TW202343521A - 帶電粒子束描繪方法，帶電粒子束描繪裝置及電腦可讀取記錄媒體 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種能夠減低射束照射位置的不均一性之帶電粒子束描繪方法，帶電粒子束描繪裝置及電腦可讀取記錄媒體。
按照本實施方式之帶電粒子束描繪方法，係藉由偏向器使帶電粒子束偏向，對形成有阻劑膜的基板照射前述帶電粒子束而描繪圖案。此方法，係對欲形成圖案的圖案區域，以第1照射量照射射束，對不欲形成圖案的非圖案區域的至少一部分，以前述阻劑膜不至於解析(resolve)的第2照射量照射前述帶電粒子束，
基於前述第1照射量以及和前述圖案區域的圖案密度相應的前述阻劑膜的帶電量而決定前述第2照射量，前述圖案區域的帶電量與以前述第2照射量受到照射的非解析照射區域的帶電量之差，比前述第2照射量為零時還小。
Description
本發明有關帶電粒子束描繪方法，帶電粒子束描繪裝置及電腦可讀取記錄媒體。
隨著LSI的高度積體化，對於半導體元件要求之電路線寬正逐年微細化。為了對半導體元件形成所需的電路圖案，會採用下述手法，即，利用縮小投影型曝光裝置，將形成於石英上之高精度的原圖圖案(光罩，或特別是用於步進機或掃描機者亦稱為倍縮光罩)縮小轉印至晶圓上。高精度的原圖圖案，係藉由電子束描繪裝置來描繪，運用所謂的電子束微影技術。
當對光罩等基板照射電子束的情形下，會因先前已照射的電子束使得照射位置或其周圍帶電，導致照射位置偏離。以往，作為消弭此射束照射位置偏差之方法的1種，已知有在基板上形成帶電防止膜(CDL：Charge Dissipation Layer)，來防止基板表面的帶電之方法。但，此帶電防止膜，基本上具有酸的特性，因此當在基板上塗布有化學增幅型阻劑(chemical amplification photoresist)的情形下等並不適合。此外，為了形成帶電防止膜必須設置新的設備，會導致製造成本更加增大。
因此，有人提出無需使用帶電防止膜而進行帶電效應修正(CEC：Charging Effect Correction)之技術。習知的帶電效果修正中，隨著每一區域的帶電量的差變大會有修正殘差變大，而射束照射位置的不均一性變大這樣的問題。
本發明提供一種能夠減低射束照射位置的不均一性之帶電粒子束描繪方法，帶電粒子束描繪裝置及電腦可讀取記錄媒體。
按照本發明的一態樣之帶電粒子束描繪方法，係藉由偏向器使帶電粒子束偏向，對形成有阻劑膜的基板照射前述帶電粒子束而描繪圖樣，該帶電粒子束描繪方法，對欲形成圖案的圖案區域，以第1照射量照射射束，在不欲形成圖案的非圖案區域的至少一部分，以前述阻劑膜不至於解析的第2照射量照射前述帶電粒子束，基於前述第1照射量以及和前述圖案區域的圖案密度相應的前述阻劑膜的帶電量而決定前述第2照射量，前述圖案區域的帶電量與以前述第2照射量受到照射的非解析照射區域的帶電量之差，比前述第2照射量為零時還小。
以下，基於圖面說明本發明之實施方式。實施方式中，說明使用了電子束作為帶電粒子束的一例之構成。但，帶電粒子束不限於電子束，也可以是離子束等。
圖1為實施方式之描繪裝置的概略構成圖。圖1所示描繪裝置100，具備描繪部W及控制部C。描繪裝置100，為電子束描繪裝置之一例。描繪部W，具有電子鏡筒1與描繪室14。在電子鏡筒1內，配置有電子槍5、照明透鏡7、第1孔徑板8、投影透鏡9、成形偏向器10、第2孔徑板11、對物透鏡12、對物偏向器13、靜電透鏡15、遮沒偏向器16。
在描繪室14內配置XY平台3。在XY平台3上，配置有作為描繪對象之基板2。基板2中，包括用於半導體製造的曝光之光罩或形成半導體裝置之半導體晶圓等。此外，欲被描繪之光罩中，包括尚未受到任何描繪之光罩底板(mask blanks)。例如，基板2具有石英、及設於石英上的鉻膜、及設於鉻膜上的阻劑層。在XY平台3上，在和供配置基板2的位置相異之位置，係配置平台位置測定用的鏡4。
