JP2017175079A - 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
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Abstract
Description
第1のセトリング時間が経過した後でショット位置が移動させられる荷電粒子ビームを用いた場合における近接効果を補正するための後方散乱係数と基準ドーズ量との組を取得する工程と、
第1のセトリング時間よりも短い第2のセトリング時間が経過した後でショット位置が移動させられる荷電粒子ビームであって、かかる組の後方散乱係数と基準ドーズ量とを用いて取得される近接効果を補正するドーズ量の荷電粒子ビームを用いて、形成されるパターンの寸法変動量と温度上昇量との第1の関係を取得する工程と、
第1の関係と、第1のセトリング時間が経過した後でショット位置が移動させられる荷電粒子ビームを用いて形成されるパターン寸法とドーズ量との第2の関係と、を用いて、ドーズ量を補正するための温度上昇量に依存した温度補正パラメータを演算する工程と、
かかる組の後方散乱係数から得られる近接効果を補正する係数と、基準ドーズ量と、温度補正パラメータと、を用いてビームを照射するための照射量を演算する工程と、
照射量の荷電粒子ビームを用いて、第2のセトリング時間が経過した後でショット位置が移動させられるようにしながら試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
最小偏向領域毎に、荷電粒子ビームの照射に起因する伝熱により上昇する当該最小偏向領域の代表温度を演算する工程をさらに備え、
照射量は、さらに、当該最小偏向領域の代表温度を用いて演算されると好適である。
第1のセトリング時間が経過した後でショット位置が移動させられる荷電粒子ビームを用いた場合における近接効果を補正するための後方散乱係数と基準ドーズ量との組を取得する第1の取得部と、
第1のセトリング時間よりも短い第2のセトリング時間が経過した後でショット位置が移動させられる荷電粒子ビームであって、かかる組の後方散乱係数と基準ドーズ量とを用いて取得される近接効果を補正するドーズ量の荷電粒子ビームを用いて、形成されるパターンの寸法変動量と温度上昇量との第1の関係を取得する第2の取得部と、
第1の関係と、第1のセトリング時間が経過した後でショット位置が移動させられる荷電粒子ビームを用いて形成されるパターン寸法とドーズ量との第2の関係と、を用いて、ドーズ量を補正するための温度上昇量に依存した温度補正パラメータを演算する温度補正パラメータ演算部と、
かかる組の後方散乱係数から得られる近接効果を補正する係数と、基準ドーズ量と、温度補正パラメータと、を用いてビームを照射するための照射量を演算する照射量演算部と、
照射量の荷電粒子ビームを用いて、第2のセトリング時間が経過した後でショット位置が移動させられるようにしながら試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型(VSB型)の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、ブランキング偏向器(ブランカー)212、ブランキングアパーチャ214、第1の成形アパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2の成形アパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208、副偏向器209、及び副副偏向器216が配置されている。描画室103内には、少なくともXY方向に移動可能なXYステージ105が配置される。XYステージ105上には、レジストが塗布された描画対象となる試料101(基板)が配置される。試料101には、半導体装置を製造するための露光用のマスクやシリコンウェハ等が含まれる。マスクにはマスクブランクスが含まれる。
20 ストライプ領域
30 SF
40 TF
42 ショット位置
60 TFメッシュ分割部
62 近接メッシュ分割部
64 ショット分割部
66 ρ演算部
70 取得部
72 取得部
74 温度補正係数演算部
76 Dp演算部
77 代表温度演算部
79 D演算部
80 t演算部
86 描画制御部
100 描画装置
101 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機ユニット
112 メモリ
120 偏向制御回路
130,132,134,136 DACアンプユニット
140,142,144 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 第1の成形アパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206 第2の成形アパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
212 ブランキング偏向器
214 ブランキングアパーチャ
216 副副偏向器
330 電子線
340 試料
410 第1のアパーチャ
411 開口
420 第2のアパーチャ
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (5)
- 第1のセトリング時間が経過した後でショット位置が移動させられる荷電粒子ビームを用いた場合における近接効果を補正するための後方散乱係数と基準ドーズ量との組を取得する工程と、
前記第1のセトリング時間よりも短い第2のセトリング時間が経過した後でショット位置が移動させられる荷電粒子ビームであって、前記組の前記後方散乱係数と前記基準ドーズ量とを用いて取得される近接効果を補正するドーズ量の荷電粒子ビームを用いて、形成されるパターンの寸法変動量と温度上昇量との第1の関係を取得する工程と、
前記第1の関係と、前記第1のセトリング時間が経過した後でショット位置が移動させられる荷電粒子ビームを用いて形成されるパターン寸法とドーズ量との第2の関係と、を用いて、ドーズ量を補正するための温度上昇量に依存した温度補正パラメータを演算する工程と、
前記組の前記後方散乱係数から得られる近接効果を補正する係数と、前記基準ドーズ量と、前記温度補正パラメータと、を用いてビームを照射するための照射量を演算する工程と、
前記照射量の荷電粒子ビームを用いて、前記第2のセトリング時間が経過した後でショット位置が移動させられるようにしながら試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 描画に用いる荷電粒子ビームは、サイズの異なる複数の偏向領域の複数の偏向器を用いて多段偏向され、
最小偏向領域毎に、荷電粒子ビームの照射に起因する伝熱により上昇する当該最小偏向領域の代表温度を演算する工程をさらに備え、
前記照射量は、さらに、当該最小偏向領域の前記代表温度を用いて演算されることを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記温度補正パラメータは、露光量に対する解像特性の異なる複数のレジスト材に対してレジスト材毎に演算されることを特徴とする請求項1又は2記載の荷電粒子ビーム描画方法。
- 前記第1のセトリング時間は、周囲の領域からの伝熱によるパターン寸法変動が無視できる時間に設定されることを特徴とする請求項1〜3いずれか記載の荷電粒子ビーム描画方法。
- 第1のセトリング時間が経過した後でショット位置が移動させられる荷電粒子ビームを用いた場合における近接効果を補正するための後方散乱係数と基準ドーズ量との組を取得する第1の取得部と、
前記第1のセトリング時間よりも短い第2のセトリング時間が経過した後でショット位置が移動させられる荷電粒子ビームであって、前記組の前記後方散乱係数と前記基準ドーズ量とを用いて取得される近接効果を補正するドーズ量の荷電粒子ビームを用いて、形成されるパターンの寸法変動量と温度上昇量との第1の関係を取得する第2の取得部と、
前記第1の関係と、前記第1のセトリング時間が経過した後でショット位置が移動させられる荷電粒子ビームを用いて形成されるパターン寸法とドーズ量との第2の関係と、を用いて、ドーズ量を補正するための温度上昇量に依存した温度補正パラメータを演算する温度補正パラメータ演算部と、
前記組の前記後方散乱係数から得られる近接効果を補正する係数と、前記基準ドーズ量と、前記温度補正パラメータと、を用いてビームを照射するための照射量を演算する照射量演算部と、
前記照射量の荷電粒子ビームを用いて、前記第2のセトリング時間が経過した後でショット位置が移動させられるようにしながら試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
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