JP2008085229A - 測定対象決定システム、測定対象決定方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の測定目的に応じた測定対象を決定することができ、工期を短縮可能な測定対象決定システムを提供する。
【解決手段】測定項目に応じた複数の候補決定プログラムを、特定のロット及び複数の工程中の特定の工程に対して選択するプログラム選択部１０１と、複数の候補決定プログラムを実行して特定のロットを構成する複数のウェハから特定の工程における測定候補となるウェハを候補決定プログラム毎にそれぞれ決定する候補決定部１０２と、候補決定プログラム毎に決定した測定候補の情報を重ね合わせて、測定対象となるウェハを決定する測定対象決定部１０３とを備える。
【選択図】 図１

Description

本発明は、複数のウェハを一単位として処理する技術に関し、特にコンピュータ制御された製造ラインにおいて測定対象となるウェハを決定する測定対象決定システム、測定対象決定方法及びこの測定対象決定方法を用いた半導体装置の製造方法に関する。

半導体装置の製造においては、一般に複数のウェハが「ロット」と称する単位で複数の工程において順に処理される。半導体装置の製造のウェハテスト工程においては、測定工程を極力減らすと共に測定ウェハ枚数を減らすことで工期の短縮を行ってきた（例えば、特許文献１参照。）。しかし、高いプロセス性能を必要とする新しい製品（ロット）には、詳細な出来映え管理が求められる。このため、生産規模が拡大するに従い、結果として測定工程／測定回数は増加してきた。

更に、アドバンスト・プロセス・コントロール （ＡＰＣ）システムを用いた高度なフィードフォワード（ＦＦ）／フィードバック（ＦＢ）制御を行う製造工程が増えることで、測定工程／測定回数の増加を加速している。

また、開発や少量多品種生産を行っている場合等、特定のウェハに着目した測定が必要な場合がある。このような測定は、前述とは異なった測定項目（測定目的）ではあるが測定工程／測定回数を増加させる要因となる。

また、装置エンジニアリングシステム（ＥＥＳ）等非常に細かいサンプリングデータを取得する仕組みが利用され、プロセス中の詳細な挙動等をモニタ出来る環境が構築されようとしている。このモニタによって異常と思われる測定値が得られたウェハを意図的に測定することが予定されている。このような測定方法では、測定ウェハの番号や枚数等が予め指定できず、測定数の最適化が行えないことから無駄な測定が増える可能性がある。

以上説明したように、幾つかの測定項目のいずれも、測定工程／測定回数の増加が問題となっている。現状ではこれらの測定項目（測定目的）に応じて個別に測定を実施しているため、工期遅延が問題となっている。

特開２００３−２２７８６２号公報

本発明の目的は、複数の測定目的に応じた測定対象を決定することができ、工期を短縮可能な測定対象決定システム、測定対象決定方法及びこの測定対象決定方法を用いた半導体装置の製造方法を提供することである。

本願発明の一態様によれば、複数の工程に対応した複数の製造装置と、その複数の製造装置がそれぞれ処理したウェハの結果を測定する複数の測定装置とを備える製造ラインにおいて、測定対象とすべきウェハを決定する測定対象決定システムであって、（イ）測定項目に応じた複数の候補決定プログラムを、特定のロット及び複数の工程中の特定の工程に対して選択するプログラム選択部と、（ロ）複数の候補決定プログラムを実行して特定のロットを構成する複数のウェハから特定の工程における測定候補となるウェハを複数の候補決定プログラム毎にそれぞれ決定する候補決定部と、（ハ）複数の候補決定プログラム毎に決定した測定候補の情報を重ね合わせて、測定対象となるウェハを決定する測定対象決定部とを備える測定対象決定システムが提供される。

本願発明の他の態様によれば、複数の工程に対応した複数の製造装置と、その複数の製造装置がそれぞれ処理したウェハの結果を測定する複数の測定装置とを備える製造ラインに対して、測定対象決定システムを用いて測定対象とすべきウェハを決定する測定対象決定方法であって、（イ）測定対象決定システムのプログラム選択部が、測定項目に応じた複数の候補決定プログラムを、特定のロット及び複数の工程中の特定の工程に対して選択するステップと、（ロ）測定対象決定システムの候補決定部が、複数の候補決定プログラムを実行して特定のロットを構成する複数のウェハから特定の工程における測定候補となるウェハを候補決定プログラム毎にそれぞれ決定するステップと、（ハ）測定対象決定システムの測定対象決定部が、候補決定プログラム毎に決定した測定候補の情報を重ね合わせて、測定対象となるウェハを決定するステップとを含む測定対象決定方法が提供される。

本願発明の更に他の態様によれば、（イ）測定項目に応じた複数の候補決定プログラムを、特定のロット及び特定の工程に対して選択し、複数の候補決定プログラムを実行して特定のロットを構成する複数のウェハから特定の工程の測定候補となるウェハを候補決定プログラム毎にそれぞれ決定し、候補決定プログラム毎に決定した測定候補の情報を重ね合わせて、測定対象となるウェハを特定の工程に対して決定する手順を繰り返し、測定対象となるウェハを複数の工程についてそれぞれ決定する段階と、（ロ）複数の工程についてそれぞれ決定した測定対象のウェハの測定を行いながら、特定のロットに含まれるすべてのウェハを、複数の工程によって順に処理して半導体装置を製造する段階とを含む半導体装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、複数の測定目的に応じた測定対象を決定することができ、工期を短縮可能な測定対象決定システム、測定対象決定方法及びこの測定対象決定方法を用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。

次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものである。

また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。

本発明の実施の形態に係る半導体製造システムは、図１に示すように、測定対象決定システム１、製造ライン３、代表値算出部１０４及び履歴データベース１４を備える。例えば、測定対象決定システム１、製造ライン３、代表値算出部１０４及び履歴データベース１４のそれぞれの間は、ＬＡＮで互いに接続されている。

製造ライン３は、複数の工程にそれぞれ対応した複数の製造装置３１，３２，・・・，３ｎと、その複数の製造装置３１，３２，・・・，３ｎがそれぞれ処理したウェハの結果をそれぞれ測定する複数の測定装置４１，４２，・・・，４ｍと、複数の製造装置３１，３２，・・・，３ｎ及び測定装置４１，４２，・・・，４ｍを管理する生産管理システム２を備える。

