JP2001230203A - 電子ビームリソグラフィ時に再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化を補償する方法およびその方法を記録した記録媒体 - Google Patents
電子ビームリソグラフィ時に再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化を補償する方法およびその方法を記録した記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子ビームリソグラフィ時に再散乱した電子
ビームによるパターンサイズの変化を補償する方法を提
供する。 【解決手段】 元の露光パターンを四角形のメッシュに
分けてメッシュごとに再散乱した電子ビームにより追加
で露光されるドーズを求め、この追加露光ドーズがすべ
てのメッシュで一定になるように補償露光を行う。本発
明によれば、電子ビーム再散乱効果によるパターンサイ
ズの変化を補償することにより、次第に高集積化しつつ
ある集積回路の微細な線幅を均一に形成できる。
ビームによるパターンサイズの変化を補償する方法を提
供する。 【解決手段】 元の露光パターンを四角形のメッシュに
分けてメッシュごとに再散乱した電子ビームにより追加
で露光されるドーズを求め、この追加露光ドーズがすべ
てのメッシュで一定になるように補償露光を行う。本発
明によれば、電子ビーム再散乱効果によるパターンサイ
ズの変化を補償することにより、次第に高集積化しつつ
ある集積回路の微細な線幅を均一に形成できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路の製造に
用いられる電子ビームリソグラフィに係り、特に、電子
ビーム露光時に現れる電子ビームの再散乱効果によりパ
ターンサイズが変化することを補償する方法に関する。
用いられる電子ビームリソグラフィに係り、特に、電子
ビーム露光時に現れる電子ビームの再散乱効果によりパ
ターンサイズが変化することを補償する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビームリソグラフィは、基板の全面
に所定の物質層を形成し、この物質層を所望のパターン
にパタニングするのに用いられる技術である。すなわ
ち、電子ビームリソグラフィとは、前記物質層上に電子
ビームレジストを塗布した後、所望のパターンに電子ビ
ームを照射（露光とも言う）し、電子ビームレジストを
現像した後に、所望のパターンに形成された電子ビーム
レジストパターンをマスクとして前記物質層をエッチン
グする過程を言う。電子ビームリソグラフィは、基板上
に直ちに集積回路をなす所定の物質層パターンを形成す
るために使用できるが、通常は、フォトリソグラフィに
用いられるフォトマスクを製造するときに用いられる。
に所定の物質層を形成し、この物質層を所望のパターン
にパタニングするのに用いられる技術である。すなわ
ち、電子ビームリソグラフィとは、前記物質層上に電子
ビームレジストを塗布した後、所望のパターンに電子ビ
ームを照射（露光とも言う）し、電子ビームレジストを
現像した後に、所望のパターンに形成された電子ビーム
レジストパターンをマスクとして前記物質層をエッチン
グする過程を言う。電子ビームリソグラフィは、基板上
に直ちに集積回路をなす所定の物質層パターンを形成す
るために使用できるが、通常は、フォトリソグラフィに
用いられるフォトマスクを製造するときに用いられる。
【０００３】以下、図１に基づき、このフォトマスクを
製造する過程についてより詳細に説明する。まず、透明
基板１１０の全面に形成された遮光膜１２０（位相反転
マスクの場合には位相反転層になり得る。以下、簡単に
遮光膜として説明する）上に電子ビームレジスト１３０
を塗布する。次に、電子ビーム１５０を所望のパターン
に照射する。次に、電子ビームの照射により変わる溶解
度の違いをもって電子ビームレジストを現像する。最後
に、形成されたレジストパターンをマスクとして遮光膜
をエッチングする。
製造する過程についてより詳細に説明する。まず、透明
基板１１０の全面に形成された遮光膜１２０（位相反転
マスクの場合には位相反転層になり得る。以下、簡単に
遮光膜として説明する）上に電子ビームレジスト１３０
を塗布する。次に、電子ビーム１５０を所望のパターン
に照射する。次に、電子ビームの照射により変わる溶解
度の違いをもって電子ビームレジストを現像する。最後
に、形成されたレジストパターンをマスクとして遮光膜
をエッチングする。
【０００４】ところが、電子ビーム１５０は、所望の部
位の電子ビームレジスト１３０だけを露光するのではな
く、図面において１７０で示したように、遮光膜１２０
の表面から反射したり、あるいは電子ビームレジスト１
３０の内部でレジスト物質の原子と衝突して散乱した
り、図面において１６０で示したように、電子ビームレ
ジスト１３０の内部または表面から反射され、電子ビー
ム照射器の対物レンズ１４０の底面から反射したりし
て、好ましくない部位の電子ビームレジスト１３０を露
光することもある。
位の電子ビームレジスト１３０だけを露光するのではな
く、図面において１７０で示したように、遮光膜１２０
の表面から反射したり、あるいは電子ビームレジスト１
３０の内部でレジスト物質の原子と衝突して散乱した
り、図面において１６０で示したように、電子ビームレ
ジスト１３０の内部または表面から反射され、電子ビー
ム照射器の対物レンズ１４０の底面から反射したりし
て、好ましくない部位の電子ビームレジスト１３０を露
光することもある。
【０００５】このように、電子ビーム１５０の散乱によ
り電子ビームレジスト１３０が追加で露光される量（ド
ーズ）は、図２に示された通りである。図２から明らか
なように、電子ビームレジストは、電子ビームが照射さ
れる部位、すなわち、パターンのエッジから最長１０ｃ
ｍに至るまで、元の露光ドーズの最高２５％まで追加で
露光できる。図２において、電子ビームが照射される部
位から約１０μｍまで影響する追加露光２１０は、図１
において参照符号１７０で示した電子ビームの前方散乱
（ｆｏｒｗａｒｄ ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）および後方
散乱（ｂａｃｋｗａｒｄ ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）によ
