JP2854674B2 - 図形パターン発生方法 - Google Patents
図形パターン発生方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、集積回路（LSI）のマスクデータの図形デ
ータ処理技術に関し、マスク製作用あるいはウエハ上へ
の直接描画用の電子ビーム（EB）描画データを作成する
際の図形データ処理で利用される図形パターン発生方法
に関する。
ータ処理技術に関し、マスク製作用あるいはウエハ上へ
の直接描画用の電子ビーム（EB）描画データを作成する
際の図形データ処理で利用される図形パターン発生方法
に関する。
特に、同一層のパターンを例えば光と電子ビーム（E
B）を併用して形成する場合に各々のパターンデータを
計算機上で自動的に生成する技術に関するものである。
B）を併用して形成する場合に各々のパターンデータを
計算機上で自動的に生成する技術に関するものである。
LSIの微細化に伴い、従来用いられてきた光転写法で
は、例えば最小線幅が0.5μｍ以下になると、波長に依
る解像限界のためパターン形成が困難に成りつつある。
一方、電子ビーム（EB）を用いてウエハ上に直接パター
ンを形成する電子ビーム直接描画法では、孤立した微細
パターンの形成は可能だが、描画に時間がかかり、LSI
の量産には適していない、 また、パターンが密に入り組んでいる部分は、いわゆ
る近接効果と呼ぶ電子の散乱に起因するパターンのボケ
のため、微細なパターンが解像しがたくなる問題も存在
していた。
は、例えば最小線幅が0.5μｍ以下になると、波長に依
る解像限界のためパターン形成が困難に成りつつある。
一方、電子ビーム（EB）を用いてウエハ上に直接パター
ンを形成する電子ビーム直接描画法では、孤立した微細
パターンの形成は可能だが、描画に時間がかかり、LSI
の量産には適していない、 また、パターンが密に入り組んでいる部分は、いわゆ
る近接効果と呼ぶ電子の散乱に起因するパターンのボケ
のため、微細なパターンが解像しがたくなる問題も存在
していた。
これらの問題点を解決する一つの方法として、同層ハ
イブリッド露光の方法がある。この技術に関しては、特
願平１−188733号「パタン形成方法」に詳しく述べられ
ており、ここでは簡単に説明しておく。
イブリッド露光の方法がある。この技術に関しては、特
願平１−188733号「パタン形成方法」に詳しく述べられ
ており、ここでは簡単に説明しておく。
同層ハイブリッドとは、一つの層を二種類の光やビー
ムを用いて形成する方法で、例えば光と電子ビームを利
用する場合、パターンの輪郭部分を電子ビームで描画
し、パターン内部の面積の大きい部分を光で露光する。
このようにすると、微細なパターンは、電子ビームで解
像でき、かつ大面積部分は光の一括転写が利用できるた
め、全部をEB描画する場合に比べ大幅なスループットの
向上が達成できる。さらにパターンの縁の部分のみEB描
画していることから近傍に大きなパターンが存在してい
ても、近接効果による解像度の低下も抑えることができ
る。
ムを用いて形成する方法で、例えば光と電子ビームを利
用する場合、パターンの輪郭部分を電子ビームで描画
し、パターン内部の面積の大きい部分を光で露光する。
このようにすると、微細なパターンは、電子ビームで解
像でき、かつ大面積部分は光の一括転写が利用できるた
め、全部をEB描画する場合に比べ大幅なスループットの
向上が達成できる。さらにパターンの縁の部分のみEB描
画していることから近傍に大きなパターンが存在してい
ても、近接効果による解像度の低下も抑えることができ
る。
この同層ハイブリッドを実際に適用するには、１つの
マスクパターンから、光転写とEB直接描画で用いる二種
類のマスクパターンを発生させる必要がある。人間が個
々の図形を直接処理するのは、誤動作，処理時間の点で
現実的でない。
マスクパターンから、光転写とEB直接描画で用いる二種
類のマスクパターンを発生させる必要がある。人間が個