製造装置３１，３２，・・・，３ｎには、例えば、イオン注入装置、不純物拡散装置、熱酸化装置、化学的気相堆積（ＣＶＤ）装置、熱処理装置、スパッタリング装置、真空蒸着装置、メッキ処理装置、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）装置、ドライ又はウエットエッチング装置、洗浄装置、露光装置、ダイシング装置及びボンディング装置等の種々の半導体製造装置が含まれる。更に、純水製造装置やガスの純化装置等の付帯設備が含まれていても良い。また、これらの製造装置３１，３２，・・・，３ｎは、バッチ式装置あるいは枚葉式装置のいずれにも適用可能である。製造装置３１，３２，・・・，３ｎは、複数のウェハをロット単位で処理可能である。

生産管理システム２は、例えば製造実行システム（ＭＥＳ）等のコンピュータシステムであり、具体的には製造装置３１，３２，・・・，３ｎによるウェハ処理を管理するサーバとして機能する。このため、例えば生産管理システム２は、製造装置３１，３２，・・・，３ｎにウェハ処理開始の指示を送信する等の処理を実行する。更に、生産管理システム２は、測定対象決定システム１に対して、特定の製品、ロット及び工程の測定対象となるウェハを決定するための処理開始の指示を送信すると共に、特定の製品名、ロット番号及び工程名を含む付帯情報（属性情報）も送信する。

測定対象決定システム１も、中央処理装置（ＣＰＵ）１０、測定方法管理マスタ記憶装置１１、プログラム記憶装置１２、パターンテーブル記憶装置１３、入力装置５及び出力装置６を備えるコンピュータシステムである。ＣＰＵ１０は、測定項目に応じた複数の候補決定プログラムを、特定のロット及び複数の工程中の特定の工程に対して選択するプログラム選択部１０１と、複数の候補決定プログラムを実行して特定のロットを構成する複数のウェハから特定の工程における測定候補となるウェハを候補決定プログラム毎にそれぞれ決定する候補決定部１０２と、候補決定プログラム毎に決定した測定候補の情報を重ね合わせて、測定対象となるウェハを決定する測定対象決定部１０３を備える。プログラム選択部１０１、候補決定部１０２及び測定対象決定部１０３の詳細は後述する。

測定方法管理マスタ記憶装置１１は、製品名、ロット番号及び工程名等を含む属性情報と候補決定プログラム（サブプログラム）との結びつきの情報（測定方法管理マスタ）を格納する。ここで、「候補決定プログラム」とは、測定対象を特定の製品、ロット及び工程毎に決定することが可能な、測定項目に応じたプログラムである。「測定項目」としては、例えば、ウェハに堆積した薄膜の膜厚等の条件振り測定、異常を解析するＥＥＳモニタ、定期的な品質管理（ＱＣ）測定等が挙げられる。測定方法管理マスタには、例えば図２に示すように、製品名Ａ、ロット番号Ｍ、工程名Ｘの候補決定プログラムＡ，Ｂと、製品名Ｂ、ロット番号Ｎ、工程名Ｙの候補決定プログラムＣが登録されているものとする。図１に示したプログラム記憶装置１２は、候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃ等の候補決定プログラム群を格納する。

ＣＰＵ１０のプログラム選択部１０１が、生産管理システム２から、測定対象を決定するための処理開始の指示と、候補決定プログラムを選択するために必要な付帯情報（属性情報）とを受信する。更に、プログラム選択部１０１が、測定方法管理マスタ記憶装置１１に格納された測定方法管理マスタを参照して、測定方法管理マスタに登録されている複数の候補決定プログラムのうちから、受信した属性情報に結びつく候補決定プログラムを選択する。なお、一つの測定項目に応じて複数の候補決定プログラムが選択される場合がある。例えば、属性情報として、キー１（製品名）＝Ａ、キー２（ロット番号）＝Ｍ、キー３（工程名）＝Ｘを受信して、一つの測定項目に対して属性情報に結びついた候補決定プログラムＡ，Ｂの二つの候補決定プログラムを選択する。更に、プログラム選択部１０１が、選択した候補決定プログラムＡ，Ｂの実行指示を、候補決定部１０２に送信する。

ＣＰＵ１０の候補決定部１０２は、プログラム選択部１０１からの候補決定プログラムＡ，Ｂの実行指示にしたがって、プログラム記憶装置１２から候補決定プログラムＡ，Ｂを読み出し、候補決定プログラムＡ，Ｂを起動・実行することにより、製品名Ａ、ロット番号Ｍ、工程名Ｘのロットに含まれる複数のウェハに対して測定候補（以下、「選択パターン」という。）を候補決定プログラムＡ，Ｂ毎に決定する。例えば、図３に示すように、候補決定プログラムＡの選択パターンとして、ウェハ番号（スロット番号）１，５，１０，・・・，２５のウェハが決定される。候補決定プログラムＢの選択パターンとして、ウェハ番号１，２，３，４，５，・・・のウェハが決定される。例えば、前開き一体形ポッド（ＦＯＵＰ）に一ロット分２５枚のウェハが収納されて工程間を搬送される場合は、ＦＯＵＰのスロット番号とウェハ番号が１対１に対応する。なお、ここで、ウェハ番号１，２，３，・・・，２５は説明の便宜上のものであり、現実のウェハ番号が１〜２５である必要はなく、２５枚のウェハが識別できる番号であれば、任意に選択可能である。候補決定プログラムＡ，Ｂ毎に決定した選択パターンは、パターンテーブル記憶装置１３に格納する。

ＣＰＵ１０の測定対象決定部１０３が、パターンテーブル記憶装置１３に格納された候補決定プログラムＡ，Ｂ毎に決定した選択パターンを、同一ウェハ番号１〜２５で重ね合わせ、ウェハ番号１〜２５のウェハのうちから測定対象となるウェハを決定する。例えば、図３に示すように、候補決定プログラムＡ，Ｂの少なくともいずれかで選択パターンとして決定されたウェハ番号１〜５，１０，・・・，２５のウェハを、測定対象として決定する。測定対象の情報は、測定対象決定部１０３から生産管理システム２を経由して測定装置４１，４２，・・・，４ｍに送信される。

測定装置４１，４２，・・・，４ｍのそれぞれとしては、膜厚測定装置、レジストパターン測定装置、エッチング形状測定装置、又はプロービング装置等が使用可能である。測定装置４１，４２，・・・，４ｍは、各製品、ロット及び工程に対して、測定対象決定部１０３により決定した測定対象のウェハ番号１〜５，１０，・・・，２５のウェハの膜厚や電気的特性等を測定項目に対応したパラメータを測定する。測定装置４１，４２，・・・，４ｍにより測定された各製品、ロット及び工程の、それぞれの測定値は、履歴データベース１４に格納されると共に、代表値算出部１０４に転送される。

