KR102209725B1 - 메트롤로지 시스템의 성능을 예측하는 장치 및 방법 - Google Patents

메트롤로지 시스템의 성능을 예측하는 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102209725B1
KR102209725B1 KR1020187015980A KR20187015980A KR102209725B1 KR 102209725 B1 KR102209725 B1 KR 102209725B1 KR 1020187015980 A KR1020187015980 A KR 1020187015980A KR 20187015980 A KR20187015980 A KR 20187015980A KR 102209725 B1 KR102209725 B1 KR 102209725B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
throughput
substrates
substrate
metrology
buffer
Prior art date
Application number
KR1020187015980A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180079435A (ko
Inventor
마르티누스 마아쎈
레인더 턴 플러그
카우스투베 바타차리야
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20180079435A publication Critical patent/KR20180079435A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102209725B1 publication Critical patent/KR102209725B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70681—Metrology strategies
    • G03F7/706833—Sampling plan selection or optimisation, e.g. select or optimise the number, order or locations of measurements taken per die, workpiece, lot or batch
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/706835—Metrology information management or control
    • G03F7/706839—Modelling, e.g. modelling scattering or solving inverse problems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70991—Connection with other apparatus, e.g. multiple exposure stations, particular arrangement of exposure apparatus and pre-exposure and/or post-exposure apparatus; Shared apparatus, e.g. having shared radiation source, shared mask or workpiece stage, shared base-plate; Utilities, e.g. cable, pipe or wireless arrangements for data, power, fluids or vacuum
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30—Circuit design
    • G06F30/39—Circuit design at the physical level
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2119/00—Details relating to the type or aim of the analysis or the optimisation
    • G06F2119/18—Manufacturability analysis or optimisation for manufacturability

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

점점 더, 메트롤로지 시스템들이 리소그래피 장치들 내에 통합되어, 리소그래피 공정 내에서 통합된 메트롤로지를 제공한다. 하지만, 이 통합은 전체 리소그래피 장치의 스루풋 또는 생산성 영향을 유도할 수 있고, 이는 예측하기가 어려울 수 있다. 그러므로, 리소그래피 장치 내의 복수의 기판들의 스루풋과 연계된 스루풋 정보를 획득하고 -상기 스루풋 정보는 스루풋 파라미터를 포함함- , 스루풋 시뮬레이터를 이용하여 입력 파라미터로서 스루풋 파라미터를 이용하여 스루풋을 예측하도록 작동가능한 시뮬레이션 모델을 제공하는 것이 제안된다. 스루풋 시뮬레이터는 획득된 스루풋 정보를 이용하여 캘리브레이션될 수 있다. 리소그래피 장치의 스루풋에 대한 스루풋 파라미터의 적어도 하나의 변화의 영향은 스루풋 시뮬레이터를 이용하여 예측될 수 있다.

Description

메트롤로지 시스템의 성능을 예측하는 장치 및 방법
본 출원은 2015년 11월 11일에 출원된 EP 출원 15194071.5의 우선권을 주장하며, 이는 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된다.
본 발명은 리소그래피 기술들을 이용하는 반도체 디바이스들과 같은 제품들의 제조 방법들에 관한 것이다. 더 명확하게는, 이는 메트롤로지 시스템, 특히 통합 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 메트롤로지 시스템의 성능을 예측하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 다이의 부분, 한 개 또는 수 개의 다이를 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 특정 패턴 및 재료 조성을 각각 갖는 다수 층들이 적용되어, 완제품의 기능 디바이스들 및 상호연결들(interconnections)을 정의한다.
현재 및 다음 세대 공정들은 흔히, 리소그래피 장치에 의해 직접 프린트될 수 있는 것보다 훨씬 작은 치수를 갖는 디바이스 피처(device feature)들을 생성하기 위해 소위 다중 패터닝 기술들에 의존한다. 자체 마스크 또는 레티클을 각각 갖는 다수 패터닝 단계들이 수행되어, 기판 상의 단일 층에 원하는 디바이스 패턴을 정의한다. 다중 패터닝의 많은 상이한 예시들이 알려져 있다. 몇몇 공정들에서, 원하는 디바이스 패턴을 위한 기초로서 규칙적인 그리드 구조체가 형성된다. 그 후, 회로-특정 마스크 패턴을 사용하여, 그리드 구조체를 형성하는 라인들이 특정 위치들에서 절단되어 라인들을 개별 세그먼트들로 분리한다. 그리드 구조체는 수십 나노미터 또는 심지어 십 나노미터 대의 피치로 치수들이 대단히 미세할 수 있다.
리소그래피 공정에서는, 예를 들어 공정 제어 및 검증(verification)을 위해 생성된 구조체들의 측정들을 자주 수행하는 것이 바람직하다. 이러한 측정들을 수행하는 다양한 툴들이 알려져 있으며, 임계 치수(CD)를 측정하는 데 흔히 사용되는 주사 전자 현미경, 및 오버레이(기판의 두 층들의 정렬 정확성) 또는 포커스를 측정하는 특수 툴들을 포함한다. 제조된 디바이스의 최종 성능은 그리드 구조체에 대한 절단 마스크(cut mask)의 위치설정 및 치수결정의 정확성에 결정적으로 의존할 수 있다. (이 맥락에서 절단 마스크는 그리드 구조체가 기능 회로들을 형성하도록 수정되는 회로-특정 위치들을 정의하는 것이다.) 오버레이 오차로 인해, 절단 또는 다른 수정이 잘못된 곳에서 발생할 수 있다. 치수(CD) 오차들은 절단을 너무 크거나 너무 작게 할 수 있다(극단적인 경우, 인접한 그리드 라인을 실수로 절단하거나, 의도된 그리드 라인을 완전히 절단하지 못 함).
또한, 리소그래피 공정의 다른 성능 파라미터들에 관심이 있을 수 있으며, 예를 들어 광학 리소그래피에서 포커스 및 노광 도즈의 파라미터들이 측정을 필요로 할 수도 있다.
리소그래피 장치들이 성능 파라미터들의 이러한 측정들을 수행할 수 있는 통합된 메트롤로지 시스템들을 포함할 것이 제안된다. 하지만, 이러한 메트롤로지 시스템들의 통합은 메트롤로지 시스템 상에서 또는 전체적으로 리소그래피 장치의 스루풋에 영향을 미칠 수 있다. 또한, 통합은 리소그래피 장치의 샘플링 성능, 즉 성공적으로 샘플링된 기판들의 양(quantity)에 영향을 미칠 수 있다. 이러한 영향들은 예측하기가 어려울 수 있다.
리소그래피 시스템들 상의 통합된 메트롤로지의 스루풋 및/또는 샘플링 성능 영향을 더 우수하게 예측하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 1 실시형태에서, 메트롤로지 시스템을 포함한 리소그래피 장치에서 메트롤로지 시스템의 스루풋을 예측하는 방법이 제공되고, 상기 방법은:
리소그래피 장치 내의 복수의 기판들의 스루풋과 연계된 스루풋 정보를 획득하는 단계 -상기 스루풋 정보는 스루풋 파라미터를 포함함- ; 및
입력 파라미터로서 스루풋 파라미터를 이용하는 스루풋 시뮬레이터를 이용하여 메트롤로지 시스템의 스루풋을 예측하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 스루풋 시뮬레이터는 스루풋 정보를 이용하여 캘리브레이션된다. 또 다른 실시예에서, 스루풋 시뮬레이터는 스루풋 파라미터의 적어도 하나의 변화의 스루풋 영향을 예측한다.
첨부된 도면들을 참조하여, 본 발명의 다양한 실시예들의 구조 및 작동뿐만 아니라, 본 발명의 또 다른 실시형태들, 특징들, 및 장점들이 아래에서 상세하게 설명된다. 본 발명은 본 명세서에서 설명되는 특정한 실시예들에 제한되지 않는다는 것을 유의한다. 본 명세서에서, 이러한 실시예들은 단지 예시적인 목적으로만 제시된다. 당업자라면, 본 명세서에 포함되는 교시에 기초하여 추가적인 실시예들을 명백히 알 것이다.
이제 첨부된 도면들을 참조하여, 예시의 방식으로 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 반도체 디바이스들을 위한 생산 시설을 형성하는 다른 장치들과 함께 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2는 통합된 메트롤로지 시스템을 갖는 리소그래피 장치를 더 상세히 도시하고, 이러한 리소그래피 장치를 통해 기판이 거칠 수 있는 공정들을 더 예시하는 도면;
도 3은 스루풋 시뮬레이터의 개념적 개요를 예시하는 도면;
도 4는 예시적인 실시예에 따라 메트롤로지 시스템의 성능을 예측하는 방법을 도시하는 도면; 및
도 5는 도 4의 시뮬레이션 단계들을 그래픽으로 예시하는 도면이다.
