TWI611250B - 帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法 - Google Patents

帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI611250B
TWI611250B TW105110925A TW105110925A TWI611250B TW I611250 B TWI611250 B TW I611250B TW 105110925 A TW105110925 A TW 105110925A TW 105110925 A TW105110925 A TW 105110925A TW I611250 B TWI611250 B TW I611250B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
coefficient
corrected
illumination
correction
item
Prior art date
Application number
TW105110925A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201708929A (zh
Inventor
Yasuo Kato
Masafumi Ise
Ryoh Kawana
Original Assignee
Nuflare Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nuflare Technology Inc filed Critical Nuflare Technology Inc
Publication of TW201708929A publication Critical patent/TW201708929A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI611250B publication Critical patent/TWI611250B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023—Programme control
    • H01J37/3026—Patterning strategy
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • G03F7/2061—Electron scattering (proximity) correction or prevention methods
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/304—Controlling tubes
    • H01J2237/30455—Correction during exposure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31769—Proximity effect correction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31793—Problems associated with lithography
    • H01J2237/31796—Problems associated with lithography affecting resists

Abstract

本發明一個態樣之帶電粒子束描繪裝置，其特徵為，具備：鄰近效應修正照射係數演算處理電路，演算將不考量和鄰近效應修正不同之照射量調變的影響之第1鄰近效應修正照射係數用的從1次項目至n次項目為止之修正照射係數項當中的直到k次項目為止之修正照射係數項，置換成考量了前述影響之前述第2鄰近效應修正照射係數用的前述修正照射係數項而成之第3鄰近效應修正照射係數；及照射量演算處理電路，使用前述第3鄰近效應修正照射係數來演算照射量。

Description

帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法
本發明係帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法，例如有關當因鄰近效應以外的規定影響而進行照射量調變的情形下進行鄰近效應修正之帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法。
肩負半導體裝置微細化發展的微影技術，在半導體製程當中是唯一生成圖樣的極重要製程。近年來隨著LSI的高度積體化，對於半導體裝置要求之電路線寬正逐年微細化。為了對這些半導體裝置形成期望之電路圖樣，必須有高精度的原圖圖樣(亦稱為倍縮光罩(reticle)或光罩(mask))。在此，電子束(EB：Electron beam)描繪技術在本質上具有優良的解析性，故被用來生產高精度的原圖圖樣。
舉例來說，有使用1道射束的描繪裝置。例如，有逐線(raster)方式的描繪裝置。該逐線方式的描繪裝置中，例如，讓從電子槍放出的電子束通過具有1個孔的遮罩而成形為1道射束，並且一面藉由偏向器將1道成形射 束偏向使其在試料上依序掠過，一面做遮沒控制使射束照射至必要之處。
此外，例如，有使用多射束的描繪裝置。相較於以一道電子束描繪的情形下，藉由使用多射束，能夠一次照射較多的射束，故能使產能大幅提升。這樣的多射束方式之描繪裝置中，例如會使從電子槍放出的電子束通過具有複數個孔之光罩而形成多射束，然後各自受到遮沒控制，未被遮蔽的各射束則被光學系統縮小，並藉由偏向器被偏向而照射至試料上的期望位置。
此外，除上述逐線方式的描繪裝置以外，針對使用1道射束之描繪裝置，例如有可變成形方式(VSB：Variable Shaped Beam方式)的描繪裝置。VSB方式的描繪裝置中，是藉由遮沒控制形成擊發射束，且可變地控制供射束通過之2段的成形孔徑的相對位置的關係，藉此對每一擊發將射束做可變成形。然後，可變成形後的射束藉由偏向器被偏向而往試料上的期望位置照射。
此處，上述各種描繪方式當中，逐線方式及多射束方式的描繪中，當描繪圖樣的邊緣(edge)或角隅(corner)部的情形下，當圖樣的端部(交界)與像素的交界有偏差時，若依設計上的照射量照射該圖樣的邊緣或角隅部，則會有圖樣的邊緣或角隅部的形狀無法成為期望形狀之問題。鑑此，目前正研究藉由調變該處的照射量來予以修正。
此外，隨著近來的光微影技術的進展、或EUV所致 之短波長化，光罩描繪所必要之電子束的擊發數正加速地增加。另一方面，為了確保微細化所必要之線寬精度，係將阻劑低靈敏度化，並提升照射量，藉此謀求擊發噪訊或圖樣的邊緣粗糙(edge roughness)的減低。像這樣，由於擊發數與照射量無止盡地持續增加，描繪時間亦無止盡地持續增加。因此，以上這樣各種描繪方式的描繪裝置中，正在研究藉由提升電流密度來謀求描繪時間的縮短。
然而，若欲將增加的照射能量以更高密度的電子束在短時間內照射，則會有基板溫度過熱而阻劑靈敏度變化而線寬精度惡化這樣稱為阻劑加熱(resist heating)的現象發生之問題。鑑此，有人提出，對偏向區域當中的每個最小偏向區域，依據來自在該最小偏向區域之前受到描繪之其他最小偏向區域的傳熱，算出該最小偏向區域的代表溫度，並利用代表溫度來調變照射量(參照日本專利公開公報2012-69675號)。
另一方面，電子束描繪中，當將電子束照射至塗布有阻劑之光罩而描繪電路圖樣的情形下，會發生稱為鄰近效應(proximity effect)之現象，該現象係因電子束穿透阻劑層而到達其下方的層，並再度再入射至阻劑層之背散射(backscatter)所致。如此一來，描繪時，會發生尺寸變動亦即描繪成不符期望尺寸之尺寸。為了避免該現象，在描繪裝置內會進行鄰近效應修正演算，例如進行調變照射量藉此抑制該尺寸變動。
然而，即使進行鄰近效應修正演算而調變照射量，其 後，若為了上述圖樣的邊緣/角隅修正或阻劑加熱修正等這些用來修正不同於鄰近效應之各處的影響而進行照射量調變，則會有鄰近效應修正發生修正殘差這樣的問題。
如上述般，由於鄰近效應修正發生修正殘差，故在用來修正各處的影響之照射量調變演算之後，便必須再度進行鄰近效應修正演算。但，即使在此情形下，鄰近效應修正的演算量仍大，而會有需要相應的計算機資源與處理時間這樣的問題。因此，會有難以做即時的修正演算這樣的問題。故，處理的效率化變得必要。
本發明，提供一種帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法，可達成一面抑制鄰近效應的修正殘差，一面有效率地抑制各處的影響所致之圖樣尺寸變動之描繪。
本發明一個態樣之帶電粒子束描繪裝置，其特徵為，具備：第1修正照射係數項演算處理電路，演算當求出用來修正帶電粒子束所致之鄰近效應之不考量和鄰近效應修正不同之照射量調變的影響之第1鄰近效應修正照射係數的情形下從1次項目至n次項目(n為1以上的整數)之各次項的修正照射係數項；及第2修正照射係數項演算處理電路，演算當求出用來修正帶電粒子束所致之鄰近效應之考量了前述影響之第2鄰近效應修正照射係數的情形下直到k次項目(k為從1 至n為止的整數當中的1個)為止之修正照射係數項；及鄰近效應修正照射係數演算處理電路，演算將不考量前述影響之前述第1鄰近效應修正照射係數用的從1次項目至n次項目為止之修正照射係數項當中的直到k次項目為止之修正照射係數項，置換成考量了前述影響之前述第2鄰近效應修正照射係數用的前述修正照射係數項而成之第3鄰近效應修正照射係數；及照射量演算處理電路，使用前述第3鄰近效應修正照射係數來演算照射量；描繪部，具有供試料載置之平台、及帶電粒子束源、及偏向器，依據演算出的照射量，使用帶電粒子束，對前述試料描繪圖樣。