代表値算出部１０４は、図１に示すように単体の計算機であっても良く、図１とは異なるがＣＰＵ１０等の他のコンピュータシステムに組み込まれていても良い。また、代表値算出部１０４は、測定対象決定システム１に含まれていても良い。代表値算出部１０４が、測定装置４１，４２，・・・，４ｍから生産管理システム２を経由して得られた測定値を集計して代表値を算出する。代表値としては、ロット単位の複数のウェハの平均値、最大値、最小値、又は標準偏差等を算出しても良い。代表値は、履歴データベース１４へ送信される。履歴データベース１４に格納された測定値及び代表値は、ウェハの良否判断や、不良原因となる工程の特定等、種々の用途で使用される。

入力装置５は、種々の指示を入力・設定可能である。入力装置５としては、例えばキーボード、マウス、光学式文字読取装置（ＯＣＲ）等の認識装置、イメージスキャナ等の図形入力装置、音声入力装置等の特殊入力装置が使用可能である。出力装置６は、測定方法管理マスタ記憶装置１１に格納された測定方法管理マスタや、パターンテーブル記憶装置１３に格納されたパターンテーブル等を出力可能である。出力装置６としては、液晶ディスプレイ、ＣＲＴディスプレイ等の表示装置や、インクジェットプリンタ、レーザプリンタ等の印刷装置等を用いることができる。測定方法管理マスタ記憶装置１１、プログラム記憶装置１２、パターンテーブル記憶装置１３及び履歴データベース１４としては、例えば半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスクや磁気テープ等がそれぞれ採用可能である。

次に、本発明の実施の形態に係る測定対象決定方法（ウェハ測定方法）を、図４のフローチャートを参照しながら説明する。

（イ）ステップＳ１１において、生産管理システム２からの測定対象を決定するための処理開始の指示を測定対象決定システム１が受信し、測定対象を決定するための処理が開始される。プログラム選択部１０１が、生産管理システム２から候補決定プログラムを選択するために必要な製品名、ロット番号及び工程名を含む属性情報を受信する。

（ロ）ステップＳ１２において、例えば、プログラム選択部１０１が、製品名Ａ、ロット番号Ｍ、工程名Ｘを含む属性情報に対して測定方法管理マスタ記憶装置１１に格納された測定方法管理マスタを参照して、測定方法管理マスタに登録されている複数の候補決定プログラムのうちから、製品名Ａ、ロット番号Ｍ、工程名Ｘに結びついた候補決定プログラムＡ，Ｂを選択したとする。プログラム選択部１０１が、選択した候補決定プログラムＡ，Ｂの実行指示を候補決定部１０２に送信する。候補決定プログラムは、各製品、ロット及び工程の事情により測定項目に応じて複数選択される場合があるため、ステップＳ１３において、測定方法管理マスタに登録されているすべての候補決定プログラムを確認したか判断する。まだ確認していない候補決定プログラムがあればステップＳ１２の手順に戻り、残りの候補決定プログラムを検索・確認する。

（ハ）ステップＳ１４において、候補決定部１０２が、プログラム選択部１０１からの候補決定プログラムＡ，Ｂの実行指示にしたがって、プログラム記憶装置１２から候補決定プログラムＡ，Ｂを読み出して、それぞれ起動・実行することにより、特定のロットに含まれる複数のウェハに対して、測定候補となるウェハを選択する選択パターン（測定候補）を候補決定プログラムＡ，Ｂ毎に決定する。候補決定プログラムＡ，Ｂ毎に決定した選択パターンは、図３に示すように、パターンテーブル記憶装置１３に格納されているパターンテーブルに登録される。ステップＳ１５において、すべての候補決定プログラムＡ，Ｂを実行したか判断する。まだ実行していない候補決定プログラムがあれば、ステップＳ１４に戻り、残りの候補決定プログラムを実行する。

（ニ）ステップＳ１６において、測定対象決定部１０３が、パターンテーブル記憶装置１３に格納された候補決定プログラムＡ，Ｂ毎に決定した選択パターンの重ね合せ処理を行う。即ち、図３に示すように、候補決定プログラムＡ，Ｂ毎に決定した選択パターンを同一ウェハ番号１〜２５毎に重ね合せ、候補決定プログラムＡ，Ｂのうち少なくとも一つで選択パターンで規定されたウェハ番号１〜５，１０，・・・，２５のウェハを、測定対象として決定する。

（ホ）ステップＳ１７において、測定装置４１，４２，・・・，４ｍが、生産管理システム２から測定指示と共に測定対象の情報を受信し、製造装置３１，３２，・・・，３ｎで処理されている複数のロットのうち、製品名Ａ、ロット番号Ｍ、工程名Ｘのロットに対して、測定対象として決定されたウェハ番号１〜５，１０，・・・，２５のウェハの膜厚や電気的特性等の測定項目に対応したパラメータを測定する。測定値は、生産管理システム２を経由して、履歴データベース１４に格納されると共に、代表値算出部１０４に送信される。

（ヘ）ステップＳ１８において、代表値算出部１０４が、測定値に基づいて、製品名Ａ、ロット番号Ｍ、工程名Ｘのロットの代表値を算出する。代表値としては、測定値の平均値、最大値、最小値、又は標準偏差等が算出される。算出された代表値は、履歴データベース１４に格納される。

本発明の実施の形態に係る測定対象決定システム１及び測定対象決定方法によれば、特定の製品、ロット及び工程に対し、それぞれ測定項目に応じた複数の候補決定プログラムＡ，Ｂ毎に決定した選択パターンを重ね合わせて測定対象を決定するので、それぞれの製品、ロットのそれぞれの工程についての多様な測定項目に対応した測定を漏れなく統括的に行うことができる。更に、それぞれの製品、ロットのそれぞれの工程についての測定対象の決定を製品及びロット毎に最適化することで、測定対象数を削減することができ、スループットを向上させることが可能となる。

図４に示した一連の手順、即ち：プログラム選択部１０１が、測定項目に応じた複数の候補決定プログラムを、特定のロット及び複数の工程中の特定の工程に対して選択する命令；候補決定部１０２が、複数の候補決定プログラムを実行して特定のロットを構成する複数のウェハから特定の工程における測定候補となるウェハを候補決定プログラム毎にそれぞれ決定する命令；測定対象決定部１０３が、候補決定プログラム毎に決定した測定候補の情報を重ね合わせて、測定対象となるウェハを決定する命令；等は、図４と等価なアルゴリズムの測定対象決定プログラムにより、図１に示した測定対象決定システム１を制御して実行出来る。