본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기에 앞서, 본 발명의 실시예들이 구현될 수 있는 예시적인 환경을 제시하는 것이 유익하다.
도 1은 100에서, 대량(high-volume) 리소그래피 제조 공정을 구현하는 산업 제조 시설의 일부로서 리소그래피 툴(LA)을 나타낸다. 본 예시에서, 제조 공정은 반도체 웨이퍼와 같은 기판 상의 반도체 제품(집적 회로)의 제조에 적합하다. 당업자라면, 이 공정의 변형예에서 상이한 타입들의 기판을 처리함으로써 다양한 제품들이 제조될 수 있음을 이해할 것이다. 반도체 제품들의 생산은 순전히 일 예시로서 사용되며, 이는 오늘날 상업적으로 큰 의미를 갖는다.
리소그래피 툴[또는 줄여서 "리소 툴"(100)] 내에서, 측정 스테이션(MEA)은 102로 나타내어지고, 노광 스테이션(EXP)은 104로 나타내어진다. 제어 유닛(LACU)은 106으로 나타내어진다. 이 예시에서, 각각의 기판이 측정 스테이션 및 노광 스테이션에 머물러, 패턴이 적용되게 한다. 예를 들어, 광학 리소그래피 장치에서는 투영 시스템이 사용되어, 컨디셔닝(condition)된 방사선 및 투영 시스템을 사용하여 패터닝 디바이스(MA)로부터 기판 상으로 제품 패턴(product pattern)을 전사한다. 이는 방사선-감응성 레지스트 재료의 층에 패턴의 이미지를 형성함으로써 행해진다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한 타입의 투영 시스템을 포괄하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 패터닝 디바이스(MA)는 마스크 또는 레티클일 수 있으며, 이는 패터닝 디바이스에 의해 투과되거나 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다. 잘 알려진 작동 모드들로는 스테핑 모드 및 스캐닝 모드를 포함한다. 잘 알려진 바와 같이, 투영 시스템은 기판에 걸쳐 많은 타겟부에 원하는 패턴을 적용하기 위해 다양한 방식으로 기판 및 패터닝 디바이스에 대한 지지체 및 위치설정 시스템들과 상호작동할 수 있다. 고정된 패턴을 갖는 레티클들 대신에, 프로그램가능한 패터닝 디바이스들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 방사선은 심자외선(DUV) 또는 극자외선(EUV) 파장대(waveband) 내의 전자기 방사선을 포함할 수 있다. 또한, 본 기재내용은 다른 타입들의 리소그래피 공정, 예를 들어 임프린트 리소그래피(imprint lithography) 및 예를 들어 전자 빔에 의한 직접 기록 리소그래피(direct writing lithography)에도 적용가능하다.
리소그래피 장치 제어 유닛(LACU)은 기판들(W) 및 레티클들(MA)을 수용하고 패터닝 작동들을 구현하는 다양한 액추에이터들 및 센서들의 모든 이동들 및 측정들을 제어한다. 또한, LACU는 장치의 작동에 관련된 원하는 계산들을 구현하는 신호 처리 및 데이터 처리 능력을 포함한다. 실제로는, 제어 유닛(LACU)이 많은 서브-유닛들의 시스템으로서 실현될 것이며, 각각 장치 내의 서브시스템 또는 구성요소의 실시간 데이터 취득, 처리 및 제어를 처리한다.
노광 스테이션(EXP)에서 기판에 패턴이 적용되기에 앞서, 기판은 측정 스테이션(MEA)에서 처리되어 다양한 준비작업 단계들이 수행될 수 있도록 한다. 준비작업 단계들은 레벨 센서를 이용하여 기판의 표면 높이를 매핑(map)하는 단계, 및 정렬 센서를 이용하여 기판 상의 정렬 마크들의 위치를 측정하는 단계를 포함할 수 있다. 정렬 마크들은 공칭적으로 규칙적인 그리드 패턴에 배치된다. 하지만, 마크들을 생성함에 있어서 부정확성으로 인해, 또한 그 처리 전반에 걸쳐 발생하는 기판의 변형들로 인해, 마크들은 이상적인 그리드로부터 벗어난다. 결과적으로, 기판의 위치 및 방위를 측정하는 것에 추가하여, 장치가 매우 높은 정확성으로 올바른 위치들에 제품 피처들을 프린트하여야 하는 경우, 정렬 센서는 실제로 기판 영역에 걸쳐 많은 마크의 위치들을 상세히 측정하여야 한다. 장치는 2 개의 기판 테이블들을 갖는 소위 듀얼 스테이지 타입으로 이루어질 수 있고, 이들은 각각 제어 유닛(LACU)에 의해 제어되는 위치설정 시스템을 갖는다. 하나의 기판 테이블 상의 하나의 기판이 노광 스테이션(EXP)에서 노광되고 있는 동안, 또 다른 기판이 측정 스테이션(MEA)에서 다른 기판 테이블 상으로 로딩(load)되어 다양한 준비작업 단계들이 수행될 수 있도록 한다. 그러므로, 정렬 마크들의 측정은 매우 시간-소모적이고, 2 개의 기판 테이블들의 제공이 장치의 스루풋의 상당한 증가를 가능하게 한다. 위치 센서(IF)가 노광 스테이션뿐 아니라 측정 스테이션에 있는 동안 기판 테이블의 위치를 측정할 수 없는 경우, 두 스테이션들에서 기판 테이블의 위치들이 추적될 수 있도록 제 2 위치 센서가 제공될 수 있다. 리소그래피 툴(LA)은 예를 들어 2 개의 기판 테이블들, 및 기판 테이블들이 교환될 수 있는 2 개의 스테이션들 - 노광 스테이션 및 측정 스테이션 - 을 갖는 소위 듀얼 스테이지 타입일 수 있다.
생산 시설 내에서, 리소그래피 툴(100)은 "리소셀(litho cell)" 또는 "리소 클러스터(litho cluster)"라고도 칭해지는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하고, 이는 리소그래피 툴(100)에 의한 패터닝을 위해 기판(W)에 감광성 레지스트 및 다른 코팅들을 적용하는 코팅 장치(108)도 포함한다. 리소그래피 툴(100)의 출력 측에는, 노광된 패턴을 물리적 레지스트 패턴으로 현상하기 위해 베이킹 장치(110) 및 현상 장치(112)가 제공된다. 이 모든 장치들 사이에서, 기판 핸들링 시스템들이 기판들을 지지하고 이들을 장치의 한 구획에서 다른 구획으로 전달하는 역할을 한다. 흔히 집합적으로 트랙이라고도 하는 이러한 장치들은, 리소그래피 장치 제어 유닛(LACU)을 통해 리소그래피 장치를 (부분적으로) 제어할 수 있는 감독 제어 시스템(supervisory control system: SCS)에 의해 자체 제어되는 트랙 제어 유닛의 제어를 받는다. 따라서, 스루풋과 처리 효율성을 최대화하기 위해 상이한 장치가 작동될 수 있다. 감독 제어 시스템(SCS)은 각각의 패터닝된 기판을 생성하도록 수행될 단계들의 정의를 더 상세히 제공하는 레시피 정보(recipe information: R)를 수신한다.
일단 리소셀에서 패턴이 적용되고 현상되면, 패터닝된 기판들(120)이 122, 124, 126으로 예시된 바와 같은 다른 처리 장치들로 이송된다. 넓은 범위의 처리 단계들이 통상적인 제조 시설에서 다양한 장치들에 의해 구현된다. 예시를 위해, 이 실시예에서 장치(122)는 에칭 스테이션이고, 장치(124)는 에칭-후 어닐링 단계를 수행한다. 또 다른 물리적 및/또는 화학적 처리 단계들이 또 다른 장치들(126 등)에서 적용된다. 재료의 증착, 표면 재료 특성의 변경(산화, 도핑, 이온 주입 등), 화학-기계적 연마(CMP) 등과 같은 수많은 타입의 작업이 실제 디바이스를 만드는 데 필요할 수 있다. 장치(126)는, 실제로는 1 이상의 장치에서 수행되는 일련의 상이한 처리 단계들을 나타낼 수 있다. 또 다른 예시로서, 자기-정렬 다중 패터닝(self-aligned multiple patterning)의 구현이 리소그래피 장치에 의해 놓이는 전구체 패턴(precursor pattern)에 기초하여 다수의 더 작은 패턴들을 생성하도록 장치 및 처리 단계들이 제공될 수 있다.