本發明一態樣之帶電粒子束描繪方法，其特徵為：依序演算當藉由反覆演算求出用來修正帶電粒子束所致之鄰近效應之不考量和鄰近效應修正不同之照射量調變的影響之第1鄰近效應修正照射係數的情形下從1次項目至n次項目(n為1以上的整數)之各次項的修正照射係數項，演算當求出用來修正帶電粒子束所致之鄰近效應之考量了前述影響之第2鄰近效應修正照射係數的情形下直到k次項目(k為從1至n為止的整數當中的1個)為止之修正照射係數項，演算將不考量前述影響之前述第1鄰近效應修正照射係數用的從1次項目至n次項目為止之修正照射係數項當 中的直到k次項目為止之修正照射係數項，置換成考量了前述影響之前述第2鄰近效應修正照射係數用的前述修正照射係數項而成之第3鄰近效應修正照射係數，使用前述第3鄰近效應修正照射係數來演算照射量，依據演算出的照射量，使用帶電粒子束，對試料描繪圖樣。
10‧‧‧描繪區域
20‧‧‧條紋區域
22‧‧‧孔
24、26‧‧‧電極
25‧‧‧通過孔
30‧‧‧子照野
41‧‧‧控制電路
42‧‧‧擊發位置
60‧‧‧SF網目分割部
62‧‧‧鄰近網目分割部
63‧‧‧GMC修正部
64‧‧‧擊發分割部
65‧‧‧ρ”對映作成部
66‧‧‧ρ演算部
68‧‧‧U演算部
70‧‧‧Dp演算部
71‧‧‧D演算部
72‧‧‧D”演算部
77‧‧‧α’演算部
79‧‧‧U’演算部
80‧‧‧Dp’演算部
82‧‧‧Dp”演算部
84‧‧‧D’演算部
85‧‧‧T’演算部
86‧‧‧描繪控制部
100‧‧‧描繪裝置
101‧‧‧試料
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
105‧‧‧XY平台
110‧‧‧控制計算機單元
112‧‧‧記憶體
120‧‧‧偏向控制電路
130、132、134‧‧‧DAC放大器單元
139‧‧‧平台位置檢測器
140、142、144、146、148、149‧‧‧記憶裝置
150‧‧‧描繪部
160‧‧‧控制部
200‧‧‧電子束
20a~20e‧‧‧電子束(多射束)
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧第1成形孔徑
204‧‧‧投影透鏡
205‧‧‧偏向器
206‧‧‧第2成形孔徑
207‧‧‧對物透鏡
208‧‧‧主偏向器
209‧‧‧副偏向器
210‧‧‧鏡
212‧‧‧遮沒偏向器
214‧‧‧遮沒孔徑
330‧‧‧薄膜區域
331‧‧‧基板
332‧‧‧外周區域
333‧‧‧支撐台
500‧‧‧描繪裝置
501‧‧‧試料
502‧‧‧電子鏡筒
503‧‧‧描繪室
505‧‧‧XY平台
510‧‧‧控制計算機
512‧‧‧記憶體
530‧‧‧偏向控制電路
539‧‧‧平台位置檢測器
540、542、544、546、548、549‧‧‧記憶裝置
550‧‧‧描繪部
560‧‧‧控制部
601‧‧‧電子槍
602‧‧‧照明透鏡
603‧‧‧多射束成形構件
604‧‧‧遮沒板
605‧‧‧縮小透鏡
606‧‧‧限制孔徑構件
607‧‧‧對物透鏡
608‧‧‧偏向器
610‧‧‧鏡
圖1為實施形態1中的描繪裝置的構成示意概念圖。
圖2A與圖2B為實施形態1中的多射束成形構件的構成示意概念圖。
圖3為實施形態1中的遮沒板的構成示意截面圖。
圖4為實施形態1中的描繪方法的主要工程示意流程圖。
圖5為評估實施形態1的效果之評估圖樣一例示意圖。
圖6A與圖6B為當依作為實施形態1的比較例1、2之條件來描繪評估圖樣的情形下之尺寸偏差的結果一例示意圖。
圖7為當描繪實施形態1中的評估圖樣的情形下之尺寸偏差的結果一例示意圖。
圖8為實施形態3中的描繪裝置的構成示意概念圖。
圖9為實施形態3中的各區域說明用概念圖。
圖10為實施形態3中的描繪方法的主要工程示意流 程圖。
圖11為當依作為實施形態3的比較例之條件來描繪評估圖樣的情形下之尺寸偏差的結果一例示意圖。
圖12為當依作為實施形態3之條件來描繪評估圖樣的情形下之尺寸偏差的結果一例示意圖。
圖13為當依作為實施形態3之條件來描繪評估圖樣的情形下之尺寸偏差的結果一例示意圖。
以下，實施形態中，作為帶電粒子束的一例，係說明運用了電子束之構成。但，帶電粒子束並非限於電子束，也可以是離子束等運用了帶電粒子的射束。
實施形態1.
圖1為實施形態1中描繪裝置的構成示意概念圖。圖1中，描繪裝置500具備描繪部550與控制部560。描繪裝置500為多重帶電粒子束描繪裝置之一例。描繪部550具備電子鏡筒502與描繪室503。在電子鏡筒502內，配置有電子槍601、照明透鏡602、多射束成形構件603、遮沒板604、縮小透鏡605、限制孔徑構件606、對物透鏡607、及偏向器608。在描繪室503內配置有XY平台505。在XY平台505上，配置有於描繪時成為描繪對象基板的遮罩等試料101。試料101係包括製造半導體裝置時的曝光用光罩、或製造出半導體裝置的半導體基板(矽 晶圓)等。此外，試料101包括已塗布阻劑，但尚未受到任何描繪之光罩底板(mask blanks)。在XY平台505上還配置XY平台505位置測定用的鏡(mirror)610。
控制部560具有控制計算機510、記憶體512、偏向控制電路530、平台位置檢測器539及磁碟裝置等記憶裝置540、542、544、546、548、549。控制計算機510、記憶體512、偏向控制電路530、平台位置檢測器539及記憶裝置540、542、544、546、548、549係透過未圖示之匯流排而彼此連接。定義著用來受到描繪之複數個圖形圖樣的圖樣資料之描繪資料係從描繪裝置500的外部輸入，並被存儲於記憶裝置540(記憶部)。GMC資料係從描繪裝置500的外部輸入，被存儲於記憶裝置549(記憶部)。
此外，在控制計算機單元510內，配置有鄰近網目分割部62、網格匹配修正(GMC：Grid Matching Correction)修正部63、面積密度(ρ”)對映作成部65、面積密度(ρ)演算部66、鄰近效應密度(U)演算部68、照射修正係數(Dp)演算部70、照射量(D)演算部71、D”演算部72、影響係數(α’)演算部77、U’演算部79、照射修正係數(Dp’)演算部80、照射修正係數(Dp”)演算部82、照射量(D’)演算部84、照射時間(t’)演算部85、及、描繪控制部86。鄰近網目分割部62、GMC修正部63、面積密度(ρ”)對映作成部65、面積密度(ρ)演算部66、鄰近效應密度(U)演算部68、照射修正係數 (Dp)演算部70、照射量(D)演算部71、D”演算部72、影響係數(α’)演算部77、U’演算部79、照射修正係數(Dp’)演算部80、照射修正係數(Dp”)演算部82、照射量(D’)演算部84、照射時間(t’)演算部85、及、描繪控制部86這些各「~部」，具有1個處理電路，作為其處理電路能夠使用電子電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或半導體裝置等。此外，各「~部」亦可使用共通的處理電路(同一處理電路)。或，亦可使用相異的處理電路(個別的處理電路)。控制計算機單元110內所必要的輸入資料或演算出的結果，會隨時被記憶於記憶體512。
此處，圖1中記載了用以說明實施形態1所必須之構成。對描繪裝置500而言，通常也可具備必要的其他構造。
圖2A與圖2B為實施形態1中的多射束成形構件的構成示意概念圖。圖2A中，在多射束成形構件603，有縱(y方向)m列×橫(x方向)n列(m，n≧2)的孔(開口部)22以規定之排列間距形成為矩陣狀。圖2A中，例如形成512×8列的孔22。各孔22均形成為相同尺寸形狀的矩形。或者是相同外徑的圓形亦可。在此，舉例於y方向的各列，分別在x方向形成從A至H的8個孔22。電子束600的一部分分別通過該些複數個孔22，藉此會形成多射束。在此，雖然舉例於縱橫(x，y方向)均配置了2列以上的孔22，但並不限於此。除此以外， 亦可為在縱橫(x，y方向)的其中一方有複數列，而另一方僅有1列。此外，孔22的編排方式，亦不限於如圖2A般配置成縱橫為格子狀之情形。如圖2B所示，舉例來說，縱方向(y方向)第1段的列及第2段的列的孔，彼此可於橫方向(x方向)錯開尺寸a而配置。同樣地，縱方向(y方向)第2段的列及第3段的列的孔，彼此也可於橫方向(x方向)錯開尺寸b而配置。
圖3為實施形態1中遮沒板的構成示意截面圖。另，圖3中，沒有記載成令電極24、26與控制電路41的位置關係一致。遮沒板604(遮沒裝置)，如圖3所示，是在支撐台333上配置由矽等所構成之半導體基板331。基板331的中央部，從背面側被切削成較薄，而被加工成較薄的膜厚h之薄膜區域330(第1區域)。圍繞薄膜區域330之周圍，成為較厚的膜厚H之外周區域332(第2區域)。薄膜區域330的上面與外周區域332的上面，是形成為同一高度位置或實質上同一高度位置。基板331，是藉由外周區域332的背面而被保持於支撐台333上。支撐台333的中央部係開口，薄膜區域330的位置，位於支撐台333的開口之區域。
