６）となる。

式１６の右辺の分子は、一定値Ｅを外に出した関数として表すことで、以下の式（式１７）と変形することができる。

そして、式１７を式１６に代入すると、以下の式（式１８）となる。

よって、式１３を用いて、ローディング効果補正照射量Ｄ_Ｌ（ｘ，ｙ）は、以下の式（式１９）のように表すことができる。

これまでの計算結果を踏まえた上で、まず、かぶり補正照射量について計算する。
Ｓ２０２において、かぶり補正照射量計算工程として、かぶり補正照射量計算部２１４は、かぶりに起因するパターンの寸法変動を補正するかぶり補正照射量を計算する。かぶり補正照射量Ｄ_Ｆ（ｘ，ｙ）を計算するために、式１３の分母となる以下の式（式２０）の積分を実行することになる。

ここで、式２０の積分計算をそのまま実行してもよいが、積分計算には非常に時間がかかるので、積分領域内で近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）が一定であるとし、その値をＥ／｛Ｅ＋ηＶ（ｘ，ｙ）｝と仮定すると、式１３は以下の式（式２１（式２１−１、式２１−２））のように計算することができる。

ここでは、現像後のマスク面内寸法が一様になるように、θとかぶり影響分布κ_Ｆ（ｘ，ｙ）をあらかじめ決定しておく。そして、式２１を１ｍｍのメッシュ毎（かぶり補正メッシュ領域毎）に計算する。

Ｓ２０４において、かぶり補正マップ作成工程として、マップ作成部２１８は、かぶり補正マップを作成する。
かぶり補正照射量Ｄ_Ｆ（ｘ，ｙ）の最小値をＦ_ｍｉｎとして、最大値をＦ_ｍａｘとして、各かぶり補正メッシュ領域毎のかぶり補正照射量Ｄ_Ｆ（ｘ，ｙ）を以下の式（式２２）に従って、６４階調化する。かぶりに起因する寸法変動量は、上述したように１０〜２０ｎｍなので、６４に階調化すれば十分な解像度を得ることができる。

そして、計算された階調値Ｉ_Ｆ（ｘ，ｙ）を格納したかぶり補正マップを作成する。

Ｓ２０６において、かぶり補正データテーブル作成工程として、テーブル作成部２２０は、計算された階調値Ｉ_Ｆ（ｘ，ｙ）を用いて、Ｉ_ＦとＩ_ｐを引数としたかぶり補正データＴ_Ｆ（Ｉ_ｐ，Ｉ_Ｆ）のテーブルとなるかぶり補正データテーブルを作成する。かかるかぶり補正データテーブルには、以下の式（式２３）を満たす値を計算して格納する。

そして、かかるかぶり補正データＴ_Ｆ（Ｉ_ｐ，Ｉ_Ｆ）の取り得る値は、かぶり補正照射量が負の場合も考慮すると、−２０４７から２０４７となる。従って、かかるかぶり補正データテーブルの１つのデータサイズは、これより大きい１６ビットとし、上位の余ったビットの位の値でかぶり補正データＴ_Ｆ（Ｉ_ｐ，Ｉ_Ｆ）の値が正又は負であることを識別するように構成すると好適である。例えば、式２３が負の場合は、最上位ビットを立てた値（「１」とする）を格納しておく。

次に、ローディング効果補正照射量を計算していく。
Ｓ３０２において、ローディング効果補正照射量計算工程として、ローディング効果補正照射量計算部２１６は、ローディング効果に起因するパターンの寸法変動を補正するローディング効果補正照射量を計算する。

ここで、例えば図５に示したようにパターン寸法と照射量が比例関係にあるとすると、ローディング効果による寸法変動が寸法変動Ｌ（ｘ，ｙ）［ｎｍ］の時、ローディング効果補正照射量Ｄ_Ｌ（ｘ，ｙ）は、以下の式（式２４）で表すことができる。

Ｓ（ｘ，ｙ）は寸法感度［ｎｍ／％］で、図１２に示すように、近接効果補正照射量と場所に依存する。或いは、上述した比例関係の代わりに、例えばパターン寸法が照射量の自然対数に比例する場合に、ローディング効果補正照射量Ｄ_Ｌ（ｘ，ｙ）は、以下の式（式２５）で表すこともできる。

かかる寸法と照射量の関係はプロセスに合わせて最適な関係式を選べばよい。

Ｓ３０４において、ローディング効果補正マップ作成工程として、マップ作成部２１８は、ローディング効果補正マップを作成する。
まず、１ｍｍメッシュ領域毎にパターン密度を計算し、式８に従い、各メッシュ領域毎のローディング効果による寸法エラーＬ（ｘ，ｙ）を計算する。
ローディング効果による寸法エラーＬ（ｘ，ｙ）の最小値をＬ_ｍｉｎとして、最大値をＬ_ｍａｘとして、各メッシュ領域毎のローディング効果による寸法エラーＬ（ｘ，ｙ）を以下の式（式２６）に従って、６４階調化する。ローディング効果に起因する寸法変動量は、上述したように１０〜２０ｎｍなので、６４に階調化すれば十分な解像度を得ることができる。

