JP4871536B2 - 近接効果補正を制御するためのプロセス - Google Patents
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Description
近接補正を制御するためのプロセスを適用せずに任意の1組のテストパターンを露光し;
露光された1組のテストパターンから得られるテスト構造の幾何学的配列を測定し、それにより、1組の測定データを獲得し;
この1組の測定データからガウス関数又はガウス関数とは別な近接補正制御関数のための基本入力近接パラメータを決定し;
近接補正制御関数の少なくとも基本入力近接パラメータをそれぞれ変化させることにより近接効果のためのモデルを1組の測定データとフィットさせ、それにより近接補正制御関数のための最適な1組の近接パラメータを獲得し;
設計データに従うパターンの露光の間、電子ビームリソグラフィーシステムの露光制御に近接補正制御関数を適用し;及び
それぞれ変化させた近接パラメータを計算に適用し、計算結果を1組の測定データと比較する。
2 電子ビーム源
3 電子ビーム
4 基板
5 パターン
6 ステージ
7 電気モータ
8 電気モータ
9 ビーム調整コイル
10 ビームブランキングユニット
11 磁界偏向ユニット
12 磁気コイル
13 位置フィードバック装置
14 電子検出器
15 コンピュータ
16 インターフェース
17 ディスプレイ
20 パターン
21 領域
22 ガウスビーム
23 断面
30 パターン
31 領域
32 整形ビーム
321 異なる形状
322 異なる形状
323 異なる形状
33 断面
34 矢印
40 PMMA層
41 GaAs基板
42 軌道
43 電子ビーム
50 パターン
51 第1構造
52 第2構造
53 第3構造
54 第4構造
56 第1位置
57 第2位置
60 第1テストパターン
61 線
62 パッド
63 線幅
64 ギャップ幅
65 ポイント
70 第2テストパターン
71 線幅
72 線
73 ピッチ
74 配列
75 黒丸点
76 単一の明瞭線
80 入力ウィンドウ
81 マーク
90 表
91 第1列
92 第2列
100 入力ウィンドウ
101 マーク
110 表
111 第1列
112 第2列
120 メインウィンドウ
121 第1部分
1211 第1分割ボックス
1212 第2分割ボックス
1213 第3分割ボックス
1214 第4分割ボックス
122 第2部分
123 第3部分
124 テキストウィンドウ
130 分割ウィンドウ
131 選択ボタン
132 入力部
133 入力部
134 入力部
140 分割ウィンドウ
141 入力部
142 ボタン
143 ボタン
144 ボタン
150 表
151 列
152 列
170 分割ウィンドウ
171 ボタン
172 線量率
173 パターン寸法
174 幅×長さ
180 第2部分
181 スタートボタン
182 アクティブ編集ウィンドウ
183 stat
184 2G
190 グラフィックウィンドウ
191 測定結果
192 シミュレーション
193 ind
194 セットボタン
195 点線の円
200 より良いフィット
203 ind
204 セットボタン
210 選択ボックス
211 「LW vs. Q」
212 「Opt. Dose vs. LW」ボックス
220 表
221 列番号1
222 列番号2
223 列番号3
224 列番号4
225 列番号5
226 列番号6
227 列番号7
230 選択ボックス
240 比較
241 補正曲線
242 測定線幅
250 比較
251 補正曲線
252 測定データ
260 グラフ
261 制御関数
270 パターン
271 第1構造
272 第2構造
273 ストレートライン
274 第3構造
275 第4構造
276 分割形状
277 最適な分割形状
280 第1領域
2801 分割領域
2802 分割領域
280n 分割領域
281 第2領域
2811 分割領域
2812 分割領域
281n 分割領域
282 概略図
283 接続部
2841 ランド
2842 ランド
285 実際の画像
286 結果の構造
287 ストレート線
288 実際の画像
Claims (17)
- 設計データと一致するマスク又はウェーハの全体にわたる全域のCD一様性を最適化する処理から得られるパターンを得るために露光が近接補正制御関数により制御される、電子ビームリソグラフィーシステムにおける近接効果補正を制御するプロセスにおいて、
近接補正を制御するためのプロセスを適用せずに任意の1組のテストパターンを露光し;
露光された1組のテストパターンから得られるテスト構造の幾何学的配列を測定し、それにより1組の測定データを獲得し;
1組の測定データからガウス関数又はガウス関数とは別な近接補正制御関数のための基本入力近接パラメータを決定し;
近接補正制御関数の少なくとも基本入力近接パラメータをそれぞれ変化させることにより近接効果のためのモデルを1組の測定データとフィットさせ、それにより近接補正制御関数のための最適な1組の近接パラメータを獲得し;
近接補正制御関数を、設計データに従うパターンの露光の間、電子ビームリソグラフィーシステムの露光制御に適用し;及び
それぞれ変化させた近接パラメータを計算に適用し、計算結果を1組の測定データと比較する、
という各ステップを有するプロセス。 - 前記プロセスが、
それぞれ変化させた近接パラメータを計算に適用し、計算結果と、テストパターンとして露光された孤立した明瞭線及び不明瞭線の名目線量を有する1組の測定データとを比較するステップを有する
ことを特徴とする請求項1に記載のプロセス。 - 前記プロセスが、
それぞれ変化させた近接パラメータを計算に適用し、計算結果と、ピラミッド状パターンである他の任意のパターンからの1組の測定データとを比較し、
露光されたテストパターンの代表点での測定値からの1組の測定データと結果を比較するステップを有する
ことを特徴とする請求項1に記載のプロセス。 - 前記プロセスが、
それぞれ変化させた近接パラメータを計算に適用し、計算結果と、デューティ比の複数の線である他の任意のパターンからの1組の測定データとを比較し、