在薄膜區域330，於和圖2A及或圖2B所示之多射束成形構件603的各孔22相對應之位置，有供多射束的各個射束通過用之通過孔25(開口部)開口。換言之，在基板331，於縱(y方向)m列×橫(x方向)n列(m，n≧2)的二維，形成有供多射束當中各個相對應電子束 20通過之貫通的複數個通過孔25。又，在薄膜區域330上，如圖3所示，於各通過孔25的鄰近位置，包夾著該通過孔25而分別配置有遮沒偏向用之電極24、26的組合(遮沒器：遮沒偏向器)。此外，在薄膜區域330的基板331中，於各通過孔25的鄰近，配置有各通過孔25用之例如對電極24施加偏向電壓之控制電路41(邏輯電路)。各射束用的2個電極24、26的另一方(例如電極26)被接地。此外，如圖3所示，各控制電路41，連接至控制訊號用之例如10位元的平行配線。各控制電路41，除了例如10位元的平行配線以外，還連接至電源用、控制時脈等配線。電源用的配線亦可流用平行配線的一部分配線。對於構成多射束之各個射束的每一者，構成由電極24、26及控制電路41所組成之個別遮沒機構47。此外，在膜厚較厚的外周區域332上，配置有對各控制電路41傳輸控制訊號之未圖示的墊等。
圖4為實施形態1中的描繪方法的主要工程示意流程圖。圖4中，實施形態1中的描繪方法，係實施ρ(x)演算工程(S104)、U(x)演算工程(S106)、Dp(x)演算工程(S108)、D(x)演算工程(S110)、GMC修正工程(S111)、影響係數演算工程(S113)、U’(x)演算工程(S115)、Dp’(x)演算工程(S116)、Dp”(x)演算工程(S118)、D”(x)演算工程(S119)、ρ”對映作成工程(S120)、D’(x)演算工程(S121)、t’(x)演算工程(S122)、描繪工程(S124)這一連串工程。
首先，鄰近網目分割部62(第2網目分割部)，以用來修正鄰近效應之尺寸△2(第2網目尺寸)，將試料101的描繪區域予以假想分割成複數個鄰近網目(第2網目區域)。鄰近網目，例如合適是以鄰近效應的影響半徑的1/10左右的尺寸受到分割。例如，合適是以0.5~2μm左右受到分割。
作為ρ演算工程(S104)，ρ演算部66，從記憶裝置540讀出描繪資料，對每一鄰近網目，演算配置於該鄰近網目內之圖形圖樣的面積密度ρ。然後，ρ演算部66，使用各網目值，作成面積密度對映。ρ演算部66，依序讀入每一圖框區域的資料檔案，對每一圖框區域演算面積密度ρ。也就是說，此處，係使用GMC修正前的描繪資料來演算面積密度ρ。
作為U(x)演算工程(S106)，U演算部68，對每一鄰近網目區域，演算鄰近效應密度U(x)。鄰近效應密度U(x)，能夠藉由將分布函數g(x)與面積密度ρ予以摺積積分(convolution integral)之下式(1)來定義。以下，位置x表示向量。然後，使用各鄰近網目區域的網目值，作成鄰近效應密度U(x)對映。U(x)對映，被存儲於記憶裝置544。
(1)U(x)=ʃ ρ(x')g(x-x')dx'
此處，作為使得鄰近效應的修正殘差產生之各處的影響的1種，係包含對圖樣端部(邊緣)與圖樣角部(角 隅)的至少1者予以描繪之照射量的調變的影響。一般而言，圖形圖樣的交界與像素的交界不會一致。即使在一致的圖樣中，也可能因GMC修正挪移圖形圖樣的位置而造成交界變得不一致。針對該圖樣，若不對交界不一致之部分的像素的照射量予以調變，則當針對圖樣端部(邊緣)與圖樣角部(角隅)的至少1者描繪時的形狀會偏差。多射束描繪中，相較於可變成形(VSB)型之描繪，在角隅部的圓鈍度會變大。因此，多射束描繪中，特別有必要藉由照射量的調變來進行該邊緣/角隅修正。
此外，概度(likelihood)(劑量寬容度(dose latitude)：CD的變化量相對於劑量(照射量)的變化量之比)會因鄰近效應修正係數而不同。因此，角隅修正所使用之劑量的修正係數不同。歸根究底，角隅的圓鈍情況本就可能因鄰近效應而有不同。
像這樣，多射束描繪中，會因對圖樣端部(邊緣)與圖樣角部(角隅)的至少1者予以描繪之照射量的調變的影響，而容易產生鄰近效應的修正殘差。鑑此，實施形態1中說明一種構成，係抑制由於調變對描繪圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量所致之影響而產生之鄰近效應的修正殘差。實施形態1中，使用一種模型，該模型運用了將入射照射量乘上影響係數α’(x)(影響係數之一例)而得之項、以及背散射照射量之項。使用該模型來計算修正照射量(鄰近效應修正照射係數)。然後，為了縮短演算時間，實施形態1中，係不考慮當對圖樣端 部(邊緣)與圖樣角部(角隅)的至少1者予以描繪的情形下之照射量的調變的影響，而進行鄰近效應修正演算。然後，在其後，考量當對圖樣端部(邊緣)與圖樣角部(角隅)的至少1者予以描繪的情形下之照射量的調變的影響而進行演算。首先，說明不考慮當對圖樣端部(邊緣)與圖樣角部(角隅)的至少1者予以描繪的情形下之照射量的調變的影響，而進行鄰近效應修正演算之情形。
作為Dp(x)演算工程(S108)，Dp演算部70，不考慮當對圖樣端部(邊緣)與圖樣角部(角隅)的至少1者予以描繪的情形下之照射量的調變的影響，而演算用來修正鄰近效應之修正照射係數Dp(x)(第1鄰近效應修正照射係數)。修正照射係數Dp(x)，能夠藉由解出以下模型式(2)而求出，該模型式(2)運用了不考慮當對圖樣端部(邊緣)與圖樣角部(角隅)的至少1者予以描繪的情形下之照射量的調變的影響之未知的修正照射係數Dp(x)、以及鄰近效應修正係數η。此處，係以標準化後的照射量來定義，藉此將照射量D(x)置換成修正照射係數Dp(x)。
依式(2)，為了求出未知的修正照射係數Dp(x)，係運用直到n次項(n為1以上的整數)為止之反覆演算。故，Dp演算部70，係依序演算當藉由反覆演算求出 的情形下之從1次項目至n次項目的各次項的修正照射係數項。Dp演算部70，為第1修正照射係數項演算部之一例。1次項目的修正照射係數項d1與n次項目的修正照射係數項dn，係依下式(3-1)(3-2)定義。
又，修正照射係數Dp(x)(第1鄰近效應修正照射係數)，係依下式(4)定義。得到的修正照射係數Dp(x)、及各次項目的修正照射係數項當中的至少1次項目的修正照射係數項d1(x)，係被存儲於記憶裝置544。
作為D(x)演算工程(S110)，D演算部71(暫定照射量演算部)，對每一圖樣，將得到的修正照射係數Dp(x)與基準照射量D0予以相乘而演算照射量D(x)(暫定的照射量)。
作為GMC修正工程(S111)，GMC修正部63(位置偏差修正部)，依據試料101與鏡610當中至少1者的形變所引起之受描繪的圖樣的位置偏差，來修正圖樣資料。具體而言，GMC修正部63，從記憶裝置540讀出描 繪資料，針對描繪資料中定義的複數個圖形圖樣進行GMC修正。作為GMC修正，實施形態1中，係修正鏡610的形變及/或試料101的形變所引起之圖樣的位置偏差。作為用來修正該鏡610的形變及/或試料101的形變所引起之圖樣的位置偏差的修正資料之GMC資料，係被記憶於記憶裝置549。GMC修正部63，從記憶裝置549讀出GMC資料，針對描繪資料中定義的複數個圖形圖樣修正圖樣資料，藉此進行GMC修正。作為GMC資料，係包含將用來修正鏡610的形變及/或試料101的形變所引起之圖樣的位置偏差之修正值予以近似而成之多項式(例如4次的函數)及/或該多項式的係數。此外，包含修正對映，該修正對映定義著對難以藉由該多項式近似之過度集中的位置偏差予以修正之修正值。GMC修正部63，將各圖樣的位置藉由該多項式或修正對映予以修正。如此一來，便能在部署成擊發資料之前的描繪資料的階段修正圖樣的位置。
接著，進行鄰近效應修正演算，該鄰近效應修正演算係將對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變的影響納入考量。實施形態1中，使用一種模型，該模型運用了將入射照射量乘上影響係數α’(x)(影響係數之一例)而得之項、以及背散射照射量之項。該模型，係運用考量了對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變的影響之未知的鄰近效應修正照射係數Dp’(x)，依下式(5)定義。此處，係以標準化後的 照射量來定義，藉此將照射量D’(x)置換成修正照射係數Dp’(x)。
考量對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變的影響之未知的鄰近效應修正照射係數Dp’(x)，能夠藉由解出式(5)而求出。為此，需要入射照射量用的影響係數α’(x)。
作為影響係數演算工程(S113)，α’演算部77，依據和圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者相當之位置x的照射量D(x)(暫定的照射量)，演算影響係數α’(x)。影響係數α’(x)，為和x與照射量D(x)相依之函數。此處，因實施形態1中進行GMC修正，故位置x為GMC修正後的位置。在圖樣的端部(交界)與像素的交界有偏差之圖樣邊緣與圖樣角隅，即使以設計上的照射量照射電子束也無法得到期望的形狀。因此，針對該部分係提高照射量予以強調。此外，合適是構成為針對圖樣邊緣與圖樣角隅的位置的周圍之像素(圖樣外部之像素)亦受到射束照射。換言之，合適是構成為在圖樣邊緣與圖樣角隅的位置的周圍之面積密度為0的像素亦受到射束照射。影響係數α’(x)，只要事先因應評估圖形圖樣上的位置(邊緣位置、角隅位置、或內部位置)及在該位置的照射量D而藉由實驗等求出即可。