るものであり、約１０ｃｍまで影響する追加露光２２０
は、図１において参照符号１６０で示した電子ビームの
再散乱（ｒｅ−ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）によるものであ
る。これらの追加露光は、結果として、微細に形成され
るべき遮光膜パターンの正確性を落として臨界寸法（Ｃ
ｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ、以下、ＣＤ）エ
ラーの原因となる。この内、前者の追加露光２１０によ
るパターンサイズの変化を近接効果（ｐｒｏｘｉｍｉｔ
ｙ ｅｆｆｅｃｔ）と言い、後者の追加露光２２０によ
るパターンサイズの変化を電子ビームの再散乱効果（ｍ
ｕｌｔｉｐｌｅ ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ ｅｆｆｅｃｔ
またはｆｏｇｇｉｎｇ ｅｆｆｅｃｔとも言う）と言
う。本発明は、後者の電子ビーム再散乱効果によるパタ
ーンサイズの変化を補償する方法に関する。
り電子ビームレジスト１３０が追加で露光される量（ド
ーズ）は、図２に示された通りである。図２から明らか
なように、電子ビームレジストは、電子ビームが照射さ
れる部位、すなわち、パターンのエッジから最長１０ｃ
ｍに至るまで、元の露光ドーズの最高２５％まで追加で
露光できる。図２において、電子ビームが照射される部
位から約１０μｍまで影響する追加露光２１０は、図１
において参照符号１７０で示した電子ビームの前方散乱
（ｆｏｒｗａｒｄ ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）および後方
散乱（ｂａｃｋｗａｒｄ ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）によ
るものであり、約１０ｃｍまで影響する追加露光２２０
は、図１において参照符号１６０で示した電子ビームの
再散乱（ｒｅ−ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ）によるものであ
る。これらの追加露光は、結果として、微細に形成され
るべき遮光膜パターンの正確性を落として臨界寸法（Ｃ
ｒｉｔｉｃａｌ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ、以下、ＣＤ）エ
ラーの原因となる。この内、前者の追加露光２１０によ
るパターンサイズの変化を近接効果（ｐｒｏｘｉｍｉｔ
ｙ ｅｆｆｅｃｔ）と言い、後者の追加露光２２０によ
るパターンサイズの変化を電子ビームの再散乱効果（ｍ
ｕｌｔｉｐｌｅ ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ ｅｆｆｅｃｔ
またはｆｏｇｇｉｎｇ ｅｆｆｅｃｔとも言う）と言
う。本発明は、後者の電子ビーム再散乱効果によるパタ
ーンサイズの変化を補償する方法に関する。
【０００６】電子ビーム再散乱効果は、その影響を及ぼ
す範囲が広く（現在の集積回路の集積度に鑑みたとき、
１０ｃｍは極めて広い範囲である）、かつ、追加露光２
２０によるドーズが相対的に小さいため、これまでよく
知られてなく、これを補償する方法もあまり知られてい
なかった。しかし、このような電子ビーム再散乱効果に
よるフォトマスクのパターンサイズの変化は、１０ｋｅ
Ｖの加速電圧下で８μＣ／ｃｍ2のドーズの電子ビーム
により露光するとき、約１０〜２０ｎｍと推定され、次
第に高集積化しつつある集積回路の製造に無視できない
ほどの影響を及ぼす。
す範囲が広く（現在の集積回路の集積度に鑑みたとき、
１０ｃｍは極めて広い範囲である）、かつ、追加露光２
２０によるドーズが相対的に小さいため、これまでよく
知られてなく、これを補償する方法もあまり知られてい
なかった。しかし、このような電子ビーム再散乱効果に
よるフォトマスクのパターンサイズの変化は、１０ｋｅ
Ｖの加速電圧下で８μＣ／ｃｍ2のドーズの電子ビーム
により露光するとき、約１０〜２０ｎｍと推定され、次
第に高集積化しつつある集積回路の製造に無視できない
ほどの影響を及ぼす。
【０００７】一方、サイトノリオ（Ｓａｉｔｏ Ｎｏｒ
ｉｏ）らは、ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．１４６５，１９９１，
ｐｐ．１８５−１９１に開示された"Ｍｕｌｔｉｐｌｅ
ｓｃａｔｔｅｒｅｄ ｅ−ｂｅａｍ ｅｆｆｅｃｔ
ｉｎ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ ｌｉｔｈｏｇｒａ
ｐｈｙ"という題の論文において、電子ビーム再散乱効
果を紹介し、これを低減するための方法として、再散乱
した電子ビームが反射される対物レンズの底面を原子番
号の低い物質から形成することを提案している。すなわ
ち、前記論文では、対物レンズの底面を各々銅、アルミ
ニウム、炭素から形成したときの電子ビーム再散乱効果
による追加ドーズを測定し、中でも炭素を用いる場合
に、電子ビーム再散乱効果が最も低いということを明ら
かにしている。しかし、図２から明らかなように、炭素
を用いた場合であっても、再散乱効果が大幅に低減して
いない。すなわち、図２において、"○"はアルミニウム
を使用した場合であり、"□"は炭素を使用した場合であ
る。
ｉｏ）らは、ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．１４６５，１９９１，
ｐｐ．１８５−１９１に開示された"Ｍｕｌｔｉｐｌｅ
ｓｃａｔｔｅｒｅｄ ｅ−ｂｅａｍ ｅｆｆｅｃｔ
ｉｎ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ ｌｉｔｈｏｇｒａ
ｐｈｙ"という題の論文において、電子ビーム再散乱効
果を紹介し、これを低減するための方法として、再散乱
した電子ビームが反射される対物レンズの底面を原子番
号の低い物質から形成することを提案している。すなわ
ち、前記論文では、対物レンズの底面を各々銅、アルミ
ニウム、炭素から形成したときの電子ビーム再散乱効果
による追加ドーズを測定し、中でも炭素を用いる場合
に、電子ビーム再散乱効果が最も低いということを明ら
かにしている。しかし、図２から明らかなように、炭素
を用いた場合であっても、再散乱効果が大幅に低減して