測定対象決定プログラムは、例えば、プログラム記憶装置１２に記憶させればよい。また、測定対象決定プログラムは、コンピュータ読取り可能な記録媒体に保存し、この記録媒体を測定対象決定システム１のプログラム記憶装置１２に読み込ませることにより、本発明の実施の形態の一連の手順を実行することができる。ここで、「コンピュータ読取り可能な記録媒体」とは、例えばコンピュータの外部メモリ装置、半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク又は磁気テープ等のプログラムを記録することができるような媒体等を意味する。具体的には、フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ，ＭＯディスク等が「コンピュータ読取り可能な記録媒体」に含まれる。

次に、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を、図５のフローチャートを参照しながら説明する。なお、以下に述べる半導体装置の製造方法は、一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の方法により、実現可能であることは勿論である。

（イ）ステップＳ１００において、プロセスシミュレーション、リソグラフィシミュレーション、デバイスシミュレーション、及び回路シミュレーションが行われ、レイアウトデータ（ＣＡＤデータ）を生成する。更に、生成されたＣＡＤデータの設計パターンに対してマスクデータを生成する。マスクデータに基づいてマスクパターンがマスク基板に形成され、フォトマスクが作製される。なお、フォトマスクはＬＳＩの製造工程の各段階に対応した枚葉分作製されてフォトマスクのセットが用意される。

（ロ）ステップＳ２００において、図１に示した測定対象決定システム１が、図４に示したステップＳ１１〜Ｓ１６と同様の手順で、特定の製品、ロット及び工程に対して、測定対象を決定する。即ち、プログラム選択部１０１が、測定項目に応じた複数の候補決定プログラムを、特定のロット及び複数の工程中の特定の工程に対して選択し、候補決定部１０２が、複数の候補決定プログラムを実行して特定のロットを構成する複数のウェハから特定の工程における測定候補となるウェハを候補決定プログラム毎にそれぞれ決定し、測定対象決定部１０３が、候補決定プログラム毎に決定した測定候補の情報を重ね合わせて、測定対象となるウェハを特定の工程に対して決定するという手順を繰り返し、測定対象となるウェハを複数の工程についてそれぞれ決定する。

（ハ）以降、それぞれの工程について決定した測定対象のウェハの測定を行いながら、特定のロットに含まれるすべてのウェハを、複数の工程によって順に処理していく。ステップＳ３０１のチップ製造工程では、ステップＳ３０１の前工程及びステップＳ３０５の後工程が実施される。ステップＳ３０１の前工程では、ステップＳ３０３のフロントエンド工程（基板工程）及びステップＳ３０４のバックエンド工程（表面配線工程）が実施される。ステップＳ３０３におけるフロントエンド工程においては、例えばステップＳ３１０における酸化工程、ステップＳ３１１におけるレジスト塗布工程、ステップＳ３１２におけるフォトリソグラフィ工程、ステップＳ３１３におけるレジストパターン測定工程、ステップＳ３１４におけるステップＳ３１２で作成したマスクを用いた選択的なイオン注入工程、ステップＳ３１５におけるレジスト除去工程、及びステップＳ３１６における熱処理工程等が、複数のウェハに対してロット単位で実施される。ここで、ステップＳ３１３において、測定装置（レジストパターン測定装置）４１が、特定の製品及びロットに対して、ステップＳ２００で測定対象に決定されたウェハのレジストパターン測定を行う。代表値算出部１０４が、測定装置４１による測定値に基づいて、代表値を算出する。測定装置４１により得られる測定値、及び代表値算出部１０４により算出された代表値は、履歴データベース１４に格納される。代表値は、ＦＢ／ＦＦ制御に用いたり、ウェハの良否判断や、装置パラメータの改善等、種々の用途に使用される。なお、図５は簡略化した模式的なフローチャートであり、ステップＳ３１０で酸化工程の代わりに化学気相成長（ＣＶＤ）工程の場合もある。また、ステップＳ３１４〜Ｓ３１６の代わりに、ステップＳ３１２で作成したマスクを用いた選択的なエッチングがされる場合、この選択的なエッチング後レジストを除去してイオン注入、或いはレジストを除去後更にエッチングする場合等種々の組み合わせがある。ステップＳ３０３はこのような選択的なイオン注入や選択的なエッチング等の種々のウェハ処理工程が繰り返して実施される。一連の工程が終了すると、ステップＳ３０４へ進む。

（ニ）ステップＳ３０４においては、基板表面に対して配線処理が施されるバックエンド工程が実施される。バックエンド工程では、例えばステップＳ３１７におけるＣＶＤ工程、ステップＳ３１８における膜厚測定工程、ステップＳ３１９におけるレジスト塗布工程、ステップＳ３２０におけるフォトリソグラフィ工程、ステップＳ３２１におけるレジストパターン測定工程、ステップＳ３２２におけるステップＳ３２０で形成したマスクを用いた選択的なエッチング工程、ステップＳ２３におけるエッチング形状測定工程、ステップＳ３２４におけるレジスト除去工程、及びステップＳ３２５におけるステップＳ３２２で形成したビアホールやダマシン溝への金属堆積工程等の種々のウェハ処理工程が、複数のウェハに対してロット単位で繰り返し実施される。ここで、ステップＳ３１８においても、測定装置（膜厚測定装置）４２が、特定の製品及びロットに対して、ステップＳ２００で測定対象に決定されたウェハに対して、ステップＳ３１７において堆積された薄膜の膜厚測定を行う。代表値算出部１０４が、測定装置４１による測定値に基づいて、代表値を算出し、履歴データベース１４に格納する。また、ステップＳ３２１においても、測定装置（レジストパターン測定装置）４１を用いて、特定の製品及びロットに対して、ステップＳ２００で決定した測定対象のレジストパターン測定を行う。代表値算出部１０４が、測定装置４１による測定値に基づいて、代表値を算出し、履歴データベース１４に格納する。また、ステップＳ３２３においても、測定装置（エッチング形状測定装置）４３を用いて、特定の製品及びロットに対して、ステップＳ２００で決定した測定対象のエッチング形状測定を行う。代表値算出部１０４が、測定装置４１による測定値に基づいて、代表値を算出し、履歴データベース１４に格納する。なお、バックエンド工程は図５に限定されるものではなく、ステップＳ３１６のＣＶＤ工程の後、ステップＳ３２１の金属堆積工程を行い、その後ステップＳ３１７〜３２０のエッチング工程となる場合等、種々の場合がある。一連の工程により多層配線構造が完成したら、ステップＳ３０４へ進む。