作為U’(x)演算工程(S115)，U’演算部79，對每 一鄰近網目區域，演算將影響係數α’(x)納入考量之鄰近效應密度U’(x)。鄰近效應密度U’(x)，能夠依將分布函數g(x)與考量了影響係數α’(x)之面積密度ρ’(x)予以摺積積分之下式(6-1)來定義。此外，面積密度ρ’(x)，能夠運用面積密度ρ(x)及影響係數α’(x)而依式(6-2)來定義。此處，由於影響係數α’(x)為GMC修正後的位置的函數，因此演算面積密度ρ’(x)時，必須將影響係數α’(x)位移(shift)至GMC修正前的位置。然後，使用各鄰近網目區域的網目值，作成鄰近效應密度U’(x)對映。U’(x)對映，被存儲於記憶裝置544。
(6-1)U'(x)=ʃ ρ'(x')g(x-x')dx'
(6-2)ρ'(x)=ρ(x)/2α'(x)
作為Dp’(x)演算工程(S116)，Dp’演算部80，演算用來修正電子束所致之鄰近效應之，當藉由反覆演算來求出當考量了對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變的影響之修正照射係數Dp’(x)(第2鄰近效應修正照射係數)的情形下直到k次項目為止之修正照射係數項。另，k表示從1至n為止的整數當中的1者。例如，演算1次項目的修正照射係數項d1’。Dp’演算部80，為第2修正照射係數項演算部之一例。修正照射係數Dp’(x)，能夠藉由解出模型式(5)而求出，該模型式(5)運用了將對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予 以描繪之照射量的調變的影響納入考量之未知的修正照射係數Dp’(x)以及鄰近效應修正係數η。此處，係以標準化後的照射量來定義，藉此將照射量D(x)置換成修正照射係數Dp’(x)。
依式(5)，為了求出未知的修正照射係數Dp’(x)，通常係運用直到n次項(n為1以上的整數)為止之反覆演算。但，實施形態1中，僅演算最受到對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變的影響之1次項目的修正照射係數項d1’。因此，能夠免做2次項目以後之計算。修正照射係數Dp’(x)(第2鄰近效應修正照射係數)用之1次項目的修正照射係數項d1’，為當藉由反覆演算解出模型式(5)的情形下之1次項目的解。鄰近效應修正演算雖會花費時間，但藉由僅演算1次項目能夠大幅削減演算時間。另，k=1雖最理想，但k並不限於1，為2以上亦無妨。惟，當將k設定成2次以上的高次的情形下，則必須做直到k次項目為止之計算。1次項目的修正照射係數項d1’，係依下式(7)定義。
像這樣，考量了對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變的影響之修正照射係數Dp’(x)(第2鄰近效應修正照射係數)用之1次項目的修正照射 係數項d1’，是使用鄰近效應密度U’(x)來演算，該鄰近效應密度U’(x)亦即將考量了對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變的影響之面積密度ρ’(x)與分布函數予以摺積積分而成之值。此外，鄰近效應密度U’(x)只要從記憶裝置544讀出已演算出的鄰近效應密度U’(x)即可。此外，鄰近效應密度U’(x)，是基於進行上述GMC修正前之圖形圖樣的位置。這是因為鄰近效應的修正計算，應基於試料面上的位置來計算，若基於GMC修正後的位置則會和設計位置有偏差，故鄰近效應之修正會變得產生誤差。像這樣，修正照射係數Dp’(x)(第2鄰近效應修正照射係數)用之1次項目的修正照射係數項d1’，是使用由描繪資料受到GMC修正前的圖樣資料所得到之面積密度ρ’(x)來演算。也就是說，使用由受到GMC修正前的圖樣資料所得到之面積密度ρ(x)。
作為Dp”(x)演算工程(S118)，Dp”演算部82(鄰近效應修正照射係數演算部)，演算修正照射係數Dp”(x)(第3鄰近效應修正照射係數)，該修正照射係數Dp”(x)係將不考量對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變的影響之修正照射係數Dp(x)(第1鄰近效應修正照射係數)用之從1次項目至n次項目為止的各次項的修正照射係數項當中的直到k次項目為止的修正照射係數項，置換成考量了對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變的影響之修正照射係數Dp’(x)(第2鄰近效應修正照射係數) 用之直到k次項目為止的修正照射係數項。此處，演算修正照射係數Dp”(x)(第3鄰近效應修正照射係數)，該修正照射係數Dp”(x)係將不考量對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變的影響之修正照射係數Dp(x)(第1鄰近效應修正照射係數)用之從1次項目至n次項目為止的各次項的修正照射係數項當中1次項目的修正照射係數項d1，置換成考量了對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變的影響之修正照射係數Dp’(x)(第2鄰近效應修正照射係數)用之1次項目為止的修正照射係數項d1’。Dp”演算部82，為鄰近效應修正照射係數演算部之一例。也就是說，修正照射係數Dp”(x)，係依下式(8)定義。
(8)D p "(x)=D p (x)-d 1(x)+d 1'(x)
為了計算考量了對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變的影響之影響係數α’(x)，需要照射量D。因此，如上述般首先必須演算照射量D。其後，雖亦可計算考量了對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變的影響之鄰近效應修正演算，藉此將考量了對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變的影響之修正照射係數Dp’(x)求出直到高次項為止，但在此情形下，演算時間會變得非常長，變得難以配合描繪處理的進行而即時地演算。鑑此，實施形態1中，僅演算最受到對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者 予以描繪之照射量的調變的影響之1次項目的修正照射係數項d1’，而和已演算完畢的修正照射係數Dp(x)的1次項目的修正照射係數項d1交換，藉此便能大幅地縮短演算時間。此外，藉由該交換而得到的修正照射係數Dp”(x)，係包含最受到對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變的影響之1次項目的修正照射係數項d1’，故可達成將對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變的影響納入考量之鄰近效應修正。
另，如上述般，修正照射係數Dp’(x)用之欲被演算之修正照射係數項並不限於1次項目。當演算2次以後的修正照射係數項的情形下，只要將修正照射係數Dp(x)(第1鄰近效應修正照射係數)用之從1次項目至n次項目為止的各次項的修正照射係數項當中和修正照射係數Dp’(x)的修正照射係數項為同次項目的修正照射係數項交換即可。相較於將1次項目的修正照射係數項交換之情形，雖演算時間會變長，但能使鄰近效應修正的修正殘差減小。
作為D”(x)演算工程(S119)，D”演算部72，對每一圖樣，將得到的修正照射係數Dp”(x)(第3鄰近效應修正照射係數)與基準照射量D0予以相乘而演算照射量D”(x)。
作為ρ”對映作成工程(S120)，ρ”對映作成部65，使用描繪資料中定義的受到GMC修正之圖形圖樣，對試 料101的描繪區域，或對欲描繪之晶片區域被網目狀地假想分割而成之複數個網目區域(像素區域)的每一像素區域，算出配置於其內部之圖樣的面積密度ρ”(x)。例如，首先將試料101的描繪區域，或將欲描繪之晶片區域以規定寬度分割成長條上的條紋區域。然後，將各條紋區域假想分割成複數個像素區域。像素區域的尺寸，例如較佳為射束尺寸、或其以下的尺寸。例如合適是訂為10nm左右的尺寸。ρ”對映作成部65，例如，對每一條紋區域，將描繪資料內定義的複數個圖形圖樣分配至像素區域。然後，算出配置於每一像素區域之圖形圖樣的面積密度ρ”(x)即可。然後，對每一條紋區域，作成面積密度(ρ”)對映。
作為D’(x)演算工程(S121)，D’演算部84，對每一像素區域演算照射量。具體而言，將受到GMC修正之圖形圖樣的照射量D”(x)與ρ”對映中定義的面積密度ρ”(x)與1/(2α’(x))予以相乘而演算照射量D’(x)。然後，使用各像素區域的網目值，作成照射量D’(x)對映。D’(x)對映，被存儲於記憶裝置548。
作為t’(x)演算工程(S122)，t’演算部85，對每一像素區域演算照射時間t’(x)。照射時間t’(x)，能夠藉由將照射量D’(x)除以電流密度J來求出。於每一像素區域得到的照射時間t’(x)，會被定義成為擊發資料，暫時地存儲於記憶裝置542。
