TWI394197B - 用於在電子束微影系統中控制鄰近效應校正的方法 - Google Patents

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Description

用於在電子束微影系統中控制鄰近效應校正的方法
本發明涉及一種在電子束微影(electron beam lithography)系統中，用於控制鄰近效應(proximity effect)校正的方法。本方法適用於在高解析度電子束微影(EBL)中用於最優化控制鄰近校正的點擴展函數(PSF)的鄰近參數的精確數值確定。
鄰近效應參數是控制任意鄰近效應校正軟體的專用數值輸入。蝕刻成形波束這滿足高臨界尺寸控制“CD控制”要求(依國際SEMATECH的實際國際半導體技術路線ITRS而定)以及補償與後續的工藝步驟(顯影、蝕刻等)相聯繫的用高斯函數和/或成形光束的光罩和/或直接寫入加工中的圖形偏差。
人們已經提出過許多方法，用來確定反映各種效應的鄰近參數。除鄰近效應外，在電子束微影系統中還同時發生一種霧化效應。下面是幾篇應用鄰近效應校正的公開文獻。
在Proc.SPIE，第4889卷，第2部分，pp.792－799(第86號論文)中揭示的題為“Optimum PEC Conditions Under Resist Heating Effect Reduction for 90 nm Node Mask Writing”的文章中，示出50KV電子束寫入造成的臨界尺寸(CD)變化，抗蝕劑加熱和鄰近效應的問題，該實驗方法在光罩製程中鄰近輸入參數的確定，該實驗方法採用在具有分立的逐步分別改變鄰近參數的各種條件下寫入的鄰近校正的測試圖形的大面積基質。這樣，從在這些圖形變形效應最小的測試圖形上的直接測量結果來確定最佳參數。該實驗及該圖像評估是非常費時的。因為輸入參數的可能組合的數目很大，所以該方法只限於最後得到的2個PSF的高斯函數近似值。該方法大量用於光罩生產中。
請見Microelectronic Engineering 5(1986)141－159,North Holland中的題為“Determination of Proximity Parameters in Electron Beam Lithography Using Doughnut－Structures”的文章。測試結構為一環形體，用來確定參數於校正函數。此方法從曝光的環形體陣列中借助於光學顯微鏡為確定鄰近參數提供一個易行的方法。此方法對用電子束來獲得CD控制是不夠靈敏的，並不適於高解析度圖案的EBL方法。
在J.Vac.Sci.Technol.B5(1),Jan/Feb 1987中的“Point Exposure Distribution Measurements for Proximity Correction Electron Beam Lithography on a sub－100 nm Scale”的文章中，把單個點/像素曝光在大範圍的劑量中，而測到的圖形直徑和結果直接近似高斯函數。本方法只可應用於特殊的高反差抗蝕劑(即，對顯影效應中的變化是不靈敏的)，需要高解析的測量技術(SEM)，和另外的方法(圖形的“剝離”或沈積鍍膜)。本方法可能不能應用於大批使用的用化學增強的抗蝕劑(CAR)。隨著採用極高劑量的點曝光方法，酸擴散效應可能會超過鄰近效應的真實性質[Z.Cui,PhD,Prewett“Proximity Correction of Chemically Amplified Resist for Electron Beam Lithography,”Microelectronic Engineering 41/42(1998)183－186]。
在J.Appl.Phys.68(12),15 December 1990中的文章“Determination of Proximity Effect Parametersin Electron－Beam Lithography”揭示了一種用於從網狀圖形的矩形陣列中確定在電子束製片中以實驗為根據的方法，根據該方法，在資料處理鄰近參數之後將借助於照明光學檢查來修正。待測量的測試圖形被用於確定鄰近效應。該方法不適於現代的常規高解析度產品電子束微影系統。
在某些刊物中也參考了霧化效應。文章“Fogging Effect Considerationin Mask Process at 50KeV E－Beam Systems”提出一種建議以在高電壓電子束系統中降低霧化效應。
在Microelectronic Engineering 5(1986)141－159,North Holland中的文章，題為“Determination of the Proximity Parameters in Electron Beam Lithography Using Doughnut－Structures”，及在J.Appl.Phys.68(12),15 December 1990中的文章“Determination of Proximity Effect Parameters in Electron－Beam Lithography”揭示了霧化效應。
本發明的目的是要取得一個方法，該方法藉由研究霧化效應的影響，而使電子束微影系統的亮度參數能被可靠地校正。
通過根據申請專利範圍第1項提出權利要求的一種方法，獲得了上面的這個目的。
通過一個在電子束微影系統中用於控制鄰近效應校正的方法取得了以上目的，其中控制曝光是為了在加工處理之後獲得最後得到的與設計資料一致的圖形，該方法包括下面的步驟：＊ 在不應用用於控制鄰近校正的該方法下，曝光任意成套的圖形；＊ 測量最後得到的測試結構的幾何圖形，並從而獲得一組測量結果的資料；＊ 從該組測量結果的資料，確定基本輸入參數α，β和η的用數值表示的鄰近範圍；＊ 通過分別把至少控制函數的基本輸入參數α，β和η改變為測量結果的資料組，並從而獲得最優化的參數組，來適配一個模型，＊ 在根據設計資料的圖形曝光期間，把校正函數用於電子束微影系統的曝光控制。