잘 알려진 바와 같이, 반도체 디바이스들의 제조는 적절한 재료들 및 패턴들로 디바이스 구조체들을 구축하기 위해, 기판 상의 층마다 이러한 처리의 많은 반복을 수반한다. 따라서, 리소 클러스터에 도달하는 기판들(130)은 새로 준비된 기판들일 수 있거나, 또는 이 클러스터 또는 또 다른 장치에서 완전히 앞서 처리된 기판들일 수 있다. 이와 유사하게, 필요한 처리에 의존하여, 장치(126)를 떠나는 기판들(132)이 동일한 리소 클러스터에서의 후속한 패터닝 작업을 위해 반환될 수 있거나, 이들은 상이한 클러스터에서의 패터닝 작업들이 예정될 수 있거나, 또는 이들이 완료된 제품들이고 다이싱 및 패키징을 위해 보내질 수 있다.
제품 구조체의 각각의 층은 공정 단계들의 상이한 세트를 필요로 하고, 각각의 층에서 사용된 장치들(126)은 타입이 완전히 상이할 수 있다. 또한, 장치(126)에 의해 적용되어야 하는 처리 단계들이 공칭적으로 동일한 경우에도, 큰 시설에서는 상이한 기판들에서 단계(126)를 수행하도록 병행하여 동작하는 수 개의 아마도 동일한 기계들이 존재할 수 있다. 이 기계들 사이의 결함들 또는 셋업의 작은 차이들은 이들이 상이한 방식으로 상이한 기판들에 영향을 준다는 것을 의미할 수 있다. 에칭(장치 122)과 같은 각각의 층에 비교적 공통적인 단계들도, 공칭적으로 동일하지만 스루풋을 최대화하도록 병행하여 동작하는 수 개의 에칭 장치들에 의해 구현될 수 있다. 또한, 실제로, 상이한 층들이 상이한 에칭 공정들, 예를 들어 화학적 에칭, 에칭될 재료의 세부항목에 따른 플라즈마 에칭, 및 예를 들어 이방성 에칭과 같은 특수한 요건들을 필요로 한다.
앞선 및/또는 후속한 공정들은 언급된 바와 같이 다른 리소그래피 장치들에서 수행될 수 있고, 심지어 상이한 타입들의 리소그래피 장치에서 수행될 수도 있다. 예를 들어, 분해능 및 오버레이와 같은 파라미터들에서 매우 까다로운(demanding) 디바이스 제조 공정에서의 몇몇 층들은 덜 까다로운 다른 층들보다 더 고급인(advanced) 리소그래피 툴에서 수행될 수 있다. 그러므로, 몇몇 층들은 침지형 리소그래피 툴에서 노광될 수 있는 한편, 다른 것들은 '건식(dry)' 툴에서 노광된다. 몇몇 층들은 DUV 파장들에서 동작하는 툴에서 노광될 수 있는 한편, 다른 것들은 EUV 파장 방사선을 이용하여 노광된다.
리소그래피 장치에 의해 노광되는 기판들이 올바르고 일관성있게(consistently) 노광되기 위해서는, 후속한 층들 간의 오버레이 오차, 라인 두께, 임계 치수(CD) 등과 같은 속성을 측정하도록 노광된 기판을 검사하는 것이 바람직하다. 따라서, 리소셀(LC)이 위치되는 제조 시설도 리소셀에서 처리된 기판들(W) 중 일부 또는 전부를 수용하는 메트롤로지 시스템을 포함한다. 메트롤로지 결과들은 직접 또는 간접적으로 감독 제어 시스템(SCS)에 제공된다. 오차가 검출되는 경우, 특히 메트롤로지가 동일한 뱃치(batch)의 다른 기판들이 여전히 노광되도록 충분히 빠르게 행해질 수 있다면, 후속한 기판들의 노광에 대해 조정이 수행될 수 있다. 또한, 이미 노광된 기판들은 수율을 개선하도록 벗겨져서(strip) 재작업(rework)되거나, 버려져서 결점이 있다고 알려진 기판들에 또 다른 처리를 수행하는 것을 회피할 수 있다. 기판의 몇몇 타겟부들에만 결점이 있는 경우, 양호한 타겟부들 상에만 또 다른 노광이 수행될 수 있다.
또한, 도 1에는 제조 공정 시 원하는 스테이지들에서 제품들의 파라미터들의 측정들을 수행하기 위해 제공되는 메트롤로지 시스템(140)이 도시된다. 현대 리소그래피 생산 시설에서의 메트롤로지 시스템의 통상적인 예시는 스케터로미터, 예를 들어 각도-분해 스케터로미터(angle-resolved scatterometer) 또는 분광 스케터로미터(spectroscopic scatterometer)이며, 이는 장치(122)에서의 에칭에 앞서 120의 현상된 기판들의 속성들을 측정하도록 적용될 수 있다. 메트롤로지 시스템(140)을 이용하여, 예를 들어 오버레이 또는 임계 치수(CD)와 같은 중요한 성능 파라미터들이 현상된 레지스트에서 명시된 정확성 요건들을 충족시키지 않는 것으로 결정될 수 있다. 에칭 단계에 앞서, 현상된 레지스트를 벗기고 리소 클러스터를 통해 기판들(120)을 다시 처리할 기회가 존재한다. 메트롤로지 시스템(140)으로부터의 메트롤로지 결과들(142)은 시간에 걸쳐 작은 조정들을 수행하는 감독 제어 시스템(SCS) 및/또는 제어 유닛(LACU; 106)에 의해 리소 클러스터에서 패터닝 작업들의 정확한 성능을 유지하는 데 사용되어, 제품들이 사양을 벗어나고 재-작업을 요구할 위험을 최소화할 수 있다.
점점 더, 메트롤로지 시스템(140)과 같은 장치가 리소그래피 장치(100) 내에 통합되어, 리소그래피 공정 내에서 통합된 메트롤로지를 제공한다. 하지만, 이 통합은 전체 리소그래피 장치의 스루풋 또는 생산성 영향을 유도할 수 있고, 이는 예측하기가 어려울 수 있다. 추가적으로, 통합된 장치 내에서의 기판들의 샘플링이 충분하지 않을 수 있는데, 이는 메트롤로지 시스템이 리소그래피 툴 출력을 따라잡기가 어려울 수 있기 때문이다.
그러므로, 리소그래피 장치 내의 복수의 기판들의 스루풋과 연계된 스루풋 정보를 획득하고 -상기 스루풋 정보는 스루풋 파라미터를 포함함- ; 입력 파라미터로서 스루풋 파라미터를 이용하여 메트롤로지 시스템의 스루풋을 예측하도록 작동가능한 시뮬레이션 모델을 제공하는 것이 제안된다. 시뮬레이션 모델은 획득된 스루풋 정보를 이용하여 캘리브레이션되고, 및/또는 스루풋 파라미터의 적어도 하나의 변화의 스루풋 영향을 결정하는 데 사용될 수 있다.
스루풋 정보라는 용어는 다음에서 메트롤로지 시스템 또는 리소그래피 장치의 스루풋과 연계된 여하한의 정보를 칭하는 데 사용된다는 것을 유의하여야 한다. 예시에 의해, 이는 리소그래피 장치 및/또는 메트롤로지 시스템에 대한 스루풋 수, 및 리소그래피 장치의 샘플링 성능, 즉 성공적으로 샘플링된 기판들의 양을 포함할 수 있고, 이에 제한되지는 않는다.
일 실시예에서, 시뮬레이션 모델은 리소그래피 장치로부터의 이력 데이터(historical data)에 대한 시뮬레이션을 수행할 수 있다. 이력 데이터는 시뮬레이션에 대한 입력으로서 사용되기에 앞서 조건이 붙거나 외삽될 수 있다. 시뮬레이션에 입력되는 데이터는 통계 데이터를 포함할 수 있다. 이는 이력 데이터, 차후 생산 계획, 및/또는 장비 스루풋 로드맵으로부터 도출될 수 있다. 이러한 시뮬레이션들은 오프라인으로 수행될 수 있고, 결과들은 후속한 리소그래피 공정들에서 사용된다.
대안적으로, 일 실시예에서, 시뮬레이션 모델은 기판들의 리소그래피 처리 및 메트롤로지 동안 온라인으로 작동할 수 있다. 이러한 실시예에서, 결과들은 리소그래피 및 메트롤로지 공정들의 실시간 모니터링 및 제어에 사용될 수 있다.
본 명세서에서 설명되는 스루풋 시뮬레이터는 도 1에 나타낸 바와 같은 SCS 또는 LACU에서, 또는 여하한의 다른 적절한 제어기/제어 모듈(예를 들어, 리소 클러스터 장비 제어기 또는 리소셀 제어기)에서 구현될 수 있다. 대안적으로, 이는 제조자의 제조 실행 시스템(MES)에서 구현될 수 있다. 또 다른 대안적인 실시예에서, 스루풋 시뮬레이터는 메트롤로지 시스템의 제어기에서 구현될 수 있다.