露光されたテストパターンの代表点での測定値からの1組の測定データと結果を比較するステップを有する
ことを特徴とする請求項1に記載のプロセス。 - 近接補正制御関数が少なくとも2のガウス関数の和であることを特徴とする請求項1に記載のプロセス。
- 近接補正制御関数f(r)が「数1」で定められ、パラメータαを有する第1項がガウス関数による短距離の前方散乱を表し、パラメータβを有する第2項がガウス関数による後方散乱を表し、パラメータηは後方散乱成分と前方散乱成分のエネルギー比であり、rは電子入射の点からの距離であることを特徴とする請求項5に記載のプロセス。
- 近接補正制御関数が3のガウス関数の和で定められることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のプロセス。
- 近接補正制御関数が4のガウス関数の和で定められることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載のプロセス。
- 設計データに従うパターンが最適分割形状に分割され、それぞれの線量がそれぞれの最適分割形状に割り当てられ、それぞれの線量は近接補正制御関数から決定されることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載のプロセス。
- 最適分割形状に割り当てられたそれぞれの線量が、寸法の点で設計データに一致する露光パターンになることを特徴とする請求項9に記載のプロセス。
- 電子ビームリソグラフィーシステムによる近接補正制御関数の使用により、100nmの装置の生成のために、寸法誤差が10nm未満に減少することを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載のプロセス。
- 近接補正制御関数が、1組の測定データに最良に一致する近接パラメータを決定するのを助ける働きをするPROX-Inソフトウェアに組み込まれることを特徴とする請求項1に記載のプロセス。
- PROX-Inソフトウェアが電子ビームリソグラフィーシステムに接続した標準コンピュータで作動し、
ディスプレイがコンピュータに接続しており、
メインウィンドウ(120)が、ユーザーインターフェースとしてディスプレイに表示され、
プログラムPROX-Inソフトウェアをスタートさせると、メインウィンドウがすぐに現れ、当該メインウィンドウが3つの主な部分に分かれている
ことを特徴とする請求項12に記載のプロセス。 - メインウィンドウの第1部分が、別個の第1分割ボックス、第2分割ボックス、第3分割ボックス及び第4分割ボックスから成り、別個の分割ボックスが近接パラメータを計算するのに用いられることを特徴とする請求項13に記載のプロセス。
- メインウィンドウの第2部分が、選択されたテストパターンにおける近接パラメータの数値を「微調整」する働きをし、
パラメータ調整が、適用される線量及び/又は近傍に依存するテストパターンの、測定された寸法変化の「バックシミュレーション」に基づく
ことを特徴とする請求項13に記載のプロセス。 - バックシミュレーションを実行するために、4タイプのパターンを選択することができ、
第1のパターンが幅広の単一の明瞭線であり、得られる露光線量に対する線幅の変化は得られた結果に基づき、対応する(*.BET)ファイルが作られ、
第2のテストパターンが所定の幅を有する孤立した明瞭線であり、相対的最適線量(最小の解像可能な線から2〜3μmまでの幅の範囲の孤立した明瞭線の線幅に対する線量率と定義する)が露光され、測定値からのアスキーデータが(*.TGT)ファイルから線量率に対する線幅の形式で得られ、
第3のテストパターンが「PYR」(ピラミッド状パターン)であり、測定線と、大きい対称的に露光された測定線に沿うパッドとの間のプログラムされたギャップ幅に対して、線幅変化が得られ、測定データはアスキーフォーマット内にあり、(*.PYR)ファイルとして線幅に対するギャップ幅として表示され、
第4のテストパターンが「DRT」(デューティ比テスト)、つまり線/スペースのピッチに対する線幅の変化であり、測定値とデータはアスキーフォーマット内にあり、(*.DRT)ファイルとしてピッチに対する線幅として表示され、全てのデータは補正しないテストパターンの測定値から得られる
ことを特徴とする請求項15に記載のプロセス。 - メインウィンドウの第3部分がメインウィンドウの右下側に位置し、第3部分は、フィットクオリティの評価による計算結果と実験データの対応する数値比較を含み、
データは通常のエディタと同様に第3部分で直接扱われる、すなわち、テキストに印を付け、クリップボードにコピーし、またコピーされたアスキーデータを別な処理のための他のソフトウェア(例えば、エクセル)に直接挿入する
ことを特徴とする請求項13に記載のプロセス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP04103020A EP1612834A1 (en) | 2004-06-29 | 2004-06-29 | A process for controlling the proximity effect correction |
EP04103020.6 | 2004-06-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006019733A JP2006019733A (ja) | 2006-01-19 |
JP4871536B2 true JP4871536B2 (ja) | 2012-02-08 |
Family
ID=34929263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005188343A Expired - Fee Related JP4871536B2 (ja) | 2004-06-29 | 2005-06-28 | 近接効果補正を制御するためのプロセス |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7241542B2 (ja) |
EP (1) | EP1612834A1 (ja) |
JP (1) | JP4871536B2 (ja) |
CN (1) | CN1734706A (ja) |
TW (1) | TWI394197B (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100706813B1 (ko) * | 2006-02-13 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 패턴 배치 방법 |
JP4773224B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2011-09-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及びプログラム |
US7638247B2 (en) * | 2006-06-22 | 2009-12-29 | Pdf Solutions, Inc. | Method for electron beam proximity effect correction |
CN100559272C (zh) * | 2007-06-04 | 2009-11-11 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种构筑亚10纳米间隙及其阵列的方法 |
US7805699B2 (en) * | 2007-10-11 | 2010-09-28 | Mentor Graphics Corporation | Shape-based photolithographic model calibration |
CN101750902B (zh) * | 2008-12-02 | 2012-10-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 多样电子束曝光条件的雾化效应补偿方法及其曝光方法 |
DE102009007770A1 (de) | 2009-02-05 | 2010-08-12 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren zur Bestimmung von Korrekturen für Elektronenstrahl-Maskenschreiber |
CN101893821B (zh) * | 2009-05-22 | 2012-05-23 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 对数据库进行光学邻近修正的方法 |
DE102009049787B4 (de) * | 2009-10-19 | 2012-02-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Bestimmung von Parametern einer Proximity-Funktion, insbesondere für die Korrektur des Proximity-Effekts bei der Elektronenstrahllithografie |
DE102010035047B4 (de) | 2010-08-21 | 2019-08-14 | Vistec Electron Beam Gmbh | Verfahren zur Bestimmung einer störende Prozesseffekte beschreibenden Process Proximity Function zur Steuerung der Elektronenstrahl-Belichtung von Wafern und Masken |
US8539392B2 (en) | 2011-02-24 | 2013-09-17 | National Taiwan University | Method for compensating proximity effects of particle beam lithography processes |
US9484186B2 (en) * | 2012-10-23 | 2016-11-01 | Synopsys, Inc. | Modeling and correcting short-range and long-range effects in E-beam lithography |
NL2014314B1 (en) | 2014-02-21 | 2016-07-19 | Mapper Lithography Ip Bv | Proximity effect correction in a charged particle lithography system. |
JP2017090817A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置、及び物品の製造方法 |
US11756765B2 (en) | 2019-05-24 | 2023-09-12 | D2S, Inc. | Method and system for determining a charged particle beam exposure for a local pattern density |
US10748744B1 (en) * | 2019-05-24 | 2020-08-18 | D2S, Inc. | Method and system for determining a charged particle beam exposure for a local pattern density |
KR20210008678A (ko) | 2019-07-15 | 2021-01-25 | 삼성전자주식회사 | 포토 마스크의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
CN110456609B (zh) * | 2019-08-09 | 2021-04-09 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种适用于无掩模数字光刻的邻近效应校正方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61156813A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-16 | Toshiba Corp | 電子線描画に用いるパタ−ン |
JPS61198630A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-03 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
JPS6358829A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Toshiba Corp | 電子線ビ−ムによるパタ−ン形成方法 |
JPS6386518A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法 |
EP0608657A1 (en) * | 1993-01-29 | 1994-08-03 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for preparing shape data for proximity correction |
JP3348586B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2002-11-20 | ソニー株式会社 | 電子線リソグラフィ技術における近接効果補正法 |
TW380282B (en) * | 1997-12-31 | 2000-01-21 | United Microelectronics Corp | Proximity effect correction method for mask |
JP3466900B2 (ja) * | 1998-01-19 | 2003-11-17 | 株式会社東芝 | 電子ビーム描画装置及び電子ビーム描画方法 |
JPH11260694A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 近接効果パラメータの測定方法 |
JPH11274043A (ja) * | 1998-03-24 | 1999-10-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジストパタンの形成方法 |
NL1010311C2 (nl) * | 1998-06-16 | 1999-12-20 | Dirk Ernest Maria Van Dyck | Werkwijze en inrichting voor het corrigeren van nabijheidseffecten. |
JP2001244165A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Nikon Corp | 近接効果補正方法、レチクル及びデバイス製造方法 |
JP3686367B2 (ja) * | 2001-11-15 | 2005-08-24 | 株式会社ルネサステクノロジ | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP3725841B2 (ja) * | 2002-06-27 | 2005-12-14 | 株式会社東芝 | 電子ビーム露光の近接効果補正方法、露光方法、半導体装置の製造方法及び近接効果補正モジュール |
JP2004140311A (ja) * | 2002-08-20 | 2004-05-13 | Sony Corp | 露光方法および露光装置 |
JP2005019780A (ja) * | 2003-06-27 | 2005-01-20 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光転写におけるパターン形状の推定方法、荷電粒子線露光転写に使用するレチクルパターンの決定方法、及び近接効果のパラメータの推定方法 |
-
2004
- 2004-06-29 EP EP04103020A patent/EP1612834A1/en not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-06-23 US US11/165,312 patent/US7241542B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-24 TW TW094121185A patent/TWI394197B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-06-28 JP JP2005188343A patent/JP4871536B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-29 CN CNA2005100824233A patent/CN1734706A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI394197B (zh) | 2013-04-21 |
JP2006019733A (ja) | 2006-01-19 |
US20050287450A1 (en) | 2005-12-29 |
CN1734706A (zh) | 2006-02-15 |
US7241542B2 (en) | 2007-07-10 |
TW200614313A (en) | 2006-05-01 |
EP1612834A1 (en) | 2006-01-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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