そして、計算された階調値Ｉ_Ｌ（ｘ，ｙ）を格納したローディング効果補正マップを作成する。

Ｓ３０６において、ローディング効果補正データテーブル作成工程として、テーブル作成部２２０は、計算された階調値Ｉ_Ｌ（ｘ，ｙ）を用いて、Ｉ_ＬとＩ_ｐとｋを引数としたローディング効果補正データＴ_Ｌ（Ｉ_ｐ，Ｉ_Ｆ，ｋ）のテーブルとなるローディング効果補正データテーブルを作成する。かかるローディング効果補正データテーブルには、以下の式（式２７）を満たす値を計算して格納する。ここで、図１２に示したように寸法感度Ｓ（ｘ，ｙ）は近接効果補正照射量（パターン密度）と場所（領域）に依存するので、Ｓ（Ｉ_ｐ，ｋ）と書くことができる。従って、ローディング効果補正データＴ_Ｌ（Ｉ_ｐ，Ｉ_Ｆ，ｋ）は、Ｉ_ＬとＩ_ｐとｋを引数とした式２７で定義されることになる。

そして、かかるローディング効果補正データＴ_Ｌ（Ｉ_ｐ，Ｉ_Ｆ，ｋ）の取り得る値は、ローディング効果補正照射量が負の場合も考慮すると、−２０４７から２０４７となる。従って、かかるローディング効果補正データテーブルの１つのデータサイズは、これより大きい１６ビットとし、上位の余ったビットの位の値でローディング効果補正データＴ_Ｌ（Ｉ_ｐ，Ｉ_Ｆ，ｋ）の値が正又は負であることを識別するように構成すると好適である。例えば、式２７が負の場合は、最上位ビットを立てた値（「１」とする）を格納しておく。

以上のように、近接効果残差補正、かぶり補正、ローディング効果補正を行うために、各補正用のマップを作成した。ここで、各補正用のマップは、それぞれデータ量が小さいため合成して１つのマップとしておくと便利である。そこで、マップを合成する。
Ｓ４０２において、マップ合成工程として、マップ作成部２１８は、近接効果補正残差補正マップ、かぶり補正マップ、ローディング効果補正マップを合成する。

図１６は、実施の形態１における補正マップの合成の仕方について説明するための概念図である。
マップ作成部２１８は、近接効果補正残差補正マップ１０とかぶり補正マップ２０とローディング効果補正マップ３０を図１６のように、補正マップ１５４として１つのマップに合成する。近接効果残差補正マップ１０のメッシュデータ（２ビット）、かぶり補正マップ２０のメッシュデータ（６ビット）、ローディング効果補正マップ３０のメッシュデータ（６ビット）を合成して、各メッシュ領域毎に１４ビットのマップデータをもつマップにする。

以上のようにして作成された補正マップ１５４と近接効果補正残差補正データテーブル１５６とかぶり補正データテーブル１５８とローディング効果補正データテーブル１６２とは、磁気ディスク装置１４８に格納しておく。かかる補正マップ１５４と各テーブルを描画開始前までに作成しておくと、描画時間の劣化を防ぐことができ好適である。但し、これに限るものではなく、以下に説明する描画動作中にリアルタイムに作成（計算）しても構わない。以下、補正マップ１５４と３つの各テーブルが磁気ディスク装置１４８に格納されているものとして、描画動作を説明する。

Ｓ５０２において、入力工程として、制御計算機１１０は、磁気ディスク装置１４８から補正マップ１５４と３つのデータテーブルの各情報を、磁気ディスク装置１４６からパターンデータ１５２を入力する。描画データ処理部１２０は、パターンデータ１５２に基づいて、ショットデータを作成する。以下、各ショットにおける照射時間ｔ（ｘ、ｙ）を計算し、かかる照射時間ｔ（ｘ、ｙ）に沿って電子ビーム２００を照射し、試料１０１を描画していく。ここでは、補正マップ１５４と３つのデータテーブルの各情報とパターンデータ１５２とを別の記憶装置に記憶させているが、同じ記憶装置に記憶させておいても構わない。すなわち、補正マップ１５４と３つのデータテーブルの各情報とパターンデータ１５２とを磁気ディスク装置１４８に記憶させておいても構わない。

Ｓ５０４において、近接効果補正照射量計算工程として、近接効果補正照射量計算部１１２は、電子ビーム２００を用いて試料１０１にパターンを描画する電子ビーム描画における近接効果に起因するパターンの寸法変動を補正する近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）を計算する。そして、計算された近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）を階調値Ｉ_ｐに階調化する。ここで、近接効果は、影響範囲は十数μｍ程度であるため、上述した１ｍｍ程度のメッシュ領域（近接効果補正残差補正メッシュ領域、かぶり補正メッシュ領域、ローディング効果補正メッシュ領域）とは異なる１μｍ程度のメッシュ領域（近接効果補正メッシュ領域）毎に式２を用いて計算する。