도 2는 통합된 메트롤로지 시스템(205)을 갖는 리소그래피 장치(200)(본질적으로, 완전히 통합된 리소 클러스터)를 더 상세히 예시하며, 이러한 리소그래피 장치(200)를 통해 기판이 거칠 수 있는 공정들을 더 예시한다. 기판들은 FOUP(Front Opening Unified Pod: 210)로 알려진 박스들을 통해 리소그래피 장치(200)로 도입된다. 이들은 환경으로부터의 오염으로부터 기판들을 보호하는 밀폐된 박스들이다. 리소그래피 공정의 처음에, 각각의 FOUP(210)이 다수의 미처리 기판들을 포함한다. 공정의 끝 무렵에, FOUP(210)에 의해 도입된 기판들이 모두 처리된(또한, 몇몇 경우에는 측정된) 경우, 처리된 기판들은 FOUP(210)로 반환된다. 그 후, 처리된 기판들을 포함한 FOUP들은 또 다른 처리(예를 들어, 절단 및 패키징)를 위해 이송된다. 통상적으로, 각각의 FOUP는 25 개의 기판들을 포함할 수 있지만, 이 수는 변할 수 있다. 기판들은 대개 로트(lot)들에서 처리되며, 각각의 로트는 1 이상의 기판을 포함한다. 기판 로트가 단일 FOUP의 컨텐츠일 수도 있다.
먼저, 새로운 FOUP(210)가 인터페이스 블록(215)에 도입되고, 미처리 기판들이 언로딩(unload)된다. 이 기판들 각각은 코팅 단계(220)를 거치며, 이때 이들은 포토레지스트로 코팅된다. 그 후, 코팅된 기판들은 리소그래피 툴(225)로 전달된다. 이 예시에서, 리소그래피 툴은 초기 정렬 및 다른 위치 측정들을 수행하는 메트롤로지 측(230) 및 실제 리소그래피 패터닝이 수행되는 리소그래피 측(235)을 갖는다. 이 다음, 기판들은 베이크 단계(240) 및 현상 단계(245)를 거친다. 그 후, 기판은 인터페이스 블록(215) 및 FOUP(210)로 반환될 수 있다. 하지만, 몇몇 기판들은 현상 단계(245) 후 메트롤로지 시스템(205)에 의해 측정될 수 있다. 메트롤로지 시스템은 메트롤로지 버퍼(250) 및 메트롤로지 툴(255)을 포함할 수 있다. 처리된 기판들은 메트롤로지 툴(255)이 이들을 측정할 수 있을 때까지 메트롤로지 버퍼(250)에서 대기(queue)할 수 있다. 일단 측정되면, 기판들은 인터페이스 블록(215) 및 FOUP(210)로 반환된다. (설명되는 바와 같은) 소정 상황들에서, 기판들은 측정되지 않고 메트롤로지 버퍼(250)로부터 직접 인터페이스 블록(215)으로 반환될 수 있다. 메트롤로지 버퍼(250)에 추가하여, FOUP(210)로 반환되기 전에 기판들이 그 반환 경로에서 대기할 수 있는 반환 경로 버퍼 또는 FOUP 버퍼(도시되지 않음)가 존재할 수도 있다.
측정되는 기판들의 수는 전체적으로 리소그래피 장치(200)의 스루풋에 영향을 줄 것이다. FOUP(210)들은 처리된 기판들이 모두 반환된 경우에만 폐쇄 및 언로딩될 수 있다. 하지만, 리소그래피 공정들의 정확성은 측정되는 기판들의 수 및 기판 당 측정들의 수에 관하여 측정들의 수가 증가함에 따라 개선될 수 있다. 이상적으로는, 기판 당 조밀한 샘플링(dense sampling)으로 모든 기판들이 측정되는 것이 바람직할 수 있다. 하지만, 이는 비현실적이다. 이러한 방식에 대해 스루풋이 허용가능하지 않게 낮을 뿐 아니라, 메트롤로지 버퍼(250)는 (비현실적으로 크게 만들어지지 않는 한) 측정에 앞서 기판들을 대기시킬 수 없을 것이다. 메트롤로지 버퍼(250)는 유한한 수의 슬롯들만을 가질 수 있고, 이는 모든 슬롯들이 채워진 경우에 여하한의 추가 기판들을 수용할 수 없다. 유사한 한계들이 FOUP 버퍼에도 적용된다.
결과적으로, 스루풋 파라미터들(전체적으로 리소그래피 장치의 스루풋에 영향을 줄 가변 파라미터들)에 관한 결정을 내리기가 어려울 수 있다. 이러한 스루풋 파라미터들은 다음: 즉, 측정되는 기판 로트 당 기판들의 수; 로트마다 어느 기판들이 측정되는지; 기판 당 측정의 수 및/또는 타입; 로트 크기 중 1 이상을 포함할 수 있고, 이에 제한되지는 않는다. 로트마다 및 기판마다를 기준으로 변동이 가능한 대안적인 측정 방식들을 제공하기 위해 이 스루풋 파라미터들을 변동시킴에 있어서 큰 유연성이 존재할 수 있다. 예를 들어, 로트 내에서, 측정 예정된 기판들의 서브세트가 측정 예정된 다른 기판들보다 더 조밀하게 샘플링될 수도 있다. 대안적으로, 또는 추가적으로, 측정된 기판들의 동일한 서브세트 또는 또 다른 서브세트는 로트 내의 다른 측정된 기판들 또는 다른 로트들과 비교하여 상이한 측정들이 수행되게 할 수 있다; 예를 들어, 측정된 기판들의 서브세트에만 포커스 측정들이 수행될 수 있다. 상이한 로트들은 상이하게 측정될 수 있다. 몇몇 로트들은 높은 우선순위로 지정될 수 있고, (가능하게는 증가된 수의 측정들 또는 측정된 기판들로) 항상 측정될 것이다. 다른 로트들은 이들에 대해 수행되는 측정들이 전혀 없을 수 있다.
도 3은 스루풋 시뮬레이터(300)의 개념적 개요를 예시하며, 입력 및 출력의 가능한 목록을 나타낸다. 입력들은 생산적 시간(310), 로트 크기(320), 로트 스루풋(330), 및 측정 샘플 및 시간(340)의 표시를 포함할 수 있다. 이 입력들 각각은 이력 데이터, 통계 데이터, 또는 실시간 데이터로부터 얻어지는 평균 또는 대표 값들의 형태로 제공될 수 있다. 이 입력 데이터는 랜덤 또는 실제 생산 시퀀스들로부터 얻어질 수 있으며, 특정 실시예에서 확률 분포들의 형태를 취할 수 있다. 다른 입력들로는 자동화 규칙들(350) 및 장비 지식(360)을 포함한다. 장비 지식의 예시들은 다음: 즉, (측정 방식마다) 시간 당 기판 스루풋 수, 기판 핸들링 속도, 버퍼 크기(메트롤로지 버퍼 및 반환 경로 버퍼), 메트롤로지 오버헤드 중 1 이상을 포함할 수 있으며, 이에 제한되지는 않는다. 자동화 규칙들(350)은 시뮬레이터의 작동을 좌우하는 여하한의 적절한 규칙들을 포함할 수 있다. 이 규칙들은 구성가능할 수 있다. 규칙들은 (예를 들어, 기판마다 및/또는 로트마다를 기준으로 변동되는) 상이한 측정 방식들, 또는 어느 로트들이 측정되어야 하는지를 포함할 수 있다. 예를 들어, 임계 수 미만의 기판들을 포함한 로트들이 측정되지 않아야 하는 것으로 결정될 수 있다. 다른 로트들이 우선순위 로트들로 지정될 수 있고, 이 측정은 스킵(skip)될 수 없다. 또한, 우선순위 로트들은 더 많은 기판들이 측정되고, 및/또는 기판 당 더 많은 측정들을 갖는, 이에 기인하는 특정한 측정 방식들을 가질 수 있다. 또한, 상이한 "스킵 모드들"이 지정될 수 있고, 예를 들어 스킵 모드들은 "스킵 로트" 또는 "스킵 기판"을 포함할 수 있다. 스킵 모드들은 아래에서 더 상세히 설명될 것이다. 자동화 규칙들이 많은 상이한 형태들을 취할 수 있고, 여기에서는 몇몇 제한된 예시들만이 설명되었음을 이해할 것이다.