いない。すなわち、図２において、"○"はアルミニウム
を使用した場合であり、"□"は炭素を使用した場合であ
る。
【０００８】さらに、シモムラナオハル（Ｓｈｉｍｏｍ
ｕｒａ Ｎａｏｈａｒｕ）らは、ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．３
７４８，１９９９，ｐｐ．１２５-１３２に開示された"
Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ ｏｆ ｆｏｇｇｉｎｇ ｅｆｆｅ
ｃｔ ｃａｕｓｅｄ ｂｙｓｃａｔｔｅｒｅｄ ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ ｉｎ ａｎ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ
ｓｙｓｔｅｍ"という題の論文において、対物レンズ
の底面に蜂の巣もようの溝が形成された吸収板を取り付
けて再散乱した電子ビームを吸収することにより、再散
乱効果を低減させる方法を提案している。しかし、この
方法によっても再散乱した電子をすべて吸収することは
できず、再散乱効果を低減させる上で限界があった。
ｕｒａ Ｎａｏｈａｒｕ）らは、ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．３
７４８，１９９９，ｐｐ．１２５-１３２に開示された"
Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ ｏｆ ｆｏｇｇｉｎｇ ｅｆｆｅ
ｃｔ ｃａｕｓｅｄ ｂｙｓｃａｔｔｅｒｅｄ ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ ｉｎ ａｎ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ
ｓｙｓｔｅｍ"という題の論文において、対物レンズ
の底面に蜂の巣もようの溝が形成された吸収板を取り付
けて再散乱した電子ビームを吸収することにより、再散
乱効果を低減させる方法を提案している。しかし、この
方法によっても再散乱した電子をすべて吸収することは
できず、再散乱効果を低減させる上で限界があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みて成されたものであり、その目的は、前述した電子ビ
ーム再散乱効果によるパターンサイズの変化を補償する
方法を提供するところにある。
みて成されたものであり、その目的は、前述した電子ビ
ーム再散乱効果によるパターンサイズの変化を補償する
方法を提供するところにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明による再散乱した電子ビームによるパターン
サイズの変化を補償する方法は、元の露光パターンを四
角形のメッシュに分けて再散乱した電子ビームにより追
加で露光されるドーズをメッシュごとに求め、この追加
露光ドーズがすべてのメッシュで一定になるように補償
する。すなわち、元の露光パターンを四角形のメッシュ
に分けた後に、隣接するメッシュの露光時に再散乱した
電子ビームにより追加で露光されるドーズをメッシュご
とに求める。次に、所定の基準値から各メッシュの追加
露光ドーズを引いて、メッシュごとに補償露光ドーズを
求める。求められた各メッシュの補償露光ドーズによっ
て電子ビームレジストを補償露光する。
に、本発明による再散乱した電子ビームによるパターン
サイズの変化を補償する方法は、元の露光パターンを四
角形のメッシュに分けて再散乱した電子ビームにより追
加で露光されるドーズをメッシュごとに求め、この追加
露光ドーズがすべてのメッシュで一定になるように補償
する。すなわち、元の露光パターンを四角形のメッシュ
に分けた後に、隣接するメッシュの露光時に再散乱した
電子ビームにより追加で露光されるドーズをメッシュご
とに求める。次に、所定の基準値から各メッシュの追加
露光ドーズを引いて、メッシュごとに補償露光ドーズを
求める。求められた各メッシュの補償露光ドーズによっ
て電子ビームレジストを補償露光する。
【００１１】前述した本発明による電子ビーム再散乱効
果によるパターンサイズの変化を補償する方法は、汎用
のコンピュータにより読み出されて実行されるプログラ
ムを記録した記録媒体の形態で提供できる。すなわち、
本発明によるパターンサイズの変化を補償するための補
償露光データを求める方法を記録したコンピュータで読
み取り可能な記録媒体は、元の露光パターンを四角形の
メッシュに分けて、隣接するメッシュの露光時に再散乱
した電子ビームにより追加で露光されるドーズをメッシ
ュごとに求めるプログラムモジュールと、所定の基準値
から各メッシュの追加露光ドーズを引いてメッシュごと
に補償露光ドーズを求めるプログラムモジュール、およ
びメッシュごとの補償露光ドーズに比例する面積に見合
う分を露光するようにあらかじめ定まった補償露光パタ
ーンにメッシュごとの補償露光パターンを設定するプロ
グラムモジュールを具備する。
果によるパターンサイズの変化を補償する方法は、汎用
のコンピュータにより読み出されて実行されるプログラ
ムを記録した記録媒体の形態で提供できる。すなわち、
本発明によるパターンサイズの変化を補償するための補
償露光データを求める方法を記録したコンピュータで読
み取り可能な記録媒体は、元の露光パターンを四角形の
メッシュに分けて、隣接するメッシュの露光時に再散乱
した電子ビームにより追加で露光されるドーズをメッシ
ュごとに求めるプログラムモジュールと、所定の基準値
から各メッシュの追加露光ドーズを引いてメッシュごと
に補償露光ドーズを求めるプログラムモジュール、およ
びメッシュごとの補償露光ドーズに比例する面積に見合
う分を露光するようにあらかじめ定まった補償露光パタ
ーンにメッシュごとの補償露光パターンを設定するプロ
グラムモジュールを具備する。
【００１２】このように、本発明によれば、電子ビーム
再散乱効果による微細パターンのサイズの変化を補償す
ることにより、次第に高集積化しつつある集積回路の微
細パターンを均一に形成できる。
再散乱効果による微細パターンのサイズの変化を補償す
ることにより、次第に高集積化しつつある集積回路の微
細パターンを均一に形成できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき、本
