JP5556473B2 - 露光データの作成方法、露光データ作成装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
一実施形態による露光データ作成装置、露光データの作成方法、その露光データの作成方法を実行するコンピュータプログラム、その露光データを用いた半導体装置の製造方法を図1乃至図13を用いて説明する。
本実施形態による露光データは、後述する本実施形態による露光データの作成方法により作成される。本実施形態による露光データの作成方法は、例えば、本実施形態による露光データの作成方法を実行するためのコンピュータプログラムがインストールされたCAD等の半導体設計装置(設計支援装置)を用いて、実行することが可能である。
次に、本実施形態による露光データの作成方法について図2及び図3を用いて説明する。図2は、本実施形態による露光データの作成方法を示すフローチャートである。図3は、本実施形態による露光データの作成方法におけるデータを示す図である。
次に、本実施形態による露光データの作成方法により得られる露光データを用いた半導体装置の製造方法について図11乃至図13を用いて説明する。図11乃至図13は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程図である。図11(a)は、断面図であり、図11(b)は、図11(a)に対応する平面図である。図11(c)は、断面図であり、図12(a)は、図11(c)に対応する平面図である。図12(b)は、断面図であり、図12(c)は、図12(b)に対応する平面図である。図13(a)乃至図13(c)は、断面図である。
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
光露光と荷電粒子線露光とを併用して基板上にパターンを露光するハイブリッド露光のうちの前記光露光に用いられる第1の露光データと、前記ハイブリッド露光のうちの前記荷電粒子線露光に用いられる第2の露光データとを、設計データに基づいて作成するステップと、
前記ハイブリッド露光を用いることなく、前記荷電粒子線露光により前記パターンを前記基板上に露光する場合に用いられる第3の露光データを、前記設計パターンに基づいて作成するステップと、
前記第3の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記パターンを露光した場合に、単位領域内に不具合が生じるか否かを、前記基板上の複数の前記単位領域の各々について判定するステップと、
前記不具合が生じない前記単位領域の各々について、前記第3の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第1の時間と、前記第2の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第2の時間とを比較し、前記第1の時間が前記第2の時間より短い場合には、前記第1の露光データから当該単位領域についての部分のデータを削除し、前記第2の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータを、前記第3の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータにより置換することにより、編集された前記第1の露光データと、編集された前記第2の露光データとを含むハイブリッド露光用の露光データを作成するステップと
を有することを特徴とする露光データの作成方法。
付記1記載の露光データの作成方法において、
前記荷電粒子線露光は、電子線露光である
ことを特徴とする露光データの作成方法。
付記1又は2記載の露光データの作成方法において、
前記光露光は、KrF光源を用いた光露光である
ことを特徴とする露光データの作成方法。
付記1乃至3のいずれかに記載の露光データの作成方法において、
前記不具合は、断線又は短絡である
ことを特徴とする露光データの作成方法。
付記1乃至4のいずれかに記載の露光データの作成方法において、
一つの半導体チップが形成される領域内に複数の前記単位領域が含まれる
ことを特徴とする露光データの作成方法。
光露光と荷電粒子線露光とを併用して基板上にパターンを露光するハイブリッド露光のうちの前記光露光に用いられる第1の露光データと、前記ハイブリッド露光のうちの前記荷電粒子線露光に用いられる第2の露光データとを、設計データに基づいて作成する手段と、
前記ハイブリッド露光を用いることなく、前記荷電粒子線露光により前記パターンを前記基板上に露光する場合に用いられる第3の露光データを、前記設計パターンに基づいて作成する手段と、
前記第3の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記パターンを露光した場合に、単位領域内に不具合が生じるか否かを、前記基板上の複数の前記単位領域の各々について判定する手段と、
前記不具合が生じない前記単位領域の各々について、前記第3の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第1の時間と、前記第2の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第2の時間とを比較し、前記第1の時間が前記第2の時間より短い場合には、前記第1の露光データから当該単位領域についての部分のデータを削除し、前記第2の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータを、前記第3の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータにより置換することにより、編集された前記第1の露光データと、編集された前記第2の露光データとを含むハイブリッド露光用の露光データを作成する手段と
を有することを特徴とする露光データ作成装置。
光露光と荷電粒子線露光とを併用して基板上にパターンを露光するハイブリッド露光のうちの前記光露光に用いられる第1の露光データと、前記ハイブリッド露光のうちの前記荷電粒子線露光に用いられる第2の露光データとを、設計データに基づいて作成するステップと、