시뮬레이터 출력(370)은 (일 실시예에서) 핵심 성능 지표(key performance indicator)의 형태를 취할 수 있다. 핵심 성능 지표는 특정 측정 방식의 허용가능성의 표시를 제공할 수 있다. 핵심 성능 지표의 예시들은, 예를 들어 리소그래피 장치의 활용도, 측정 방식의 잠재적인 스루풋 영향, 측정 방식의 샘플링 성능에 대한 예측, 또는 측정 방식의 또 다른 평가를 포함할 수 있다. 이러한 평가는, 예를 들어: 로트 당 측정되는 기판들의 수; 측정되는 로트들의 수; (부분적으로 또는 전체적으로) 스킵되는 로트들의 수, (예를 들어, 총 시간의 백분율로서) 활용되는 측정 시간, 기판 당 측정되는 지점들의 수; 기판 당/로트 당 수행되는 측정들의 타입(예를 들어, 오버레이, 임계 치수, 포커스), 샘플링이 고정되는지의 여부 또는 유연한 흐름/가변 샘플링이 존재하는지의 여부 중 1 이상에 관하여 이루어질 수 있다. 또 다른 실시예에서, 리소그래피 장치는 이 출력에 기초하여 실시간으로 제어될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 1 이상의 최적화된 측정 방식이 소정 제약들(예를 들어, 측정되는 기판들의 최소 수, 기판 당 측정들의 최소 수, 요구되는 측정들의 특정 타입들)에 기초하여 출력될 수 있다. 출력은 표로 만들어져, 또는 (예를 들어, 애니메이션으로서) 시각적으로 제공되어, 문제 영역들의 더 우수한 가시화 및 식별을 가능하게 할 수 있다. 시뮬레이터(300)는 산업 자동화 적용들에서 사용되는 여하한의 개념에 기초할 수 있다; 이는 "이산 사건 시뮬레이터" 또는 입력 파라미터들의 지속적인 모니터링이 발생하는 "실시간" 시뮬레이터일 수 있다. 통상적으로, 기계 가용성 및 스루풋을 예측하기 위해서는 "이산 사건" 기반 방법들이 바람직하다; 또한, 이는 이들이 연산적으로(computationally) 더 효율적이기 때문이다. 이산 사건 시뮬레이션 방법론에 대한 훌륭한 소개가, 예를 들어 "Discrete-Event Simulation"(G.S.Fisherman, 2001, ISBN 978-1-4419-2892-4에서 주어진다.
도 4는 예시적인 실시예에 따라 메트롤로지 시스템의 성능을 예측하는 방법을 예시하는 흐름도이다. 단계들은 다음과 같고, 이후 더 상세히 설명된다:
410 - 기판 입력 흐름을 발생시킴.
420 - 측정을 위한 기판들을 선택함.
430 - 측정 시간을 시뮬레이션함.
440 - 메트롤로지 버퍼 사용을 시뮬레이션함.
450 - 기판 스루풋 및/또는 그에 대한 제한들을 시뮬레이션함.
단계 410에서, 기판 입력 흐름이 발생된다. 이 흐름은 (리소그래피 툴 내에서의 패터닝과 같은 단계들 및 이미 설명된 바와 같은 다른 기판 처리 단계들을 포함한) 처리 시간에 관한 파라미터들에 의존할 것이다. 이러한 파라미터들은 (예를 들어) 패터닝되고 있는 제품 및 그 복잡성, 사용되는 패터닝 기술들, 로트 당 기판들의 수를 포함하고, 및/또는 이에 의존할 수 있다.
단계 420에서, 측정 툴로의 측정을 위해 기판들이 선택된다. 상이한 로트들이 측정되는 상이한 수의 기판들을 가질 수 있다. 몇몇 로트들은 측정되는 기판들을 갖지 않을 수 있다. 시뮬레이션은 측정되는 기판들의 수가 각각 다른 상이한 측정 방식들로 수행되어, 다수의 상이한 후보 측정 방식들이 평가될 수 있도록 한다.
단계 430에서, 기판의 측정 시간이 시뮬레이션된다. 이는 기판 당 수행되는 측정들의 수 및 수행되는 측정들의 타입(예를 들어, 오버레이, 임계 치수, 포커스/도즈)에 의존할 것이다. 상이한 기판들이 상이한 측정들, 또는 수행되는 측정들의 상이한 수를 가질 수 있다. 이는 기판마다, 로트마다, 또는 기판마다 및 로트마다의 조합에 기초한 접근법에 의존할 수 있다. 시뮬레이션은 기판 당 측정되는 측정들의 수 및/또는 타입이 각각 다른 상이한 측정 방식들로 수행되어, 다수의 상이한 후보 측정 방식들이 평가될 수 있도록 한다.
단계 440에서, 메트롤로지 버퍼 및/또는 FOUP 버퍼 사용이 시뮬레이션된다. 아래의 예시는 메트롤로지 버퍼에 관하여 설명되지만, 그 교시들은 FOUP 버퍼의 시뮬레이션에 균등하게 적용가능하다는 것이 분명하여야 한다. 기판의 측정은 상당한 시간 주기가 걸릴 수 있고, 기판의 처리보다 상당히 더 길다(이것이 모든 기판들을 측정하는 것이 항상 실현가능하지 않은 이유이다). 단 하나의 메트롤로지 시스템이 이용가능하고, 한 번에 단 하나의 기판이 측정될 수 있다. 이러한 것으로서, 측정을 위해 선택된 기판들은 그 앞선 기판이 측정 중인 동안에 메트롤로지 버퍼에서 대기하는 시간을 보내야 할 수 있다. 메트롤로지 버퍼는 유한한 수의 버퍼 슬롯들만을 가질 것이므로, 어느 한 순간에 측정을 위해 유한한 수의 기판들만이 대기할 수 있다. 구성에 따라 여하한 수의 슬롯들이 존재할 수 있다; 하지만, 이 버퍼는 그 점유가 특정 샘플링 방식의 실현가능 여부, 또는 (스킵되는 로트들을 포함하여) 스킵되는 1 이상의 기판을 유도할지에 영향을 줄 수 있기 때문에 시뮬레이션되어야 한다. 스킵되는 기판은 (측정 방식에 따라) 원래 측정 예정된 기판일 수 있지만, 이에 대해 기판이 처리된 후 대기할 여유 슬롯이 없었다. 그 때, 이러한 기판은 측정 없이 FOUP로 전달될 것이다. 또한, 기판들은 메트롤로지 버퍼에 여유 슬롯이 존재하더라도 스킵될 수 있다. 이는 기판의 스킵이 더 적은 기판들이 전부 스킵되는 것을 방지할 것으로 결정되는 경우에, 및/또는 기판의 스킵이 더 적은 로트들이 스킵되는 여하한의 기판들을 갖는 것을 방지할 것으로 결정되는 경우에 일어날 수 있다. 이는 아래에서 더 상세히 설명될 것이다.
단계 450에서, 시뮬레이션되는 측정 방식에 대해 기판 스루풋이 계산될 수 있다. 다른 핵심 성능 지표들 또는 출력이 앞서 설명된 바와 같이 계산될 수 있다.
도 5는 일 실시예에 따른 도 4의 시뮬레이션 단계들을 그래픽으로 예시한다. BS1 내지 BS7 열들은 버퍼 슬롯들을 나타낸다. 슬롯이 점유됨을 예시하기 위해 음영(shading)이 사용된다. 이 열들은 본질적으로 시뮬레이션 단계(440)를 예시한다. 이 예시는 7 개의 메트롤로지 버퍼 슬롯들을 나타내지만, 이는 실제 장치에 의존할 것이며 단지 예시의 방식으로만 나타내어진다.
D 열은 현상 후 처리된 기판들을 나타내고(도 2 참조), E 열은 로트들에 관하여 동일한 것을 나타낸다. 여기에서 나타낸 특정 예시에서는, 6 개의 로트들(번호가 매겨진 대로 로트 1 내지 로트 6)이 도시되며, 예를 들어 로트 2는 25 개의 기판들을 포함한다. 이 열들은 본질적으로 시뮬레이션 단계(410)를 예시한다. C 열은 측정을 위해 선택된 기판들을 예시한다. 이 열은 본질적으로 시뮬레이션 단계(420)를 예시한다. A 열은 메트롤로지 툴의 점유를 예시한다. 여기에서는 단 하나의 메트롤로지 툴이 존재하므로, 한 순간에 단 하나의 기판이 측정될 수 있다. 각각의 블록 내의 숫자는 이 로트로부터 측정되고 있는 기판이 속한다는 것을 나타낸다. 이 열은 본질적으로 시뮬레이션 단계(430)를 예시한다. B 열은 메트롤로지 버퍼에 이용가능한 여유 슬롯들이 존재하지 않음으로 인해 스킵되는 측정 예정된 기판들을 나타낸다. F 열은 리소그래피 장치의 유휴 시간을 예시한다.