Ｓ５０６において、近接効果補正残差補正データ取得工程として、補正照射量取得演算部１１４は、補正マップ１５４から近接効果補正照射量計算部１１２により近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）（すなわち、階調値Ｉ_ｐ）が計算された近接効果補正メッシュ領域が所属するメッシュ領域を探索し、かかるメッシュ領域のデータとして、領域種別番号ｋの値を抽出する。そして、補正照射量取得演算部１１４は、近接効果補正残差補正データテーブル１５６から階調値Ｉ_ｐと領域種別番号ｋとを引数として近接効果補正残差補正照射量ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）に対応する近接効果補正残差補正データＴ_ｐ（Ｉ_ｐ，ｋ）を抽出する。

Ｓ５０８において、かぶり補正データ取得工程として、補正照射量取得演算部１１４は、補正マップ１５４から近接効果補正照射量計算部１１２により近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）（すなわち、階調値Ｉ_ｐ）が計算された近接効果補正メッシュ領域が所属するメッシュ領域を探索し、かかるメッシュ領域のデータとして、階調値Ｉ_Ｆの値を抽出する。そして、補正照射量取得演算部１１４は、かぶり補正データテーブル１５８から階調値Ｉ_ｐと階調値Ｉ_Ｆとを引数としてかぶり補正照射量Ｄ_Ｆ（ｘ，ｙ）に対応するかぶり補正データＴ_Ｆ（Ｉ_ｐ，Ｉ_Ｆ）を抽出する。

Ｓ５１０において、ローディング効果補正データ取得工程として、補正照射量取得演算部１１４は、補正マップ１５４から近接効果補正照射量計算部１１２により近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）（すなわち、階調値Ｉ_ｐ）が計算された近接効果補正メッシュ領域が所属するメッシュ領域を探索し、かかるメッシュ領域のデータとして、領域種別番号ｋの値と階調値Ｉ_Ｌの値を抽出する。そして、補正照射量取得演算部１１４は、ローディング効果補正データテーブル１６２から階調値Ｉ_ｐと階調値Ｉ_Ｆと領域種別番号ｋとを引数としてローディング効果補正照射量Ｄ_Ｌ（ｘ，ｙ）に対応するローディング効果補正データＴ_Ｌ（Ｉ_ｐ，Ｉ_Ｌ，ｋ）を抽出する。

Ｓ５１２において、照射量合成工程として、照射量計算部の一例となる照射量合成部１１６は、近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）と近接効果補正残差補正照射量ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）とかぶり補正照射量Ｄ_Ｆ（ｘ，ｙ）とローディング効果補正照射量Ｄ_Ｌ（ｘ，ｙ）とを合成して、補正照射量Ｄ（ｘ，ｙ）を計算する。そして、相対値である補正照射量Ｄ（ｘ，ｙ）に単位を持つ基準照射量Ｂ［μＣ／ｃｍ^２］を乗じて電子ビーム２００の照射量ｄ（ｘ，ｙ）［μＣ／ｃｍ^２］を計算する。ここでは、それぞれ対応する階調化された値となるＩ_ｐ、Ｔ_ｐ（Ｉ_ｐ，ｋ）、Ｔ_Ｆ（Ｉ_ｐ，Ｉ_Ｆ）、Ｔ_Ｌ（Ｉ_ｐ，Ｉ_Ｌ，ｋ）を用いて計算する。すなわち、まず、補正照射量Ｄ（ｘ，ｙ）に対応する階調値Ｊ（ｘ，ｙ）を以下の式（式２８）を用いて求める。

ここで、Ｔ_ｐ（Ｉ_ｐ，ｋ）、Ｔ_Ｆ（Ｉ_ｐ，Ｉ_Ｆ）、Ｔ_Ｌ（Ｉ_ｐ，Ｉ_Ｌ，ｋ）の最上位ビットが立っている場合は、符号を逆転する。Ｊ（ｘ，ｙ）は最大値Ｄ_ｍａｘを５、最小値Ｄ_ｍｉｎを０として、２０４８階調化した値で、取り得る値は０から２０４７である。Ｊ（ｘ，ｙ）の値がオーバーフローしないように、計算した結果、Ｊ（ｘ，ｙ）が０より小さい場合は０、２０４７より大きい場合は２０４７とする。そして、階調値であるＪ（ｘ，ｙ）を実数に変換するには、以下の式（式２９）で求めることができる。

Ｓ５１４において、照射時間計算工程として、照射時間計算部１１８は、以下の式（式３０）に示すように、照射量ｄ（ｘ，ｙ）を電流密度Ｃ［Ａ／ｃｍ^２］で除することで、照射時間ｔ（ｘ，ｙ）を得ることができる。

