JP2011228503A - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Abstract
【構成】描画装置100は、試料の描画領域が仮想分割されたメッシュ状の複数の小領域の小領域毎に、複数の照射量計算式の中から1つを選択する選択部56と、小領域毎に、選択された照射量計算式を用いて、当該小領域内にショットする荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部70と、小領域毎に、演算された照射量で当該小領域内に所望のパターンを描画する描画部150と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
試料の描画領域が仮想分割されたメッシュ状の複数の小領域の小領域毎に、複数の照射量計算式の中から1つを選択する選択部と、
小領域毎に、選択された照射量計算式を用いて、当該小領域内にショットする荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部と、
小領域毎に、演算された照射量で当該小領域内に所望のパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
試料の描画領域が仮想分割されたメッシュ状の複数の小領域の小領域毎に、複数の照射量計算式の中から1つを選択する工程と、
小領域毎に、選択された照射量計算式を用いて、当該小領域内にショットする荷電粒子ビームの照射量を演算する工程と、
小領域毎に、演算された照射量の荷電粒子ビームを用いて、当該小領域内に所望のパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型(VSB型)の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、ブランキング偏向器(ブランカー)212、ブランキングアパーチャ214、第1の成形アパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2の成形アパーチャ206、対物レンズ207、及び偏向器208が配置されている。描画室103内には、少なくともXY方向に移動可能なXYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画対象となる試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造するための露光用のマスクやシリコンウェハ等が含まれる。マスクにはマスクブランクスが含まれる。
実施の形態1では、照射量計算式2の選択条件として、当該メッシュ領域(i,j)のパターン面積密度ρ(i,j)が100%であり、当該メッシュ領域(i,j)に隣接して取り囲む8つの複数のメッシュ領域のパターン面積密度がいずれも100%であるという条件(第1の条件)を用いたがこれに限るものではない。実施の形態2では、他の選択条件について説明する。
52,54,60,64,66,72 判定部
56 選択部
58 d1計算部
62 dn計算部
68 加算部
70 照射量D計算部
74 照射時間算出部
76 描画データ処理部
78 面積モーメント算出部
100 描画装置
101 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
112 メモリ
120 偏向制御回路
130 DACアンプユニット
140 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 第1の成形アパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206 第2の成形アパーチャ
207 対物レンズ
208 偏向器
212 ブランキング偏向器
214 ブランキングアパーチャ
330 電子線
340 試料
410 第1のアパーチャ
411 開口
420 第2のアパーチャ
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (5)
- 試料の描画領域が仮想分割されたメッシュ状の複数の小領域の小領域毎に、複数の照射量計算式の中から1つを選択する選択部と、
小領域毎に、選択された照射量計算式を用いて、当該小領域内にショットする荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部と、
小領域毎に、演算された照射量で当該小領域内に所望のパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記選択部は、当該小領域のパターン面積密度が100%であり、当該小領域に隣接する複数の小領域のパターン面積密度がいずれも100%である第1の条件と、前記第1の条件以外の第2の条件とで選択する照射量計算式を変更することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記第1の条件で選択される照射量計算式を用いた場合は、前記第2の条件で選択される照射量計算式を用いた場合よりも演算される照射量が小さくなることを特徴とする請求項2記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 前記小領域のメッシュサイズは、荷電粒子ビームの前方散乱の影響半径よりも大きいことを特徴とする請求項1〜3いずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。
- 試料の描画領域が仮想分割されたメッシュ状の複数の小領域の小領域毎に、複数の照射量計算式の中から1つを選択する工程と、
小領域毎に、選択された照射量計算式を用いて、当該小領域内にショットする荷電粒子ビームの照射量を演算する工程と、
小領域毎に、演算された照射量の荷電粒子ビームを用いて、当該小領域内に所望のパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
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