（ホ）ステップＳ３０４のウェハテスト工程においてウェハテストが実施される。ここで、測定装置（プロービング装置）４４を用いて、特定の製品及びロットに対して、ステップＳ２００で決定した測定対象の電気的測定を行う。代表値算出部１０４が、測定装置４１による測定値に基づいて、代表値を算出し、履歴データベース１４に格納する。ステップＳ３０５の後工程において、ウェハが所定のチップサイズに分割され、パッケージング材料にマウントされ、チップ上の電極パッドとリードフレームのリードを接続等のパッケージ組み立ての工程が実施される。ステップＳ４００において、半導体装置の検査を経て半導体装置が完成され、ステップＳ５００において出荷される。

本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、ステップＳ２００において図４に示したステップＳ１１〜１８の手順を用いて測定対象の決定し、ステップＳ３１３，Ｓ３１８，Ｓ３２１，Ｓ３２３，ステップＳ３０４の各測定工程において、ステップＳ２００で決定した測定対象のウェハを測定し代表値を算出することにより、多様な測定項目に対して効率的にウェハ測定を行うことができる。このため、ウェハの測定枚数を削減できるので半導体装置製造の高歩留まりを実現可能となる。

なお、ステップＳ２００で、ステップＳ３１３，Ｓ３１８，Ｓ３２１，Ｓ３２３，ステップＳ３０４の各測定工程の測定対象を決定する場合を説明したが、ステップＳ３１３，Ｓ３１８，Ｓ３２１，Ｓ３２３，ステップＳ３０４の各測定工程でそれぞれ、特定の製品及びロットに対する測定対象を決定したうえで、各測定を行っても良い。

（第１の変形例）
本発明の実施の形態の第１の変形例として、測定対象決定方法の他の一例を説明する。本発明の実施の形態の第１の変形例では、複数の候補決定プログラムのうち優先順位が相対的に高い候補決定プログラムにより測定候補に決定されたウェハを優先させて測定対象のウェハとして決定する。

図６に示すように、測定方法管理マスタ記憶装置１１の測定方法管理マスタに「優先順位」の欄が追加され、候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃ毎に優先順位１，２，３が割り付けられている。例えば、優先順位１の候補決定プログラムＡの測定項目が条件振り測定、優先順位１よりも低い優先順位２の候補決定プログラムＢの測定項目がＥＥＳモニタのための測定、優先順位２よりも低い優先順位３の候補決定プログラムＣの測定項目が、定期的なＱＣ測定である。

（イ）まず、プログラム選択部１０１が、測定方法管理マスタ記憶装置１１の測定方法管理マスタを参照して、測定項目に対応した候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃを選択する。候補決定部１０２は、プログラム記憶装置１２から候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃを読み出して、候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃを起動・実行することにより、製品名Ａ、ロット番号Ｍ、工程名Ｘのロットに含まれる複数のウェハのうちから選択パターン（測定候補）を候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃ毎に決定する。候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃ毎に決定した選択パターンは、パターンテーブルに登録されてパターンテーブル記憶装置１３に格納される。ここで、図７に示すように、パターンテーブル記憶装置１３に格納されているパターンテーブルにも優先順位の欄を設け、製品名Ａ、ロット番号Ｍ、工程名Ｘについて各候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃの優先順位１，２，３も格納する。図７において、候補決定プログラムＡにより決定された選択パターン及び候補決定プログラムＣにより決定された選択パターンのように、スロット位置を具体的に指定するものを「位置指定」と定義する。一方、候補決定プログラムＢにより決定された選択パターンのように、特定のスロット位置は指定しないが、複数のウェハ番号の範囲内で測定可能なウェハの最大数を制限するものを「最大数指定」と定義する。候補決定プログラムＢにより決定された選択パターンでは、ウェハ番号１〜７の範囲内で、最大で３枚まで測定可能である。

（ロ）次に、測定対象決定部１０３による重ね合せ処理を行う。重ね合せ処理の手法を、図８のフローチャートを参照しながら説明する。まず、ステップＳ２１において、候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃ毎に決定した選択パターンを、優先順位１，２，３が高い順に並べ替える。そして、最も高い優先順位１の候補決定プログラムＡにより決定された選択パターンから順に処理を開始する。ステップＳ２２において、候補決定プログラムＡにより決定された選択パターンが、「位置指定」か、「最大数指定」かを確認する。候補決定プログラムＡにより決定された選択パターンは「位置指定」であるので、ステップＳ２３に進む。

（ハ）ステップＳ２３において、候補決定プログラムＡにより決定された選択パターンで指定されたウェハ番号１が測定対象として既に決定されているか判断する。ウェハ番号１は測定対象として決定されていないので、ステップＳ２４に進む。ステップＳ２４において、上位の優先順位の最大数指定を満足しているか判断する。候補決定プログラムＡは最優先であり、上位の優先順位は存在しないので、ステップＳ２５に進み、ウェハ番号１を測定対象に決定する。ステップＳ２６において、候補決定プログラムＡにより決定された選択パターンとして指定されたすべてのウェハ番号１，５，１０，・・・，２５に対して確認したか判断する。まだ確認していないウェハ番号があれば、ステップＳ２３に戻り、残りのウェハ番号に対して処理する。この結果、ウェハ番号１と同様に、候補決定プログラムＡにより決定された選択パターンで指定されたすべてのウェハ番号５，１０，・・・，２５が測定対象として決定される。

（ニ）ステップＳ２７において、すべての候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃの選択パターンを確認したか判断する。すべての候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃの選択パターンを確認していなければ、ステップＳ２２に戻り、残りの候補決定プログラムの選択パターンを確認する。ここでは、候補決定プログラムＢ，Ｃの選択パターンを確認していないので、ステップＳ２２の手順に戻る。

（ホ）ステップＳ２２において、次に高い優先順位２の候補決定プログラムＢの選択パターンの処理に移行し、候補決定プログラムＢの選択パターンの指定方法を確認する。候補決定プログラムＢの選択パターンは「最大数指定」であるので、直ちにステップＳ２７に進む。ステップＳ２７において、候補決定プログラムＣの選択パターンを確認していないので、ステップＳ２２の手順に戻る。