作為描繪工程(S124)，描繪控制部86，透過偏向 控制電路530等控制描繪部550，開始描繪處理。描繪部550，依據演算出的照射量D’(x)(照射時間t’(x))，使用多射束，對試料101描繪圖樣。具體而言係如下述般動作。
從電子槍201(放出部)放出之電子束600，會藉由照明透鏡602而近乎垂直地對多射束成形構件603全體做照明。在多射束成形構件603，形成有矩形的複數個孔(開口部)，電子束600係對包含所有複數個孔之區域做照明。照射至複數個孔的位置之電子束600的各一部分，會分別通過該多射束成形構件603的複數個孔，藉此形成例如矩形形狀的複數個電子束(多射束)20a~e。該多射束20a~e會通過遮沒板604的各個相對應之遮沒器(第1偏向器：個別遮沒機構)內。該遮沒器會分別將個別通過之電子束20予以偏向(進行遮沒偏向)。
通過了遮沒板604的多射束20a~e，會藉由縮小透鏡605而被縮小，朝向形成於限制孔徑構件606之中心的孔行進。此處，藉由遮沒板604的電極24、26(遮沒器)而被偏向的電子束20，其位置會偏離限制孔徑構件606(遮沒孔徑構件)中心的孔，而被限制孔徑構件606遮蔽。另一方面，未受到遮沒板604的電極24、26(遮沒器)偏向的電子束20，會如圖1所示般通過限制孔徑構件606的中心的孔。藉由該個別遮沒機構的ON/OFF，來進行遮沒控制，控制射束的ON/OFF。像這樣，限制孔徑構件606，是將藉由個別遮沒機構而被偏向成為射束OFF 狀態之各射束加以遮蔽。然後，藉由從成為射束ON開始至成為射束OFF為止所形成之通過了限制孔徑構件606的射束，形成1次份的擊發的射束。通過了限制孔徑構件606的多射束，會藉由對物透鏡607而合焦，成為期望之縮小率的圖樣像，然後藉由偏向器608，通過了限制孔徑構件606的各射束(多射束全體)朝同方向統一被偏向，照射至各射束於試料101上各自之照射位置。此外，例如當XY平台505在連續移動時，射束的照射位置會受到偏向器608控制，以便追隨XY平台505的移動。XY平台505的位置，是從平台位置檢測器539將雷射朝向XY平台505上的鏡610照射，利用其反射光來測定。一次所照射之多射束，理想上會成為以孔徑構件603的複數個孔的編排間距乘上上述期望之縮小率而得之間距而並排。描繪裝置500係以連續依序逐漸照射擊發射束之逐線掃描(raster scan)方式來進行描繪動作，當描繪期望的圖樣時，因應圖樣不同，必要的射束會藉由遮沒控制而被控制成射束ON。
如上述般，試料101的描繪區域，例如朝向y方向以規定寬度被假想分割成長條狀的複數個條紋區域。該各條紋區域便成為描繪單位區域。首先，使XY平台505移動，調整以使得一次的多射束照射所能夠照射之照射區域位於第1個條紋區域的左端或更左側之位置，開始描繪。在描繪第1個條紋區域時，例如使XY平台505朝-x方向移動，藉此便相對地朝x方向逐漸進行描繪。令XY平台 505以規定速度例如連續移動。第1個條紋區域描繪結束後，令平台位置朝-y方向移動，調整以使得照射區域相對地於y方向位於第2個條紋區域的右端或更右側之位置，這次則使XY平台505例如朝x方向移動，藉此朝向-x方向同樣地進行描繪。在第3個條紋區域朝x方向描繪，在第4個條紋區域朝-x方向描繪，像這樣一面交互地改變方向一面描繪，藉此能夠縮短描繪時間。但，並不限於該一面交互改變方向一面描繪之情形，在描繪各條紋區域時，亦可設計成朝向同方向進行描繪。1次的擊發當中，藉由因通過多射束成形構件603的各孔22而形成之多射束，會一口氣形成與各孔22相同數量之複數個擊發圖樣。
圖5為評估實施形態1的效果之評估圖樣一例示意圖。圖5中，評估圖樣，係120μm寬度當中，一半的60μm寛度成為面積密度為50%之1：1的線與間隔(line and space)圖樣(線寬0.1μm)。又，剩下一半的60μm寛度成為面積密度為100%之所謂的平坦圖樣。改變條件來描繪該評估圖樣。
圖6A與圖6B為當依作為實施形態1的比較例1、2之條件來描繪評估圖樣的情形下之尺寸偏差的結果一例示意圖。
圖7為當描繪實施形態1中的評估圖樣的情形下之尺寸偏差的結果一例示意圖。圖6A與圖6B及圖7中，縱軸表示尺寸偏差量△CD，橫軸表示評估圖樣的位置x。圖6A中，揭示了多射束描繪中，對圖樣邊緣與圖樣角隅的 至少1者予以描繪之照射量的調變後，不進行再度的鄰近效應修正計算而描繪評估圖樣的情形下之尺寸偏差結果。圖6B中，揭示了多射束描繪中，對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變後，於再度的鄰近效應修正計算中，依據進行了上述GMC修正之後的圖形圖樣的位置來求出鄰近效應密度U’(x)之情形。如圖6A所示，可知對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變後，當不進行再度的鄰近效應修正計算的情形下，描繪出的圖樣的線寬尺寸(CD)的偏差量(△CD)變大。此外，如圖6B所示，可知對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變後，即使進行再度的鄰近效應修正計算的情形下，若依據進行了GMC修正之後的圖形圖樣的位置來進行修正計算，則相較於不進行再度的鄰近效應修正計算之情形而言雖有改善，但△CD仍大。
相對於此，實施形態1中，僅演算用來求出未知的修正照射係數Dp’(x)之1次項目的修正照射係數項d1’，而和已演算完畢的修正照射係數Dp(x)之1次項目的修正照射係數項d1交換，來求出修正照射係數Dp”(x)(PEC模式2)。實施形態1之結果，如圖7中的曲線B所示。另，圖7中的曲線A，揭示為了求出未知的修正照射係數Dp’(x)，而實施從1次項目至n次項目(n為1以上的整數)為止之反覆演算，並將從1次項目至n次項目為止的修正照射係數項予以加計，藉此演算修正照射係 數Dp’(x)之情形(PEC模式1)的結果。此外，圖7中的曲線C，揭示當僅演算用來求出未知的修正照射係數Dp’(x)之1次項目的修正照射係數項d1’時，使用後述不做摺積積分之值亦即面積密度ρ’(x)來求出修正照射係數Dp”(x)之情形(PEC模式3)的結果。如曲線B，C的結果所示，可知和曲線A在各位置x的尺寸偏差量△CD沒有太大差異，受到良好地修正。
如以上這樣，按照實施形態1，即使在多射束方式的描繪處理中，仍能大幅縮短演算時間而使得修正計算速度不輸給描繪速度。又，能夠一面抑制鄰近效應的修正殘差，一面有效率地抑制對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變所致之圖樣的尺寸變動。像這樣，能夠一面抑制鄰近效應的修正殘差一面有效率地抑制各處的影響所致之圖樣的尺寸變動。故，能夠以高精度的尺寸描繪圖樣。
另，上述例子中，雖進行GMC修正，但並不限於此。不進行GMC修正的情形亦無妨。
實施形態2.
實施形態1中，當為了求出考量了對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變所致之影響之修正照射係數Dp’(x)而演算1次項目的修正照射係數項d1’時，係運用了將面積密度ρ與分布函數g予以摺積積分而成之鄰近效應密度U(x)，但並不限於此。實施形 態2中，說明不同的計算手法。實施形態2中，描繪裝置的構成和圖1相同。此外，描繪方法的流程圖和圖4相同。此外，以下除特別說明的點以外之內容，均與實施形態1相同。
實施形態2中，僅Dp’(x)演算工程(S116)中，當藉由反覆演算求出考量了對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變所致之影響之修正照射係數Dp’(x)(第2鄰近效應修正照射係數)的情形下用來演算1次項目的修正照射係數項d1’之演算式不同。實施形態2中的1次項目的修正照射係數項d1’，係依下式(9)定義。
如式(9)所示，考量了對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變所致之影響之修正照射係數Dp’(x)(第2鄰近效應修正照射係數)用的1次項目的修正照射係數項d1’，是運用面積密度而不做摺積積分來演算。換言之，是運用面積密度ρ’(x)來取代鄰近效應密度U’(x)。藉由該計算，能夠考量對圖樣邊緣與圖樣角隅的至少1者予以描繪之照射量的調變所致之影響。
上述圖7的曲線C，為依實施形態2的條件描繪評估圖樣的情形下之尺寸偏差結果的一例示意圖。實施形態2 中，相對於上述式(7)，當為了求出未知的修正照射係數Dp’(x)而僅演算1次項目的修正照射係數項d1’時，是運用不做摺積積分之值亦即面積密度ρ’(x)來取代鄰近效應密度U’(x)。其餘則和實施形態1(PEC模式2)相同。藉由該內容求出修正照射係數Dp”(x)(PEC模式3)。圖7中，揭示運用該實施形態2的修正照射係數Dp”(x)來演算照射量而描繪評估圖樣的情形下之尺寸偏差結果。將圖7的曲線C和圖7的曲線A，B比較，可知實施形態2中，在線與間隔圖樣與平坦圖樣的接續位置、及評估圖樣的端部附近，精度雖會劣化，但在線與間隔圖樣的中央部及平坦圖樣的中央部，各位置x的尺寸偏差量△CD沒有太大差異，受到良好地修正。
像以上這樣，按照實施形態2，可得到與實施形態1近乎同等之效果。又，相較於實施形態1能夠將修正計算更簡化。
另，上述例子中，雖進行GMC修正，但並不限於此。不進行GMC修正的情形亦無妨。
實施形態3.