도 5에 강조된 특정 예시에서 알 수 있는 바와 같이, 5 개의 기판들이 스킵을 필요로 하였다. 이들은 로트 2로부터의 1 개의 기판, 로트 3으로부터의 2 개의 기판, 및 로트 4로부터의 2 개의 기판을 포함한다. 일 실시예에서, 이용가능한 메트롤로지 버퍼 슬롯이 존재하지 않음으로 인해 로트의 적어도 하나의 기판이 스킵되어야 하는 경우, 그 로트가 전체적으로 스킵되는 것이 바람직할 수 있다. 이는 더 적은 로트가 스킵된 기판들을 갖게 할 수 있다. 때로는, 예정에 대해 부분적으로만 측정된 다수의 로트들을 갖기보다는, 하나의 로트가 전체적으로 스킵되는 대가로, 예정된 바와 같이 완전히 측정된 로트들의 수를 최대화하는 것이 바람직하다. 스킵 로트 규칙은 측정되도록 예정되는 기판이 메트롤로지 버퍼 내에 수용될 수 없는 경우에 다음 단계들을 수행하는 것을 포함할 수 있다:
· 수용될 수 없는 기판을 스킵함(FOUP로 이동시킴).
· 메트롤로지 버퍼로부터 스킵된 기판과 동일한 로트에 속하는 모든 대기 기판들을 제거함(FOUP로 이동시킴). 이 로트로부터의 기판이 이 시점에 실제로 측정되고 있는 경우에는, 측정의 완료가 허용될 수 있다. 대안적으로, 측정은 중단되고 기판은 FOUP로 이동될 수 있다.
· 이 로트로부터의 모든 후속한 기판들을 스킵함.
이 방법에 따라, 메트롤로지 버퍼 대기열로부터 제거되는 기판들에 의해 다수의 슬롯들이 해제될 수 있다. 해제된 이 슬롯들로, (적어도 다음 몇몇) 후속한 로트들이 메트롤로지 방식에 따라 측정될 수 있다. 일 실시예에서, 기판이 메트롤로지 버퍼에 수용될 수 없는 경우에 전체 로트들 또는 개별적인 기판들이 스킵되어야 하는지 여부는 구성가능한 규칙일 수 있다; 예를 들어, 스킵 모드가 스킵 로트들 또는 스킵 기판들로 설정될 수 있다. 어느 한 경우, 몇몇 슬롯들은 기판들을 수용할 메트롤로지 버퍼로부터 또 다른 로트의 1 이상의 대기 기판의 배출을 유도하더라도, 기판들이 스킵되지 않아야 하는 우선순위 로트들로 지정될 수 있다.
다시 도 5의 예시를 참조하면, 제 1 스킵이 필요한 경우(로트 3), 이 로트로부터의 3 개의 대기 기판들이 메트롤로지 버퍼로부터 제거되고, 측정되도록 예정되는 다음 2 개의 기판들이 스킵된다. 이는 로트 3의 단일 기판만이 스킵되는 상황에 비해, 로트 4가 이용가능해질 때 자유로운 5 개의 추가적인 슬롯들이 존재하게 한다. 결과로서, 더 이상 로트 4 또는 로트 5에서 기판들이 스킵될 필요가 없고, 3 개의 로트보다는 단 하나의 로트의 측정이 측정 방식으로부터 벗어나야 했다.
스루풋 시뮬레이터는 여하한의 제안되는 통합된 메트롤로지 측정 방식의 점검 및 평가에 사용될 수 있다. 이러한 평가는 많은 인자를 고려할 수 있다. 예를 들어, 최적 측정 방식들이 다음 핵심 성능 지표들: 메트롤로지 시스템 및/또는 리소그래피 장치의 최고 스루풋, 이용가능한 리소그래피 장치 시간이 주어진 메트롤로지 시스템의 최대 이용, 가장 적게 스킵되는 기판들, 스킵된 기판들을 갖는 최소 로트 중 1 이상에 기초하여 식별될 수 있다. 또한, 스루풋 시뮬레이터는 측정 방식들의 우선순위를 매기는 데 사용될 수 있다. 이러한 우선순위는 가장 중대한(critical) 측정들이 항상 수행될 것을 보장할 수 있는 한편, 덜 중대한 측정들은 시간이 이용가능한 경우에만 수행될 수 있다. 메트롤로지 버퍼 대기의 시뮬레이션은 중대한 측정들이 항상 수행될 것을 보장하기 위해 대기를 최적화하도록 이루어질 수 있다. 또한, 측정 방식들은 우선순위 로트들이 측정되어야 하기 전에 이용가능한 충분한 메트롤로지 버퍼 슬롯들이 항상 존재할 것을 보장하도록 평가될 수 있다. 또한, 스루풋 시뮬레이터는 유휴 시간(도 5의 F 열)을 예측하는 데 사용될 수 있고, 이 동안 예를 들어 유지보수 동작들이 예정될 수 있다. 일 실시예에서, 최적 설비 계획이 예측될 수 있다. 이러한 계획은, 예를 들어 독립형 메트롤로지 시스템들의 수에 대한 통합된 메트롤로지/리소그래피 장치들의 최적 수를 예측하여, 비용에 대한 측정 용량을 최대화할 수 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다.
리소그래피 장치에 관하여 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔뿐만 아니라, (예를 들어, 365, 355, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV) 방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV) 방사선을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
본 발명은 다음 항목들을 이용하여 더 설명될 수 있다:
1. 메트롤로지 시스템을 포함한 리소그래피 장치에서 메트롤로지 시스템의 스루풋을 예측하는 방법으로, 상기 방법은:
리소그래피 장치 내의 복수의 기판들의 스루풋과 연계된 스루풋 정보를 획득하는 단계 -상기 스루풋 정보는 스루풋 파라미터를 포함함- ; 및
입력 파라미터로서 스루풋 파라미터를 갖는 스루풋 시뮬레이터를 이용하여 메트롤로지 시스템의 스루풋을 예측하는 단계를 포함한다.
2. 1 항의 방법에서, 스루풋 파라미터는: 측정되는 로트 당 기판들의 수, 로트 당 측정될 필요가 있는 기판들의 선택, 기판 당 또는 로트 당 측정들의 수, 기판 당 또는 로트 당 측정의 타입, 및 로트 크기를 포함한 리스트로부터 선택되는 파라미터를 포함한다.
3. 1 항 또는 2 항의 방법에서, 스루풋 시뮬레이터는 스루풋 파라미터의 변화에 의해 야기되는 스루풋 영향을 결정하도록 구성된다.
4. 1 항 내지 3 항 중 어느 하나의 방법에서, 상기 방법은 스루풋 정보를 이용하여 스루풋 시뮬레이터를 캘리브레이션하는 단계를 더 포함한다.
5. 1 항 내지 4 항 중 어느 하나의 방법에서, 스루풋 시뮬레이터는 스루풋 정보를 고려하여 메트롤로지 시스템의 측정 시간을 예측하도록 구성된다.
6. 1 항 내지 5 항 중 어느 하나의 방법에서, 스루풋 정보는 어느 측정들이 수행되어야 하는지, 및/또는 상기 복수의 기판들 중 어느 기판들이 측정되어야 하는지를 결정하는 적어도 하나의 측정 방식을 포함한다.
7. 6 항의 방법에서, 어느 측정들이 수행되어야 하는지의 결정은 수행되어야 하는 측정들의 수 및/또는 수행되어야 하는 측정들의 타입의 표시를 포함한다.
8. 6 항 또는 7 항의 방법에서, 상기 측정 방식은 측정되는 기판에 의존하여 수행되어야 하는 상이한 측정들을 결정한다.
9. 6 항 내지 8 항 중 어느 하나의 방법에서, 리소그래피 시스템은 메트롤로지 버퍼를 포함하고, 메트롤로지 버퍼는 다수의 기판 버퍼 슬롯들을 가지며, 메트롤로지 시스템의 스루풋을 예측하는 단계는 메트롤로지 버퍼의 성능을 시뮬레이션하는 단계를 포함한다.
10. 9 항의 방법에서, 메트롤로지 시스템 버퍼의 성능을 시뮬레이션하는 단계는 기판 버퍼 슬롯들의 점유 상태를 시뮬레이션하는 단계를 포함하고, 점유 상태는 기판 버퍼 슬롯이 기판에 의해 점유되는지 점유되지 않는지를 설명한다.
11. 9 항 또는 10 항의 방법에서, 상기 방법은 메트롤로지 버퍼 이용을 최적화하기 위한 측정 방식의 최적화를 포함한다.
12. 11 항의 방법에서, 메트롤로지 버퍼 이용의 최적화는 기판 버퍼 슬롯들의 점유로 인해 측정될 수 없는 스킵된 기판들의 수를 최소화하기 위해 구성되고, 스킵된 기판들은 원래 측정 예정된 기판들이다.
13. 11 항의 방법에서, 복수의 기판들은 리소그래피 장치에 의해 처리될 복수의 기판 로트들로 나누어지고, 각각의 기판 로트는 상기 복수의 기판들의 서브세트를 포함하며; 메트롤로지 버퍼 이용의 최적화는 기판 버퍼 슬롯들의 점유로 인해 측정될 수 없는 스킵된 기판 로트들의 수를 최소화하고, 스킵된 기판 로트들은 원래 측정 예정된 기판 로트들이다.