在XY平台3上，在和供基板2載置的位置相異之位置，設有校正用的標記M。例如標記M為金屬製的十字形狀，以電子束掃描標記M，以檢測器(圖示略)檢測來自標記M的反射電子，而進行對焦調整、位置調整、偏向形狀修正係數的調整等。
控制部C，具有控制計算機110，120、平台位置檢測部45、平台控制部46、偏向控制電路130、記憶體142、磁碟裝置等的記憶裝置21，140等。偏向控制電路130，連接至遮沒偏向器16、成形偏向器10及對物偏向器13。
控制計算機110，具有進行裝置全體的控制之描繪控制部30、圖案密度分布算出部32、非解析照射區域決定部35、帶電量決定部36及非解析照射量算出部38的機能。控制計算機110的各部，可由包含電子電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或半導體裝置等之硬體所構成，亦可由軟體所構成。控制計算機110的各部的輸入資料或演算結果，被存放於記憶體142。
控制計算機120，具有擊發資料生成部41的功能。擊發資料生成部41可由軟體所構成，亦可由硬體所構成。
偏向控制電路130，具有遮沒控制部42、成形偏向器控制部43及對物偏向器控制部44的功能。遮沒控制部42、成形偏向器控制部43及對物偏向器控制部44可由軟體所構成，亦可由硬體所構成。
記憶裝置140中，存放定義被描繪的複數個圖形圖案之描繪資料(佈局資料)。
從電子槍5(放出部)放出之電子束6，會藉由照明透鏡7而對具有矩形的孔之第1孔徑板8全體做照明。此處，係將電子束6先成形為矩形。通過了第1孔徑板8的第1孔徑像之電子束6，會藉由投影透鏡9而被投影至第2孔徑板11上。在第2孔徑板11上的第1孔徑像的位置，會藉由受到成形偏向器控制部43控制之成形偏向器10而被偏向，能夠令射束形狀與尺寸變化(可變成形)。
通過了第2孔徑板11的第2孔徑像之電子束6，會藉由對物透鏡12而合焦，藉由受到對物偏向控制部44控制之例如靜電型的偏向器(對物偏向器13)而被偏向，照射至配置成可移動的XY平台3上之基板2的所需位置。XY平台3藉由平台控制部46而受到驅動控制。XY平台3的位置，藉由平台位置檢測部45而受到檢測。在平台位置檢測部45，例如包括對鏡4照射雷射，基於入射光與反射光之干涉來測定位置之雷射測長裝置。靜電透鏡15，和基板2面的凹凸相對應，動態地修正電子束6的焦點位置(動態對焦：dynamic focusing)。
圖2為平台移動的狀況說明用圖。當對基板2描繪的情形下，使XY平台3例如於X方向連續移動。描繪區域在電子束6的可偏向幅度內被假想分割成複數個長條狀的條紋區域(SR)。描繪處理是以條紋區域單位進行。XY平台3的X方向之移動，例如設為連續移動，同時亦令電子束6的擊發位置跟隨平台移動。藉由令其連續移動，能夠縮短描繪時間。
若描繪結束1個條紋區域，將XY平台3朝Y方向步進饋送而於X方向(相反方向)進行下一條紋區域的描繪動作。藉由令各條紋區域的描繪動作以蛇行之方式進行，能夠縮短XY平台3的移動時間。
描繪裝置100中，於處理佈局資料(描繪資料)時，是將描繪區域假想分割成長條狀的複數個圖框(frame)區域，對每一圖框區域進行資料處理。當不進行多重曝光的情形下，通常，圖框區域和條紋區域會成為同一區域。當進行多重曝光的情形下，根據多重度，圖框區域和條紋區域會錯開。像這樣，基板2的描繪區域，被假想分割成作為複數個描繪單位區域之圖框區域(條紋區域)，描繪部W，對每一圖框區域(條紋區域)描繪。
一旦電子束照射至基板2的阻劑層，則照射位置或其周圍會帶電。由於欲形成圖案的區域(射束照射區域)與不欲形成圖案的區域(不被射束照射的區域)之帶電量的差，會發生射束照射位置的不均一性。本發明團隊發現，對不欲形成圖案的區域也以阻劑不至於解析(resolve)的程度照射射束，而使得基板全體中阻劑表面的帶電量變得均一，藉此便可抑制射束照射位置的不均一性。