實施形態1、2，雖針對多射束描繪裝置做了說明，但因各處的影響所致之尺寸變動而發生之鄰近效應修正的修正殘差，亦即各處的影響所致之鄰近效應修正的修正殘差，並不限於多射束描繪。在單射束方式，例如逐線射束描繪方式，或可變成形射束描繪方式(VSB描繪方式)亦 會產生。例如，當為了改善尺寸小的圖樣的解析性而調變照射量的情形下，或為了修正EUV近距離鄰近效應而調變照射量的情形下，不僅在多射束方式，在單射束方式亦會產生。實施形態3中，說明一種構成，係抑制可變成形射束描繪裝置中為了提升尺寸小的圖樣的解析性而做照射量調變所致之鄰近效應修正的修正殘差。
圖8為實施形態3中的描繪裝置的構成示意概念圖。圖8中，描繪裝置100具備描繪部150與控制部160。描繪裝置100為帶電粒子束描繪裝置之一例。特別是可變成形型(VSB型)描繪裝置之一例。描繪部150具備電子鏡筒102與描繪室103。在電子鏡筒102內，配置有電子槍201、照明透鏡202、遮沒偏向器(遮沒器)212、遮沒孔徑214、第1成形孔徑203、投影透鏡204、偏向器205、第2成形孔徑206、對物透鏡207、主偏向器208及副偏向器209。在描繪室103內，配置有至少可於XY方向移動之XY平台105。在XY平台105上配置平台位置測定用的鏡210。在XY平台105上，配置著塗布有阻劑之作為描繪對象的試料101(基板)。試料101包括用來製造半導體裝置的曝光用光罩或矽晶圓等。光罩包括光罩底板(mask blanks)。
控制部160具有控制計算機單元110、記憶體112、偏向控制電路120、DAC(數位/類比變換)放大器單元130、132、134(偏向放大器)、平台位置檢測器139、及磁碟裝置等記憶裝置140、142、144、146、148、 149。控制計算機單元110、記憶體112、偏向控制電路120、平台位置檢測器139、及記憶裝置140、142、144、146、148、149係透過未圖示之匯流排而彼此連接。在偏向控制電路120連接有DAC放大器單元130、132、134。DAC放大器單元130連接至遮沒偏向器212。DAC放大器單元132連接至副偏向器209。DAC放大器單元134連接至主偏向器208。
此外，在控制計算機單元110內，配置子照野(SF)網目分割部60、鄰近網目分割部62、網格匹配修正(GMC)修正部63、擊發分割部64、面積密度(ρ)演算部66、鄰近效應密度(U)演算部68、照射修正係數(Dp)演算部70、照射量(D)演算部71、影響係數(α’)演算部77、U’演算部79、照射修正係數(Dp’)演算部80、照射修正係數(Dp”)演算部82、照射量(D’)演算部84、照射時間(t’)演算部85、及、描繪控制部86。SF網目分割部60、鄰近網目分割部62、GMC修正部63、擊發分割部64、ρ演算部66、U演算部68、Dp演算部70、D演算部71、影響係數(α’)演算部77、U’演算部79、Dp’演算部80、Dp”演算部82、D’演算部84、t’演算部85、及、描繪控制部86這些各「~部」，具有1個處理電路，作為其處理電路能夠使用電子電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或半導體裝置等。此外，各「~部」亦可使用共通的處理電路(同一處理電路)。或，亦可使用相異的處理電路(個別的處理電路)。控制 計算機單元110內所必要的輸入資料或演算出的結果，會隨時被記憶於記憶體112。此外，合適是為了計算量較多的「~部」，配置複數個CPU或複數個GPU這類計算機。
描繪資料係從描繪裝置100的外部輸入，被存儲於記憶裝置140。GMC資料係從描繪裝置100的外部輸入，被存儲於記憶裝置149。
此處，圖8中記載了用以說明實施形態3所必須之構成。對描繪裝置100而言，通常也可具備必要的其他構造。
圖9為實施形態3中的各區域說明用概念圖。圖9中，試料101的描繪區域10，在主偏向器208的可偏向幅度內，例如朝y方向以長條狀被假想分割成複數個條紋區域20。此外，各條紋區域20，在副偏向器209的可偏向尺寸內，以網目狀被假想分割成複數個子照野(SF)30(小區域)。然後，在各SF30的各擊發位置42描繪擊發圖形。另，圖9例子中，SF30成為最小偏向區域，但並不限於此。例如，亦可將各SF以更小的網目狀假想分割成複數個次子照野(TF：Tertiary Field)。在此情形下，針對偏向器，可在主副2段的偏向器，進一步配置副副偏向器作為第3段目的偏向用。
從偏向控制電路120對DAC放大器單元130，輸出遮沒控制用之數位訊號。然後，DAC放大器單元130中，將數位訊號變換為類比訊號，並將其放大後，施加至 遮沒偏向器212以作為偏向電壓。藉由該偏向電壓，電子束200會被偏向，形成各擊發的射束。
從偏向控制電路120對DAC放大器單元134，輸出主偏向控制用之數位訊號。然後，DAC放大器單元134中，將數位訊號變換為類比訊號，並將其放大後，施加至主偏向器208以作為偏向電壓。藉由該偏向電壓，電子束200會被偏向，各擊發的射束會偏向至以網目狀被假想分割之規定的子照野(SF)的基準位置。
從偏向控制電路120對DAC放大器單元132，輸出副偏向控制用之數位訊號。然後，DAC放大器單元132中，將數位訊號變換為類比訊號，並將其放大後，施加至副偏向器209以作為偏向電壓。藉由該偏向電壓，電子束200會被偏向，各擊發的射束會偏向至以網目狀被假想分割之規定的子照野(SF)內的各擊發位置。
描繪裝置100中，使用複數段的偏向器，對每一條紋區域20逐漸進行描繪處理。此處，作為一例，係使用主偏向器208、及副偏向器209這樣的2段偏向器。XY平台105例如一面朝向-x方向連續移動，一面針對第1個條紋區域20朝向x方向逐漸進行描繪。然後，第1個條紋區域20的描繪結束後，同樣地，或朝向反方向逐漸進行第2個條紋區域20之描繪。以後，同樣地，逐漸進行第3個以後的條紋區域20之描繪。然後，主偏向器208(第1偏向器)，以追隨XY平台105的移動之方式，將電子束200依序偏向至SF30的基準位置A。此外，副偏向器 209(第2偏向器)，將電子束200從各SF30的基準位置A偏向至照射於該SF30內之射束的擊發位置42。像這樣，主偏向器208、及副偏向器209具有尺寸相異的偏向區域。
圖10為實施形態3中的描繪方法的主要工程示意流程圖。圖10中，實施形態3中的描繪方法，係實施ρ(x)演算工程(S104)、U(x)演算工程(S106)、Dp(x)演算工程(S108)、D(x)演算工程(S110)、GMC修正工程(S111)、擊發分割工程(S112)、影響係數演算工程(S113)、Dp’(x)演算工程(S116)、U’(x)演算工程(S115)、Dp”(x)演算工程(S118)、D’(x)演算工程(S121)、t’(x)演算工程(S122)、描繪工程(S124)這一連串工程。
首先，SF網目分割部60(第1網目分割部)，以副偏向器209的可偏向尺寸△1(第1網目尺寸)，將試料101的描繪區域予以假想分割成網目狀的複數個SF30(第1網目區域)。此處，將條紋區域20分割成網目狀的複數個SF30。
此外，鄰近網目分割部62(第2網目分割部)，以用來修正鄰近效應之尺寸△2(第2網目尺寸)，將試料101的描繪區域予以假想分割成複數個鄰近網目(第2網目區域)。例如，鄰近網目，例如合適是以鄰近效應的影響半徑的1/10左右的尺寸受到分割。例如，合適是以0.5~2μm左右受到分割。
從ρ(x)演算工程(S104)至GMC修正工程(S111)為止的各工程的內容，和實施形態1或實施形態2相同。但，將記憶裝置540改寫成記憶裝置140。同樣地，將記憶裝置544改寫成記憶裝置144。同樣地，將鏡610改寫成鏡210。同樣地，將記憶裝置549改寫成記憶裝置149。
作為擊發分割工程(S112)，擊發分割部64，對已受到GMC修正的描繪資料，進行複數段的資料變換處理而生成描繪裝置100固有的擊發資料。描繪資料，例如是依將描繪對象晶片的晶片區域於長條上假想分割而成之每一圖框區域來構成檔案。然後，擊發分割部64，依序讀入該每一圖框區域的資料檔案，生成擊發資料。圖框區域，合適是使其和當進行描繪時成為描繪單位區域之條紋區域相對應。但，並不限於此。例如，亦可為條紋區域被分割而成之區域。此外，晶片中配置有複數個圖形圖樣，但描繪裝置100中，1次的射束擊發可形成之尺寸有限。因此，資料變換處理當中，各圖形圖樣會被分割成1次的射束擊發可形成之擊發圖形。然後，各擊發圖形的圖形種類、尺寸、位置等會被生成作為擊發資料。擊發資料會依序被存儲於記憶裝置142。
接著，進行將為了提升尺寸小的圖樣的解析性而做之照射量調變的影響納入考量之鄰近效應修正演算。如同實施形態1，使用一種模型，該模型運用了將入射照射量乘上影響係數α’(x)(影響係數之一例)而得之項、以及 背散射照射量之項。
影響係數演算工程(S113)與U’(x)演算工程(S115)與Dp’(x)演算工程(S116)之內容，和實施形態1相同。但，將記憶裝置544改寫成記憶裝置144。此外，實施形態3中，影響係數α’(x)不會受到GMC修正所影響，故影響係數α’(x)是以GMC修正前的位置來演算。
藉由該工程，為了提升尺寸小的圖樣的解析性而做之照射量調變的影響之修正照射係數Dp’(x)(第2鄰近效應修正照射係數)用之1次項目的修正照射係數項d1’，是運用鄰近效應密度U’(x)來演算，該鄰近效應密度U’(x)亦即將考量了為了提升尺寸小的圖樣的解析性而做之照射量調變的影響之面積密度ρ’(x)與分布函數予以摺積積分而得之值。此外，鄰近效應密度U’(x)只要從記憶裝置144讀出已演算出的鄰近效應密度U’(x)即可。此外，鄰近效應密度U’(x)，是基於進行上述GMC修正前之圖形圖樣的位置。這是因為鄰近效應的修正計算，應基於試料面上的位置來計算，若基於GMC修正後的位置則會和設計位置有偏差，故鄰近效應之修正會變得產生誤差。像這樣，修正照射係數Dp’(x)(第2鄰近效應修正照射係數)用之1次項目的修正照射係數項d1’，是使用由描繪資料受到GMC修正前的圖樣資料所得到之面積密度ρ’(x)來演算。也就是說，使用由受到GMC修正前的圖樣資料所得到之面積密度ρ(x)。
Dp”(x)演算工程(S118)的內容，和實施形態1相同。實施形態3中，如同實施形態1，僅演算最受到為了提升尺寸小的圖樣的解析性而做之照射量調變的影響之1次項目的修正照射係數項d1’，而和已演算完畢的修正照射係數Dp(x)的1次項目的修正照射係數項d1交換，藉此便能夠大幅地縮短演算時間。此外，藉由該交換而得到的修正照射係數Dp”(x)，係包含最受到為了提升尺寸小的圖樣的解析性而做之照射量調變的影響之1次項目的修正照射係數項d1’，故可達成將為了提升尺寸小的圖樣的解析性而做之照射量調變的影響納入考量之鄰近效應修正。
另，如上述般，修正照射係數Dp’(x)用之欲被演算之修正照射係數項並不限於1次項目。當演算2次以後的修正照射係數項的情形下，只要將修正照射係數Dp(x)(第1鄰近效應修正照射係數)用之從1次項目至n次項目為止的各次項的修正照射係數項當中和修正照射係數Dp’(x)的修正照射係數項為同次項目的修正照射係數項交換即可。相較於將1次項目的修正照射係數項交換之情形，雖演算時間會變長，但能使鄰近效應修正的修正殘差減小。
作為D’(x)演算工程(S121)，D’演算部84，對已受到GMC修正的每一擊發圖形，運用修正照射係數Dp”(x)(第3鄰近效應修正照射係數)來演算照射量。具體而言，係將得到的修正照射係數Dp”(x)乘上基準 照射量D0與1/(2α’(x))來演算照射量D’(x)。
作為t’(x)演算工程(S122)，t’演算部85，對每一擊發圖形演算照射時間t’(x)。照射時間t’(x)，能夠藉由將照射量D’(x)除以電流密度J來求出。得到的照射時間t’(x)，會對每一擊發圖形，追加定義至擊發資料。
作為描繪工程(S124)，描繪控制部86，透過偏向控制電路120等控制描繪部150，開始描繪處理。描繪部150，依據演算出的照射量D’(x)(照射時間t’(x))，使用電子束200，對試料101描繪圖樣。具體而言係如下述般動作。偏向控制電路120，從存儲於記憶裝置142之擊發資料取得照射時間。然後，偏向控制電路120，係將控制每一擊發的照射時間之數位訊號輸出至DAC放大器單元130。然後，DAC放大器單元130，將數位訊號變換為類比訊號，並將其放大後，施加至遮沒偏向器212以作為偏向電壓。
從電子槍201(放出部)放出的電子束200，當通過遮沒偏向器212內時，藉由遮沒偏向器212，在射束ON的狀態下被控制成通過遮沒孔徑214，在射束OFF的狀態下則被偏向而使得射束全體被遮沒孔徑214遮蔽。從射束OFF的狀態變為射束ON，其後再變為射束OFF為止前通過了遮沒孔徑214的電子束200，便成為1次電子束的擊發。遮沒偏向器212係控制通過的電子束200的方向，而交互地生成射束ON的狀態及射束OFF的狀態。舉例來 說，只要在射束ON的狀態下不施加電壓，而在射束OFF時對遮沒偏向器212施加電壓即可。在該各擊發的照射時間內，照射至試料101之電子束200的每一擊發的照射量會受到調整。