（ヘ）ステップＳ２２において、最も低い優先順位３の候補決定プログラムＣの選択パターンの処理に移行し、候補決定プログラムＣの選択パターンの指定方法を確認する。候補決定プログラムＣの選択パターンは「位置指定」であるので、ステップＳ２３に進む。図７に示すように、候補決定プログラムＣの選択パターンでは、ウェハ番号３〜８が選択されているので、ウェハ番号３から順に着目していく。ステップＳ２３において、ウェハ番号３が、上位の優先順位１，２の候補決定プログラムＡ，Ｂの処理で測定対象に決定されていないので、ステップＳ２４に進む。ステップＳ２４において、上位の優先順位２の候補決定プログラムＢの選択パターンによるウェハ番号１〜７の範囲で最大３枚という制約を超えていないので、ステップＳ２５に進み、ウェハ番号３は測定対象に決定される。ステップＳ２７において、候補決定プログラムＣの選択パターンとして選択されたすべてのウェハ番号３〜８に対して確認したか判断する。ウェハ番号４〜８が確認されていないので、ステップＳ２３に戻る。

（ト）ステップＳ２３において、次のウェハ番号４の処理に移行し、ウェハ番号４は測定対象に決定していないので、ステップＳ２４に進む。ステップＳ２４において、上位の優先順位２の候補決定プログラムＢの選択パターンによるウェハ番号１〜７の範囲で最大３枚という制約を超えるため、直ちにステップＳ２７に進む。ステップＳ２７において、ウェハ番号５〜８が確認されていないので、ステップＳ２３に戻る。

（チ）ステップＳ２３において、次のウェハ番号５の処理に移行し、ウェハ番号５は既に測定対象として決定されているため、直ちにステップＳ２７に進む。ウェハ番号６〜８が確認されていないので、ステップＳ２３に戻る。以降、ウェハ番号６，７は、ウェハ番号４と同様の手順で測定対象とはならない。

（リ）ステップＳ２３において、ウェハ番号８は測定対象に決定していないので、ステップＳ２４に進む。ステップＳ２４において、ウェハ番号８は優先順位２の候補決定プログラムＢの選択パターンによる最大数指定のウェハ番号１〜７の範囲外にあるので、ステップＳ２５に進み、測定対象に決定される。ステップＳ２６において、候補決定プログラムＣの選択パターンとして選択されたすべてのウェハ番号３〜８を確認したので、ステップＳ２７に進む。ステップＳ２７において、すべての候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃの選択パターンを確認したので、処理を完了する。この結果、ウェハ番号１，３，５，１０，・・・，２５のウェハが、製品名Ａ、ロット番号Ｍ、工程名Ｘに対する測定対象に決定される。

本発明の実施の形態の第１の変形例によれば、特定の製品、ロット及び工程に対し、それぞれ測定項目に応じた候補決定プログラム毎の優先順位と、複数のウェハ番号の範囲内で測定する最大数を考慮して測定対象を決定するので、図４のフローチャートで説明した重ね合せ処理よりも高い自由度で測定対象を決定することができる。

なお、本発明の実施の形態の第１の変形例では、同一優先順位２を有するウェハ番号３，４，６，７の中から一つのウェハ番号を測定対象に決定する際、単純なアルゴリズムを利用したため、早い番号のウェハ番号３を測定対象に決定したが、同一優先順位２内であれば、他の選択アルゴリズムを用いることにより、他のウェハ番号４，６，７のうちいずれかを測定対象に決定しても構わない。

（第２の変形例）
本発明の実施の形態の第２の変形例として、測定対象決定方法の他の一例を説明する。本発明の実施の形態の第２の変形例では、図９に示すように、パターンテーブル記憶装置１３に「優先順位」の欄に加え、「重み加算値」の登録列を設けている。

（イ）まず、プログラム選択部１０１が、測定方法管理マスタ記憶装置１１の測定方法管理マスタを参照して、測定項目に対応した候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃを選択する。次に、候補決定部１０２が、プログラム記憶装置１２から候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃを読み出して、候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃを同時に実行する。これにより、候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃ毎に選択パターンが決定される。候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃ毎に決定した選択パターンは、候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃ個々に割り付けられた優先順位１，２，３とともにパターンテーブル記憶装置１３に格納されたパターンテーブルに登録する。図９において、候補決定プログラムＡの選択パターンのウェハ番号１〜３、ウェハ番号４〜６、候補決定プログラムＣの選択パターンのウェハ番号４〜６、ウェハ番号７〜９の「範囲内１枚」のように、複数のウェハ番号の範囲内で測定する最小数を指定するものを「範囲指定」と定義する。「範囲指定」は、例えば、ウェハに堆積した薄膜の膜厚等の条件振り測定を行うとき、条件を振ったそれぞれの範囲内で少なくとも１枚のウェハ測定を行いたいとき等に有効である。

（ロ）次に、測定対象決定部１０３により重ね合わせ処理を実施する。重ね合わせ処理の手法を、図１０のフローチャートを参照しながら説明する。ステップＳ３１において、候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃの選択パターンを優先順位１，２，３が高い順に並べ替える。

（ハ）ステップＳ３２において、各ウェハ番号１〜２５毎に、候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃの選択パターンに選択されていれば、重み加算値を加算し、算出結果をパターンテーブル記憶装置１３に格納されたパターンテーブルに設けた重み加算値列に登録する。例えば、ウェハ番号１に着目して、候補決定プログラムＡの選択パターンでは「範囲指定」の一部とされていることから、選択されているとみなして、重み加算値として「１」を加算する。候補決定プログラムＢの選択パターンでは、「最大値指定」であり選択されていないとみなして、重み加算値として「０」を加算する。候補決定プログラムＣの選択パターンでは、選択されていないので、重み加算値として「０」を加算する。この結果、ウェハ番号１の重み加算値は合計で「１」となる。以降、他のウェハ番号２〜２５でも、ウェハ番号１と同様の計算方法を用いて重み加算値を算出して、図９に示すように重み加算値列に登録する。なお、重みの決定方法及び重み加算値の算出方法は特に限定されず、適宜決定される。そして、最も低い優先順位３の候補決定プログラムＣの選択パターンを始点とする。

（ニ）ステップＳ３３において、候補決定プログラムＣの選択パターンで選択されているウェハ番号２の指定方法が、「位置指定」か、「範囲指定」か、「最大数指定」か判断する。ウェハ番号２が「位置指定」にその当するので、ステップＳ３５１に進む。ステップＳ３５１において、ウェハ番号２が既に測定対象に決定済みか確認する。測定対象に決定されていないので、ステップＳ３５２に進み、ウェハ番号２を測定対象に決定する。ステップＳ３７において、候補決定プログラムＣの選択パターンで選択されているウェハ番号２、及び範囲指定のウェハ番号４〜６，７〜９をすべて確認したか判断する。ここでは、まだウェハ番号４〜６，７〜９を確認していないので、ステップＳ３３の手順に戻る。