発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【００１４】まず、図３は、本発明の実施形態におけ
る、再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化
を補償する過程を示したフローチャートである。
る、再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化
を補償する過程を示したフローチャートである。
【００１５】図３を参照すると、まず、電子ビームを用
い、所定の露光パターンに従い電子ビームレジストを露
光する（ステップ３１０）。すなわち、透明基板（図１
の１１０）の全面に形成された遮光膜（図１の１２０）
上に電子ビームレジスト（図１の１３０）を塗布し、所
望のパターンに電子ビームを照射する。すなわち、ステ
ップ３１０の電子ビーム露光は通常の露光段階に当た
り、このとき、再散乱した電子ビームにより露光されて
はならない部位が追加で露光される。ここで、所望のパ
ターンは、たとえば、図４に示されたような所定の物質
層パターンであり、所望のパターンのレイアウトは電子
ビームの露光に必要なデータ形式に変換されて電子ビー
ム照射器に提供される。図４において、後続するフォト
リソグラフィ工程により実際に形成されるべき物質層パ
ターンは斜線の引かれた部分に当たり、電子ビームによ
り露光される部分は、後続する写真工程で用いられるフ
ォトレジストがネガティブタイプであれば図４の斜線の
引かれた部分になり、ポジティブタイプであれば、図４
の斜線の引かれた部分を除いた部分になる（以下では、
説明の便宜上、電子ビームレジストおよび後続する写真
工程で用いられるフォトレジストはいずれもポジティブ
であると仮定する）。
い、所定の露光パターンに従い電子ビームレジストを露
光する（ステップ３１０）。すなわち、透明基板（図１
の１１０）の全面に形成された遮光膜（図１の１２０）
上に電子ビームレジスト（図１の１３０）を塗布し、所
望のパターンに電子ビームを照射する。すなわち、ステ
ップ３１０の電子ビーム露光は通常の露光段階に当た
り、このとき、再散乱した電子ビームにより露光されて
はならない部位が追加で露光される。ここで、所望のパ
ターンは、たとえば、図４に示されたような所定の物質
層パターンであり、所望のパターンのレイアウトは電子
ビームの露光に必要なデータ形式に変換されて電子ビー
ム照射器に提供される。図４において、後続するフォト
リソグラフィ工程により実際に形成されるべき物質層パ
ターンは斜線の引かれた部分に当たり、電子ビームによ
り露光される部分は、後続する写真工程で用いられるフ
ォトレジストがネガティブタイプであれば図４の斜線の
引かれた部分になり、ポジティブタイプであれば、図４
の斜線の引かれた部分を除いた部分になる（以下では、
説明の便宜上、電子ビームレジストおよび後続する写真
工程で用いられるフォトレジストはいずれもポジティブ
であると仮定する）。
【００１６】ステップ３２０からは、再散乱した電子ビ
ームにより追加で露光されたドーズを補償する段階であ
って、まず、露光パターン、すなわち、図４に示された
レイアウトを四角形のメッシュ４１０に分け（ステップ
３２０）、各メッシュ４１０別に隣接したメッシュの露
光時に再散乱した電子ビームによる追加露光ドーズを計
算する（ステップ３３０）。各メッシュ４１０別に追加
露光ドーズを計算する過程は、下記のように細分でき
る。
ームにより追加で露光されたドーズを補償する段階であ
って、まず、露光パターン、すなわち、図４に示された
レイアウトを四角形のメッシュ４１０に分け（ステップ
３２０）、各メッシュ４１０別に隣接したメッシュの露
光時に再散乱した電子ビームによる追加露光ドーズを計
算する（ステップ３３０）。各メッシュ４１０別に追加
露光ドーズを計算する過程は、下記のように細分でき
る。
【００１７】まず、メッシュごとに露光パターン密度を
計算する。前述のように、後続する写真工程で用いられ
るフォトレジストがポジティブタイプであれば、実際に
フォトマスクを製造するために電子ビームにより露光す
る部分は図４の斜線の引かれた部分を除いた部分にな
り、あるメッシュ４１０に斜線の引かれた部分が全く含
んでいなかったとしたとき、そのメッシュの露光パター
ン密度は１になり、逆に、あるメッシュがいずれも斜線
の引かれた部分よりなるとしたとき、そのメッシュの露
光パターン密度は０になる。すなわち、各メッシュの露
光パターン密度はそのメッシュにおいて、斜線の引かれ
ていない部分が占める面積の割合になる。
計算する。前述のように、後続する写真工程で用いられ
るフォトレジストがポジティブタイプであれば、実際に
フォトマスクを製造するために電子ビームにより露光す
る部分は図４の斜線の引かれた部分を除いた部分にな
り、あるメッシュ４１０に斜線の引かれた部分が全く含
んでいなかったとしたとき、そのメッシュの露光パター
ン密度は１になり、逆に、あるメッシュがいずれも斜線
の引かれた部分よりなるとしたとき、そのメッシュの露
光パターン密度は０になる。すなわち、各メッシュの露
光パターン密度はそのメッシュにおいて、斜線の引かれ
ていない部分が占める面積の割合になる。
【００１８】このようにメッシュごとに露光パターン密
度を計算した後、メッシュごとの追加露光ドーズを下記
式を用いて計算する。
度を計算した後、メッシュごとの追加露光ドーズを下記
式を用いて計算する。
【００１９】
【数３】
【００２０】ここで、δijはｘ軸方向にｉ番目、ｙ軸方
向にｊ番目のメッシュの追加露光ドーズを、ξは再散乱
の範囲を、そしてＤijはｘ軸方向にｉ番目、ｙ軸方向に
ｊ番目のメッシュの露光パターン密度を各々表す。
向にｊ番目のメッシュの追加露光ドーズを、ξは再散乱
の範囲を、そしてＤijはｘ軸方向にｉ番目、ｙ軸方向に
ｊ番目のメッシュの露光パターン密度を各々表す。
【００２１】以下、前式１についてより詳細に説明す
る。例えば、図４において、最中央のメッシュ４１０部
分を露光するとき、太い実線で示されたウインド４２０
のエッジまで再散乱した電子ビームが及ぶのであれば、
再散乱の範囲ξは２になり、最中央のメッシュ４１０の
追加露光ドーズを計算するためには、ウインド４２０内
に含まれたすべてのメッシュの露光時に電子ビーム再散
乱効果による追加露光ドーズを加えれば良い。また、露
光時に再散乱効果による各メッシュの追加露光ドーズは
そのメッシュの露光パターン密度に比例し、最中央のメ
ッシュ４１０からの距離に反比例する。
る。例えば、図４において、最中央のメッシュ４１０部
分を露光するとき、太い実線で示されたウインド４２０
のエッジまで再散乱した電子ビームが及ぶのであれば、
再散乱の範囲ξは２になり、最中央のメッシュ４１０の
追加露光ドーズを計算するためには、ウインド４２０内
に含まれたすべてのメッシュの露光時に電子ビーム再散
乱効果による追加露光ドーズを加えれば良い。また、露
光時に再散乱効果による各メッシュの追加露光ドーズは
そのメッシュの露光パターン密度に比例し、最中央のメ
ッシュ４１０からの距離に反比例する。
【００２２】こうしてすべてのメッシュに対する追加露
光ドーズを求めた後に、メッシュごとに補償露光ドーズ
を計算する（ステップ３４０）。補償露光ドーズは、電
子ビーム再散乱効果により追加露光されるドーズがすべ
てのメッシュに対して一定になるように補償するための
ドーズであって、所定の基準値から各メッシュの追加露
光ドーズを引いた値にする。このとき、前記所定の基準
値は、前記ステップ３３０で計算したすべてのメッシュ
に対する追加露光ドーズのうち最大値にしても良く、適
宜な値を任意に指定しても良い。すなわち、図２から明
らかなように、電子ビーム再散乱効果による追加露光ド
ーズは、対物レンズの底面の物質を炭素とした場合約６
％以下であるため、最大の追加露光ドーズは、元の露光
（ステップ３１０）ドーズの６％に設定できる。一方、
前記基準値を追加露光ドーズのうち最大値にする場合、
図５に示されたように、あるメッシュｘの補償露光ドー
ズは、最大の追加露光ドーズ５１０からそのメッシュの
追加露光ドーズを引けば良い。
光ドーズを求めた後に、メッシュごとに補償露光ドーズ
を計算する（ステップ３４０）。補償露光ドーズは、電
子ビーム再散乱効果により追加露光されるドーズがすべ
てのメッシュに対して一定になるように補償するための
ドーズであって、所定の基準値から各メッシュの追加露
光ドーズを引いた値にする。このとき、前記所定の基準
値は、前記ステップ３３０で計算したすべてのメッシュ
に対する追加露光ドーズのうち最大値にしても良く、適
宜な値を任意に指定しても良い。すなわち、図２から明
らかなように、電子ビーム再散乱効果による追加露光ド
ーズは、対物レンズの底面の物質を炭素とした場合約６
％以下であるため、最大の追加露光ドーズは、元の露光
（ステップ３１０）ドーズの６％に設定できる。一方、
前記基準値を追加露光ドーズのうち最大値にする場合、
図５に示されたように、あるメッシュｘの補償露光ドー
ズは、最大の追加露光ドーズ５１０からそのメッシュの
追加露光ドーズを引けば良い。
【００２３】次に、メッシュごとに求められた補償露光
ドーズによって補償露光を行うが、これは、具体的に、
メッシュごとの補償露光ドーズによってあらかじめ定ま
った補償露光パターンのうちいずれかを選択し（ステッ
プ３５０）、メッシュごとに選択された補償露光パター
ンをまとめて補償露光データを構築し、この補償露光デ
ータに基づき、電子ビームにより電子ビームレジストを
露光することにより（ステップ３６０）行われる。図６
および図７は、選択可能な補償露光パターンの例を示し
た図である。各図面において、斜線の引かれた部分６０
３、７０３は、電子ビームにより補償露光される部分を
表す。補償露光パターンは、各メッシュの補償露光ドー
ズによって露光される部分が段階別に広くなるが、図６
の補償露光パターンは全１１段階に、そして図７の補償
露光パターンは全１０段階に分けられている。メッシュ
ごとの補償露光ドーズによる図６または図７の補償露光
パターンの選択は各々、下記表１または表２のように行
えば良い。表１および表２において、δijはｘ軸方向に
ｉ番目、ｙ軸方向にｊ番目のメッシュの補償露光ドーズ
を、そしてδmaxは前述した最大の追加露光ドーズを各
々表す。
ドーズによって補償露光を行うが、これは、具体的に、
メッシュごとの補償露光ドーズによってあらかじめ定ま
った補償露光パターンのうちいずれかを選択し（ステッ
プ３５０）、メッシュごとに選択された補償露光パター
ンをまとめて補償露光データを構築し、この補償露光デ
ータに基づき、電子ビームにより電子ビームレジストを
露光することにより（ステップ３６０）行われる。図６
および図７は、選択可能な補償露光パターンの例を示し
た図である。各図面において、斜線の引かれた部分６０
３、７０３は、電子ビームにより補償露光される部分を
表す。補償露光パターンは、各メッシュの補償露光ドー
ズによって露光される部分が段階別に広くなるが、図６
の補償露光パターンは全１１段階に、そして図７の補償
露光パターンは全１０段階に分けられている。メッシュ
ごとの補償露光ドーズによる図６または図７の補償露光
パターンの選択は各々、下記表１または表２のように行
えば良い。表１および表２において、δijはｘ軸方向に
ｉ番目、ｙ軸方向にｊ番目のメッシュの補償露光ドーズ
を、そしてδmaxは前述した最大の追加露光ドーズを各
々表す。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】一方、補償露光（ステップ３６０）時の最
大ドーズは、元の露光（ステップ３１０）時の最大ドー
ズに比べて既に十分に小さい値（例えば、６％以下）で
あるが、補償露光時間も、図６または図７の補償露光パ
ターンが実際にフォトマスク上に形成されないように、
比較的に短い時間、たとえば３０分以下（元の露光時の
露光時間は、普通数時間である）にすることが好まし
い。
大ドーズは、元の露光（ステップ３１０）時の最大ドー
ズに比べて既に十分に小さい値（例えば、６％以下）で
あるが、補償露光時間も、図６または図７の補償露光パ
ターンが実際にフォトマスク上に形成されないように、
比較的に短い時間、たとえば３０分以下（元の露光時の
露光時間は、普通数時間である）にすることが好まし
い。
【００２７】また、図８に示されたように、好ましく
は、補償露光時の電子ビームスポット８１０径は、補償
露光パターン６０３の線幅の数倍にして、補償露光され
てない部分６０５にも重なるようにする。
は、補償露光時の電子ビームスポット８１０径は、補償
露光パターン６０３の線幅の数倍にして、補償露光され
てない部分６０５にも重なるようにする。
【００２８】このように補償露光を行うと、各メッシュ
での電子ビーム再散乱効果による追加露光ドーズが一定
になり、フォトマスクのパターンサイズの変化が防止さ
れる。
での電子ビーム再散乱効果による追加露光ドーズが一定
になり、フォトマスクのパターンサイズの変化が防止さ
れる。
【００２９】一方、前述した実施例では、本発明の方法
をフォトマスクの製造に適用した場合について説明した
が、本発明の方法は、基板の全面に形成された所定の物
質層を所望の集積回路を構成するためにパタニングする
場合にもそのまま適用できるのは言うまでもない。
をフォトマスクの製造に適用した場合について説明した
が、本発明の方法は、基板の全面に形成された所定の物
質層を所望の集積回路を構成するためにパタニングする
場合にもそのまま適用できるのは言うまでもない。
【００３０】以下、本発明の方法に従い補償露光を行っ
た場合および補償露光を行わない場合のパターンの線幅
変化を測定した実験例について説明する。
た場合および補償露光を行わない場合のパターンの線幅
変化を測定した実験例について説明する。
【００３１】まず、図９のように、一定の線幅をもつ線
状パターン９５０が幾つか整列されたテストパターン９
４０が形成された７０ｍｍ×７０ｍｍの露光パターン９
１０を用意する。図９において、斜線の引かれた領域９
３０、９５０は遮光膜パターンに当たり、斜線の引かれ
ていない領域９２０は電子ビームにより露光される部分
に当たる。
状パターン９５０が幾つか整列されたテストパターン９
４０が形成された７０ｍｍ×７０ｍｍの露光パターン９
１０を用意する。図９において、斜線の引かれた領域９
３０、９５０は遮光膜パターンに当たり、斜線の引かれ
ていない領域９２０は電子ビームにより露光される部分
に当たる。
【００３２】図１０は、この露光パターン９１０に従い
通常の電子ビーム露光（ステップ３１０）を行った後の
テストパターン９４０の線幅を測定して示したグラフで
ある。図１０のグラフにおいて、横軸は図９のすべて露
光される領域（斜線の引かれていない領域）９２０と全
く露光されてない領域（斜線の引かれた領域）９３０と
の境界から全く露光されてない領域９３０側への距離を
表わし、縦軸はテストパターンの測定された線幅を表
す。また、参照符号１０１０は、５０ｋｅＶの加速電圧
下で、３２μＣ／ｃｍ2のドーズで露光を行った場合の
線幅を表し、参照符号１０２０は、１０ｋｅＶの加速電
圧下で、８μＣ／ｃｍ2のドーズで露光を行った場合の
線幅を表す。また、参照符号１０３０は、１０ｋｅＶの
加速電圧下で、８μＣ／ｃｍ2のドーズに露光を行う
が、図９のすべて露光された領域９２０を通常の集積回
路素子にほぼ等しい７０％の平均露光パターン密度をも
つ領域に換算した場合の線幅を表す。
通常の電子ビーム露光（ステップ３１０）を行った後の
テストパターン９４０の線幅を測定して示したグラフで
ある。図１０のグラフにおいて、横軸は図９のすべて露
光される領域（斜線の引かれていない領域）９２０と全
く露光されてない領域（斜線の引かれた領域）９３０と
の境界から全く露光されてない領域９３０側への距離を
表わし、縦軸はテストパターンの測定された線幅を表
す。また、参照符号１０１０は、５０ｋｅＶの加速電圧
下で、３２μＣ／ｃｍ2のドーズで露光を行った場合の
線幅を表し、参照符号１０２０は、１０ｋｅＶの加速電
圧下で、８μＣ／ｃｍ2のドーズで露光を行った場合の
線幅を表す。また、参照符号１０３０は、１０ｋｅＶの
加速電圧下で、８μＣ／ｃｍ2のドーズに露光を行う
が、図９のすべて露光された領域９２０を通常の集積回
路素子にほぼ等しい７０％の平均露光パターン密度をも
つ領域に換算した場合の線幅を表す。
【００３３】図１０を参照すると、線幅の変化幅、すな
わち、最大線幅と最低線幅との差が各々の場合に、約５
３ｎｍ（１０１０）、１５ｎｍ（１０２０）、１０ｎｍ
（１０３０）になることが分かる。また、すべて露光さ
れる領域９２０のテストパターン９４０での線幅変化ま
で合わせた場合、各々の線幅の変化幅は、約８７ｎｍ
（１０１０）、２２ｎｍ（１０２０）、１５ｎｍ（１０
３０）であった。
わち、最大線幅と最低線幅との差が各々の場合に、約５
３ｎｍ（１０１０）、１５ｎｍ（１０２０）、１０ｎｍ
（１０３０）になることが分かる。また、すべて露光さ
れる領域９２０のテストパターン９４０での線幅変化ま
で合わせた場合、各々の線幅の変化幅は、約８７ｎｍ
（１０１０）、２２ｎｍ（１０２０）、１５ｎｍ（１０
３０）であった。
【００３４】次に、前述した本発明の再散乱した電子ビ
ームによるパターンサイズの変化を補償する方法に従い
補償露光を行った。すなわち、図９の７０ｍｍ×７０ｍ
ｍの露光パターン９１０を１ｍｍ×１ｍｍのメッシュに
分け、各メッシュに対して露光パターン密度および追加
露光ドーズを求めた。このとき、再散乱の範囲ξは８ｍ
ｍに、最大の追加露光ドーズ値δmaxは元の露光ドーズ
の３．５％に設定した。このように設定して、メッシュ
ごとに補償露光ドーズを求めた後、補償露光ドーズによ
り補償露光を行って形成されたテストパターンの線幅を
測定した。
ームによるパターンサイズの変化を補償する方法に従い
補償露光を行った。すなわち、図９の７０ｍｍ×７０ｍ
ｍの露光パターン９１０を１ｍｍ×１ｍｍのメッシュに
分け、各メッシュに対して露光パターン密度および追加
露光ドーズを求めた。このとき、再散乱の範囲ξは８ｍ
ｍに、最大の追加露光ドーズ値δmaxは元の露光ドーズ
の３．５％に設定した。このように設定して、メッシュ
ごとに補償露光ドーズを求めた後、補償露光ドーズによ
り補償露光を行って形成されたテストパターンの線幅を
測定した。
【００３５】図１１は、前述の測定の結果を示したグラ
フであって、横軸および縦軸は図１０の場合と同様であ
り、参照符号１１１０、１１２０、１１３０は各々、図
１０の１０１０、１０２０、１０３０に各々対応する場
合の測定された線幅を表す。図１１を参照すると、１１
１０、１１２０、１１３０の場合はいずれも、図１０に
比べて線幅の変化幅が大幅に減ったことが分かる。すべ
て露光される領域９２０のテストパターン９４０での線
幅変化まで合わせた場合、各々の線幅の変化幅は２３ｎ
ｍ（１１１０）、６ｎｍ（１１２０）、４ｎｍ（１１３
０）であった。
フであって、横軸および縦軸は図１０の場合と同様であ
り、参照符号１１１０、１１２０、１１３０は各々、図
１０の１０１０、１０２０、１０３０に各々対応する場
合の測定された線幅を表す。図１１を参照すると、１１
１０、１１２０、１１３０の場合はいずれも、図１０に
比べて線幅の変化幅が大幅に減ったことが分かる。すべ
て露光される領域９２０のテストパターン９４０での線
幅変化まで合わせた場合、各々の線幅の変化幅は２３ｎ
ｍ（１１１０）、６ｎｍ（１１２０）、４ｎｍ（１１３
０）であった。
【００３６】一方、前述した本発明の再散乱した電子ビ
ームによるパターンサイズの変化を補償する方法はプロ
グラムで具現可能であり、このプログラムは、コンピュ
ータで読み取り可能な記録媒体により提供できる。この
ため、本発明のパターンサイズの変化を補償する方法
は、汎用のデジタルコンピュータにより実行できる。前
記記録媒体は、磁気記録媒体（たとえば、ＲＯＭ、フロ
ッピー（登録商標）ディスク（ＦＤ）、ハードディスク
（ＨＤ）など）、光学的な記録媒体（たとえば、ＣＤ−
ＲＯＭ、ＤＶＤなど）およびキャリアウェーブ（たとえ
ば、インターネットを介して伝送）などの貯蔵媒体を含
む。
ームによるパターンサイズの変化を補償する方法はプロ
グラムで具現可能であり、このプログラムは、コンピュ
ータで読み取り可能な記録媒体により提供できる。この
ため、本発明のパターンサイズの変化を補償する方法
は、汎用のデジタルコンピュータにより実行できる。前
記記録媒体は、磁気記録媒体（たとえば、ＲＯＭ、フロ
ッピー（登録商標）ディスク（ＦＤ）、ハードディスク
（ＨＤ）など）、光学的な記録媒体（たとえば、ＣＤ−
ＲＯＭ、ＤＶＤなど）およびキャリアウェーブ（たとえ
ば、インターネットを介して伝送）などの貯蔵媒体を含
む。
【００３７】一般に、図４に示されたような露光パター
ンは、電子ビームの照射のための露光データに変換され
て電子ビーム照射器に提供されるが、本発明の方法に従
い求められた図６または図７のような補償露光パターン
もやはり電子ビーム照射器に補償露光データとして提供
される。特に、本発明の方法のすべての段階、すなわ
ち、元の露光パターン（図４）を所定のサイズをもつメ
ッシュに分け、再散乱した電子ビームにより追加露光さ
れるドーズをメッシュごとに計算する段階と、補償露光
ドーズをメッシュごとに計算する段階、および補償露光
ドーズによりあらかじめ定まった補償露光パターンをメ
ッシュごとに選択して全体の露光パターンに対する補償
露光データを構築する段階は、実質的にコンピュータプ
ログラムの各モジュールで具現でき、しかも、コンピュ
ータプログラムで具現されることが好ましい。ここで、
各プログラムモジュールを実際にコード化した機能的な
プログラムコードおよびコードセグメントは、本発明が
属する技術分野のプログラマによって容易に作成でき
る。
ンは、電子ビームの照射のための露光データに変換され
て電子ビーム照射器に提供されるが、本発明の方法に従
い求められた図６または図７のような補償露光パターン
もやはり電子ビーム照射器に補償露光データとして提供
される。特に、本発明の方法のすべての段階、すなわ
ち、元の露光パターン（図４）を所定のサイズをもつメ
ッシュに分け、再散乱した電子ビームにより追加露光さ
れるドーズをメッシュごとに計算する段階と、補償露光
ドーズをメッシュごとに計算する段階、および補償露光
ドーズによりあらかじめ定まった補償露光パターンをメ
ッシュごとに選択して全体の露光パターンに対する補償
露光データを構築する段階は、実質的にコンピュータプ
ログラムの各モジュールで具現でき、しかも、コンピュ
ータプログラムで具現されることが好ましい。ここで、
各プログラムモジュールを実際にコード化した機能的な
プログラムコードおよびコードセグメントは、本発明が
属する技術分野のプログラマによって容易に作成でき
る。
【００３８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、露
光パターンを四角形のメッシュに分け、電子ビーム再散
乱効果による追加露光ドーズおよび補償露光ドーズをメ
ッシュごとに計算し、メッシュごとの補償露光ドーズに
より所定の補償露光パターンに従い補償露光することに
より、電子ビーム再散乱効果によるパターンサイズの変
化を最小化できる。
光パターンを四角形のメッシュに分け、電子ビーム再散
乱効果による追加露光ドーズおよび補償露光ドーズをメ
ッシュごとに計算し、メッシュごとの補償露光ドーズに
より所定の補償露光パターンに従い補償露光することに
より、電子ビーム再散乱効果によるパターンサイズの変
化を最小化できる。
【００３９】さらに、本発明の電子ビーム再散乱効果に
よるパターンサイズの変化の補償方法は、コンピュータ
プログラムで具現され、汎用のデジタルコンピュータで
実行することにより、電子ビームを用いた露光システム
における再散乱した電子ビームによるパターンサイズの
変化を容易に最小化できる。
よるパターンサイズの変化の補償方法は、コンピュータ
プログラムで具現され、汎用のデジタルコンピュータで
実行することにより、電子ビームを用いた露光システム
における再散乱した電子ビームによるパターンサイズの
変化を容易に最小化できる。
【図１】電子ビーム露光時に電子ビームの散乱現象を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図２】散乱した電子ビームにより追加で露光されるド
ーズを示したグラフである。
ーズを示したグラフである。
【図３】本発明に従い再散乱した電子ビームによるパタ
ーンサイズの変化を補償する過程を示したフローチャー
トである。
ーンサイズの変化を補償する過程を示したフローチャー
トである。
【図４】本発明に従い所定の露光パターンをメッシュに
分ける過程を説明するためのレイアウト図である。
分ける過程を説明するためのレイアウト図である。
【図５】本発明に従い再散乱した電子ビームによるパタ
ーンサイズの変化を補償するために補償露光ドーズを求
める過程を説明するためのグラフである。
ーンサイズの変化を補償するために補償露光ドーズを求
める過程を説明するためのグラフである。
【図６】本発明による補償露光パターンの例を示した図
である。
である。
【図７】本発明による補償露光パターンの例を示した図
である。
である。
【図８】本発明による補償露光時の電子ビームスポット
径を説明するための図である。
径を説明するための図である。
【図９】本発明に従い再散乱した電子ビームによるパタ
ーンサイズの変化を補償する実験に用いられた露光パタ
ーンを示したレイアウト図である。
ーンサイズの変化を補償する実験に用いられた露光パタ
ーンを示したレイアウト図である。
【図１０】各々パターンサイズの変化を補償する前と、
本発明に従い補償を行った後の線幅を測定して示したグ
ラフである。
本発明に従い補償を行った後の線幅を測定して示したグ
ラフである。
【図１１】各々パターンサイズの変化を補償する前と、
本発明に従い補償を行った後の線幅を測定して示したグ
ラフである。
本発明に従い補償を行った後の線幅を測定して示したグ
ラフである。
４１０…メッシュ ４２０…ウインド ５１０…追加露光ドーズ ６０３…補償露光パターン ８１０…電子ビームスポット ９１０…露光パターン ９４０…テストパターン
Claims (12)
- 【請求項１】 電子ビームにより電子ビームレジストを
所定の露光パターンに露光する際、再散乱した電子ビー
ムによるパターンサイズの変化を補償する方法におい
て、 前記所定の露光パターンを四角形のメッシュに分割する
段階と、 隣接するメッシュの露光時に再散乱した電子ビームによ
り追加で露光されるドーズをメッシュごとに求める段階
と、 所定の基準値から各メッシュの追加露光ドーズを引いて
メッシュごとに補償露光ドーズを求める段階と、 前記メッシュごとの補償露光ドーズにより前記電子ビー
ムレジストを補償露光する段階と、を含むことを特徴と
する再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化
の補償方法。 - 【請求項２】 追加露光ドーズをメッシュごとに求める
段階は、 前記各メッシュの露光パターン密度を求める段階と、 前記メッシュごとの追加露光ドーズを下記式を用いて求
める段階と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の
再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化の補
償方法。 【数１】 ここで、δijはｘ軸方向にｉ番目、ｙ軸方向にｊ番目の
メッシュの追加露光ドーズを、ξは再散乱の範囲を、そ
してＤijはｘ軸方向にｉ番目、ｙ軸方向にｊ番目のメッ
シュの露光パターン密度を各々表す。 - 【請求項３】 前記所定の基準値は、前記メッシュごと
の追加露光ドーズのうち最大値に設定されることを特徴
とする請求項１に記載の再散乱した電子ビームによるパ
ターンサイズの変化の補償方法。 - 【請求項４】 前記補償露光する段階は、前記メッシュ
ごとの補償露光ドーズによってあらかじめ定まった補償
露光パターンに前記電子ビームレジストを補償露光する
段階であることを特徴とする請求項１に記載の再散乱し
た電子ビームによるパターンサイズの変化の補償方法。 - 【請求項５】 前記補償露光パターンは、前記補償露光
ドーズに比例する幅をもつ線パターンが一定の間隔をも
って平行に配列されてなることを特徴とする請求項４に
記載の再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変
化の補償方法。 - 【請求項６】 前記補償露光パターンは、前記各メッシ
ュを一定数の四角形領域に分け、各領域のうち前記補償
露光ドーズに比例する個数の四角形領域を露光するパタ
ーンであることを特徴とする請求項４に記載の再散乱し
た電子ビームによるパターンサイズの変化の補償方法。 - 【請求項７】 前記電子ビームレジストで前記補償露光
パターンを補償露光するとき、前記電子ビームレジスト
の表面に結ばれる電子ビームのスポットを広めて、前記
電子ビームレジストに前記補償露光パターンが実際に現
像されないようにすることを特徴とする請求項４に記載
の再散乱した電子ビームによるパターンサイズの変化の
補償方法。 - 【請求項８】 電子ビームにより電子ビームレジストを
所定の露光パターンに露光する際、再散乱した電子ビー
ムによるパターンサイズの変化を補償するための補償露
光データを求める方法を記録した、コンピュータで読み
取り可能な記録媒体において、 前記所定の露光パターンを四角形のメッシュに分割し
て、隣接するメッシュの露光時に再散乱した電子ビーム
により追加で露光されるドーズをメッシュごとに求める
プログラムモジュールと、 所定の基準値から各メッシュの追加露光ドーズを引いて
メッシュごとに補償露光ドーズを求めるプログラムモジ
ュールと、 前記メッシュごとの補償露光ドーズに比例する面積に見
合う分を露光するようにあらかじめ定まった補償露光パ
ターンにメッシュごとの補償露光パターンを設定するプ
ログラムモジュールと、を含むことを特徴とする補償露
光データを求める方法を記録したコンピュータで読み取
り可能な記録媒体。 - 【請求項９】 前記メッシュごとに追加露光ドーズを求
めるプログラムモジュールは、 前記各メッシュの露光パターン密度を求めるサブプログ
ラムモジュールと、 前記メッシュごとの追加露光ドーズを下記式を用いて求
めるサブプログラムモジュールと、を含むことを特徴と
する請求項８に記載の補償露光データを求める方法を記
録したコンピュータで読み取り可能な記録媒体。 【数２】 ここで、δijはｘ軸方向にｉ番目、ｙ軸方向にｊ番目の
メッシュの追加露光ドーズを、ξは再散乱の範囲を、そ
してＤijはｘ軸方向にｉ番目、ｙ軸方向にｊ番目のメッ
シュの露光パターン密度を各々表す。 - 【請求項１０】 前記所定の基準値は、前記メッシュご
との追加露光ドーズのうち最大値に設定されることを特
徴とする請求項８に記載の補償露光データを求める方法
を記録したコンピュータで読み取り可能な記録媒体。 - 【請求項１１】 前記補償露光パターンは、前記補償露
光ドーズに比例する幅をもつ線パターンが一定の間隔を
もって平行に配列されてなることを特徴とする請求項８
に記載の補償露光データを求める方法を記録したコンピ
ュータで読み取り可能な記録媒体。 - 【請求項１２】 前記補償露光パターンは、前記各メッ
シュを一定数の四角形領域に分けて、各領域のうち前記
補償露光ドーズに比例する個数の四角形領域を露光する
パターンであることを特徴とする請求項８に記載の補償
露光データを求める方法を記録したコンピュータで読み
取り可能な記録媒体。
Applications Claiming Priority (2)
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