々の図形を直接処理するのは、誤動作，処理時間の点で
現実的でない。
上記の特許出願に記載される技術では、分割寸法のパ
ラメータ“a"を導入し、それ以上のパターンデータとそ
れ以下のパターンデータに分けることを提案している。
ラメータ“a"を導入し、それ以上のパターンデータとそ
れ以下のパターンデータに分けることを提案している。
すなわち、第９図に示すように、分割寸法“a"以下の
パターン２は、そのままでEB描画パターンとし、寸法
“a"以上のパターン１は、輪郭幅“b"で輪郭データ４と
内部データ５に分離し、輪郭データ４はEB描画パターン
に、内部データ５は光転写パターンに用いる。
パターン２は、そのままでEB描画パターンとし、寸法
“a"以上のパターン１は、輪郭幅“b"で輪郭データ４と
内部データ５に分離し、輪郭データ４はEB描画パターン
に、内部データ５は光転写パターンに用いる。
しかしながら、設計が終了したマスクパターンに対
し、二種類のマスクパターンを発生させる方法について
は、従来、技術的に考察された提案はなされていない
か、あるいは極めて単純な場合に限った提案であった。
例えば、上記の特許出願で述べられている方法は、分割
寸法“a"とパターン寸法の比較が判断点となるが、複雑
な形状をしている多角形のLSIのパターンに対しての処
理方法は示されていない。
し、二種類のマスクパターンを発生させる方法について
は、従来、技術的に考察された提案はなされていない
か、あるいは極めて単純な場合に限った提案であった。
例えば、上記の特許出願で述べられている方法は、分割
寸法“a"とパターン寸法の比較が判断点となるが、複雑
な形状をしている多角形のLSIのパターンに対しての処
理方法は示されていない。
本発明の課題は、任意のLSIのパターンに対し二種類
のマスクパターンを発生させ、複雑な形状をしている多
角形のLSIのパターンに対しての処理が可能な技術を提
供することにある。
のマスクパターンを発生させ、複雑な形状をしている多
角形のLSIのパターンに対しての処理が可能な技術を提
供することにある。
本発明の前記ならびにその他の課題と新規な特徴は、
本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであ
ろう。
本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであ
ろう。
〔課題を解決するための手段〕 前記課題を解決するために、本発明は、集積回路のマ
スクパターンを設計する工程あるいは設計されたマスク
パターンを電子ビーム描画用のデータに変換する工程に
おける図形パターン発生方法において、設計パターン図
形P0に対し、その全輪郭辺を図形が小さくなる方向に距
離L1だけ移動させ、新たなパターン図形P1を得る第一の
過程と、第一の過程で得られたパターン図形P1の辺を図
形が大きくなる方向に距離L2だけ移動させ、新たなパタ
ーン図形Pphを得る第二の過程と、設計パターン図形P0
から第一の過程で得られたパターン図形P1を減算して新
たなパターン図形Pebを得る第三の過程とを有すること
を最も主要な特徴とする。
スクパターンを設計する工程あるいは設計されたマスク
パターンを電子ビーム描画用のデータに変換する工程に
おける図形パターン発生方法において、設計パターン図
形P0に対し、その全輪郭辺を図形が小さくなる方向に距
離L1だけ移動させ、新たなパターン図形P1を得る第一の
過程と、第一の過程で得られたパターン図形P1の辺を図
形が大きくなる方向に距離L2だけ移動させ、新たなパタ
ーン図形Pphを得る第二の過程と、設計パターン図形P0
から第一の過程で得られたパターン図形P1を減算して新
たなパターン図形Pebを得る第三の過程とを有すること
を最も主要な特徴とする。
まず、LSIパターンの基本的な図形処理操作につい
て、簡単に説明する。第2A図は、“太らせ”と呼ばれる