（ホ）ステップＳ３２において、候補決定プログラムＣの選択パターンのウェハ番号４〜６の処理に移行し、ウェハ番号４〜６は「範囲指定」であるので、ステップＳ３４１に進む。ステップＳ３４１において、ウェハ番号４〜６の範囲内で指定された枚数（１枚）が測定対象として既に決定されているか確認する。指定された測定数に達していない場合は、ステップＳ３４２に進み、重み加算値を参照し、選択範囲内で最も重み加算値の大きい順に、指定された測定数に達するまでウェハ番号を選択していく。ウェハ番号４〜６はそれぞれの重み加算値が同一値であるためどれを選択しても良いが、ここではウェハ番号４を選択する。以降は同様の繰り返しにより、候補決定プログラムＣの選択パターンの残りの処理を行う。ウェハ番号７〜９では、ウェハ番号９の重み加算値「２」がウェハ番号７，８の重み加算値「１」よりも大きいため、ウェハ番号９を測定対象に決定する。ステップＳ３７において、候補決定プログラムＣの選択パターンで選択されたすべてのウェハ番号２，４〜６，７〜９を確認したので、ステップＳ３８に進む。ステップＳ３８において、すべての候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃの選択パターンを確認したか判断する。まだ候補決定プログラムＡ，Ｂの選択パターンを確認していないので、ステップＳ３３に戻る。

（ヘ）ステップＳ３３において、優先順位２の候補決定プログラムＢの処理に移行し、候補決定プログラムＢの選択パターンではウェハ番号１〜９の範囲で「最大値指定」が行われているので、ステップＳ３６１に進む。ステップＳ３６１において、指定されたウェハ番号１〜９の範囲内で測定対象に決定されているスロット数を確認する。測定対象に決定したスロット数が最大数（３枚）を超えていた場合は、ステップＳ３６２に進み、最大数（３枚）を超えた数だけ、測定対象となったウェハ番号を重み加算値の小さい順に解除する。ここでは、測定対象に決定されているのはウェハ番号２，４，９であり、最大数（３枚）を超えていないので、ステップＳ３７に進む。ステップＳ３７において、候補決定プログラムＢの選択パターンで選択されたすべてのウェハ番号１〜９を確認したので、ステップＳ３８に進む。ステップＳ３８において、まだ候補決定プログラムＡの選択パターンを確認していないので、ステップＳ３３に戻る。

（ト）ステップＳ３３において、優先順位１の候補決定プログラムＡの選択パターンの指定方法を判断する。ウェハ番号１〜３が「範囲指定」であるので、ステップＳ３４１に進む。ステップＳ３４１において、ウェハ番号１〜３の範囲内で、既にウェハ番号２が測定対象として決定済みであり、範囲内で１枚以上を測定するという条件を満足しているので、ステップＳ３７に進む。一方、範囲指定の条件を満足していない場合には、指定された測定数を満足するまで、重み加算値の大きいウェハ番号を優先して測定対象に決定する。

（チ）ステップＳ３３において、ウェハ番号４〜６も「範囲指定」であり、ステップＳ３４１に進む。ステップＳ３４１において、ウェハ番号４が既に測定対象として決定済みであり、範囲内で１枚以上を測定するという条件を満足しているので、ステップＳ３７に進む。

（リ）ステップＳ３３において、最後のウェハ番号９は「位置指定」であり、ステップＳ３５１に進み、既に測定対象に決定済みであるためステップＳ３７に進む。この結果、最終的にウェハ番号２，４，９が、製品名Ａ、ロット番号Ｍ及び工程名Ｘに対する測定対象に決定される。

本発明の実施の形態の第２の変形例によれば、特定の製品、ロット及び工程に対し、それぞれ「位置指定」の他に、測定対象を特定せずに範囲と測定枚数を指定する「範囲指定」及び「最大数指定」等の種々の選択パターンの指定方法を組み合わせて測定対象を決定するので、図４のフローチャートで説明した重ね合せ処理よりも高い自由度で測定を行うことが可能となる。

（第３の変形例）
本発明の実施の形態の第３の変形例として、代表値算出方法（集計方法）の他の一例を説明する。従来、ＥＥＳ等予め異常を選択して測定する等、測定項目によってはロット代表値等に換算するデータとして適切でない場合があり、これらのデータが混在した場合、正確に製造プロセスを把握し、管理するための障害につながる場合がある。本発明の実施の形態の第３の変形例では、代表値の算出に利用しない測定値を除外する方法を説明する。図１１に示すように、測定方法管理マスタ記憶装置１１の測定方法管理マスタは、各候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃ毎に、代表値の計算対象として有効又は無効を示す情報を含む。図１１において、候補決定プログラムＡ，Ｂは有効であり、候補決定プログラムＣは無効である。

（イ）まず、プログラム選択部１０１が、測定方法管理マスタ記憶装置１１に格納された測定方法管理マスタを参照して、測定項目に対応した候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃを選択する。次に、候補決定部１０２が、プログラム記憶装置１２から候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃを読み出して、図１２に示すように、候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃを実行して候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃ毎に選択パターンを決定し、決定した選択パターンをパターンテーブル記憶装置１３にそれぞれ格納する。このとき、各候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃに割り当てられている代表値の計算対象として有効又は無効の情報も同時に登録する。次に、測定対象決定部１０３が、ウェハ番号１，２，５，６，７，１０，・・・，２４，２５のウェハを、製品名Ａ、ロット番号Ｍ及び工程名Ｘに対する測定対象に決定し、図１２に示すように、パターンテーブル記憶装置１３に格納されているパターンテーブルにそれぞれ登録する。

（ロ）次に、代表値算出部１０４により代表値を算出する。代表値算出の手法を、図１３のフローチャートを参照しながら説明する。まず、ステップＳ４１において、測定対象の中から任意のウェハ番号を選択し、このウェハ番号で実際に測定が実施されているか判定する。測定が実施されていればステップＳ４２に進み、実施されていなければステップＳ４４に進む。

（ハ）ステップＳ４２において、着目したウェハ番号が測定対象の重ね合わせ処理を行う前に登録した候補決定プログラムＡ，Ｂ，Ｃの選択パターン群を参照し、着目しているウェハ番号が代表値の計算対象として無効か否か判断する。例えば、図６に示すように、ウェハ番号１は、有効を示す候補決定プログラムＡでのみ選択されているので、無効ではないと判断される。ウェハ番号２は無効を示す候補決定プログラムＣで選択されているので、無効と判断される。ウェハ番号５は、有効を示す候補決定プログラムＡ，Ｂで選択されているが、無効を示す候補決定プログラムＣでも選択されているので、無効と判断される。このようにして、無効なウェハ番号でないと判断した場合は、ステップＳ４３に進み、計算対象とする。一方、無効なウェハ番号と判断した場合は、計算対象から除外される。これにより、図１２に示すように、無効なウェハ番号２，５，・・・，２４が除外される。