算出對不欲形成圖案的區域以阻劑不至於解析的程度照射之射束照射量(非解析照射量)時，本實施方式中，是事前求出基板2當中的射束照射量D
exp及圖案密度p與圖案區域的帶電量C之關係C(p，D
exp)，而預先登錄至記憶裝置21作為帶電量資訊。
帶電量資訊C(p，D
exp)，例如能夠從日本特許5480496號公報中揭示之測試佈局的描繪結果而以實驗方式求出。圖3a為示意為了測定阻劑帶電效應而使用之測試佈局的圖。另，圖3a中，為便於瞭解各部的內容，係改變比例尺而示意。
圖3a所示測試佈局，是在間距L1為1mm，各邊的長度L2為80mm之網格(81×81網格)上描繪了第1陣列盒後，在該佈局的中央以射束照射量D
exp描繪各邊的長度L3為40mm之圖案密度p的照射墊，於照射墊描繪後再在和第1陣列盒相同的網格上描繪第2陣列盒，藉此得到。
如圖3b中放大示意般，第1陣列盒例如為各邊長度L4為4μm之正方形的圖案。此外，第2陣列盒例如為各邊的長度L5為14μm，中央以比第1陣列盒還大的尺寸被挖空之框狀的圖案。
改變照射墊的圖案密度及照射量，分別形成上述的測試佈局。
運用阻劑影像測定法分別測定描繪出的第1及第2陣列盒的位置，從第2陣列盒的位置減去第1陣列盒的位置，藉此便能測定照射墊的帶電效應所造成的位置偏離。藉此，便得到照射墊的帶電效果所造成的距設計位置之位置偏離量分布p
1。
為了從帶電量分布計算位置偏離量，使用假定的響應函數r(x，y)，依以下方式便能從位置偏離量分布求出帶電量。首先，如以下式(1)般，藉由於照射墊上的區域成為1nC/cm
2、於照射墊以外的區域則成為零之函數C
0(x、y)與響應函數r(x、y)之摺積積分，而事先求出假定照射墊均一地帶電1nC/cm
2時的位置偏離量分布P
0。
取P
0與測定結果亦即P
1之相關性，由此時的斜率能夠求出照射墊的帶電量。對令圖案密度及照射量變動而得到的每一測試佈局求出帶電量。
帶電量資訊C(p，D
exp)，是以pD
exp(照射至每單位體積的電子數之指標)作為變數，而如圖4a般求得。
射束照射量D
exp，是由鄰近效應(proximity effect)修正式，運用阻劑的解析劑量D
th、背向散射係數η而有著以下的式(2)的關係。故，帶電量資訊C(p，D
exp)亦能夠以圖案密度p作為變數而如圖4b般表示。
循著圖5所示流程圖，說明運用在記憶裝置21登錄有依此方式求出的帶電量資訊C(p，D
exp)的描繪裝置之描繪方法。此描繪方法，具有圖案密度分布算出工程(步驟S100)、非解析照射區域決定工程(步驟S102)、帶電量決定工程(步驟S104)、非解析照射量算出工程(步驟S106)、描繪工程(步驟S108)。
面積密度分布算出工程(步驟S100)中，圖案密度分布算出部32，從記憶裝置140讀出描繪資料，將描繪區域(或圖框區域)以規定尺寸(格子尺寸)予以網目狀地假想分割，而對每一網目區域演算示意描繪資料中定義的圖形圖案的配置比例之圖案密度。然後，作成每一網目區域的圖案密度的分布。
非解析照射區域決定工程(步驟S102)中，非解析照射區域決定部35決定以非解析照射量進行射束照射的非解析照射區域。例如，如圖6所示，將不欲形成圖案的非圖案區域當中從圖案區域邊端遠離達距離L0之區域訂為非解析照射區域R1，其中該距離L0為圖案照射所造成的背向散射電子不能及(鄰近效應不能及)的距離。距離L0例如為30μm程度。
帶電量決定工程(步驟S104)中，帶電量決定部36決定非解析照射區域中作為目標的帶電量Ct。例如，訂為和描繪佈局當中最頻繁出現的圖案密度(照射量)相對應的帶電量Ct。
例如，基於圖案密度分布算出部32算出的每一網目區域的圖案密度，得到如圖7所示般的圖案密度的直方圖。在此直方圖中抽出最頻繁出現的圖案密度。亦可為圖案密度的平均值或中位數。此時，將圖案密度0%剔除。
帶電量決定部36，參照帶電量資訊C(p，D