前記ハイブリッド露光を用いることなく、前記荷電粒子線露光により前記パターンを前記基板上に露光する場合に用いられる第3の露光データを、前記設計パターンに基づいて作成するステップと、
前記第3の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記パターンを露光した場合に、単位領域内に不具合が生じるか否かを、前記基板上の複数の前記単位領域の各々について判定するステップと、
前記不具合が生じない前記単位領域の各々について、前記第3の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第1の時間と、前記第2の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第2の時間とを比較し、前記第1の時間が前記第2の時間より短い場合には、前記第1の露光データから当該単位領域についての部分のデータを削除し、前記第2の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータを、前記第3の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータにより置換することにより、編集された前記第1の露光データと、編集された前記第2の露光データとを含むハイブリッド露光用の露光データを作成するステップと
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
光露光と荷電粒子線露光とを併用して基板上にパターンを露光するハイブリッド露光のうちの前記光露光に用いられる第1の露光データと、前記ハイブリッド露光のうちの前記荷電粒子線露光に用いられる第2の露光データとを、設計データに基づいて作成するステップと;前記ハイブリッド露光を用いることなく、前記荷電粒子線露光により前記パターンを前記基板上に露光する場合に用いられる第3の露光データを、前記設計パターンに基づいて作成するステップと;前記第3の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記パターンを露光した場合に、単位領域内に不具合が生じるか否かを、前記基板上の複数の前記単位領域の各々について判定するステップと;前記不具合が生じない前記単位領域の各々について、前記第3の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第1の時間と、前記第2の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第2の時間とを比較し、前記第1の時間が前記第2の時間より短い場合には、前記第1の露光データから当該単位領域についての部分のデータを削除し、前記第2の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータを、前記第3の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータにより置換することにより、編集された前記第1の露光データと、編集された前記第2の露光データとを含むハイブリッド露光用の露光データを作成するステップとをコンピュータに実行させることにより得られたハイブリッド露光用の露光データのうちの前記編集された第2の露光データを用いて前記荷電粒子線露光を行う工程と、
前記ハイブリッド露光用の露光データのうちの前記編集された第1の露光データに基づいて作製されたレチクルを用いて前記光露光を行う工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
12…ROM
14…RAM
16…磁気ディスクドライブ
18…磁気ディスク
20…光ディスクドライブ
22…光ディスク
24…ディスプレイ
26…I/F
28…キーボード
30…マウス
32…スキャナ
34…プリンタ
36…バス
38…ネットワーク
40、40a〜40c…パターン
42、42b、42c…パターン
50…半導体ウェハ
52…チップ領域
54…フレーム
56…露光フィールド、単位領域
58…サブフィールド
60…1ショットのパターン
70…半導体ウェハ
72…層間絶縁膜
74…導電膜
76…レジスト膜
78…パターン
80…EB露光のパターン
82…光露光のパターン
100…設計データ
102…ウェハ露光用図形データ
104…ハイブリッド露光用のEB露光用パターンデータ
106…ハイブリッド露光用の光露光データ
108…ハイブリッド露光用EB露光データ
110…単独EB露光用パターンデータ
112…単独EB露光データ
114…編集済みのハイブリッド露光用露光データ
116…編集済みのハイブリッド露光用EB露光データ
200…パターン
202…パターンの縁部
204…パターンの内部
210…設計パターン
212a〜212d…パターン
214a〜214h…パターン
Claims (5)
- 光露光と荷電粒子線露光とを併用して基板上にパターンを露光するハイブリッド露光のうちの前記光露光に用いられる第1の露光データと、前記ハイブリッド露光のうちの前記荷電粒子線露光に用いられる第2の露光データとを、設計データに基づいて作成するステップと、
前記ハイブリッド露光を用いることなく、前記荷電粒子線露光により前記パターンを前記基板上に露光する場合に用いられる第3の露光データを、前記設計データに基づいて作成するステップと、
前記第3の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記パターンを露光した場合に、単位領域内に不具合が生じるか否かを、前記基板上の複数の前記単位領域の各々について判定するステップと、
前記不具合が生じない前記単位領域の各々について、前記第3の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第1の時間と、前記第2の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第2の時間とを比較し、前記第1の時間が前記第2の時間より短い場合には、前記第1の露光データから当該単位領域についての部分のデータを削除し、前記第2の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータを、前記第3の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータにより置換することにより、編集された前記第1の露光データと、編集された前記第2の露光データとを含むハイブリッド露光用の露光データを作成するステップと
を有することを特徴とする露光データの作成方法。 - 請求項1記載の露光データの作成方法において、
前記荷電粒子線露光は、電子線露光であることを特徴とする露光データの作成方法。 - 光露光と荷電粒子線露光とを併用して基板上にパターンを露光するハイブリッド露光のうちの前記光露光に用いられる第1の露光データと、前記ハイブリッド露光のうちの前記荷電粒子線露光に用いられる第2の露光データとを、設計データに基づいて作成する手段と、
前記ハイブリッド露光を用いることなく、前記荷電粒子線露光により前記パターンを前記基板上に露光する場合に用いられる第3の露光データを、前記設計データに基づいて作成する手段と、
前記第3の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記パターンを露光した場合に、単位領域内に不具合が生じるか否かを、前記基板上の複数の前記単位領域の各々について判定する手段と、
前記不具合が生じない前記単位領域の各々について、前記第3の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第1の時間と、前記第2の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第2の時間とを比較し、前記第1の時間が前記第2の時間より短い場合には、前記第1の露光データから当該単位領域についての部分のデータを削除し、前記第2の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータを、前記第3の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータにより置換することにより、編集された前記第1の露光データと、編集された前記第2の露光データとを含むハイブリッド露光用の露光データを作成する手段と
を有することを特徴とする露光データ作成装置。 - 光露光と荷電粒子線露光とを併用して基板上にパターンを露光するハイブリッド露光のうちの前記光露光に用いられる第1の露光データと、前記ハイブリッド露光のうちの前記荷電粒子線露光に用いられる第2の露光データとを、設計データに基づいて作成するステップと、
前記ハイブリッド露光を用いることなく、前記荷電粒子線露光により前記パターンを前記基板上に露光する場合に用いられる第3の露光データを、前記設計データに基づいて作成するステップと、
前記第3の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記パターンを露光した場合に、単位領域内に不具合が生じるか否かを、前記基板上の複数の前記単位領域の各々について判定するステップと、
前記不具合が生じない前記単位領域の各々について、前記第3の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第1の時間と、前記第2の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第2の時間とを比較し、前記第1の時間が前記第2の時間より短い場合には、前記第1の露光データから当該単位領域についての部分のデータを削除し、前記第2の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータを、前記第3の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータにより置換することにより、編集された前記第1の露光データと、編集された前記第2の露光データとを含むハイブリッド露光用の露光データを作成するステップと
をコンピュータに実行させるためのプログラム。 - 光露光と荷電粒子線露光とを併用して基板上にパターンを露光するハイブリッド露光のうちの前記光露光に用いられる第1の露光データと、前記ハイブリッド露光のうちの前記荷電粒子線露光に用いられる第2の露光データとを、設計データに基づいて作成するステップと;前記ハイブリッド露光を用いることなく、前記荷電粒子線露光により前記パターンを前記基板上に露光する場合に用いられる第3の露光データを、前記設計データに基づいて作成するステップと;前記第3の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記パターンを露光した場合に、単位領域内に不具合が生じるか否かを、前記基板上の複数の前記単位領域の各々について判定するステップと;前記不具合が生じない前記単位領域の各々について、前記第3の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第1の時間と、前記第2の露光データを用いて前記荷電粒子線露光により前記単位領域内の露光を行った場合に要する第2の時間とを比較し、前記第1の時間が前記第2の時間より短い場合には、前記第1の露光データから当該単位領域についての部分のデータを削除し、前記第2の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータを、前記第3の露光データのうちの当該単位領域についての部分のデータにより置換することにより、編集された前記第1の露光データと、編集された前記第2の露光データとを含むハイブリッド露光用の露光データを作成するステップとをコンピュータに実行させることにより得られたハイブリッド露光用の露光データのうちの前記編集された第2の露光データを用いて前記荷電粒子線露光を行う工程と、
前記ハイブリッド露光用の露光データのうちの前記編集された第1の露光データに基づいて作製されたレチクルを用いて前記光露光を行う工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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