処理で、パターンの全ての辺を、図形が大きくなる向き
に、ある一定距離移動させる。301は太らせ前の図形、3
11は太らせ後の図形を示す。
て、簡単に説明する。第2A図は、“太らせ”と呼ばれる
処理で、パターンの全ての辺を、図形が大きくなる向き
に、ある一定距離移動させる。301は太らせ前の図形、3
11は太らせ後の図形を示す。
第2B図は、“細らせ”と呼ばれる処理で、パターンの
輪郭をなす全ての辺を、図形が小さくなる向きに、ある
一定距離移動させる処理である。302,303は細らせ前の
図形、312,313は細らせ後の図形を示す。細らせ処理で
は、細らせ前の図形303が細らせ後の図形313になったよ
うに、図形が分離したり、図形が無くなったりすること
もある。
輪郭をなす全ての辺を、図形が小さくなる向きに、ある
一定距離移動させる処理である。302,303は細らせ前の
図形、312,313は細らせ後の図形を示す。細らせ処理で
は、細らせ前の図形303が細らせ後の図形313になったよ
うに、図形が分離したり、図形が無くなったりすること
もある。
ここで輪郭をなす辺と記したのは、マスクパターンは
一般には様々な図形の集合体として記述されており、二
つの図形を接続して一つの図形としていることもあり、
第2C図の図形304,314のように単に辺を移動させたので
は、図形の切断が生じてしまうためである。このことか
ら判るように、細らせ処理ではあらかじめ輪郭を抽出し
ておくと処理が容易となる。
一般には様々な図形の集合体として記述されており、二
つの図形を接続して一つの図形としていることもあり、
第2C図の図形304,314のように単に辺を移動させたので
は、図形の切断が生じてしまうためである。このことか
ら判るように、細らせ処理ではあらかじめ輪郭を抽出し
ておくと処理が容易となる。
なお、“太らせ”あるいは“細らせ”の幅は、ここで
は片側で表示することにする。すなわち、距離Ｓの太ら
せとは、両側では2Sだけ、パターンが太まる。
は片側で表示することにする。すなわち、距離Ｓの太ら
せとは、両側では2Sだけ、パターンが太まる。
第2D図は、図形間の“減算”の処理を示す。図形305,
306から図形315,316を減算した結果が図形325,326であ
る。図形325,326では、領域を明示するため斜線を入れ
た。
306から図形315,316を減算した結果が図形325,326であ
る。図形325,326では、領域を明示するため斜線を入れ
た。
以上の図形処理操作を前提に、任意のLSIパターンに
対し、二種類のマスクパターンを発生させる原理を第１
図を用いて説明する。なお各々に対応したパターン例を
第１図右側に示した。
対し、二種類のマスクパターンを発生させる原理を第１
図を用いて説明する。なお各々に対応したパターン例を
第１図右側に示した。
処理は３つのステップで構成される。基になるマスク
パターン（設計パターン図形）をP0で表わす。
パターン（設計パターン図形）をP0で表わす。
ステップ101:マスクパターンP0を幅L1細らせ処理し、そ
の結果できたパターンをP1とする。
の結果できたパターンをP1とする。
ステップ102:パターンP1を幅L2太らせ処理し、その結果
できたパターンをPphとする。
できたパターンをPphとする。
ステップ103:マスクパターンP0からパターンP1を減算処
理し、その結果できたパターンをPebとする。
理し、その結果できたパターンをPebとする。
ここで、L1＞L2とする。パターンPphは光転写等の大
面積に対応したパターン形成法で使用され、パターンPe
bはEB描画に代表される微細パターン形成法で使われ
る。
面積に対応したパターン形成法で使用され、パターンPe
bはEB描画に代表される微細パターン形成法で使われ
る。
ステップ101でマスクパターンP0に存在している下側
の凸部は、幅が2L1以下のため細らせにより消減してい
る。パターンPphとパターンPebは幅L2だけ重なっている
が、これは二種類のパターン形成をする際の重ね合せを