如以上這樣，藉由通過遮沒偏向器212及遮沒孔徑214而生成之各擊發的電子束200，會藉由照明透鏡202而對具有矩形例如長方形的孔之第1成形孔徑203全體做照明。此處，係將電子束200先成形為矩形。然後，通過了第1成形孔徑203的第1孔徑像之電子束200，會藉由投影透鏡204而被投影至第2成形孔徑206上。藉由偏向器205，該第2成形孔徑206上的第1孔徑像受到偏向控制，而能夠令射束形狀及尺寸變化(進行可變成形)。該可變成形會對每一擊發進行，通常對於每一擊發會成形為不同的射束形狀及尺寸。然後，通過了第2成形孔徑206的第2孔徑像之電子束200，會藉由對物透鏡207而將焦點對合，藉由主偏向器208及副偏向器209而受到偏向，照射至連續性移動的XY平台105上配置之試料101的期望位置。像以上這樣，藉由各偏向器，電子束200的複數個擊發會依序被偏向至作為基板之試料101上。
圖11為當依作為實施形態3的比較例之條件來描繪評估圖樣的情形下之尺寸偏差的結果一例示意圖。
圖12為當依作為實施形態3之條件來描繪評估圖樣的情形下之尺寸偏差的結果一例示意圖。圖11及圖12中，縱軸表示尺寸偏差量△CD，橫軸表示評估圖樣的位置 x。
實施形態3的比較例中，為了求出未知的修正照射係數Dp’(x)，而實施從1次項目至n次項目(n為1以上的整數)為止之反覆演算，並將從1次項目至n次項目為止的修正照射係數項予以加計，藉此演算修正照射係數Dp’(x)(PEC模式1)。圖11中，揭示運用該修正照射係數Dp’(x)來演算照射量而描繪評估圖樣的情形下之尺寸偏差結果。
相對於此，實施形態3中，僅演算用來求出未知的修正照射係數Dp’(x)之1次項目的修正照射係數項d1’，而和已演算完畢的修正照射係數Dp(x)之1次項目的修正照射係數項d1交換，來求出修正照射係數Dp”(x)(PEC模式2)。圖12中，揭示運用該實施形態3的修正照射係數Dp”(x)來演算照射量而描繪評估圖樣的情形下之尺寸偏差結果。將圖11與圖12比較，可知各位置x的尺寸偏差量△CD沒有太大差異，受到良好地修正。
如以上這樣，按照實施形態3，能夠大幅縮短演算時間而使得修正計算速度不輸給描繪速度。又，能夠一面抑制鄰近效應的修正殘差一面有效率地提升尺寸小的圖樣的解析性。故，能夠以高精度的尺寸描繪圖樣。
另，上述例子中，雖進行GMC修正，但並不限於此。不進行GMC修正的情形亦無妨。
此外，上述例子中，當為了求出考量了各處的影響之修正照射係數Dp’(x)而演算1次項目的修正照射係數 項d1’時，係運用了將面積密度ρ與分布函數g予以摺積積分而成之鄰近效應密度U(x)，但並不限於此。如同實施形態2，運用面積密度而不做摺積積分來演算亦合適。
圖13為當依作為實施形態3之條件來描繪評估圖樣的情形下之尺寸偏差的結果一例示意圖。評估圖樣和圖5相同。圖13中，縱軸表示尺寸偏差量△CD，橫軸表示評估圖樣的位置x。實施形態3，當為了求出未知的修正照射係數Dp’(x)而僅演算1次項目的修正照射係數項d1’時，是運用不做摺積積分之值亦即面積密度ρ(x)。其餘則和實施形態2(PEC模式2)相同。藉由該內容求出修正照射係數Dp”(x)(PEC模式3)。圖13中，揭示運用該實施形態3的修正照射係數Dp”(x)來演算照射量而描繪評估圖樣的情形下之尺寸偏差結果。將圖13和圖11及圖12比較，可知PEC模式3中，在線與間隔圖樣與平坦圖樣的接續位置、及評估圖樣的端部附近，精度雖會劣化，但在線與間隔圖樣的中央部及平坦圖樣的中央部，各位置x的尺寸偏差量△CD沒有太大差異，受到良好地修正。
此外，實施形態3中，是演算考量了各處的影響之修正照射係數Dp’(x)(第2鄰近效應修正照射係數)之1次項目的修正照射係數項d1’，但並不限於此。演算考量了各處的影響之修正照射係數Dp’(x)(第2鄰近效應修正照射係數)之直到k次項目為止的修正照射係數項即 可。另，k表示從1至n為止的整數當中的1者。另，實施形態1中如上述般，k=1雖最理想，但k並不限1，為2以上亦無妨。惟，當將k設定成2次以上的高次的情形下，則必須做直到k次項目為止之計算。
以上已參照具體例說明了實施形態。但，本發明並非由該些具體例所限定。例如，上述實施形態1中說明了使用了多射束之情形，但單射束所做之逐線方式的描繪裝置中亦能同樣地適應。此外，作為各處的影響，係舉出圖樣的邊緣/角隅修正所致之照射量調變以及為了提升尺寸小的圖樣的解析性而做之照射量調變，但並不限於此。例如，還包含阻劑加熱修正等為了修正和鄰近效應不同之尺寸變動所引起的影響而做之照射量調變。此外，作為演算修正照射係數之方法，雖舉出運用圖形圖樣的面積密度之情形，但並不限於此。例如，運用對面積密度賦予照射量的權重而成之照射量密度來演算修正照射係數之情形亦能適用。
此外，針對裝置構成或控制手法等對於本發明說明非直接必要之部分等雖省略記載，但能夠適當選擇使用必要之裝置構成或控制手法。例如，有關控制描繪裝置100之控制部構成雖省略其記載，但當然可適當選擇使用必要之控制部構造。
其他具備本發明之要素，且所屬技術領域者可適當變更設計之所有帶電粒子束描繪裝置及方法、以及帶電粒子束的照射量調變係數的取得方法，均包含於本發明之範 圍。
雖已說明了本發明的幾個實施形態，但該些實施形態僅是提出作為例子，並非意圖限定發明範圍。該些新穎之實施形態，可以其他各種形態來實施，在不脫離發明要旨之範圍內，能夠進行各種省略、置換、變更。該些實施形態或其變形，均包含於發明範圍或要旨當中，且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等範圍內。

Claims (12)

  1. 一種帶電粒子束描繪裝置，其特徵為，具備：第1修正照射係數項演算處理電路，演算當求出用來修正帶電粒子束所致之鄰近效應之不考量和鄰近效應修正不同之照射量調變的影響之第1鄰近效應修正照射係數的情形下從1次項目至n次項目(n為1以上的整數)之各次項的修正照射係數項；及第2修正照射係數項演算處理電路，演算當求出用來修正帶電粒子束所致之鄰近效應之考量了前述影響之第2鄰近效應修正照射係數的情形下直到k次項目(k為從1至n為止的整數當中的1個)為止之修正照射係數項；及鄰近效應修正照射係數演算處理電路，演算將不考量前述影響之前述第1鄰近效應修正照射係數用的從1次項目至n次項目為止之修正照射係數項當中的直到k次項目為止之修正照射係數項，置換成考量了前述影響之前述第2鄰近效應修正照射係數用的前述修正照射係數項而成之第3鄰近效應修正照射係數；及照射量演算處理電路，使用前述第3鄰近效應修正照射係數來演算照射量；及描繪部，具有供試料載置之平台、及帶電粒子束源、及偏向器，依據演算出的照射量，使用帶電粒子束，對前述試料描繪圖樣。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粒子束描繪裝置，其中， 前述第2修正照射係數項演算處理電路，演算當求出前述第2鄰近效應修正照射係數的情形下之1次項目的修正照射係數項，以作為前述修正照射係數項，前述鄰近效應修正照射係數演算處理電路，演算將不考量前述影響之前述第1鄰近效應修正照射係數用的從1次項目至n次項目為止之各次項的修正照射係數項當中1次項目的修正照射係數項，置換成考量了前述影響之前述第2鄰近效應修正照射係數用的前述1次項目的修正照射係數項而成之前述第3鄰近效應修正照射係數。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之帶電粒子束描繪裝置，其中，前述第2鄰近效應修正照射係數用的前述1次項目的修正照射係數項，是使用將面積密度與分布函數予以摺積積分而得之值來演算。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之帶電粒子束描繪裝置，其中，前述第2鄰近效應修正照射係數用的前述1次項目的修正照射係數項，是使用面積密度而不做摺積積分來演算。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粒子束描繪裝置，其中，前述描繪部，具有配置於前述平台上而用來測定前述平台的位置之鏡，前述帶電粒子束描繪裝置，更具備：記憶裝置，記憶定義著複數個圖樣的圖樣資料之描繪資料；及位置偏差修正處理電路，依據前述試料與前述鏡當中的至少1者的形 變所引起之受描繪的圖樣的位置偏差，修正前述圖樣資料；前述第2鄰近效應修正照射係數用的直到前述k次項目為止之修正照射係數項，是使用由受到修正前的圖樣資料所得到之面積密度來演算，前述照射量，是使用由受到修正後的圖樣資料所得到的面積密度來演算。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粒子束描繪裝置，其中，更具備：暫定照射量演算處理電路，使用前述第1鄰近效應修正照射係數來演算暫定的照射量；及影響係數演算處理電路，使用前述暫定的照射量，演算在受到前述影響之位置的影響係數；前述第2修正照射係數項演算處理電路，使用前述影響係數演算直到前述k次項目為止之前述修正照射係數項。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之帶電粒子束描繪裝置，其中，前述影響係數，和受到前述影響之位置及在該位置的前述暫定的照射量相依。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之帶電粒子束描繪裝置，其中，前述描繪部，具有配置於前述平台上而用來測定前述平台的位置之鏡，前述帶電粒子束描繪裝置，更具備：記憶裝置，記憶 定義著複數個圖樣的圖樣資料之描繪資料；及位置偏差修正處理電路，依據前述試料與前述鏡當中的至少1者的形變所引起之受描繪的圖樣的位置偏差，修正前述圖樣資料；前述影響係數演算處理電路，依據在受到修正後的圖樣資料的第1位置之前述暫定的照射量來演算在前述第1位置的前述影響係數，並將演算出的在前述第1位置的前述影響係數，位移(shift)成在受到修正前的圖樣資料中相對應的第2位置之影響係數，前述第2修正照射係數項演算處理電路，依據位移後的前述影響係數演算直到前述k次項目為止之前述修正照射係數項。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之帶電粒子束描繪裝置，其中，前述照射量調變，為用來做圖樣端部之修正、圖樣角部之修正、為了提升圖樣的解析性之修正、阻劑加熱修正當中的至少一種尺寸變動修正之照射量調變。
  10. 一種帶電粒子束描繪方法，其特徵為：演算當求出用來修正帶電粒子束所致之鄰近效應之不考量和鄰近效應修正不同之照射量調變的影響之第1鄰近效應修正照射係數的情形下從1次項目至n次項目(n為1以上的整數)之各次項的修正照射係數項，演算當求出用來修正帶電粒子束所致之鄰近效應之考量了前述影響之第2鄰近效應修正照射係數的情形下直到k次項目(k為從1至n為止的整數當中的1個)為止之 修正照射係數項，演算將不考量前述影響之前述第1鄰近效應修正照射係數用的從1次項目至n次項目為止之修正照射係數項當中的直到k次項目為止之修正照射係數項，置換成考量了前述影響之前述第2鄰近效應修正照射係數用的前述修正照射係數項而成之第3鄰近效應修正照射係數，使用前述第3鄰近效應修正照射係數來演算照射量，依據演算出的照射量，使用帶電粒子束，對試料描繪圖樣。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之帶電粒子束描繪方法，其中，演算當求出前述第2鄰近效應修正照射係數的情形下之1次項目的修正照射係數項，以作為前述修正照射係數項，演算將不考量前述影響之前述第1鄰近效應修正照射係數用的從1次項目至n次項目為止之各次項的修正照射係數項當中1次項目的修正照射係數項，置換成考量了前述影響之前述第2鄰近效應修正照射係數用的前述1次項目的前述修正照射係數項而成之前述第3鄰近效應修正照射係數。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之帶電粒子束描繪方法，其中，前述照射量調變，為用來做圖樣端部之修正、圖樣角部之修正、為了提升圖樣的解析性之修正、阻劑加熱修正當中的至少一種尺寸變動修正之照射量調變。