14. 13 항의 방법에서, 상기 메트롤로지 버퍼 이용의 최적화는 기판 버퍼 슬롯의 비가용성으로 인해 특정한 로트의 하나의 기판이 스킵되어야 하는 경우에 상기 특정한 로트의 다른 기판들을 모두 스킵하도록 상기 스루풋 시뮬레이터를 구성하는 단계를 포함한다.
15. 11 항 내지 14 항 중 어느 하나의 방법에서, 상기 메트롤로지 버퍼 이용의 최적화는 높은 우선순위 기판들로 지정되는 기판들을 항상 측정하기 위해 구성된다.
16. 1 항 내지 15 항 중 어느 하나의 방법에서, 메트롤로지 시스템의 스루풋을 예측하는 단계는 메트롤로지 시스템의 존재로 인한 리소그래피 장치의 스루풋에 대한 영향을 예측하는 단계를 포함한다.
17. 1 항 내지 16 항 중 어느 하나의 방법에서, 스루풋 시뮬레이터는 핵심 성능 지표를 계산하도록 구성된다.
18. 17 항의 방법에서, 핵심 성능 지표는: 메트롤로지 시스템의 최적 스루풋, 리소그래피 장치의 최적 스루풋, 이용가능한 리소그래피 장치 시간이 주어진 메트롤로지 시스템의 최고 이용, 가장 적게 스킵되는 기판들, 및 가장 적게 스킵되는 로트들을 포함한 리스트로부터 선택되는 파라미터들 중 1 이상을 포함한다.
19. 6 항 내지 12 항 중 어느 하나의 방법에서, 상기 방법은 상기 측정 방식에 대한 평가를 수행하는 단계를 포함한다.
20. 19 항의 방법에서, 상기 평가는 다음 스루풋 파라미터들:
측정되는 복수의 기판들의 수 또는 비율;
측정이 예정되지만 측정될 수 없는 기판들의 수 또는 비율;
측정이 예정되지만 측정될 수 없는 기판 로트들의 수 또는 비율;
주어진 기판에 대해 수행된 또는 수행될 측정들의 수;
주어진 기판에 대해 수행된 또는 수행될 측정들의 타입;
메트롤로지 시스템의 스루풋;
리소그래피 장치의 스루풋;
메트롤로지 시스템의 이용 시간;
더 높은 우선순위로 지정된 기판들의 측정 여부;
기판에 대한 측정들을 수행한 결과로서 기판 지연 시간 중 1 이상을 평가하는 단계를 포함한다.
21. 19 항 또는 20 항의 방법에서, 상기 평가는 측정 방식이 적어도 하나의 기준을 충족시킬 것을 보장하는 단계를 포함한다.
22. 21 항의 방법에서, 상기 적어도 하나의 기준은 상기 스루풋 파라미터들 중 적어도 하나가 임계치를 충족시키는지를 결정하는 것을 포함한다.
23. 6 항 내지 22 항 중 어느 하나의 방법에서, 상이한 측정 방식들에 대해 상기 방법을 수행하는 단계, 및 상기 상이한 측정 방식들을 서로에 대해 평가하여 최적 측정 방식을 식별하는 단계를 포함한다.
24. 6 항 내지 22 항 중 어느 하나의 방법에서, 1 이상의 설정된 제약이 주어지는 상기 측정 방식을 최적화하는 단계를 포함한다.
25. 24 항의 방법에서, 상기 설정된 제약은 다음:
측정되는 복수의 기판들의 수 또는 비율이 임계치 이상이도록 유지하는 것;
측정될 수 없는 측정 예정된 기판들의 수 또는 비율이 임계치 이하이도록 유지하는 것;
측정 예정된 기판이 측정될 수 없는 기판 로트들의 수 또는 비율이 임계치 이하이도록 유지하는 것;
주어진 기판에 대한 측정들의 수가 임계치 이상이도록 유지하는 것;
소정 타입의 측정들이 주어진 기판에 대해 수행되도록 보장하는 것;
메트롤로지 시스템의 스루풋을 임계치 이상으로 유지하는 것;
리소그래피 장치의 스루풋을 임계치 이상으로 유지하는 것;
메트롤로지 시스템의 이용 시간을 임계치 이상으로 유지하는 것;
더 높은 우선순위로 사전-지정된 기판들이 항상 측정되도록 보장하는 것;
측정들의 결과로서 기판 지연 시간이 임계치 이하이도록 유지하는 것 중 1 이상을 포함한다.
26. 1 항 내지 25 항 중 어느 하나의 방법에서, 상기 메트롤로지 시스템이 쉬는 시간 간격을 결정하는 단계를 더 포함한다.
27. 1 항 내지 26 항 중 어느 하나의 방법에서, 스루풋 정보는 리소그래피 장치에 의해 앞서 처리된 적어도 하나의 복수의 기판들로부터 도출되는 이력 스루풋 정보를 포함한다.
28. 1 항 내지 26 항 중 어느 하나의 방법에서, 스루풋 정보는 통계 스루풋 정보를 포함한다.
29. 28 항의 방법에서, 상기 통계 스루풋 정보는 리소그래피 장치에 의해 앞서 처리된 적어도 하나의 복수의 기판들로부터 도출된다.
30. 28 항의 방법에서, 상기 통계 스루풋 정보는 차후 생산 계획들로부터 도출된다.
31. 1 항 내지 26 항 중 어느 하나의 방법에서, 스루풋 정보는 리소그래피 장치에 의해 처리되고 있는 복수의 기판들에 관한 정보를 포함하고, 정보는 상기 복수의 기판들의 처리 동안 수신된다.
32. 1 항 내지 31 항 중 어느 하나의 방법에서, 후속한 기판들에 대한 상기 리소그래피 장치의 제어 시 상기 예측 단계의 결과를 이용하는 단계를 포함한다.
33. 메트롤로지 시스템을 포함한 리소그래피 장치로, 상기 리소그래피 장치는 1 항 내지 32 항 중 어느 하나의 방법을 수행하도록 작동가능하다.
34. 33 항의 리소그래피 장치에서, 1 항 내지 32 항 중 어느 하나의 방법을 수행하도록 구성되는 제어기를 포함한다.
35. 적절한 프로세서에서 실행되는 경우, 프로세서가 1 항 내지 32 항 중 어느 하나의 방법을 수행하게 하는 기계 판독가능한 명령어들을 포함한 컴퓨터 프로그램 제품.
36. 리소그래피 장치 내에 통합되는 메트롤로지 시스템으로, 상기 메트롤로지 시스템은 기판들에 대한 측정들을 수행하도록 작동가능하고, 상기 메트롤로지 시스템은 1 항 내지 32 항 중 어느 하나의 방법을 수행하도록 구성되는 제어기를 포함한다.
특정 실시예들의 앞선 설명은, 당업계의 지식을 적용함으로써, 다양한 적용들에 대해 본 발명의 일반적인 개념을 벗어나지 않고 지나친 실험 없이 이러한 특정 실시예들을 쉽게 변형하고, 및/또는 응용할 수 있도록 본 발명의 일반적인 성질을 전부 드러낼 것이다. 그러므로, 이러한 응용예 및 변형예들은 본 명세서에 나타낸 교시 및 안내에 기초하여, 개시된 실시예들의 균등물의 의미 및 범위 내에 있도록 의도된다. 본 명세서에서, 어구 또는 전문 용어는 예시에 의한 설명을 위한 것이며 제한하려는 것이 아니므로, 당업자라면 본 명세서의 전문 용어 또는 어구가 교시 및 안내를 고려하여 해석되어야 한다는 것을 이해하여야 한다.
본 발명의 범위와 폭은 상술된 예시적인 실시예들 중 어느 것에 의해서도 제한되지 않아야 하며, 다음의 청구항 및 그 균등물에 따라서만 정의되어야 한다.