保証するためである。理想的にはL2＝０で良いが、重ね
合せの誤差がゼロとならないこと、また、例えば、光転
写法で使用するレンズに歪みがあるため、パターン形成
の位置誤差が必ず存在していることから、実際にはL2は
ゼロにできない。
の凸部は、幅が2L1以下のため細らせにより消減してい
る。パターンPphとパターンPebは幅L2だけ重なっている
が、これは二種類のパターン形成をする際の重ね合せを
保証するためである。理想的にはL2＝０で良いが、重ね
合せの誤差がゼロとならないこと、また、例えば、光転
写法で使用するレンズに歪みがあるため、パターン形成
の位置誤差が必ず存在していることから、実際にはL2は
ゼロにできない。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明
する。
する。
まず、太らせ，細らせ、減算の図形処理の具体的な計
算方法について説明する。ここで示すのは一例であっ
て、機能を実現できればここで述べる方法に限定される
ものではない。
算方法について説明する。ここで示すのは一例であっ
て、機能を実現できればここで述べる方法に限定される
ものではない。
太らせは各辺を移動させれば良く、処理上問題はな
い。細らせは、まず、輪郭を抽出し、抽出された輪郭辺
に対し辺を移動させることとする。
い。細らせは、まず、輪郭を抽出し、抽出された輪郭辺
に対し辺を移動させることとする。
ここでは輪郭抽出の手段として「スリット法」を説明
する。このスリット法は、計算機に適した算法であり、
処理速度も早いことから一般的に広く用いられている。
する。このスリット法は、計算機に適した算法であり、
処理速度も早いことから一般的に広く用いられている。
スリット法は、多角形の各頂点を通るＸ軸に垂直な線
によって区切られるスリットに注目し、各スリット毎に
処理を進める。まず、多角形のＸ軸に平行な辺を図形内
部を左に見るように方向付け、ベクトルとして記述す
る。
によって区切られるスリットに注目し、各スリット毎に
処理を進める。まず、多角形のＸ軸に平行な辺を図形内
部を左に見るように方向付け、ベクトルとして記述す
る。
第３図（スリット法を説明するための図）に示す矩形
４個からなるスリット１〜４のうちスリット２に注目す
ると、スリット２内では左向きと右向きのベクトル1001
から1008の８個のベクトルの集合となる。図形が存在し
ていない上方から下方へ処理を進めることとし、図形重
複度ｋの初期値を０とする。
４個からなるスリット１〜４のうちスリット２に注目す
ると、スリット２内では左向きと右向きのベクトル1001
から1008の８個のベクトルの集合となる。図形が存在し
ていない上方から下方へ処理を進めることとし、図形重
複度ｋの初期値を０とする。
図形重複度ｋは、左向きのベクトルが存在すれば＋１
し、右向きのベクトルが存在すれば−１すると、図形重
複度ｋを累計していくことで、ベクトルで挟まれる各領
域の図形重複度ｋが計算できる。各領域での図形重複度
ｋを第３図中に示した。図形重複度ｋが０から１に変わ
るベクトルと、図形重複度ｋが１から０に変るベクトル
を取り出せば、輪郭をなすＸ軸に平行なベクトルを求め
ることができる。第３図の太いベクトルが、輪郭をなす
Ｘ軸に平行なベクトルである。この処理を全スリットに
対して施せば、入力図形の輪郭のうちＸ軸に平行な辺を
抽出できる。Ｙ軸に平行な辺は、例えば、次のようにす
れば求められる。得られたＸ軸に平行なベクトルを始点
と終点の２点に分け、各点を座標値Ｘを第１キー，座標
値Ｙを第２キーとしてソートする。できた点列を２つず
つ組にしてゆけば、それら２つの点がＹ軸に平行なベク
トルの始点と終点となる。このようにして、輪郭辺の抽
出が可能となる。
し、右向きのベクトルが存在すれば−１すると、図形重
複度ｋを累計していくことで、ベクトルで挟まれる各領
域の図形重複度ｋが計算できる。各領域での図形重複度
ｋを第３図中に示した。図形重複度ｋが０から１に変わ
るベクトルと、図形重複度ｋが１から０に変るベクトル
を取り出せば、輪郭をなすＸ軸に平行なベクトルを求め
ることができる。第３図の太いベクトルが、輪郭をなす
Ｘ軸に平行なベクトルである。この処理を全スリットに
対して施せば、入力図形の輪郭のうちＸ軸に平行な辺を
抽出できる。Ｙ軸に平行な辺は、例えば、次のようにす
れば求められる。得られたＸ軸に平行なベクトルを始点
と終点の２点に分け、各点を座標値Ｘを第１キー，座標
値Ｙを第２キーとしてソートする。できた点列を２つず
つ組にしてゆけば、それら２つの点がＹ軸に平行なベク
トルの始点と終点となる。このようにして、輪郭辺の抽
出が可能となる。
本発明で述べる輪郭抽出処理としては、例えばこのス
リット法をそのまま適用できる。
リット法をそのまま適用できる。
なお、例えば、日経エレクトロニクス誌、1980年４月
28日号、P90−107に解説されているように、入力図形に
斜め線が存在している場合でもスリット法は適用でき
る。
28日号、P90−107に解説されているように、入力図形に
斜め線が存在している場合でもスリット法は適用でき
る。
輪郭辺が得られれば、辺とその辺に接続する２つの辺
との関係を調べることで、細らせ処理は容易に実施でき
る。
との関係を調べることで、細らせ処理は容易に実施でき
る。
スリット法は減算処理にも利用できる。パターンPaか
らパターンPbを減算するPa−Pbを例に、第4A図及び第4B
図を用いて説明する。説明を簡単にするため第4A図に示
すように、Pa,Pbとも既に輪郭抽出され、図形の重なり
が無いとする。Paを構成するＸ軸に平行な辺は、図形内
部を左にみる向きに方向付ける。一方、Pbを構成するＸ
軸に平行な辺は、Paとは逆向きの方向を持たせる。両者
のベクトルを一緒にしてスリット法を適用すれば、減算
処理した輪郭ベクトルを求めることができる。第4B図は
Pbのベクトルの向きを変えて、スリット法を適用した結
果で、斜線部がPa−Pbを示している。スリット３に、図
形の重複度ｋの値を併せて示した。
らパターンPbを減算するPa−Pbを例に、第4A図及び第4B
図を用いて説明する。説明を簡単にするため第4A図に示
すように、Pa,Pbとも既に輪郭抽出され、図形の重なり
が無いとする。Paを構成するＸ軸に平行な辺は、図形内
部を左にみる向きに方向付ける。一方、Pbを構成するＸ
軸に平行な辺は、Paとは逆向きの方向を持たせる。両者
のベクトルを一緒にしてスリット法を適用すれば、減算
処理した輪郭ベクトルを求めることができる。第4B図は
Pbのベクトルの向きを変えて、スリット法を適用した結
果で、斜線部がPa−Pbを示している。スリット３に、図
形の重複度ｋの値を併せて示した。
次に、具体的な実施例を示す、同層ハイブリッド法が
適しているパターンは、微細なパターンが存在し、かつ
大きな面積を有するパターンが同時に存在する層であ
る。このようなパターンの例として、例えば配線層やゲ
ート層がある。配線層では線幅がサブミクロンへと縮小
されつつあり、かつ外部との電気的な接続のためのパッ
ドと呼ぶ100μｍ角程度の広い領域も同時に多数必要だ
からである。ゲート層では、ゲート部分が例えば1.0μ
ｍ幅の線で構成され、ゲート部から引き出された電極部
や配線部分が有り、さらにはダイナミック型のメモリ部
等ではキャパシタを構成するための広い面積を持つパタ
ーンが要求される。このように、LSIパターンでは細線
部分と広い面積を必要とする部分とが同一層内で混在す
ることが希でなく、また、同層ハイブリッド法の適用効
果が大きいことから、このような代表的なパターンを取
り上げて説明する。
適しているパターンは、微細なパターンが存在し、かつ
大きな面積を有するパターンが同時に存在する層であ
る。このようなパターンの例として、例えば配線層やゲ
ート層がある。配線層では線幅がサブミクロンへと縮小
されつつあり、かつ外部との電気的な接続のためのパッ
ドと呼ぶ100μｍ角程度の広い領域も同時に多数必要だ
からである。ゲート層では、ゲート部分が例えば1.0μ
ｍ幅の線で構成され、ゲート部から引き出された電極部
や配線部分が有り、さらにはダイナミック型のメモリ部
等ではキャパシタを構成するための広い面積を持つパタ
ーンが要求される。このように、LSIパターンでは細線
部分と広い面積を必要とする部分とが同一層内で混在す
ることが希でなく、また、同層ハイブリッド法の適用効
果が大きいことから、このような代表的なパターンを取
り上げて説明する。
第５図は、線幅1.0μｍの配線層に本発明を適用した
例の一部を示す図である。第５図の左側（ａ）の図形
は、配線パターンと、電気的な接続をとるためのコンタ
クトホールを形成するために幅が広くなったパターンで
ある。右側（ｂ）の図形は大きいパターンの一部を示し
ている。配線パターンでは、ほとんどのパターンが一定
線幅で構成されており、左側（ａ）の図形の上部がこの
一定線幅のパターンの一部に相当している。
例の一部を示す図である。第５図の左側（ａ）の図形
は、配線パターンと、電気的な接続をとるためのコンタ
クトホールを形成するために幅が広くなったパターンで
ある。右側（ｂ）の図形は大きいパターンの一部を示し
ている。配線パターンでは、ほとんどのパターンが一定
線幅で構成されており、左側（ａ）の図形の上部がこの
一定線幅のパターンの一部に相当している。
まず、ステップ１で、入力マスクパターンP0をスリッ
ト法により輪郭抽出し、その後、幅L1＝0.6μｍの細ら
せ処理を行う。これによりパターンP1が得られる。左側
（ａ）の幅1.0μｍのパターンは、両側から0.6μｍずつ
細められるため、パターンが無くなる。コンタクト形成
のため幅が広くなった部分は、パターンが残っている。
ステップ２では幅L2＝0.3μｍの太らせを行う。L2＜L1
だから、この太らせによりパターン同士が重なることは
ない。得られたパターンがパターンPph（斜線を施した
部分）であり、光転写用のマスクあるいはレクチルとし
て用いられる。もちろん、パターンPphはミラー反転、
レクチル用なら拡大等の処理をさらに受けて、マスクあ
るいはレクチル描画用のデータにフォーマット変換され
る。
ト法により輪郭抽出し、その後、幅L1＝0.6μｍの細ら
せ処理を行う。これによりパターンP1が得られる。左側
（ａ）の幅1.0μｍのパターンは、両側から0.6μｍずつ
細められるため、パターンが無くなる。コンタクト形成
のため幅が広くなった部分は、パターンが残っている。
ステップ２では幅L2＝0.3μｍの太らせを行う。L2＜L1
だから、この太らせによりパターン同士が重なることは
ない。得られたパターンがパターンPph（斜線を施した
部分）であり、光転写用のマスクあるいはレクチルとし
て用いられる。もちろん、パターンPphはミラー反転、
レクチル用なら拡大等の処理をさらに受けて、マスクあ
るいはレクチル描画用のデータにフォーマット変換され
る。
EB直接描画用のパターンPeb（・点を施した部分）の
データは、マスクパターンP0からパターンP1を減算して
得られる。ここでも既に述べたようにスリット法を応用
する。このようにして得られた二つのパターンPph,Peb
は、L2＝0.3μｍの重なりがある。
データは、マスクパターンP0からパターンP1を減算して
得られる。ここでも既に述べたようにスリット法を応用
する。このようにして得られた二つのパターンPph,Peb
は、L2＝0.3μｍの重なりがある。
第６図は、第５図と同じパターンに対し、細らせ幅L1
＝0.4μｍ、その後の太らせ幅L2＝0.2μｍとした場合で
ある。ステップ１の細らせ処理の結果、左側（ａ）の1.
0μｍ幅のパターンは両側から0.4μｍずつ細められて幅
0.2μｍとなっている。二つのパターンの重なりは、L2
＝0.2μｍである。
＝0.4μｍ、その後の太らせ幅L2＝0.2μｍとした場合で
ある。ステップ１の細らせ処理の結果、左側（ａ）の1.
0μｍ幅のパターンは両側から0.4μｍずつ細められて幅
0.2μｍとなっている。二つのパターンの重なりは、L2
＝0.2μｍである。
第６図では、重ね合せの精度が要求されるが、左側
（ｂ）上部の一定線幅部分でEB描画の割合が減っている
ことから、ポイントビームを用いたEB描画を利用する場
合、生産性を向上できる。第５図，第６図どちらの場合
もパラメータ値を変えるのみで、同じ演算方法によりパ
ターンデータを作成できる。
（ｂ）上部の一定線幅部分でEB描画の割合が減っている
ことから、ポイントビームを用いたEB描画を利用する場
合、生産性を向上できる。第５図，第６図どちらの場合
もパラメータ値を変えるのみで、同じ演算方法によりパ
ターンデータを作成できる。
第７図は、第１図の変形である。
第１図でEB直接描画用データをP0−P1としていたもの
を、パターンP1を幅L3太らせパターンP2とし、P0−P2に
より求めている。
を、パターンP1を幅L3太らせパターンP2とし、P0−P2に
より求めている。
つまり、ステップ201:マスクパターンP0を幅L1細らせ
処理し、その結果できたパターンをP1とする。
処理し、その結果できたパターンをP1とする。
ステップ202:パターンP1を幅L2太らせ処理し、その結果
できたパターンをPphとする。
できたパターンをPphとする。
ステップ203:パターンP1を幅L3太らせ処理し、その結果
できたパターンをP2とする。
できたパターンをP2とする。
ステップ204:マスクパターンP0からパターンP2を減算処
理し、その結果できたパターンをPebとする。
理し、その結果できたパターンをPebとする。
この場合、二つのパターンの重なり幅はL2−L3であ
り、従ってL2＞L3である必要がある。
り、従ってL2＞L3である必要がある。
第８図は、第５図と同じパターンに対して、第７図に
示した方法でパターンデータを作成した場合である。細
らせ幅L1＝0.6μｍ、その後の太らせ幅L2＝0.4μm,L3＝
0.2μｍとした。重なり幅は、L2−L3＝0.2μｍとなる。
このデータ作成方法は、EB描画する大面積部の縁の部分
を0.4μｍとしながらも、幅1.0μｍの線に対しては全て
EBでの描画が可能にできる。EB直接描画で可変成形ビー
ムを利用する場合、第６図の左上の図形のように細いEB
描画パターンを２つ作るよりも、このように一定幅以下
の部分は全てEB描画にした方が、ショット数が減るため
生産性が向上する。
示した方法でパターンデータを作成した場合である。細
らせ幅L1＝0.6μｍ、その後の太らせ幅L2＝0.4μm,L3＝
0.2μｍとした。重なり幅は、L2−L3＝0.2μｍとなる。
このデータ作成方法は、EB描画する大面積部の縁の部分
を0.4μｍとしながらも、幅1.0μｍの線に対しては全て
EBでの描画が可能にできる。EB直接描画で可変成形ビー
ムを利用する場合、第６図の左上の図形のように細いEB
描画パターンを２つ作るよりも、このように一定幅以下
の部分は全てEB描画にした方が、ショット数が減るため
生産性が向上する。
以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明した
が、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、
その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である
ことは言うまでもない。
が、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、
その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である
ことは言うまでもない。
以上、説明したように、本発明によれば、同一層のパ
ターンを例えば光とEBを併用して形成する場合におい
て、光とEB各々のパターンデータを計算機上で自動的に
生成することができる。
ターンを例えば光とEBを併用して形成する場合におい
て、光とEB各々のパターンデータを計算機上で自動的に
生成することができる。
また、簡単な図形処理を組み合わせることにより、パ
ラメータ値や図形処理手順を変更するだけで、パターン
露光装置の特徴に適したマスクパターンを容易に発生で
きる利点を有している。
ラメータ値や図形処理手順を変更するだけで、パターン
露光装置の特徴に適したマスクパターンを容易に発生で
きる利点を有している。
この結果、ショット数が減るので、生産性を向上する
ことができる。
ことができる。
第１図は、本発明の任意のLSIパターンに対し、二種類
のマスクパターンを発生させる原理を説明するための
図、 第2A図，第2B図，第2C図，第2D図は、本発明のLSIパタ
ーンの基本的な図形処理操作を説明するための図、 第３図は、本発明の一実施例のスリット法を説明するた
めの図、 第4A図，第4B図は、本実施例のスリット法による減算処
理を説明するための図、 第５図は、線幅1.0μｍの配線層に本発明を適用した例
の一部を示す図、 第６図は、第５図と同じパターンに対し、細らせ幅L1＝
0.4μｍ、その後の太らせ幅L2＝0.2μｍとした場合の例
を示す図、 第７図は、第１図の変形例を示す図、 第８図は、第５図と同じパターンに対して、第７図に示
した方法でパターンデータを作成した場合の例を示す
図、 第９図は、分割寸法のパラメータを導入し、それ以上の
パターンデータとそれ以下のパターンデータに分ける従
来の同層ハイブリッド法を説明するための図である。 図中、P0……マスクパターン（設計パターン図形）、P1
……P0の辺を図形が小さくなる方向に距離L1だけ移動さ
せたパターン図形、P2……P1の辺を図形が大きくなる方
向に距離L3だけ移動させたパターン（パターン図形）、
Pph……P1の辺を図形が大きくなる方向に距離L2だけ移
動させた新たなパターン（パターン図形）、Peb……P0
からP1又はP2を減算した新たなパターン（パターン図
形）。
のマスクパターンを発生させる原理を説明するための
図、 第2A図，第2B図，第2C図，第2D図は、本発明のLSIパタ
ーンの基本的な図形処理操作を説明するための図、 第３図は、本発明の一実施例のスリット法を説明するた
めの図、 第4A図，第4B図は、本実施例のスリット法による減算処
理を説明するための図、 第５図は、線幅1.0μｍの配線層に本発明を適用した例
の一部を示す図、 第６図は、第５図と同じパターンに対し、細らせ幅L1＝
0.4μｍ、その後の太らせ幅L2＝0.2μｍとした場合の例
を示す図、 第７図は、第１図の変形例を示す図、 第８図は、第５図と同じパターンに対して、第７図に示
した方法でパターンデータを作成した場合の例を示す
図、 第９図は、分割寸法のパラメータを導入し、それ以上の
パターンデータとそれ以下のパターンデータに分ける従
来の同層ハイブリッド法を説明するための図である。 図中、P0……マスクパターン（設計パターン図形）、P1
……P0の辺を図形が小さくなる方向に距離L1だけ移動さ
せたパターン図形、P2……P1の辺を図形が大きくなる方
向に距離L3だけ移動させたパターン（パターン図形）、
Pph……P1の辺を図形が大きくなる方向に距離L2だけ移
動させた新たなパターン（パターン図形）、Peb……P0
からP1又はP2を減算した新たなパターン（パターン図
形）。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−54817（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−197333（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−224321（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−111325（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−208720（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−167018（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−84518（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−298019（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−210814（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−138723（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−85632（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (1)
- 【請求項１】集積回路のマスクパターンを設計する工程
あるいは設計されたマスクパターンを電子ビーム描画用
のデータに変換する工程における図形パターン発生方法
において、設計パターン図形P0に対し、その全輪郭辺を
図形が小さくなる方向に距離L1だけ移動させ、新たなパ
ターン図形P1を得る第一の過程と、該第一の過程で得ら
れたパターン図形P1の辺を図形が大きくなる方向に距離
L2だけ移動させ、新たなパターン図形Pphを得る第二の
過程と、前記設計パターン図形P0から得られたパターン
図形P1を減算して新たなパターン図形Pebを得る第三の
過程とを有することを特徴とする図形パターン発生方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13106990A JP2854674B2 (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 図形パターン発生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13106990A JP2854674B2 (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 図形パターン発生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0426109A JPH0426109A (ja) | 1992-01-29 |
| JP2854674B2 true JP2854674B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=15049274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13106990A Expired - Fee Related JP2854674B2 (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | 図形パターン発生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2854674B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010129900A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 描画データ作成プログラム、描画データ作成方法、描画データ作成装置、描画システム |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3185754B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2001-07-11 | 日本電気株式会社 | 露光原版の作製方法 |
| JP4308467B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2009-08-05 | 新光電気工業株式会社 | 露光方法及び露光装置 |
| JP4378648B2 (ja) | 2006-10-06 | 2009-12-09 | エルピーダメモリ株式会社 | 照射パターンデータ作成方法、マスク製造方法、及び描画システム |
| JP5126484B2 (ja) * | 2007-05-28 | 2013-01-23 | 大日本印刷株式会社 | 描画データの作成方法 |
| JP5200602B2 (ja) | 2008-03-18 | 2013-06-05 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 露光用データ作成方法及びフォトマスク製造方法 |
| JP5556473B2 (ja) * | 2010-07-23 | 2014-07-23 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 露光データの作成方法、露光データ作成装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-05-21 JP JP13106990A patent/JP2854674B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010129900A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 描画データ作成プログラム、描画データ作成方法、描画データ作成装置、描画システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0426109A (ja) | 1992-01-29 |
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