（ニ）ステップＳ４４において、すべてのウェハ番号１〜２５を確認したか判断する。すべてのウェハ番号１〜２５を確認していないと判断した場合には、ステップＳ４１に戻り、残りのウェハ番号を確認する。

（ホ）ステップＳ４５において、計算対象としたウェハ番号１，６，７，１０，・・・，２５の測定値のみに基づいて代表値を算出する。代表値としては、各ウェハ番号１，６，７，１０，・・・，２５の測定値の最大値、最小値、平均値、又は標準偏差等が算出可能である。算出された代表値は、履歴データベース１４に格納される。

なお、ステップＳ４２におけるウェハ番号が無効を含むか判断する手順の代わりに、図１４に示すように、ステップＳ４２において、ウェハ番号が有効を含むか判断しても良い。この場合、図１２に示したウェハ番号５は、有効を含むので、計算対象となる。他のステップＳ４１，Ｓ４３〜Ｓ４５の手順は、図１３に示した手順と実質的に同様であるので、重複した説明を省略する。このように、種々の集計方法があるが、集計データの利用方法から適当な方法を選べば良い。

また、図１３のステップＳ４１〜Ｓ４４の手順を代表値算出部１０４の代わりに測定対象決定部１０３等が行い、計算対象を選別した情報を代表値算出部１０４が取得して、代表値を算出しても良い。

本発明の実施の形態の第３の変形例によれば、測定項目によって集計計算に無効な測定値を代表値の集計計算から切り離し、有効な測定値のみを用いるので、代表値の算出時間を低減でき、且つ適切な代表値を算出することができる。

（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。

例えば、本発明の実施の形態に係る測定対象決定システム１、代表値算出部１０４及び履歴データベース１４は、図１に示した測定装置４１〜４ｍに組み込まれていても良く、生産管理システム２に組み込まれていても良い。

このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。

本発明の実施の形態に係る測定対象決定システムの一例を示すブロック図である。 本発明の実施の形態に係る測定方法管理マスタの一例を示す表である。 本発明の実施の形態に係るパターンテーブルの一例を示す表である。 本発明の実施の形態に係る測定対象決定方法の一例を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施の形態の第１の変形例に係る測定方法管理マスタの一例を示す表である。 本発明の実施の形態の第１の変形例に係るパターンテーブルの一例を示す表である。 本発明の実施の形態の第１の変形例に係る測定対象決定方法の一例を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施の形態の第２の変形例に係るパターンテーブルの一例を示す表である。 本発明の実施の形態の第２の変形例に係る測定対象決定方法の一例を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施の形態の第３の変形例に係る測定方法管理マスタの一例を示す表である。 本発明の実施の形態の第３の変形例に係るパターンテーブルの一例を示す表である。 本発明の実施の形態の第３の変形例に係る集計方法の一例を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施の形態の第３の変形例に係る集計方法の他の一例を説明するためのフローチャートである。

符号の説明

１…測定対象決定システム
２…生産管理システム
３…製造ライン
４１〜４ｍ…測定装置
５…入力装置
６…出力装置
１０…中央処理装置（ＣＰＵ）
１１…測定方法管理マスタ記憶装置
１２…プログラム記憶装置
１３…パターンテーブル記憶装置
１４…履歴データベース
３１，３２，・・・，３ｎ…製造装置
１０１…プログラム選択部
１０２…候補決定部
１０３…測定対象決定部
１０４…代表値算出部

Claims (5)

1. 複数の工程に対応した複数の製造装置と、該複数の製造装置がそれぞれ処理したウェハの結果を測定する複数の測定装置とを備える製造ラインにおいて、測定対象とすべきウェハを決定する測定対象決定システムであって、
   測定項目に応じた複数の候補決定プログラムを、特定のロット及び前記複数の工程中の特定の工程に対して選択するプログラム選択部と、
   前記複数の候補決定プログラムを実行して前記特定のロットを構成する複数のウェハから前記特定の工程における測定候補となるウェハを前記複数の候補決定プログラム毎にそれぞれ決定する候補決定部と、
   前記複数の候補決定プログラム毎に決定した測定候補の情報を重ね合わせて、測定対象となるウェハを決定する測定対象決定部
   を備える測定対象決定システム。
2. 前記測定対象決定部が、前記複数の候補決定プログラムのうち少なくとも一により前記測定候補に決定されたウェハを前記測定対象のウェハとして決定することを特徴とする請求項１に記載の測定対象決定システム。
3. 前記測定対象決定部が、前記複数の候補決定プログラムのうち優先順位が相対的に高い候補決定プログラムにより前記測定候補に決定されたウェハを優先させて前記測定対象のウェハとして決定することを特徴とする請求項１に記載の測定対象決定システム。
4. 複数の工程に対応した複数の製造装置と、該複数の製造装置がそれぞれ処理したウェハの結果を測定する複数の測定装置とを備える製造ラインに対して、測定対象決定システムを用いて測定対象とすべきウェハを決定する測定対象決定方法であって、
   前記測定対象決定システムのプログラム選択部が、測定項目に応じた複数の候補決定プログラムを、特定のロット及び前記複数の工程中の特定の工程に対して選択するステップと、
   前記測定対象決定システムの候補決定部が、前記複数の候補決定プログラムを実行して前記特定のロットを構成する複数のウェハから前記特定の工程における測定候補となるウェハを前記候補決定プログラム毎にそれぞれ決定するステップと、
   前記測定対象決定システムの測定対象決定部が、前記候補決定プログラム毎に決定した測定候補の情報を重ね合わせて、測定対象となるウェハを決定するステップ
   とを含むことを特徴とする測定対象決定方法。
5. 測定項目に応じた複数の候補決定プログラムを、特定のロット及び特定の工程に対して選択し、前記複数の候補決定プログラムを実行して前記特定のロットを構成する複数のウェハから前記特定の工程の測定候補となるウェハを前記候補決定プログラム毎にそれぞれ決定し、前記候補決定プログラム毎に決定した測定候補の情報を重ね合わせて、測定対象となるウェハを前記特定の工程に対して決定する手順を繰り返し、測定対象となるウェハを複数の工程についてそれぞれ決定する段階と、
   前記複数の工程についてそれぞれ決定した測定対象のウェハの測定を行いながら、前記特定のロットに含まれるすべてのウェハを、前記複数の工程によって順に処理して半導体装置を製造する段階
   とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

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