Ｓ５１６において、照射工程（描画工程でもある）として、制御計算機１１０は、求めた照射時間ｔ（ｘ，ｙ）で試料１０１へのビーム照射がＯＦＦになるように偏向制御回路１４０に信号を出力し、偏向制御回路１４０では、かかる信号に沿って、求めた照射時間ｔ（ｘ，ｙ）に合わせて、電子ビーム２００を偏向するようにブランキング偏向器２０５を制御する。そして、所望する照射量ｄ（ｘ，ｙ）を試料１０１に照射した後、描画部１５０を構成するブランキング偏向器２０５により偏向された電子ビーム２００は、試料１０１に到達しないようにブランキングアパーチャ２０６によって遮蔽される。このようにして、描画部１５０は、電子ビーム２００を用いて所望する照射量ｄ（ｘ，ｙ）で試料１０１を描画する。

以上のように、照射量ｄ（ｘ，ｙ）を補正することで、近接効果補正残差を低減、或いは無くし、さらに、かぶり補正、ローディング効果補正を行なうことができる。その結果、高精度なパターン寸法でパターンを作成することができる。

ここで、実施の形態１では、階調値を用いて式２８で合成された補正照射量Ｄ（ｘ，ｙ）に対応する階調値Ｊ（ｘ，ｙ）を計算したが、補正照射量Ｄ（ｘ，ｙ）の計算手法は、これに限るものではなく、補正照射量Ｄ（ｘ，ｙ）を近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）と近接効果補正残差補正照射量ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）とかぶり補正照射量Ｄ_Ｆ（ｘ，ｙ）とローディング効果補正照射量Ｄ_Ｌ（ｘ，ｙ）との積で合成して、補正照射量Ｄ（ｘ，ｙ）を求めても好適である。そして、かかる積により合成した得た相対値である補正照射量Ｄ（ｘ，ｙ）に単位を持つ基準照射量Ｂ［μＣ／ｃｍ^２］を乗じて電子ビーム２００の照射量ｄ（ｘ，ｙ）［μＣ／ｃｍ^２］を計算してもよい。

以上のように、実施の形態１では、補正照射量の因子として、近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）とかぶり補正照射量Ｄ_Ｆ（ｘ，ｙ）とローディング効果補正照射量Ｄ_Ｌ（ｘ，ｙ）とを計算し、補正残差補正照射量の因子として、近接効果補正残差補正照射量ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）を計算した。かかる因子により電子ビーム２００の照射量ｄ（ｘ，ｙ）を補正することで、高精度なパターン寸法を得ることができる。

実施の形態２．
上述した実施の形態１によるかぶり補正が完全であれば、現像後の面内寸法分布は一様になる。しかし、現像の不均一性、計算に用いた近似等により補正残差が存在する場合がある。実施の形態２には、実施の形態１における補正残差補正照射量の因子として、さらに、かぶり補正残差照射量Ｄ_Ｒ（ｘ，ｙ）を加える場合について説明する。

図１７は、実施の形態２における描画方法のフローチャートの要部を示す図である。
図１７において、電子ビーム描画方法は、電子ビーム描画動作前の準備工程と電子ビーム描画動作工程とを行なう。電子ビーム描画動作前の準備工程として、近接効果補正残差補正照射量計算工程（Ｓ１０２）、補正残差補正照射量計算工程の一例となる近接効果補正残差補正マップ作成工程（Ｓ１０４）、近接効果補正残差補正データテーブル作成工程（Ｓ１０６）、かぶり補正照射量計算工程（Ｓ２０２）、かぶり補正マップ作成工程（Ｓ２０４）、かぶり補正データテーブル作成工程（Ｓ２０６）、かぶり補正残差補正照射量計算工程（Ｓ２１２）、かぶり補正残差補正マップ作成工程（Ｓ２１４）、ローディング効果補正照射量計算工程（Ｓ３０２）、ローディング効果補正マップ作成工程（Ｓ３０４）、ローディング効果補正データテーブル作成工程（Ｓ３０６）、マップ合成工程（Ｓ４０２）という一例の工程を実施する。かかる準備を経て、電子ビーム描画方法は、描画動作工程として、入力工程（Ｓ５０２）、近接効果補正照射量計算工程（Ｓ５０４）、近接効果補正残差補正データ取得工程（Ｓ５０６）、かぶり補正データ取得工程（Ｓ５０８）、ローディング効果補正データ取得工程（Ｓ５１０）、照射量合成工程（Ｓ５１２）、照射時間計算工程（Ｓ５１４）、照射工程（Ｓ５１６）という一例の工程を実施する。図１７において、かぶり補正残差補正照射量計算工程（Ｓ２１２）とかぶり補正残差補正マップ作成工程（Ｓ２１４）が追加された点以外は、図１と同様である。

図１８は、実施の形態２における描画装置の要部構成の一例を示す概念図である。
図１８において、荷電粒子ビーム描画装置の一例であり電子ビーム描画装置の一例となる描画装置１００は、描画部１５０となる電子鏡筒１０２と描画室１０３を備え、制御系として、制御計算機１１０、記憶装置の一例となるメモリ１３０、制御計算機２１０、記憶装置の一例となるメモリ２３０、記憶装置の一例となる磁気ディスク装置１４６、記憶装置の一例となる磁気ディスク装置１４８、偏向制御回路１４０を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、ブランキング（ＢＬＫ）偏向器２０５、ブランキング（ＢＬＫ）アパーチャ２０６を有している。描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５を有している。制御計算機１１０内では、近接効果補正照射量計算部１１２、補正照射量取得演算部１１４、照射量合成部１１６、照射時間計算部１１８、描画データ処理部１２０といった各機能を有している。制御計算機２１０内では、近接効果補正残差補正照射量計算部２１２、かぶり補正照射量計算部２１４、ローディング効果補正照射量計算部２１６、マップ作成部２１８、テーブル作成部２２０、かぶり補正残差補正照射量計算部２２２といった各機能を有している。

図１８において、かぶり補正残差補正照射量計算部２２２が追加された以外は、図２と同様である。図１８でも、図２と同様、コンピュータの一例となる制御計算機２１０で、追加されたかぶり補正残差補正照射量計算部２２２の機能の処理を実行するように記載しているがこれに限るものではなく、電気的な回路によるハードウェアにより実施させても構わない。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。

実施の形態２では、実施の形態１と重複する部分の説明は省略し、実施の形態１と異なる部分について説明する。実施の形態２において、特に説明がない内容は、実施の形態１と同様である。

Ｓ２１２において、かぶり補正残差補正照射量計算工程として、かぶり補正残差補正照射量計算部２２２は、かぶり補正残差照射量Ｄ_Ｒ（ｘ，ｙ）を計算する。
図１９は、かぶりとローディング効果補正残差評価レイアウトを示す概念図である。
まず、図１９を実施の形態１の補正を行ない描画し、図１９の寸法評価用５０％パターンの現像後の面内寸法分布Ｒ（ｘ，ｙ）を測定する。そして、図１２の寸法感度を用いて、かぶり補正残差を補正するための照射量となるかぶり補正残差照射量Ｄ_Ｒ（ｘ，ｙ）は、以下の式（式３１）で求めることができる。

そして、式３１を１ｍｍのメッシュ領域毎に計算し、メッシュ領域毎のかぶり補正残差照射量Ｄ_Ｒ（ｘ，ｙ）を計算する。

Ｓ２１４において、かぶり補正残差補正マップ作成工程として、マップ作成部２１８は、計算されたメッシュ領域毎のかぶり補正残差照射量Ｄ_Ｒ（ｘ，ｙ）のマップを、かぶり補正残差マップとして作成する。

そして、かぶり補正マップ作成工程（Ｓ２０４）において、式２２を計算する過程でＤ_Ｆ（ｘ，ｙ）をＤ_Ｆ（ｘ，ｙ）・Ｄ_Ｒ（ｘ，ｙ）と置き換えて計算する。言い換えれば、かぶり補正照射量Ｄ_Ｆ（ｘ，ｙ）とかぶり補正残差照射量Ｄ_Ｒ（ｘ，ｙ）の積を式２２におけるＤ_Ｆ（ｘ，ｙ）として代入する。よって、かぶり補正データテーブル作成工程（Ｓ２０６）でもかぶり補正残差照射量Ｄ_Ｒ（ｘ，ｙ）が考慮された階調値Ｉ_Ｆでかぶり補正データを計算する。

以上のように、Ｄ_Ｆ（ｘ，ｙ）→Ｄ_Ｆ（ｘ，ｙ）・Ｄ_Ｒ（ｘ，ｙ）と変更することで、かぶり補正残差を考慮したかぶり補正データを得ることができる。よって、実施の形態１に比べ、さらに高精度化することができる。

また、階調値を用いずに補正照射量Ｄ（ｘ，ｙ）を計算する場合には、補正照射量Ｄ（ｘ，ｙ）を近接効果補正照射量Ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）と近接効果補正残差補正照射量ｄ_ｐ（ｘ，ｙ）とかぶり補正照射量Ｄ_Ｆ（ｘ，ｙ）とかぶり補正残差照射量Ｄ_Ｒ（ｘ，ｙ）とローディング効果補正照射量Ｄ_Ｌ（ｘ，ｙ）との積で合成して、補正照射量Ｄ（ｘ，ｙ）を求めても好適である。そして、かかる積により合成した得た相対値である補正照射量Ｄ（ｘ，ｙ）に単位を持つ基準照射量Ｂ［μＣ／ｃｍ^２］を乗じて電子ビーム２００の照射量ｄ（ｘ，ｙ）［μＣ／ｃｍ^２］を計算してもよい。

実施の形態３．
上述した実施形態１によるローディング効果補正が完全であれば、エッチング後の寸法分布は一様になる。しかし、エッチングガスの不均一性により、補正残差が存在する場合がある。実施の形態３には、実施の形態１における補正残差を補正する因子として、さらに、ローディング効果補正残差Ｐ（ｘ，ｙ）を加える場合について説明する。

図２０は、実施の形態３における描画方法のフローチャートの要部を示す図である。
図２０において、電子ビーム描画方法は、電子ビーム描画動作前の準備工程と電子ビーム描画動作工程とを行なう。電子ビーム描画動作前の準備工程として、近接効果補正残差補正照射量計算工程（Ｓ１０２）、近接効果補正残差補正マップ作成工程（Ｓ１０４）、近接効果補正残差補正データテーブル作成工程（Ｓ１０６）、かぶり補正照射量計算工程（Ｓ２０２）、かぶり補正マップ作成工程（Ｓ２０４）、かぶり補正データテーブル作成工程（Ｓ２０６）、ローディング効果補正照射量計算工程（Ｓ３０２）、ローディング効果補正マップ作成工程（Ｓ３０４）、ローディング効果補正データテーブル作成工程（Ｓ３０６）、ローディング効果補正残差補正寸法測定工程（Ｓ３１２）、ローディング効果補正残差補正寸法マップ作成工程（Ｓ３１４）、マップ合成工程（Ｓ４０２）という一例の工程を実施する。かかる準備を経て、電子ビーム描画方法は、描画動作工程として、入力工程（Ｓ５０２）、近接効果補正照射量計算工程（Ｓ５０４）、近接効果補正残差補正データ取得工程（Ｓ５０６）、かぶり補正データ取得工程（Ｓ５０８）、ローディング効果補正データ取得工程（Ｓ５１０）、照射量合成工程（Ｓ５１２）、照射時間計算工程（Ｓ５１４）、照射工程（Ｓ５１６）という一例の工程を実施する。図２０において、ローディング効果補正残差補正寸法計算工程（Ｓ３１２）とローディング効果補正残差補正寸法マップ作成工程（Ｓ３１４）が追加された点以外は、図１と同様である。また、描画装置１００の構成は、図２と同様であるため説明を省略する。

実施の形態３では、実施の形態１と重複する部分の説明は省略し、実施の形態１と異なる部分について説明する。実施の形態３において、特に説明がない内容は、実施の形態１と同様である。

Ｓ３１２において、ローディング効果補正残差補正寸法測定工程として、まず、図１９を実施の形態１の補正を行ない描画し、ローディング効果補正残差補正寸法となるエッチング後の５０％パターンの寸法分布Ｐ（ｘ，ｙ）を測定する。

Ｓ３１４において、ローディング効果補正残差補正寸法マップ作成工程として、マップ作成部２１８は、寸法分布Ｐ（ｘ，ｙ）のデータを入力し、これを１ｍｍのメッシュ領域毎のマップとして作成する。

そして、ローディング効果補正マップ作成工程（Ｓ３０４）において、式８に基づいて各メッシュ領域毎のローディング効果による寸法エラーＬ（ｘ，ｙ）を計算する場合に、式８の代わりに以下の式（式３２）を用いて計算する。

そして、式３２で計算されたローディング効果による寸法エラーＬ（ｘ，ｙ）を用いて、階調値Ｉ_Ｌ（ｘ，ｙ）を計算し、かかる階調値Ｉ_Ｌ（ｘ，ｙ）を格納したローディング効果補正マップを作成する。よって、ローディング効果補正データテーブル作成工程（Ｓ３０６）でも、５０％パターンの寸法分布Ｐ（ｘ，ｙ）を考慮して計算された階調値Ｉ_Ｌ（ｘ，ｙ）を用いて、Ｉ_ＬとＩ_ｐとｋを引数としたローディング効果補正データＴ_Ｌ（Ｉ_ｐ，Ｉ_Ｆ，ｋ）のテーブルとなるローディング効果補正データテーブルを作成する。

以上のように、ローディング効果による寸法エラーＬ（ｘ，ｙ）を計算する場合に、エッチング後の５０％パターンの寸法分布Ｐ（ｘ，ｙ）を追加することで、ローディング効果による寸法エラーＬ（ｘ，ｙ）の値を高精度化することができる。その結果、実施の形態１に比べ、さらに高精度化することができる。

以上の説明において、実施の形態２と実施の形態３との両方を実施してもよい。これにより、近接効果の残差とかぶりの残差とローディング効果の残差を補正した照射量で描画することができる。

以上の説明において、「〜部」或いは「〜工程」と記載したものの処理内容或いは動作内容は、コンピュータで動作可能なプログラムにより構成することができる。或いは、ソフトウェアとなるプログラムだけではなく、ハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、ファームウェアとの組合せでも構わない。また、プログラムにより構成される場合、プログラムは、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、ＦＤ、或いはＲＯＭ（リードオンリメモリ）等の記録媒体に記録される。例えば、磁気ディスク装置１４６に記録される。

また、図２及び図１８において、コンピュータとなる制御計算機１１０及び／或いは制御計算機２１０は、さらに、図示していないバスを介して、記憶装置の一例となるＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）、ＲＯＭ、磁気ディスク（ＨＤ）装置、入力手段の一例となるキーボード（Ｋ／Ｂ）、マウス、出力手段の一例となるモニタ、プリンタ、或いは、入力出力手段の一例となる外部インターフェース（Ｉ／Ｆ）、ＦＤ、ＤＶＤ、ＣＤ等に接続されていても構わない。

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、実施の形態では可変成形ビーム方式の電子ビーム描画装置を用いたが、これ以外の方式の描画装置にも適用できる。また、本発明は電子ビーム描画装置の使用目的を限定するものでは無い。例えば、マスクやウェハ上に直接レジストパターンを形成するという使用目的以外にも、光ステッパー用マスク、Ｘ線マスクなどを作成する際にも利用可能である。

また、上述した式４、式２４、式３１は必ずしもこのような関数系を取らなくてもよい。例えば、対数比例の式等でもよい。プロセスに合うように最適な形を選べばよい。また、メッシュサイズは近接効果補正のメッシュサイズより大きく、任意に取ることができる。最小のメッシュサイズに統一しておくとことで、処理が単純にできる。また、ビット長は必要な精度で設定すればよい。また、寸法感度と近接効果補正残差補正は、領域種別を別にしてもよい。また、寸法感度の面内位置での変化量が要求される精度に比べて小さい場合は、面内位置で変化させず一定（固定）の寸法感度を用いてもよい。

また、半導体デバイスの製造はウェハを用いて行なわれ、そのウェハ上へのパターンの形成には、ＥＢ描画装置で作成した試料となるマスクが用いられる。このマスクのパターンがウェハ上へ縮小転写される。そして、現像工程やエッチング工程等のプロセスを経る。このウェハへのパターン転写やその他のプロセスの過程で、寸法誤差が生じる場合がある。マスク上のパターンはウェハへ一括転写されるため、これらの寸法誤差は予めマスク作成の段階で補正する必要がある。ウェハ上の寸法誤差ε_ｗ（ｘ_ｗ，ｙ_ｗ）［ｎｍ］は、パターン面積密度に依存する寸法誤差Ｏ_ｗ（ｘ_ｗ，ｙ_ｗ）［ｎｍ］とウェハ上の位置に依存する寸法誤差Ｑ_ｗ（ｘ_ｗ，ｙ_ｗ）［ｎｍ］とで表すことができる。そして、パターン面積密度に依存する寸法誤差Ｏ_ｗ（ｘ_ｗ，ｙ_ｗ）は、ウェハ寸法誤差補正係数δ_ｗ［ｎｍ］とパターン面積密度ρとウェハ寸法誤差影響分布κ_ｗ（ｘ_ｗ，ｙ_ｗ）を用いて、以下の式（式３３）を用いて計算することができる。

ここで、ウェハ寸法誤差影響分布κ_ｗ（ｘ_ｗ，ｙ_ｗ）は、測定値に合わせて最適な分布を選べばよい。そして、上述した寸法誤差Ｏ_ｗ（ｘ_ｗ，ｙ_ｗ）と寸法誤差Ｑ_ｗ（ｘ_ｗ，ｙ_ｗ）を用いて、ウェハ上の寸法誤差ε_ｗ（ｘ_ｗ，ｙ_ｗ）は、以下の式（式３４）を用いて計算することができる。

そして、マスク上で補正する際のマスク上での寸法誤差ε（ｘ，ｙ）は、ウェハ転写時の縮小率αを用いて、以下の式（式３５）を用いて計算することができる。

ここで、マスク上での寸法誤差ε（ｘ，ｙ）は、ウェハ寸法誤差影響分布κ_ｗにおける影響範囲の１／１０程度のメッシュサイズで計算すると好適である。

そして、得られたマスク上での寸法誤差ε（ｘ，ｙ）を（式３２）で示したローディグ効果による寸法エラーＬ（ｘ，ｙ）に加算する。すなわち、この合計値をローディグ効果による寸法エラーＬ（ｘ，ｙ）として用いることで、ウェハ寸法誤差も補正することができる。

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのパターン作成方法、荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画方法は、本発明の範囲に包含される。

実施の形態１における描画方法のフローチャートの要部を示す図である。 実施の形態１における描画装置の要部構成の一例を示す概念図である。 実施の形態１における近接効果補正評価パターンの一例を示す図である。 実施の形態１における近接効果補正照射量とパターン密度との関係を示す図である。 実施の形態１における照射量と各パターン寸法との関係を示す図である。 実施の形態１における近接効果補正照射量と寸法感度との関係を示す図である。 実施の形態１におけるパターン寸法と近接効果補正照射量との関係を示す図である。 実施の形態１における近接効果補正照射量と近接効果補正残差補正照射量との関係を示す図である。 図８の点線で示すグラフの多項式の係数を示す図である。 実施の形態１における近接効果補正残差の分布の一例を示す図である。 実施の形態１における領域毎の近接効果補正照射量とパターン寸法との関係を示す図である。 実施の形態１における領域毎の近接効果補正照射量と寸法感度との関係を示す図である。 図１２における領域毎の寸法感度を用いて、近接効果補正残差補正照射量を求めた結果を示す図である。 図１３における領域毎の点線で示すグラフの多項式の係数を示す図である。 実施の形態１における近接効果補正残差補正データテーブルの一例を示す図である。 実施の形態１における補正マップの合成の仕方について説明するための概念図である。 実施の形態２における描画方法のフローチャートの要部を示す図である。 実施の形態２における描画装置の要部構成の一例を示す概念図である。 かぶりとローディング効果補正残差評価レイアウトを示す概念図である。 実施の形態３における描画方法のフローチャートの要部を示す図である。 従来の可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。

符号の説明

１０ 近接効果補正残差補正マップ
２０ かぶり補正マップ
３０ ローディング効果補正マップ
５０ 基板
５２ 近接効果補正評価パターン
１００ 描画装置
１０１，３４０ 試料
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１１０，２１０ 制御計算機
１１２ 近接効果補正照射量計算部
１１４ 補正照射量取得演算部
１１６ 照射量合成部
１１８ 照射時間計算部
１２０ 描画データ処理部
１３０，２３０ メモリ
１４０ 偏向制御回路
１４６，１４８ 磁気ディスク装置
１５０ 描画部
１５２ パターンデータ
１５４ 補正マップ
１５６ 近接効果補正残差補正データテーブル
１５８ かぶり補正データテーブル
１６２ ローディング効果補正データテーブル
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０５ ブランキング偏向器
２０６ ブランキングアパーチャ
２１２ 近接効果補正残差補正照射量計算部
２１４ かぶり補正照射量計算部
２１６ ローディング効果補正照射量計算部
２１８ マップ作成部
２２０ テーブル作成部
２２２ かぶり補正残差補正照射量計算部
３３０ 電子線
４１０ 第１のアパーチャ
４１１ 開口
４２０ 第２のアパーチャ
４２１ 可変成形開口
４３０ 荷電粒子ソース

Claims (10)

1. 荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する荷電粒子ビーム描画における近接効果を補正する近接効果補正照射量を少なくとも含む前記荷電粒子ビーム描画における補正照射量を計算する補正照射量計算工程と、
   前記補正照射量の補正残差を補正する補正残差補正照射量を計算する補正残差補正照射量計算工程と、
   前記補正残差補正照射量で補正された前記補正照射量により補正される前記荷電粒子ビームの照射量を計算する照射量計算工程と、
   前記照射量になるように前記試料に前記荷電粒子ビームを照射する照射工程と、
   を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
2. 前記補正残差補正照射量計算工程において、前記補正残差補正照射量として、前記近接効果補正照射量の補正残差を補正する近接効果補正残差補正照射量を計算することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画方法。
3. 前記試料の面内位置で変化する寸法感度を用いて、前記近接効果補正残差補正照射量を計算することを特徴とする請求項２記載の荷電粒子ビーム描画方法。
4. 前記補正照射量計算工程において、前記補正照射量として、前記近接効果補正照射量の他に、前記試料の面内位置で変化する寸法感度を用いてローディング効果に起因する前記パターンの寸法変動を補正するローディング効果補正照射量を計算することを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載の荷電粒子ビーム描画方法。
5. 前記ローディング効果補正照射量には、ローディング効果補正残差が加算されることを特徴とする請求項４記載の荷電粒子ビーム描画方法。
6. 前記ローディング効果補正照射量には、前記試料を半導体デバイスの製造に用いられるマスクとして用いて製造されるウェハ上に生じると予測される寸法誤差の値が加算されることを特徴とする請求項４記載の荷電粒子ビーム描画方法。
7. 前記ローディング効果補正照射量には、さらに、ローディング効果補正残差が加算されることを特徴とする請求項６記載の荷電粒子ビーム描画方法。
8. 前記補正照射量計算工程において、前記補正照射量として、前記近接効果補正照射量の他に、かぶりに起因する前記パターンの寸法変動を補正するかぶり補正照射量を計算することを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載の荷電粒子ビーム描画方法。
9. 前記かぶり補正の補正残差を、かぶり補正照射量に乗算することを特徴とする請求項８記載の荷電粒子ビーム描画方法。
10. 荷電粒子ビームを用いて試料にパターンを描画する荷電粒子ビーム描画における近接効果に起因するパターンの寸法変動を補正する近接効果補正照射量を計算する近接効果補正照射量計算部と、
    前記近接効果補正照射量の補正残差を補正する近接効果補正残差補正照射量を計算する近接効果補正残差補正照射量計算部と、
    かぶりに起因する前記パターンの寸法変動を補正するかぶり補正照射量を計算するかぶり補正照射量計算部と、
    ローディング効果に起因する前記パターンの寸法変動を補正するローディング効果補正照射量を計算するローディング効果補正照射量計算部と、
    前記近接効果補正照射量と前記近接効果補正残差補正照射量と前記かぶり補正照射量と前記ローディング効果補正照射量とを合成して、前記荷電粒子ビームの照射量を計算する照射量計算部と、
    前記照射量で前記試料を前記荷電粒子ビームにより描画する描画部と、
    を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。

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