另外，把已確定的鄰近參數組用於一個計算，並把該結果與用些微的劑量曝光“在目標上”被隔開的透明和不透明線條的測量資料組作比較是有用的。另一可能性是把該適配的鄰近參數組應用到一個計算，和該結果與來自其他像錐形圖形的任意圖形的測量資料組的比較，並把該結果與來自在測試圖形代表點中的測量結果的測量資料作比較。再一個可能性是該適配的鄰近參數組應用到一個計算，和該結果與來自占空系數(duty－ratio中的複數線條的其他任意圖形的測量資料組的比較，並把該結果與來自在測試圖形代表點中的測量結果的測量資料作比較。
本方法是根據圖形幾何變化的分析，作為對在EBL中非互作用和/或互作用的非校正圖形的直接過程的回應(電子能量，抗蝕劑材料，基底材料，前和後曝光的工藝過程，圖形轉移，等)。採用背模擬(back simulation)，藉由把專用的鄰近參數引入到模型中來重新構建測量的圖形變化特性。從該模型計算的資料代表在真實圖形上被測量的相同點上的類比圖形的橫向外形位置。測量的資料與在代表的測試圖形(單獨透明/不透明線段，似錐體的圖形，在占空系數中的直線陣列等)上相同點處的計算結果的比較，目視觀察確定的鄰近參數組的質量。
在該情況下，所要求的使校正演算法在如用於該模型相同的模型概念下工作將被滿足，本方法還同時預測可能的圖形均勻性誤差(圖形一致)和在鄰近校正中，在採用實際上已確定的鄰近參數之後的解析度範圍。
本發明的優點為具有採用建立在模型基礎上的分析和被曝光的非校正代表性圖形(分析作為典型的圖形幾何變化的直接過程回應)原有的幾何變形的解釋，這圖形是在特定的點上(採用商業測量工業，例如CD－SEM)被測量的，和記錄了後面加工過程的資料。接連的“背模擬(back simulation)”過程是被用來這些效應的最佳可能的重新構建。“背模擬”指是的一種根據前和後的曝光條件和/或鄰近(圖形尺寸周圍)效應(＝圖形和過程重新構建)，對於具體圖形細節的幾何圖形變化測量的最佳近似找出最佳數量的輸入參數組的計算方法。一旦這種圖形細節可以是作為曝光強度函數的在一特定點上的圖形的尺寸變化(例如，在最簡的例子中，線寬和/或接觸尺寸的變化對在兩個色調中的曝光劑量)。另一種變化可以是，例如，鄰近圖形的位置(例如，線寬測量對大凸緣的間隙寬度變化的關係一似錐體的圖形，和/或在柵格中的線條一在占空系數中的線條)。結果，在把獲得的參數引入到模型中之後，合適的模擬顯示出，從測量所獲得的幾何圖像變化相關性的相同傾向。因此，如果高速演算法如在用於該模型中相同模型概念下工作，那麼，它在鄰近校正中，導致採用這些輸入參數組的附加變形效應的良好恢復。
可實現直至最小可分辨的圖形尺寸的測量和模擬，它還允許由電子向前散射，二次電子分佈，束模糊，抗蝕劑效應(顯影、酸擴散，淬火)和圖形轉移(微負載)引起的、已知的“短程”效應描述的參數的精確確定。結果，與該參數組一同工作的鄰近校正也將可以在較深的亞－100nm微影交點中正確地工作。
在一對曝光的圖形上的實驗測量(在附錄“測試圖形”中描述)是為提供所有必須的數值引入到PROX－In(PROX－In而建立在起著為蝕刻人確定鄰近效應參數的幫助作用的軟體工具之上的使用人順利的WindowT M )無主動的編輯對話邏輯框，並創建包含測試資料的簡單ASC11－文件的前提。接著，這些資料起著為在本程式中鄰近參數確定所需的用於選擇特殊的內建演算法的基礎的作用。為了最大限度地避免圖形因亞微米特性降級或變形，為處理這個效應使用校正方法是不可避免的。現有的技術依靠：a)曝光劑量的逐次調節，b)圖形的幾何圖像的修正，或c)在上面提到的兩個方法的組合。
這個方法的主要優點是，它不需要使用帶有各種輸入參數的已曝光鄰近校正圖形的大的基質。參數將在非校正的簡單測試圖形上從測量來確定。待分析的資料量和/或參數被大大地減少。本發明的優點如下。本發明只使用小量已曝光的測試圖形的相當簡單的組合。把由測試圖樣覆蓋的基底(5英寸和較大的)面積限於1%之下。而且，測試圖形在沒有任何鄰近校正的情況下曝光。另外，籍助於在測試圖形周圍的附加輔助圖形的基底“模型”曝光，存在著改變整體圖形載入的可能性。這能確定根據在顯影和/或蝕刻過程中的偏離的圖形載入的變化。存在著直接觀察藉由個別改變輸入參數中一個參數值之圖形變壞的傾向。隨後存在輸入參數的互作用精細調諧，以獲得最佳可能的CD－要求(CD線性)。採用具有直接檢驗可能性的兩組或更多的高斯值輸入參數組(高斯函數)，在何處及為何需要具有各種參數的附加高斯函數，能實現達到較佳結果。對任意鄰近參數組的專用圖形細節的背模擬和重新構建，允許在CD中，對已給定各種幾何組合的圖形的參數組，會有可能的變化預測。
在產品的真實條件下，開發並實現了用於在本應用中所描述之方法的最優化和測試目的的電腦程式“PROX－In”。
第1圖示出電子束微影系統1的方塊圖。電子束微影系統1具有發射電子束3的電子束源2。本說明書僅提及電子束3。然而，必須知道，本發明並不僅限於電子束。一般來說，本發明可與能應用到在基底4上寫入圖形5的粒子束一起使用。把基底4本身放在載物台6上，這載物台可由電動機7和8在由跨越X－座標X和Y－座標Y的平面上移動。電子束3在從電子束源2出射後，穿過光束對準線圈9。在光束對準線圈9之後，在電子束3的傳播方向上，提供光束遮沒單元10。在此之後，電子束3到達磁偏轉單元11，一般來說，它包括四個磁線圈12。在此之後，電子束3指向基底4。正如已提到的，基底4被放在載物台6上。這載物台的實際位置受位置反饋裝置13控制。另外，把電子檢測器14放在靠近載物台6的附近。提供電腦15是用來控制整個電子束微影系統1。尤其是，控制，測量和調整光束參數，以便產生出具有恆定尺寸的圖形。把電腦15通過介面16聯接到電子束微影系統1，該介面實現類比到數值和/或數值到類比的轉換。把介面16連接到光束遮沒單元10，磁偏轉單元11，位置反饋裝置13，電子檢測器14和移動載物台6的電動機7和8。通過顯示幕17，使用者可得到有關設定和/或電子束微影系統1的調節參數的資訊。
第2a圖是用於覆蓋某個區域21的圖形20的示例，且區域21用多個高斯光束22填滿。每個高斯光束具有相同的直徑。在第2b圖中，示出高斯光束22的橫截面23的形狀。多根光束覆蓋著為圖形20所需要的區域21。
第3a圖示出用於圖形30的示例，該圖形是用成形光束32被寫入的。圖形30的總區域31由多個可變形狀的圖形所覆蓋。可變形狀的圖形填滿待寫入的圖形31的區域。在此情況下，區域31由電子束的三個不同形狀321 ，322 和323 所覆蓋。第3b圖示出成形光束32的橫截面33的形狀，其中各別光束的形狀可根據需要被寫入的圖形來調節。如第3b圖所示，可改變光束的形狀。這由箭頭34指出。
在這種兩種情況下(高斯光束或成形光束)，亞微米特性或圖形成為以光罩寫入的關鍵問題。採用此圖形尺寸，電子束微影系統面臨共同寄生電子散射效應，它在被寫入圖形的周圍區域中，造成不需要的曝光沈積。這個寄生電子散射效應被叫做鄰近效率[參見例如：T.H.Chang.“Proximity effect in electron beam lithography,”J.Vac.Sci.Technol 12(1975)p.1271]。在最小的特徵尺寸變成小於電子的背散射範圍的情況下，圖形覆蓋影響待寫入圖形的尺寸控制。另一方面，前散射限制了最大的解析度。當電子能量增加時，在背向和前向散射之間的差別亦增加。屬於專用區域中的任何圖形細節，在實現最後得到的微影圖形的圖像中，與它原有的設計尺寸和形狀相比都遭到了顯著的變形。要最大地避免具有亞微米特點的圖形的降級/變形，不可避免要為處理這個效應施加一種校正方法。
第4a圖示出對在鍍於GaAs基底41上、定義抗蝕劑的聚甲基丙烯酸甲酯層40(PMMA)中的100個電子散射的模擬軌道42。電子的初能量被設定為15KeV。當電子束43在PMMA薄層中出射時，電子就根據計算的軌道散射和運動。第4b圖示出對100個電子在鍍於GaAs基底41上的PMMA薄層40中散射的模擬軌道，其中，電子的初能量是較高的如示於第4a圖的計算。在電子束微影中，主要的變形是因為帶有環繞額外效應的抗蝕劑/基底系統的電子互作用，這些額外效應是不能確切地分開並分別地予以處理的。此處，主要的任務是散佈在抗蝕劑中的吸收能量密度分佈(AEDD)，在抗蝕劑容積中具有相應的輻照－化學事件分佈，在抗蝕劑中建立潛在圖像(抗蝕劑的變異)。通過使用電子散射過程的統計的(蒙特卡羅)或分析的(輸運方程)計算，在抗蝕劑層中的AEDD模型是可能的。在從曝光中，吸收必要的輻照量子之後，藉由已輻射過的抗蝕劑容積的局部化學變化，於是就形成了真實的潛在圖像。
第5a圖示出圖形50的形式的示意圖，該圖形需要在基底上的抗蝕劑中寫入。圖形50具有4個不同的部件，這些部件用它們的來自圖形設計資料的尺寸，作為最後得到清晰地描述。第一部件51是一具有限定寬度的直線。第二部件52是矩形形狀的區域。一直線從上角延伸並形成接合區的下角。第三部件53是矩形形狀的區域。一直線延伸到左方，形成該區域的下角。第四部件54包括兩個區域，這兩個區域在它們的下角處用一直線連接。一附加的直線從一區域的上角延伸到左面。
第5b圖示出被寫入在抗蝕劑中的最後得到的圖形55，其中沒有應用根據本發明的校正。在抗蝕劑層中的鄰近效應成為清晰可見。在第一位置56上，此處兩區域被一線分開，在那裏發生顯著的線寬變寬和兩個區域形狀的彎曲。在區域和直線之間不再有間距。在第二位置57處，在那裏，兩接合區彼此面對著，變形導致在那兩個接合區之間的相互連接。
第6圖示出第一可能的(已在PROX－In中實現)被寫入抗蝕劑中的測試圖形60。背模擬這個第一測試圖形60的過程叫做錐形“PYR”(採用類似錐形的測試圖形60)。這個特殊方法可由使用者經過PROX－In使用者介面來啟動(參見第8圖)。這過程能在分析從已曝光的對稱錐形測試圖形60的線寬變化的用實驗測得的資料之後，確定輸入參數。第一測試圖形包括具有預先限定線寬63的線條61。在預先限定的線條61的兩側，沿著已測線61，具有可變間隙寬度64的大凸緣62被曝光。在非校正的情況下，預先限定的單根清晰的線寬63，隨著在已測線61和大量墊片62之間間隙寬度64的減小而增加。測量是在第6圖中用點65標記的位置上做的。設計的間隙寬度與已測的線寬63的依存關係是為用於本方法的計算和背模擬所獲得的輸入的基礎(參見第9圖)。所獲得資料的第一行91包括已設計和曝光的間隙寬度，用[μm)指出，而第二行92則包括已曝光和已測試的線寬的合適線寬63。對本過程必須要找出用於非校正的錐形測試圖形60的最佳曝光劑量，在這裏，單根預先限定的已曝光的線條(例如，在第6圖中，在第一測試圖形60右側上的線條是不受大區域影響的)與目標會合。示於第9圖中僅有的第一最高值是對僅有的大間隙寬度64的線寬61的開始值(此處，例如為2μm)。
第7圖示出也已在PROX－In中實現的第二可能測試圖形70，其PROX－In可供直接確定鄰近參數之用。類似於在前面描述過的其他方法，本過程是基於已曝光的非校正占空系數測試圖形“DRT”的線寬71的測量值。複數線條72在抗蝕劑中被曝光和/或另外再加工。線條72是在該線條之間的各種間距73的陣列74中被形成的。這方法可由使用者經過專用的PROX－In使用者介面來啟動(參見第10圖)。這過程允許在分析來自已曝光的對稱第二測試圖形70的代表線條75寬度變化的用實驗測到的資料之後，確定鄰近輸入參數。為接收已獲得的存儲資訊(參見第11圖)，提供在該表格的兩行中的資料。第一行111是作為比(1：1,1：2,1：3...1：20)的數值1，2，3，...20的占空系數。第二行112是對合適的比率用μm的測量線寬。必須從對各種線條/間距比率的每個陣列74的中央的某處測量線寬的變化。在第7圖中的圓點75指出所做測量的位置。這在開始“DRT”測量過程之前是重要的，而這過程對確定在第二測試圖形70右側上的單根透明線條76的最佳曝光劑量是必須的。換句話說，已測量的單根透明線條具有如CAD－資料所需要的線寬，且已構成圖形的線條與目標盡可能良好的會合。
第8圖示出用於使用者啟動如第6圖所示第一測試圖形60曝光的輸入視窗80。使用者通過設置在指出“PYR”名稱上面的標記(檢查“PYR”鈕)81選擇錐形過程，然後背模擬過程就開始了。其結果示於表90中(參見第9圖)。從已曝光的第一錐形測試圖形60得到的測量結果被設置在第二(中央)行92中。第一行91示出間隙寬度，而第三行93對已給定確定的輸入參數組示出從模擬背模擬/重新構建/計算的線寬63。第9a圖以曲線形式94示出來自PROX－In的結果，此處目的是要找到這種提供最符合具有計算資料(紅色)97的測量資料(黑色)96的參數組95。
第10圖示出用於使用者啟動如第7圖所示的第二“DRT”測試圖形70的過程的PROX－In輸入視窗100。使用者通過設置在指出“DRT”名稱上面的標記101(檢查“DRT”鈕)選擇占空系數測試過程，然後，計算過程就開始了。其結果示於表110(參閱第11圖)。從已曝光的第二測試圖形70得到的測量結果被設置在三行中。第一行111包含具有占空系數的資料，第二行112包含具有已測量線寬的資料，而第三行113則包含來自背模擬計算的線寬。
第11a圖以曲線圖形式114示出來自PROX－In的結果，此處目的是(也是在前面具有錐形圖形的情況相同的)要找到這種提供最符合具有計算資料117的測量資料116的參數組115。
顯然地為了要得到額外的實驗和模擬的資料可設計和採用其他測試圖形符合，而對這些資料，已確定的鄰近參數必須交叉檢查並使它們符合。這符合提供一組參數，它能使微圖形成對曝光，且得到的結果與為所需圖形提供的設計資料高度一致，換句話說：任何用根據本發明方法曝光的圖形，導致具有如根據設計資料所需的尺寸的圖形。
PROX－In在標準電腦15上運作。電腦15在Windows下運作，且不需要任何專用的硬體/軟體部件。PROX－In的安裝是很容易的。創建分開的索引並在此複製供給的/提供的文件。從顯示於與電腦15有關聯的顯示幕主視窗120上，PROX－In的一般結構是清晰的。在開始程式PROX－In之後，主視窗立刻出現(參見第12圖)。主視窗120被分成三個主部分。第一部分121處於主窗口120的整個上半部。第一部分在其上加以“計算α”和“計算β和η”的標題。第一部分121由第一，第二，第三和第四分開的附屬框1211 ，1212 ，1213 和1214 組成。第一附屬框1211 加上標題為“α”。第二附屬框1212 加上標題為“β－手動”。第三附屬框加上標題為“β－自動”。第四附屬框加上標題為“η”。各個附屬框做為來自相對大的圖形/寬線的測量回應的快速和微影過程僅有的第一評估，並傳遞用於接近參數的第一(大致的)數值的方法的作用。
把第二部分122放在主視窗120的底部。第二部分122在其上加以“模擬”的標題，並做為採用背模擬根據最佳圖形重新構建的參數的最後“精細調諧”。
第三部分123位於主視窗120的右底側。第三部分123是一個具有內容視窗124的卷軸形的“輸入/輸出”MEMO－框，在這裏，出現某些有選擇操作/計算造成的必要的資訊。
新的電子束微影系統是為滿足在100nm器件加工水平及以下的CD需要而設計的。為符合這些技術規格，必須有覆蓋所有經過整個加工過程的圖形降級/變形效應的合適知識基礎，且還有準確的校正方法的連貫應用。
在電子束微影系統1中，其主要變形起源於環繞著額外效應的抗蝕劑/基底系統的電子交互作用，這些額外效應是不能確切地分開和分別地予以處理的。此處，主要的任務為散佈在抗蝕劑中的吸收能量密度分佈(AEDD)，其抗蝕劑為在抗蝕劑容積中具有相應的輻照－化學事件分佈，其抗蝕容積為在抗蝕劑中建立的潛在圖像(抗蝕劑變異)。藉由採用電子散射過程的統計的(蒙特卡羅)或分析的(輸運方程式)計算，在抗蝕劑層中的AEDD模型模擬是可能的。在從曝光中，吸收必要的輻照量之後，藉由已輻照的抗蝕劑容積的局部化學變化，就形成了真實的潛在圖像。
通常，鄰近校正控制函數f(r)被描述為兩個或更多高斯函數之和(參見方程1)在標準化的2G－函數的情況下，它表達如下：
其中第一項α－表出前向散射的短程特徵，第二項β－背向散射，參數η－是背向散射分量對前向散射分量的沈積能量之比，而γ－是離電子入射點的距離(參見第4a圖)。
在合適的顯影液中，應用後曝光過程(大多是濕過程)之後，可獲得最後的解除抗蝕劑光罩。對真實的抗蝕劑圖形幾何的模型和預測，需要確切地知道通過輻照改變的聚合物的溶解特性。顯影過程引起整個模擬的大量不確定性，這是因為這複雜的熱－流體－動力過程的高度非線性特性所致。由於有種類繁多的系統存在(半導體基底，抗蝕劑和後曝光過程)，方程式1中的諸參數需要對所有這些不同的系統來確定。
在光罩的製作中，類似的複雜清楚表明也是第二個步驟一通過在濕和/或乾的這兩個蝕刻中的抗蝕劑，圖形轉移至成像層和/或基底之中。
在電子束微影系統的領域中的鄰近效應的校正通過某些商業套裝軟體是可以得到的，這些套裝軟體都是根據採用如上面描述的電子散射現像的兩個或多個高斯近似值的原理來處理曝光劑量最優化的問題。如果輸入參數僅僅從蒙特卡羅模擬來確定，那麼計算只涉及純的AEDD。這種結果不包含任何關於來自其他影響因素的額外非線性效應的資訊。一種影響因素就是這過程，例如，在抗蝕劑中的輻照－化學事件，熱效應，以及在顯影中的溶解特性，如在光罩製作中的蝕刻。另一影響因素是工具，(例如，電－光像差和影響氣體圖像斜度和/或邊緣分辨能力的空間電荷效應)，依賴踫撞影響最後得到的圖形變形。考慮到這些，用於校正方案的輸入應採用確切地描述這些效應的物體特性模型來估計。另外還精細地調諧來自實驗測量結果的這些參數之值。
對校正過程來說，只有適當地選擇數值輸入才能使這個系統工作。所以已採取很大的努力來開發一種快速和容易的方法用於為確定曝光校正演算法所需要的與過程有關的輸入參數組的數值確定。靈活的套裝程式PROX－In將幫助微影人員找到/確定這些最優化的數值。
採取特殊的注意來同步化校正器的演算法和PROX－In軟體這兩者，對相同的輸入參數分別獲得在該模擬模式中的相同結果。本發明採用半唯像概念。
用電子束微影系統1的鄰近校正，對產生100nm及以下的裝置，把在光罩上的尺寸誤差降低到<10nm。
在開始PROX－In之前，不可避免地要直接從專門設計的和已曝光的測試圖形的組合擷取下面主要的用數值表示的微影參數(如為數值計算，引入/設置參數到PROX－In中所必需的)。
第13圖示出主視窗120的第一部分121的附屬視窗130。在第一個方法中，α－參數是作為實際的電子能量和所用的抗蝕劑材料和厚度的函數從蒙特卡羅計算中計算的。在標有名稱“計算α”的附屬視窗130中，選擇鈕“ALPHA(α)”131能使它有可能得到對由C，H，和O原子組成的簡單聚合物材料(任選平均密度在1.1－1.3[g/cm3 ]之間的PMMA－(C5 H8 O2 ))的定向α值(只與純的電子彈性正向散射有關，與基底材料無關)。使用者具有用於抗蝕劑材料的輸入區段132，用於電子能量的輸入區段133和用於抗蝕劑深度的輸入區段134。計算要求電子能量[KeV]和應確定α處的抗蝕劑中的深度[μm]的輸入。
一般來說，並不推薦直接這個已得到α值作為進入校正過程中的輸入。這個計算僅接近來自所用曝光能量和抗蝕劑厚度對α值變化的相關性。真實的α的最終參數正常地將具有稍為較大的值，因為除了電子的正向散射之外，其他額外的過程(顯影、蝕刻)和/或工具相關的誤差(光像差，當前的－，前－，和後曝光過程穩定性和複製性諸問題)也會影響這個參數。
對實際的過程，採用“背模擬”，在其他參數(β,η,...)的粗略估計之後，將可完成最後α－參數的確定。
第14圖示出在顯示幕或用於計算β和η的使用者介面上的主視窗121第一部分的附屬視窗140。β－參數代表在電子束微影系統中，關於圖像變形的鄰近效應的“長距離”碰撞。這意味著β－值有影響地和精細地確定分別在透明和/或不透明模式這兩者中的交互作用和在非交互作用圖形的大範圍上分佈的最後劑量。
所以，一個“良好”的β值估計，對在實際條件下鄰近校正的工作，是關鍵因素，這個參數對基底材料的成分是極為靈敏的(在許多具體情況下，對統計/分析的電子散射計算的準確基底定義是不可能的)。
在附屬視窗140中，使用者具有輸入區段141以引入評估的線寬[μm]值。選擇在附屬視窗140中的“β－手動”142或“β－自動”143，並通過按下按鈕“開始計算”144將啟動這個過程。
在啟動之後，使用者尋找[＊ .BET]型的ASCII－內容的文件。該文件的結構需要來自也包括已用各種劑量曝光的非校正的寬線的測試圖形的測量資料。
第15圖示出[＊ .BET]－文件的表格150，用於準備其顯示出劑量[μC/cm2 ]對已曝光的線寬[μm]的關係。
測量應在用各種劑量曝光的孤立寬線條上執行。測量的結果160示於第16圖。測量線條應是作為寬度>β(“收集所有背向散射電子”，即對50KeV的光罩製作10μm)的長孤立線條曝光的圖形。(＊ .BET)文件(表150)是通過使用任意的內容編輯器，用像在兩行151，152中的“劑量”[μC/cm2 ]－分離器－“線寬”[μm]，在ASCII格式中隨劑量值的下降來寫入。該測量是用CD－測量儀器來做的(例如LeicaLMS－IPRO,Leica LWM,CD－SEM,或其類似的儀器)。
該方法是根據線寬變化對曝光劑量關係的分析(參見第16圖)。劑量是在橫軸上被寫入的，並從最小的合理值經過最佳曝光(此處線寬為15μm與目標會合，直至較高的值，約至最佳劑量的10X)而增加(用精細的步驟)。測量線寬示於縱軸。背散射全部效應的目視觀察與來自前和後曝光過程的所有額外碰撞一起，用最後得到的線寬和/或格式示於第16圖。對已給定過程的結構的專用β參數，可通過把(＊ .BET)－文件引入到“β－手動”和/或“β－自動”下的演算法來計算。
第17圖示出在顯示器上或用於計算η的使用者介面上的主視窗120第一部分的附屬視窗170。在PROX－In主視窗120上，按鈕“ETA”171啟動“η”的計算。為了實現這個步驟在前面已確定的β值，和兩個作為從孤立的透明長，寬，和狹的線條的測量結果的兩個附加的實驗值是必需的。η－值的計算要求最佳的劑量因素(此處目標對兩根線條都是會合的)：(i)對大圖形的劑量＝劑量大 (例如10μm或15μm已曝光的線)以及(ii)對小圖形的劑量＝劑量小 (例如1μm線)，作為無維的值(non－dimensional)：劑量因素＝劑量小 /劑量大 。這個值必須引入標題為“劑量因素”172的位置中，而已曝光的圖形尺寸引入標題為“圖形尺寸為”“大”173和“小”174“寬度×長度”用[μm]的位置中。在選擇按鈕“ETA”171並按下按鈕“開始計算”之後就計算η－值並用紅色顯示(參見第17圖)。
主視窗120的第二區段180，被加以“模擬”的標題，並在選定的圖形上起著數值輸入參數的“精細調諧”的作用。參數調諧是根據與所加劑量和/或周圍附近有關圖形的已測尺寸變化的“背模擬”。在處置方面有四種類型的圖形，藉助於這些圖形，就有可能執行背模擬(第10圖)。一種圖形為一條寬的單根透明線。線寬變化對曝光曝量的關係是根據得到的結果和相應的(＊ .BET)－文件(參見第15圖)。另一種可能性是相對的最佳劑量＝劑量因素對孤立透明線條的線寬的關係，寬度範圍從最小限度可分辨的線條直至2－3μm(根據該過程)。來自測量結果的ASCII資料可從線寬對(＊ .TGT)－文件的劑量因素形式中得到。相應的資料可從非校正的已曝光測試圖形的測量結果中抽取出來。“PYR”－似錐形的圖形－線寬的變化作為在測量線條和大而對稱地曝光，沿著測量線的墊片之間程式化的間隙寬度的函數(參見第6圖)。在ASCII格式中，來自以下面形式的測量結果中的測量資料是需要的：間隙寬度對線寬的關係作為(＊ .PYR)－文件。在ASCII格式中，來自以下面形式的測量結果的“DRT”－占空系數測試－作為線條/間隔間距函數的線寬變化－測量結果資料是需要的：線寬對間距的關係作為(＊ .DRT)－文件。－資料可從非校正的測試圖形上的測試結果中抽取出來(參見第7圖)。在模擬部分的主要工作，如在主視窗120的第二區段180中顯示的，是為所用微影模型找出(相互作用)合理的輸入參數組，這模擬示出與測量適配的最佳可能。那就意味著：該模擬應重新構建已測圖形幾何變化的真實情況。
該模擬部分的主要工作是為微影模型所用的找出合理的輸入參數值，此處模擬示出與測量適配的最佳可能。那就意味著，這模擬應重新構建已測圖形幾何變化的真實情況。
在按下用於模擬的開始按鈕181之前，使用者必須選擇四種圖形類型(“LW對Q”，“至目標...”，“PYR”，“DRT”)中的一個，從這些類型中，用測到的資料可得到相應的ASCII－文件。也必須用有關的數值填滿所有的有源Edit－Window182(編輯窗口182)，並選擇採用2，3，或4個高斯光速圖像的所需要的模型方法。
可能的數值模糊(例如，不僅是單值的結果和/或參數值沒有一個合理的物理解釋)會造成某些複雜的問題。所以我們推薦一般用“2G”184(兩個高斯光束)方法來開始模擬，並作為開始值引入從第一粗略近似值獲得的β－和η－值。作為開始值，可設置在0.05－0.1μm範圍的數值。
在開始類比之後，請求對應ASCII－文件出現[根據所選定的圖形類型，(＊ .BET),(＊ .TGT),(＊ .PYR)，或(＊ .DRT)中的一個]。如果該文件被該程式成功地讀出和解釋，則新的圖解視窗190(參見第19圖)立刻在主視窗120第二區段180的頂部出現，它示出來自在合適的圖解形式中採用進入的值的測量結果191和有關模擬192的結果。
在位於視窗120的右底側的第三部分123上出現與該圖解連同資訊內容(參見第12圖)。第三部分123包含在實驗結果和計算的適配品質的評估結果之間作對應的數值比較。在第三部分123中，該資料可被直接處理，類似於在正常的編輯器中那樣，就是標示這內容，複製到剪輯板上，而且還把已複製的ASCII資料直接地引入到其他的軟體中(例如Excel,...)作進一步的處理之用。
在“stat”183下，在第二區段180上的各個類比步驟之後，指出剛才執行模擬的品質值出現。一般來說，在採用背模擬方法確定參數的適配過程中的每個步驟將往往會對“stat”183得到最小的可能值(例如參看在第19圖和第20圖之間的在“stat”中的差別：明顯地示出第20圖具有較佳適配200的特點)。
“ind”193,203以箭頭“”的形式示出在適配過程中間適配的質量傾向。按下“Set”按鈕194，204把當前的“stat”值設置為最小值用來品質評估，並從現在起指示器“ind”將示出與該值相一致的適配品質傾向。“ind”意思：“”－較差；“”－較好；“”－無顯著變化。
在一個選定的圖形類型的情況下，除“DRT”之外，分別嘗試程式函數：“自動－α”，“自動－β”，和“自動－η”(參見第18圖)中的每一個必是可能的(檢查適合的視窗，注意：在相同的時間中只能檢查一個！)。這結果對α或β或η是一個最佳的參數值建議，它用紅色出現在第二區段180中。如果這已計算值的建議認為是可靠的，然後應把它引入到合適的Edit－Window(編輯視窗)下面作為下一次模擬步驟的新值。作為在自動－適配過程中僅有的第一步驟，建議用“自動－η”函數來開始－找出一個η的近似地有關的並可接受的值。在把這值引入到編輯視窗中的下面之後，參數配合需要通過所有的輸入參數的許多次更多的替代。
用“3G”和“4G”指出的視窗(參見主視窗120的第二區段180)是用於選擇多於兩個高斯參數組值。經常會發生測量結果的某些區域不能與用採用標準的兩個高斯參數組值的模擬滿意地適配(參見第19圖；用處圓195標出的範圍)。在線寬變化的已測輸入是正確的情況下，此事實上可導致對在校正過程中的某些圖形組合的最佳劑量分配的局部失敗。一般來說，為了改善適配的品質，採用多個兩個高斯函數是可能的(參見第20圖)。
如果採用“3G”或“4G”，建議移動兩個從“2G”過程中獲得的數值β和η，作為在“3G”或“4G”中的最後兩個參數，即，βγ和ηv。這新的“空白”參數β和η現在應該用某些“小的”開始值來設置，並逐步調諧以獲得最佳適配。對α，和β，和η的精細調諧，“自動”函數是有用的。
第21圖示出選擇視窗210。使用者選擇“LW對Q”211，並同時還檢查在下面的“Opt.Dose對LW”視窗212。這是得到關於具有所提出的輸入參數組校正過程的全視圖的全面控制過程，這過程不需要任何輸入檔案。由於該結果出現在來自該模型的計算結果的綜合表220中(參見第20圖)，就形成了。表220由7行和46列組成。每列包含對已給的線寬(從100μm降至50nm曝光)，在校正之後的計算劑因素。在第22圖中的行具有下面的含義：1－線寬[μm]221，行號：2－計算的最佳劑量[μC/cm2 ]222，行號：3－對單根透明線的劑量因素223，行號：4－對單根透明接觸的劑量因素224，行號：5－對在L/S(1：1)大陣列中間線條的劑量因素225，行號：6－在取自(1：1)大陣列中間線條的中間處之曝光密度因素226，以及行號：7－對單根不透明線227的劑量因素。
第23圖示出選擇視窗230。“to Target...”(“到目標...”)過程能讓使用者接收來自用於對一給定的過程降至最小可獲得尺寸的單根透明線條的最佳圖形的精確抽取“校正曲線”的最優化參數組。
第24圖示出最佳劑量的比較240對單根透明線的所測線寬242和採用“2G”近似模擬的單根透明線條的線寬242。採用“2G”近似計算的“校正曲線”241並不提供相對於線寬的所測資料的最佳適配。
第25圖示出最佳劑量的比較240對單根透明線的所測線寬和採用“3G”近似。採用“3G”近似模擬的單根透明線條的242線寬。採用“3G”近似計算的“校正曲線”251提供相對於線寬的所測資料252的最佳適配。
第26圖示出產生結果的控制函數261圖像的曲線260。在整個參數組確定過程中的最後步驟是用於產生曝光過程最優化的控制面數261。控制函數261全部由所獲得的鄰近輸入參數α，β，η，...決定。
在檢查“EID to a File(＊ .pec)”檢查視窗之後，對模擬步驟中的每個步驟，都可獲得以“EID”[Exposure Intensity Distribution(曝光密度分佈)]的形式的產生結果的控制函數261。這過程需要對產生結果的“EID”－檔案“EID”－File的檔案名稱File Name(參見第24圖)：在顯示幕的上面部分顯出作為徑向距離[μm]對曝光密度[任意單位]的關係所得到的控制函數的曲線圖像(參見第23圖)。
第27圖示出圖形270的形式，它需要被寫入到基底上的抗蝕劑中。圖形270由CAD－資料提供，並在本實施例中有四個不同的部件。圖形270的尺寸清楚地依據CAD－資料或設計資料。第一部件是具有限定寬度的直線271。第二部件272是矩形形狀的區域。直線273從上角延伸並形成該區域的下角。第一部件的直線271與從第二部件延伸的直線273平行。第三部件274是矩形形狀的區域。直線273向左面延伸，形成該接合區的下角。第四部件275包括兩個區域。這兩個區域在它們的下角用直線271連接。一附加直線從一個區域的上角向左延伸。正如已在上面提及的，所有直線271是平行的。
如由CAD－設計所限定的圖形被分成子形狀276。對每個子形狀276分配用於微影過程限定的電子束密度。作為由程序控制和最後得到的鄰近校正引起的結果，子形狀276被進一步劃分並導致最佳的子形狀277。對每個個別的最佳子形狀277，分配電子束的個別劑量。劑量的分配根據校正函數的最佳適配的參數組來實現。
第28圖示出用與不用所施加的控制函數寫入圖形的示意圖像。把限定的電子束劑量分配到第一和第二區280和281。由電子束照射引起的圖形的示意圖像282示出在個別的區域2841 和2842 之間的連接處283。根據CAD－資料，期望接合區2841 和2842 是分開的。電子束的照射造成在兩接合區2841 和2842 之間的不需要的連接。結構圖形的真實圖像285示出在兩接合區2841 和2842 之間的連接。根據本發明，至少把第一和第二區280和281分成兩個子區域2801 ，2802 ，...，280n 和2811 ，2812 ...和281n ，其中把不同的劑量分配到子區域。根據本實施例，把區域280和281分為三個子區域2801 ，2802 ，和2803 。把個別的劑量分配到每個子區域2801 ，2802 ，和2803 ，其中第一子區域2801 受到劑量Do，第二子區域2802 受到劑量D1 ，而第三子區域2803 則受到劑量D2 。作為本發明的對各個子區域的各種劑量分配的結果，得到如由CAD資料所要求的尺寸的結構。各種產生結果的結構286的示意圖像示出在兩個結構之間有著明晰的間隔。這間隔由具有恒定寬度直線287所限定，還示出了圖形結構的真實圖像288。
1．．．電子系微影系統
2．．．電子束源
3．．．電子束
4．．．基底
5．．．圖形
6．．．載物台
7．．．電動機
8．．．電動機
9．．．光束對準線圈
10．．．光束遮沒單元
11．．．磁偏轉單元
12．．．磁線圈
13．．．反饋裝置
14．．．電子檢測器
15．．．電腦
16．．．介面
17．．．顯示幕
20．．．圖形
21．．．區域
22．．．高斯光束
23．．．橫截面
30．．．圖形
31．．．總區域
32．．．成形光束
321 ．．．形狀
322 ．．．形狀
323 ．．．形狀
33．．．橫截面
34．．．箭頭
40．．．聚甲基丙烯酸甲酯層
41．．．GaAs基底
42．．．模擬軌道
43．．．電子束
50．．．圖形
51．．．第一部件
52．．．第二部件
53．．．第三部件
54．．．第四部件
55．．．得到的圖形
56．．．第一位置
57．．．第二位置
60．．．第一測試圖形
61．．．線條
62．．．凸緣
63．．．線寬
64．．．間隙寬度
65．．．點
70．．．第二可能測試圖形
71．．．線寬
72．．．線條
73．．．間距
74．．．陣列
75．．．線條
76．．．單根透明線條
80．．．輸入視窗
81．．．標記
90．．．表
91．．．第一行
92．．．第二行
93．．．第三行
94．．．曲線形式
95．．．參數組
96．．．測量資料
97．．．計算資料
100．．．輸入視窗
101．．．標記
110．．．表
111．．．第一行
112．．．第二行
113．．．第三行
114．．．圖形式
115．．．參數組
116．．．測量資料
117．．．計算資料
120．．．主視窗
121．．．第一部分
1211 ．．．附屬框
1212 ．．．附屬框
1213 ．．．附屬框
1214 ．．．附屬框
122．．．第二部分
123．．．第三部分
124．．．內容視窗
130．．．附屬視窗
131．．．選擇鈕“ALPHA”
132．．．輸入區段
133．．．輸入區段
134．．．輸入區段
140．．．附屬視窗
141．．．輸入區段
142．．．按鈕“β－手動”
143．．．按鈕“β－自動”
144．．．按鈕“開始計算”
150．．．表
151．．．行
152．．．行
160．．．結果
170．．．附屬視窗
171．．．按鈕“ETA”
172．．．“劑量因數”
173．．．“圖形尺寸”“大”
174．．．“小”
180．．．第二區段
181．．．開始按鈕
182．．．編輯窗口
183．．．“stat”
184．．．“2G”
190．．．圖解視窗
191．．．測量結果
192．．．模擬
193．．．“ind”
194．．．“set”按鈕
195．．．虛圓
203．．．“ind”
204．．．“set”按鈕
210．．．選擇視窗
211．．．“LW對Q”
212．．．視窗
220．．．表
221．．．線寬
222．．．計算的最佳劑量
223．．．劑量因素
224．．．劑量因素
225．．．劑量因素
226．．．曝光密度因素
227．．．單根不透明線
230．．．選擇視窗
240．．．比較
241．．．校正曲線
242．．．線寬
250．．．比較
251．．．校正曲線
252．．．資料
260．．．曲線
261．．．控制函數
270．．．圖形
271．．．直線
272．．．第二部分
273．．．直線
274．．．第三部分
275．．．第四部分
276．．．子形狀
277．．．子形狀
280．．．第一區
2801 ．．．子區域
2802 ．．．子區域
2803 ．．．子區域
281．．．第二區
2811 ．．．子區域
2812 ．．．子區域
2813 ．．．子區域
282．．．示意圖像
283．．．連接處
2841 ．．．個別接合區
2842 ．．．個別接合區
285．．．真實圖像
286．．．結果的結構
287．．．直線
288．．．真實圖像
現在將在下面的本發明詳細描述中，結合附圖更為全面地描述本發明的特性和操作模式，其中：第1圖是電子束微影系統的方塊圖；第2a圖是對用高斯光束寫入的圖像示例；第2b圖是具有恒定直徑的高斯光束的橫截面形狀；第3a圖是採用具有成形波束寫入的圖形的示例；第3b圖是該成形光束的橫截面形狀，其中，該光束形狀可根據需要寫入的圖形來調節；第4a圖示出對鍍在GaAs基底上的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中散射的100個電子的模擬軌道；第4b圖示出對鍍在GaAs基底上的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中散射的100個電子的類比軌道，其中，電子的初能量比較高如同在第4a圖的計算中所示的情形；第5a圖示出需要在基底上的抗蝕劑中寫入的圖形樣式的示意圖；第5b圖示出該圖形的結果，該圖形在抗蝕劑中被寫入，且沒有應用根據本發明的校正；第6圖示出被寫入到抗蝕劑之內的第一測試圖形；第7圖示出被寫入到抗蝕劑之內的第二測試圖形；第8圖示出為使用者的輸入視窗以開始示於第6圖中的第一測試圖形的曝光；第9圖示出從已曝光的第一測試圖形得到的測量結果表；第10圖示出為使用者輸入視窗以開始示於第7圖中的第二測試圖形的曝光；第11圖示出從已曝光的第二測試圖形得到的測量結果表；第12圖示出提供在與電腦有關聯的顯示幕上的程式PROX－In的主視窗；第13圖示出在顯示幕或用於計算α的使用者介面上的主視窗第一部分的子視窗；第14圖示出在顯示幕或用於計算β和η的使用者介面上的主視窗第一部分的子視窗；第15圖示出作為所施加劑量函數的已曝光線條寬度的表格；第16圖示出在作為已曝光試劑函數的線寬中的變化；第17圖示出在顯示幕或用於計算η的使用者介面上的主視窗第一部分的子視窗；第18圖示出主視窗(參見第12圖)的第二部段，它起著用數值表示的輸入參數的“精細調諧”的作用；第19圖示出採用“2G”近似的15μm線寬變化的模擬；第20圖示出採用“3G”近似的15μm線寬變化的模擬；第21圖示出選擇視窗；第22圖示出帶有從該模型計算結果的綜合表；第23圖示出選擇視窗；第24圖示比對單根透明線的已測的和模擬的線寬的最佳劑量模擬比較，採用“2G”近似；第25圖示比對單根透明線的已測的和模擬的線寬的最佳劑量比較，採用“3G”近似；第26圖示出最後得到的控制函數的曲線圖表示；第27圖示出示意的代表圖形，它是要被微影過程寫入的，且該圖形的瓦解進入子元件中，以及第28圖示出用和不用所應用的控制函數寫入的圖形的示意圖。
1．．．電子系微影系統
2．．．電子束源
3．．．電子束
4．．．基底
5．．．圖形
6．．．載物
7．．．電動機
8．．．電動機
9．．．光束對準線圈
10．．．光束遮沒單元
11．．．磁偏單元
12．．．磁線圈
13．．．反饋裝置
14．．．電子檢測器
15．．．電腦
16．．．介面
17．．．顯示幕

Claims (17)

  1. 一種用於在電子束微影系統中控制鄰近效應校正的方法，其中一控制函數所控制的曝光是為了在加工處理之後，獲得最後得到的圖形與設計資料一致，該方法包括下面的步驟：*在不應用該用於控制鄰近校正的方法下，曝光任意組的圖形；*測量最後得到的測試結構的幾何圖形，並從而獲得一組測量結果的資料；*從該測量結果的資料組決定基本輸入鄰近參數；*在根據設計資料的圖形曝光期間，把該控制函數應用到電子束微影系統的曝光控制；*分別改變至少該控制函數的基本輸入鄰近參數；以及適配一模型至該測量結果的資料組，並從而獲得最優化的鄰近參數組；*將該分別改變的鄰近參數應用至計算，以及將計算後的結果與該測量結果的資料組進行比較。
  2. 如申請專利範圍第1項所述方法，其中該方法包括把確定的鄰近參數組應用到計算，並把這些結果與用正常劑量曝光的孤立透明和不透明線條的測量資料進行比較的步驟。
  3. 如申請專利範圍第1項所述方法，其中該方法包括把適配 的鄰近參數組應用到計算，和這些結果與來自其他任意的似錐形的圖形的測量資料進行比較，並把這些結果與來自在測試圖形的代表點上測量結果的測量資料組作比較的步驟。
  4. 如申請專利範圍第1項所述方法，其中該方法包括把適配的鄰近參數組應用到一個計算，和這些結果與來自其他任意的在占空系數中的多根線條的圖形的測量資料組的一個比較，並把這些結果與來自測試圖形的代表點上的測量結果的測量結果作比較的步驟。
  5. 如申請專利範圍第1項所述方法，其中該控制函數是至少兩個高斯函數的和。
  6. 如申請專利範圍第5項所述方法，其中該控制函數的構成是藉由 來確定的，其中第一術語α-表示前向散射的短範圍特徵，第二術語β-背向散射，參數η是背向散射分量對前向散射分量的沈積能量之比，以及γ-是離電子入射點的距離。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中該控制函數是由3個高斯函數之和來確定的。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中該控制函數是由4個高斯函數之和來確定的。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的方法，其中根據該設計資料的圖形被再分成最佳的子形狀，和把個別的劑量分配到各 個最佳的子形狀，其中該個別的劑量是從該校正函數來確定的。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的方法，其中分配到該最佳子形狀的該個別的劑量，導致一個曝光的圖形，這個圖形是在與設計資料相同的尺寸中。
  11. 如申請專利範圍第1到10項中任一項所述方法，其中在電子束微影系統中利用該鄰近校正控制函數，對100nm的裝置世代(100 nm device generation)，把尺寸誤差降低到10nm。
  12. 如申請專利範圍第1項所述方法，其中該鄰近控制函數被嵌入PROX-In的軟體中。
  13. 如申請專利範圍第12項所述方法，其中該PROx-In軟體是在連接到電子束微影系統的標準電腦上運作，把顯示幕連接到該電腦，並在顯示幕上示出作為使用者介面的主視窗(120)，其中該主視窗，在啟動程式PROX-In之後就立刻出現，且該主視窗被分成三個主部分。
  14. 如申請專利範圍第13項所述方法，其中該主視窗的第一部分由第一，第二，第三和第四分開的子視窗構成，且其中這分開的各個子視窗被用來計算這些參數。
  15. 如申請專利範圍第13項所述方法，其中主視窗的第二部分，在選定的測試圖形上，做為數值輸入參數組的“精細調諧”的作用，其中該參數調諧是根據依賴於所施加的劑量和/或鄰近之處的圖形的已測尺寸變化的“背模擬”。
  16. 如申請專利範圍第15項所述方法，其中可選擇四種類型 的圖形來執行背模擬，第一圖形是寬的單根透明的線條，和該最後得到線寬變化對該曝光劑量的關係是根據所得的結果和發生的相應的(*.BET)-文件，第二測試圖形是孤立的透明線條，它應具有有限的寬度，其中相對最佳劑量=劑量因素對孤立的透明線條線寬的關係，其寬度範圍從最小可分辨的線條直到2-3μm的線條被曝光，且從以線寬的方式的測量結果對來自(*.TGT)-文件的該劑量因素的關係得到ASCII-資料；第三測試圖形是“PYR”-似錐形圖形-其中線寬變化是作為在已測線條和大的，對稱地曝光的，沿著該已測線條的墊片之間的程式化的間隙寬度的函數被獲得的，且該測量結果的資料是在ASCII-格式中，並像間隙寬度對線寬的關係一樣的(*.PYR)-檔案來顯示；第四測試圖形是“DRT”-占空系數測試線寬變化作為線條/間隔-間距-測量結果的函數，且該資料是在ASCII-格式中，且像線寬對間距一樣的(*.DRT)-檔案來顯示，所有資料是從在非校正的測試圖形上的測量結果抽取的。
  17. 如申請專利範圍第13項所述方法，其中該主視窗的第三部分位於主視窗的右底側中，該第三部分包含在實驗資料和帶有適配品質評估的計算結果之間相應的數值比較，其中該資料可如同在正常的編輯器中直接在該第三部分中處理，即標出其內容，複製到剪輯版，且還直接把這複製的ASCII-資料引入到其他軟體中(例如，Excel，...)用於作進一步處理。
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