TW105110925A 2015-04-21 2016-04-07 帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法 TWI611250B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015087042A JP6523767B2 (ja) 2015-04-21 2015-04-21 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201708929A TW201708929A (zh) 2017-03-01
TWI611250B true TWI611250B (zh) 2018-01-11

Family

ID=57147988

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105110925A TWI611250B (zh) 2015-04-21 2016-04-07 帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9899187B2 (zh)
JP (1) JP6523767B2 (zh)
KR (1) KR101843056B1 (zh)
TW (1) TWI611250B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6851181B2 (ja) * 2016-11-09 2021-03-31 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビーム光学系の調整方法
JP2018078251A (ja) 2016-11-11 2018-05-17 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP7002243B2 (ja) * 2017-08-04 2022-01-20 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6863208B2 (ja) * 2017-09-29 2021-04-21 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP7194572B2 (ja) * 2018-12-04 2022-12-22 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ電子ビーム検査装置
JP7159970B2 (ja) * 2019-05-08 2022-10-25 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP7196792B2 (ja) * 2019-07-11 2022-12-27 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビーム描画方法及びマルチビーム描画装置
JP7238672B2 (ja) * 2019-07-25 2023-03-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビーム描画方法及びマルチビーム描画装置
KR20220078646A (ko) * 2020-04-27 2022-06-10 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 하전 입자 빔 묘화 방법 및 하전 입자 빔 묘화 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6783905B2 (en) * 2001-12-27 2004-08-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Electron beam exposure method using variable backward scattering coefficient and computer-readable recording medium having thereof
US7569842B2 (en) * 2004-03-30 2009-08-04 Fujitsu Microelectronics Limited Method for correcting electron beam exposure data
US8487281B2 (en) * 2011-04-06 2013-07-16 Advantest Corp. Electron beam exposure apparatus and electron beam exposure method
TWI457970B (zh) * 2011-11-30 2014-10-21 Nuflare Technology Inc Charge particle beam drawing device and charged particle beam drawing method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3330306B2 (ja) * 1997-05-14 2002-09-30 東芝機械株式会社 荷電ビーム描画方法
JP5079410B2 (ja) * 2007-07-06 2012-11-21 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2010225811A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画方法
JP5530688B2 (ja) 2009-09-18 2014-06-25 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置およびその近接効果補正方法
JP5647834B2 (ja) * 2010-08-31 2015-01-07 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置およびその照射量補正方法
JP5636238B2 (ja) 2010-09-22 2014-12-03 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5871558B2 (ja) * 2011-10-20 2016-03-01 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5985852B2 (ja) * 2012-03-27 2016-09-06 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
TWI534528B (zh) 2013-03-27 2016-05-21 Nuflare Technology Inc Drawing an amount of the charged particle beam to obtain the modulation factor of a charged particle beam irradiation apparatus and method
JP6283180B2 (ja) * 2013-08-08 2018-02-21 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6783905B2 (en) * 2001-12-27 2004-08-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Electron beam exposure method using variable backward scattering coefficient and computer-readable recording medium having thereof
US7569842B2 (en) * 2004-03-30 2009-08-04 Fujitsu Microelectronics Limited Method for correcting electron beam exposure data
US8487281B2 (en) * 2011-04-06 2013-07-16 Advantest Corp. Electron beam exposure apparatus and electron beam exposure method
TWI457970B (zh) * 2011-11-30 2014-10-21 Nuflare Technology Inc Charge particle beam drawing device and charged particle beam drawing method

Also Published As

Publication number Publication date
KR101843056B1 (ko) 2018-03-28
US20160314933A1 (en) 2016-10-27
JP6523767B2 (ja) 2019-06-05
JP2016207815A (ja) 2016-12-08
KR20160125313A (ko) 2016-10-31
TW201708929A (zh) 2017-03-01
US9899187B2 (en) 2018-02-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI611250B (zh) 帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法
TWI612553B (zh) 多重帶電粒子束描繪裝置及多重帶電粒子束描繪方法
KR102027208B1 (ko) 전자 빔 장치 및 전자 빔의 위치 이탈 보정 방법
KR102027206B1 (ko) 하전 입자 빔 장치 및 하전 입자 빔의 위치 이탈 보정 방법
US9966228B2 (en) Multi charged particle beam apparatus, and shape adjustment method of multi charged particle beam image
US10488760B2 (en) Method for acquiring parameter for dose correction of charged particle beam, charged particle beam writing method, and charged particle beam writing apparatus
KR20140118857A (ko) 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔의 조사량 변조 계수의 취득 방법
TWI613524B (zh) 帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法
TW202102946A (zh) 多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法
KR20190133110A (ko) 전자 빔 조사 방법, 전자 빔 조사 장치 및 프로그램을 기록한 컴퓨터로 판독 가능한 비일시적인 기록 매체
CN111913361B (zh) 带电粒子束描绘方法以及带电粒子束描绘装置
JP2008311311A (ja) 荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置
US11804361B2 (en) Charged particle beam writing method, charged particle beam writing apparatus, and computer-readable recording medium
JP6754481B2 (ja) マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
US20230290608A1 (en) Charged particle beam writing method, charged particle beam writing apparatus, and computer-readable recording medium
JP2022177801A (ja) 荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画装置及びプログラム