exp)，從和抽出的圖案密度相對應的帶電量抽出訂為目標的帶電量Ct。圖8示意當抽出的圖案密度為60%的情形下的帶電量Ct的例子。惟，帶電量Ct雖必須比阻劑的解析劑量D
th還充分小，但不必嚴謹地契合和圖案密度相對應的帶電量，只要可以一定程度地抑制帶電量的不均一性即可。亦即，圖案區域當中的帶電量與非解析照射區域當中的帶電量之差，只要比不對非解析照射區域照射射束的情形下還小即可。
非解析照射量算出工程(步驟S106)中，非解析照射量算出部38參照帶電量資訊C(p，D
exp)，算出用來成為帶電量Ct的非解析照射量。此時，例如如圖9所示，求出和帶電量Ct相對應的pD
exp。這裡，作為pD
exp可求得2個解(A1、A2)，惟例如若設計成取阻劑的解析劑量D
th的30%的餘裕(margin)，則選擇對於解析劑量D
th的餘裕較大的A1。非解析照射區域中會照射規定的照射密度，例如素面圖案(p=100%的無間隙圖案)，因此從選擇的pD
exp算出非解析照射量。
描繪工程(步驟S108)中，在控制計算機120內，擊發資料生成部41從記憶裝置140讀出描繪資料，進行複數段的資料變換處理，生成描繪裝置100固有的格式的擊發資料。描繪資料中定義之圖形圖案的尺寸，通常比描繪裝置100在1次的擊發所能形成之擊發尺寸還大。因此，在描繪裝置100內，會將各圖形圖案分割成複數個擊發圖形(擊發分割)，以便成為描繪裝置100在1次的擊發可形成之尺寸。然後，對每一擊發圖形，將示意圖形種類之圖形代碼、座標、及尺寸這些資料予以定義成為擊發資料。
此時，擊發資料生成部41，假定步驟S102中決定好的非解析照射區域具有素面圖案(無間隙圖案)，而生成擊發資料。
擊發資料生成部41，針對圖案區域進行鄰近效應修正演算等，求出每一擊發的照射量(照射時間)，定義至擊發資料。此外，擊發資料生成部41，針對非解析照射區域，將步驟S106中算出的非解析照射量定義至擊發資料。
在偏向控制電路130內，依擊發順序，成形偏向器控制部43，對每一擊發圖形，由擊發資料中定義的圖形種類及尺寸來演算用來將電子束6可變成形之成形偏向器10的偏向量。此外，對物偏向器控制部44，演算用來將該擊發圖形偏向至所照射的基板2上的位置之對物偏向器13的偏向量。然後，配置於電子鏡筒1內的對物偏向器13，根據演算出的偏向量將電子束偏向，藉此在基板2描繪圖案。
此外，遮沒控制部42，基於擊發資料中定義好的照射量(照射時間)來控制遮沒偏向器16，而控制每一擊發的照射量。
對於圖10a所示描繪佈局，當不套用本實施方式之手法，而是進行習知的帶電效應修正而描繪圖案的情形下，如圖10b所示，在圖案區域與非圖案區域之交界部修正殘差會變大。另一方面，當套用本實施方式之手法而描繪圖案的情形下，如圖10c所示，確認了能夠減低射束照射位置的不均一性。
像這樣，按照本實施方式，是在非圖案區域照射非解析照射量的射束，使得基板全體中阻劑表面的帶電量變得均一，因此能夠抑制射束照射位置的不均一性。
上述實施方式中，說明了將確保距圖案達距離L0的區域訂為非解析照射區域R1的例子，但如圖11所示，亦可將圖案以外的區域(非圖案區域)的全域訂為非解析照射區域R2。
在此情形下，非解析照射區域R2的照射量B
exp，是由圖案的分布而以滿足以下的式(3)所示鄰近效應修正式之方式來決定。式(3)當中的g(x)為表示背向散射的函數。
一旦圖案密度p被定義，則能夠如以下的式(4)般表現。
帶電量Q，是藉由圖案密度p、圖案區域的照射量D
exp、非解析照射區域R2的射束照射量B
exp而決定。例如，改變p、D
exp、B
exp，描繪如圖3a所示般的測試佈局，由描繪結果求出帶電量Q(p，D
exp，B
exp)。帶電量Q(p，D
exp，B
exp)能夠藉由如式(5)般的多項式表示。
以帶電量Q(p，D
exp，B
exp)對於任意的圖案密度p成為一定之方式來決定B
exp。對於圖案密度p的光罩區域之非解析照射量B
exp，是解帶電量與照射量的函數Q(p，D
exp(B
exp)，B
exp)=const.而求出。這裡，D
exp(B
exp)為滿足鄰近效應修正式的函數。解以下的式(6)而求出B
exp。當沒有解的情形下，B
exp訂為事先決定好的一定的照射量。
當在基板全面可求得B
exp的情形下，帶電分布成為均一，能夠抑制射束照射位置的不均一性。
即使無法在基板全面求得B
exp的情形下，只要圖案區域與非圖案區域的帶電量之差比未對非圖案區域照射的情形還小，便可得到效果。但，會殘留帶電量的不均一，效果成為局部性。在該情形下，亦可併用運用帶電量預測之CEC(Charging Effect Correction；帶電效應修正)。
上述實施方式中，雖說明了單射束描繪裝置，但亦可套用於多射束描繪裝置。
帶電現象引起的照射位置的偏離，不限於電子束描繪裝置。本發明，能夠適應於藉由電子束等帶電粒子束來檢查圖案之檢查裝置等運用藉由對瞄準之位置照射帶電粒子束而獲得之結果的帶電粒子束裝置。
上述實施形態中，為了減低在描繪室內散射的電子撒落至基板之霧化帶電的影響，而使照射的電子束所造成的直接帶電為支配性(dominant)，亦可設計成對對物透鏡12(對物光學系統)的下面施加正的電位，以免將2次電子送回基板表面。
另，本發明並不限定於上述實施形態本身，於實施階段中在不脫離其要旨的範圍內能夠將構成要素變形而予具體化。此外，藉由上述實施形態中揭示的複數個構成要素的適宜組合，能夠形成種種發明。例如，亦可將實施形態所示之全部構成要素中刪除數個構成要素。又，亦可將不同實施形態之間的構成要素予以適當組合。
[關連申請案]
本申請案以日本專利申請案2022-038282號(申請日：2022年3月11日)為基礎申請案而享受優先權。本申請案藉由參照此基礎申請案而包含基礎申請案的全部內容。
1:電子鏡筒
2:基板
3:XY平台
4:鏡
5:電子槍
6:電子束
7:照明透鏡
8:第1孔徑板
9:投影透鏡
10:偏向器
11:第2孔徑板
12:對物透鏡
13:偏向器
14:描繪室
15:靜電透鏡
16:遮沒偏向器
21,140:記憶裝置
30:描繪控制部
32:圖案密度分布算出部
35:非解析照射區域決定部
36:帶電量決定部
38:非解析照射量算出部
41:擊發資料生成部
42:遮沒控制部
43:成形偏向器控制部
44:對物偏向器控制部
45:平台位置檢測部
46:平台控制部
100:描繪裝置
[圖1]本發明的實施方式之描繪裝置的概略圖。
[圖2]說明平台移動的狀況的圖。
[圖3a]為了測定阻劑帶電效應而使用之測試佈局示意圖。
[圖3b]為陣列盒的模型圖。
[圖4a][圖4b]示意帶電量資訊的圖表。
[圖5]說明同實施方式之描繪方法的流程圖。
[圖6]示意非解析照射區域的例子的圖。
[圖7]圖案密度的直方圖。
[圖8]示意目標帶電量的算出例的圖。
[圖9]示意非解析照射量的算出例的圖。
[圖10a]示意描繪佈局的圖。
[圖10b]示意按照比較例之射束照射位置的誤差的圖。
[圖10c]示意按照同實施方式之射束照射位置的誤差的圖。
[圖11]示意非解析照射區域的例子的圖。
1:電子鏡筒
2:基板
3:XY平台
4:鏡
5:電子槍
6:電子束
7:照明透鏡
8:第1孔徑板
9:投影透鏡
10:偏向器
11:第2孔徑板
12:對物透鏡
13:偏向器
14:描繪室
15:靜電透鏡
16:遮沒偏向器
21,140:記憶裝置
30:描繪控制部
32:圖案密度分布算出部
35:非解析照射區域決定部
36:帶電量決定部
38:非解析照射量算出部
41:擊發資料生成部
42:遮沒控制部
43:成形偏向器控制部
44:對物偏向器控制部
45:平台位置檢測部
46:平台控制部
100:描繪裝置
110,120:控制計算機
130:偏向控制電路
142:記憶體
C:控制部
W:描繪部
Claims (14)
- 一種帶電粒子束描繪方法，係藉由偏向器使帶電粒子束偏向，對形成有阻劑膜的基板照射前述帶電粒子束而描繪圖案，該帶電粒子束描繪方法， 對欲形成圖案的圖案區域，以第1照射量照射射束， 對不欲形成圖案的非圖案區域的至少一部分，以前述阻劑膜不至於解析(resolve)的第2照射量照射前述帶電粒子束， 基於前述第1照射量以及和前述圖案區域的圖案密度相應的前述阻劑膜的帶電量而決定前述第2照射量，前述圖案區域的帶電量與以前述第2照射量受到照射的非解析照射區域的帶電量之差，比前述第2照射量為零時還小。
- 如請求項1記載之帶電粒子束描繪方法，其中，對前述非圖案區域當中從前述圖案區域遠離規定距離的區域，以前述第2照射量照射前述帶電粒子束。
- 如請求項2記載之帶電粒子束描繪方法，其中，對從前述圖案區域遠離前述規定距離的區域，以前述第2照射量以無間隙圖案照射前述帶電粒子束。
- 如請求項1記載之帶電粒子束描繪方法，其中，對前述非圖案區域的全域以前述第2照射量照射前述帶電粒子束。
- 如請求項1記載之帶電粒子束描繪方法，其中，基於前述第1照射量以及和描繪佈局當中最頻繁出現的圖案密度相應的前述阻劑膜的帶電量而決定前述第2照射量。
- 如請求項1記載之帶電粒子束描繪方法，其中，對對物透鏡的下面施加正的電位，該對物透鏡係調整照射至前述基板的前述帶電粒子束的焦點。
- 一種帶電粒子束描繪裝置，係藉由偏向器使帶電粒子束偏向，對形成有阻劑膜的基板照射前述帶電粒子束而描繪圖案，該帶電粒子束描繪裝置，具備： 放出部，放出前述帶電粒子束； 記憶部，記憶帶電量資訊，該帶電量資訊示意欲基於描繪資料而形成圖案的區域亦即圖案區域當中的前述帶電粒子束的第1照射量及圖案密度與前述阻劑膜的帶電量之關係； 非解析照射量算出部，參照前述帶電量資訊，基於前述第1照射量以及從前述圖案區域的前述圖案密度求出的前述阻劑膜的帶電量，算出對不形成圖案的非圖案區域照射前述帶電粒子束時的第2照射量，該第2照射量是以前述阻劑膜不至於解析，而前述圖案區域的帶電量與以前述第2照射量受到照射的非解析照射區域的帶電量之差比前述第2照射量為零時還小之方式算出；及 描繪部，對前述圖案區域以前述第1照射量照射前述帶電粒子束，對前述非圖案區域以前述第2照射量照射前述帶電粒子束。
- 如請求項7記載之帶電粒子束描繪裝置，其中，前述描繪部，對前述非圖案區域當中從前述圖案區域遠離規定距離的區域，以前述第2照射量照射前述帶電粒子束。
- 如請求項8記載之帶電粒子束描繪裝置，其中，前述描繪部，對從前述圖案區域遠離前述規定距離的區域，以前述第2照射量以無間隙圖案照射前述帶電粒子束。
- 如請求項7記載之帶電粒子束描繪裝置，其中，前述描繪部，對前述非圖案區域的全域以前述第2照射量照射前述帶電粒子束。
- 如請求項7記載之帶電粒子束描繪裝置，其中，前述非解析照射量算出部，基於前述第1照射量以及和描繪佈局當中最頻繁出現的圖案密度相應的前述阻劑膜的帶電量而算出前述第2照射量。
- 如請求項7記載之帶電粒子束描繪裝置，其中，前述描繪部，具有調整照射至前述基板的前述帶電粒子束的焦點之對物透鏡，對前述對物透鏡的下面施加正的電位。
- 一種電腦可讀取記錄媒體，係存儲程式，該程式令電腦執行： 對形成有阻劑膜的基板照射帶電粒子束，算出用來將前述阻劑膜解析而形成圖案的前述帶電粒子束的第1照射量之步驟；及 基於前述第1照射量以及和欲形成前述圖案的圖案區域的圖案密度相應的前述阻劑膜的帶電量，算出對前述基板的不欲形成圖案的非圖案區域照射前述帶電粒子束時的第2照射量之步驟，該第2照射量是以前述阻劑膜不至於解析，而前述圖案區域的帶電量與以前述第2照射量受到照射的非解析照射區域的帶電量之差比前述第2照射量為零時還小之方式算出。
- 如請求項13記載之電腦可讀取記錄媒體，其中，基於前述第1照射量以及和描繪佈局當中最頻繁出現的圖案密度相應的前述阻劑膜的帶電量而算出前述第2照射量。
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