Claims (15)

  1. 메트롤로지 시스템을 포함한 리소그래피 장치에서 상기 메트롤로지 시스템의 스루풋(throughput)을 예측하는 방법에 있어서,
    상기 리소그래피 장치 내의 복수의 기판들의 스루풋과 연계된 스루풋 정보를 획득하는 단계 -상기 스루풋 정보는 스루풋 파라미터를 포함하고, 상기 스루풋 파라미터는 상기 메트롤로지 시스템 내 측정 처리를 제외한 처리에 관련하거나 측정 처리에 추가되는 처리에 관련한 파라미터를 포함함- ; 및
    입력 파라미터로서 상기 스루풋 파라미터를 갖는 스루풋 시뮬레이터를 이용하여 상기 메트롤로지 시스템의 스루풋을 예측하는 단계
    를 포함하고,
    상기 메트롤로지 시스템 내 측정 처리를 제외한 처리에 관련하거나 측정 처리에 추가되는 처리에 관련한 파라미터를 포함하는 스루풋 파라미터는: 측정되는 로트(lot) 당 기판들의 수, 로트 당 측정될 필요가 있는 기판들의 선택, 기판 당 또는 로트 당 측정들의 수, 기판 당 또는 로트 당 측정의 타입, 및 로트 크기를 포함한 리스트로부터 선택되는 파라미터를 포함하는 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 스루풋 시뮬레이터는 상기 스루풋 파라미터의 변화에 의해 야기되는 스루풋 영향을 결정하도록 구성되는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 스루풋 정보를 이용하여 상기 스루풋 시뮬레이터를 캘리브레이션하는 단계를 더 포함하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 스루풋 시뮬레이터는 상기 스루풋 정보를 고려하여 상기 메트롤로지 시스템의 측정 시간을 예측하도록 구성되는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 스루풋 정보는 어느 측정들이 수행되어야 하는지, 및/또는 상기 복수의 기판들 중 어느 기판들이 측정되어야 하는지를 결정하는 적어도 하나의 측정 방식을 포함하는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    어느 측정들이 수행되어야 하는지의 결정은 수행되어야 하는 측정들의 수 및/또는 수행되어야 하는 측정들의 타입의 표시를 포함하는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 리소그래피 장치는 메트롤로지 버퍼를 포함하고, 상기 메트롤로지 버퍼는 다수의 기판 버퍼 슬롯들을 가지며, 상기 메트롤로지 시스템의 스루풋을 예측하는 단계는 상기 메트롤로지 버퍼의 성능을 시뮬레이션하는 단계를 포함하고,
    상기 메트롤로지 버퍼의 성능을 시뮬레이션하는 단계는 상기 기판 버퍼 슬롯들의 점유 상태를 시뮬레이션하는 단계를 포함하고, 상기 점유 상태는 기판 버퍼 슬롯이 기판에 의해 점유되는지 점유되지 않는지를 설명하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 방법은 메트롤로지 버퍼 이용을 최적화하기 위한 측정 방식의 최적화를 포함하는 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    메트롤로지 버퍼 이용의 최적화는 상기 기판 버퍼 슬롯들의 점유로 인해 측정될 수 없는 스킵(skip)된 기판들의 수를 최소화하기 위해 구성되고, 상기 스킵된 기판들은 원래 측정 예정된 기판들인 방법.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 복수의 기판들은 상기 리소그래피 장치에 의해 처리될 복수의 기판 로트들로 나누어지고, 각각의 기판 로트는 상기 복수의 기판들의 서브세트를 포함하며;
    상기 메트롤로지 버퍼 이용의 최적화는 상기 기판 버퍼 슬롯들의 점유로 인해 측정될 수 없는 스킵된 기판 로트들의 수를 최소화하고, 상기 스킵된 기판 로트들은 원래 측정 예정된 기판 로트들인 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 메트롤로지 버퍼 이용의 최적화는 기판 버퍼 슬롯의 비가용성으로 인해 특정한 로트의 하나의 기판이 스킵되어야 하는 경우에 상기 특정한 로트의 다른 기판들을 모두 스킵하도록 상기 스루풋 시뮬레이터를 구성하는 단계를 포함하는 방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 메트롤로지 시스템의 스루풋을 예측하는 단계는 상기 메트롤로지 시스템의 존재로 인한 상기 리소그래피 장치의 스루풋에 대한 영향을 예측하는 단계를 포함하는 방법.
  14. 기록매체에 저장된 컴퓨터 프로그램으로서, 프로세서에서 실행되는 경우, 상기 프로세서가 제 1 항, 제 3 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항의 방법을 수행하게 하는 기계 판독가능한 명령어들을 포함하는, 기록매체에 저장된 컴퓨터 프로그램.
  15. 리소그래피 장치 내에 통합되는 메트롤로지 시스템에 있어서,
    상기 메트롤로지 시스템은 기판들에 대한 측정들을 수행하도록 작동가능하고, 상기 메트롤로지 시스템은 제 1 항, 제 3 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항의 방법을 수행하도록 구성되는 제어기를 포함하는 메트롤로지 시스템.
KR1020187015980A 2015-11-11 2016-10-07 메트롤로지 시스템의 성능을 예측하는 장치 및 방법 KR102209725B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP15194071 2015-11-11
EP15194071.5 2015-11-11
PCT/EP2016/073995 WO2017080727A1 (en) 2015-11-11 2016-10-07 Method and apparatus for predicting performance of a metrology system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180079435A KR20180079435A (ko) 2018-07-10
KR102209725B1 true KR102209725B1 (ko) 2021-02-02

Family

ID=54544925

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187015980A KR102209725B1 (ko) 2015-11-11 2016-10-07 메트롤로지 시스템의 성능을 예측하는 장치 및 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10884342B2 (ko)
KR (1) KR102209725B1 (ko)
TW (1) TWI668517B (ko)
WO (1) WO2017080727A1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020009658A1 (en) * 2000-07-12 2002-01-24 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
US20060074503A1 (en) 2004-10-05 2006-04-06 Purdy Matthew A Method and system for dynamically adjusting metrology sampling based upon available metrology capacity
US7257502B1 (en) 2006-02-28 2007-08-14 Advanced Micro Devices, Inc. Determining metrology sampling decisions based on fabrication simulation
US20110261190A1 (en) * 2008-10-01 2011-10-27 Ryo Nakagaki Defect observation device and defect observation method

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW495819B (en) * 2000-05-31 2002-07-21 Toshiba Corp Method and system for electronic commerce of semiconductor product, system and method of production, and design system, design method and manufacturing method of production equipment
CA2533281A1 (en) * 2003-07-23 2005-02-03 Intellitech Corporation Method for configuration throughput of electronic circuits
US7089144B2 (en) * 2004-08-17 2006-08-08 Lucent Technologies Inc. Determining impact of test operations at a product assembly and test facility with repairable product
JP4449698B2 (ja) * 2004-10-26 2010-04-14 株式会社ニコン 重ね合わせ検査システム
JP4801427B2 (ja) * 2005-01-04 2011-10-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン形状評価方法
US20060209837A1 (en) * 2005-03-16 2006-09-21 Lee Jai Y Method and apparatus for dynamically managing a retransmission persistence
US7346413B2 (en) * 2005-05-09 2008-03-18 International Business Machines Corporation Productivity for tool having plurality of processing modules
US8515567B2 (en) * 2005-12-21 2013-08-20 Globalfoundries Inc. Enhanced state estimation based upon information credibility
JP5103058B2 (ja) * 2007-05-28 2012-12-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥観察装置及び欠陥観察方法
JP4894674B2 (ja) * 2007-08-08 2012-03-14 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法並びに記憶媒体
JP2013205015A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Hitachi Ltd 光検査装置およびその方法
WO2016037003A1 (en) * 2014-09-03 2016-03-10 Kla-Tencor Corporation Optimizing the utilization of metrology tools
US10012599B2 (en) * 2015-04-03 2018-07-03 Kla-Tencor Corp. Optical die to database inspection
US10586318B2 (en) * 2016-10-07 2020-03-10 Raytheon Company Automated model-based inspection system for screening electronic components

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020009658A1 (en) * 2000-07-12 2002-01-24 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
US20060074503A1 (en) 2004-10-05 2006-04-06 Purdy Matthew A Method and system for dynamically adjusting metrology sampling based upon available metrology capacity
US7257502B1 (en) 2006-02-28 2007-08-14 Advanced Micro Devices, Inc. Determining metrology sampling decisions based on fabrication simulation
US20110261190A1 (en) * 2008-10-01 2011-10-27 Ryo Nakagaki Defect observation device and defect observation method

Also Published As

Publication number Publication date
TWI668517B (zh) 2019-08-11
US20180314160A1 (en) 2018-11-01
US10884342B2 (en) 2021-01-05
TW201730685A (zh) 2017-09-01
KR20180079435A (ko) 2018-07-10
WO2017080727A1 (en) 2017-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11774862B2 (en) Method of obtaining measurements, apparatus for performing a process step, and metrology apparatus
US11099487B2 (en) Method and apparatus for optimization of lithographic process
KR102580686B1 (ko) 제품 유닛들의 제조를 위한 공정들의 시퀀스의 최적화
CN109074529B (zh) 匹配记录的方法、调度维护的方法和装置
US20220342319A1 (en) Method for determining contribution to a fingerprint
EP3339959A1 (en) Method of determining a position of a feature
KR102209725B1 (ko) 메트롤로지 시스템의 성능을 예측하는 장치 및 방법
CN111480119B (zh) 用于控制制造设备的方法以及相关联的设备
CN113376976B (zh) 用于确定对指纹的贡献的方法
WO2024046691A1 (en) Method for configuring a field of view of an inspection apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
E90F Notification of reason for final refusal
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant