JP3146996B2 - マスクパターンの加工処理方法及び電子線露光装置用マスク - Google Patents
マスクパターンの加工処理方法及び電子線露光装置用マスクInfo
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- mask
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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- H01J2237/045—Diaphragms
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- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31793—Problems associated with lithography
- H01J2237/31794—Problems associated with lithography affecting masks
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、マスクパターンデータ
の加工処理方法、電子線露光用マスク及び電子線の露光
方法に関するものである。
の加工処理方法、電子線露光用マスク及び電子線の露光
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体の製造には高いスループッ
トが要求されており、これは微細パターンを半導体ウェ
ハ上に形成するリソグラフィにおいても例外ではない。
このため、紫外光を用いる光リソグラフィやＸ線を用い
るＸ線リソグラフィばかりでなく、電子線を用いる電子
線リソグラフィにおいても、予め所望パターンが形成さ
れた光やＸ線用のマスクやレチクルと同等である電子線
用露光マスクを使用する転写法が用いられている。この
転写法は、部分一括電子線露光方法と呼ばれており、電
子線露光マスクを用いて繰り返しパターンを順次露光す
る方法である。この際、繰り返し露光できないパターン
については、従来の可変成形電子線を用いて電子線露光
を実施する。
トが要求されており、これは微細パターンを半導体ウェ
ハ上に形成するリソグラフィにおいても例外ではない。
このため、紫外光を用いる光リソグラフィやＸ線を用い
るＸ線リソグラフィばかりでなく、電子線を用いる電子
線リソグラフィにおいても、予め所望パターンが形成さ
れた光やＸ線用のマスクやレチクルと同等である電子線
用露光マスクを使用する転写法が用いられている。この
転写法は、部分一括電子線露光方法と呼ばれており、電
子線露光マスクを用いて繰り返しパターンを順次露光す
る方法である。この際、繰り返し露光できないパターン
については、従来の可変成形電子線を用いて電子線露光
を実施する。
【０００３】従来、この部分一括電子線露光用マスクの
開口部は、部分一括電子線露光が可能である最大照射領
域（サイズ）に最も近い大きさ（同一でも良い）を持っ
た繰り返しパターンを用いて作製される。この繰り返し
露光される部分一括電子線露光用マスクパターンを所望
パターンデータ（設計データ）から抽出（切り出し）す
る方法の例が、特開平５−３４３３０４号公報に開示さ
れている。この方法では、部分一括露光を行うマスクパ
ターン毎に並列処理し、効率よく抽出を行う方法である
ため、機械的に最大の部分一括電子線照射領域に最も近
い大きさで繰り返しのパターンの切り出しが行われる。
開口部は、部分一括電子線露光が可能である最大照射領
域（サイズ）に最も近い大きさ（同一でも良い）を持っ
た繰り返しパターンを用いて作製される。この繰り返し
露光される部分一括電子線露光用マスクパターンを所望
パターンデータ（設計データ）から抽出（切り出し）す
る方法の例が、特開平５−３４３３０４号公報に開示さ
れている。この方法では、部分一括露光を行うマスクパ
ターン毎に並列処理し、効率よく抽出を行う方法である
ため、機械的に最大の部分一括電子線照射領域に最も近
い大きさで繰り返しのパターンの切り出しが行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た部分一括露光用マスクパターン抽出方法の場合、最大
照射領域に最も近いサイズで繰り返しパターンを切り出
すため、ＤＲＡＭメモリのゲート，ビット線等に適用し
た場合、所望パターンのサイズが最大照射領域以下であ
っても、部分一括電子線照射領域の境界に跨っているパ
ターンに対して、分割処理が行われる。
た部分一括露光用マスクパターン抽出方法の場合、最大
照射領域に最も近いサイズで繰り返しパターンを切り出
すため、ＤＲＡＭメモリのゲート，ビット線等に適用し
た場合、所望パターンのサイズが最大照射領域以下であ
っても、部分一括電子線照射領域の境界に跨っているパ
ターンに対して、分割処理が行われる。
【０００５】例えば、図４（ａ）に示すように、ＤＲＡ
Ｍメモリのゲートパターン１の場合、電子線の最大照射
サイズ２に最も近い大きさでメモリセル領域内の繰り返
しパターンを抽出するため、同一線幅の一つのパターン
を境界上で分割し、電子線露光用マスクパターン群１０
が抽出される。
Ｍメモリのゲートパターン１の場合、電子線の最大照射
サイズ２に最も近い大きさでメモリセル領域内の繰り返
しパターンを抽出するため、同一線幅の一つのパターン
を境界上で分割し、電子線露光用マスクパターン群１０
が抽出される。
【０００６】このマスクパターンを用いて、部分一括電
子線露光用マスクが作製され、電子線露光を実施した場
合、図４（ｂ）に示すように、部分一括電子線照射毎の
照射（ショット）接続が同一線幅のパターン間で生じ
る。この際生じる部分一括ショット１１間の接続（位
置）誤差１２が生じるため、転写したレジストパターン
の寸法精度の劣化を招く原因となる。また、部分一括照
射間で接続される繰り返しパターンの整合性も考慮する
必要があるため、複雑な処理がマスクパターン抽出に必
要となる。
子線露光用マスクが作製され、電子線露光を実施した場
合、図４（ｂ）に示すように、部分一括電子線照射毎の
照射（ショット）接続が同一線幅のパターン間で生じ
る。この際生じる部分一括ショット１１間の接続（位
置）誤差１２が生じるため、転写したレジストパターン
の寸法精度の劣化を招く原因となる。また、部分一括照
射間で接続される繰り返しパターンの整合性も考慮する
必要があるため、複雑な処理がマスクパターン抽出に必
要となる。
【０００７】近年、デバイスの高集積化，微細化に伴
い、設計に対して±１０％である０．０２μｍ以下の寸
法精度が要求されているため、この寸法精度を劣化させ
る要因となるショット接続を回避することが不可欠にな
っている。
い、設計に対して±１０％である０．０２μｍ以下の寸
法精度が要求されているため、この寸法精度を劣化させ
る要因となるショット接続を回避することが不可欠にな
っている。
【０００８】本発明の目的は、部分一括照射間に生じる
位置誤差をなくするマスクパターンデータの加工処理方
法、電子線露光用マスク及び電子線の露光方法を提供す
るものである。
位置誤差をなくするマスクパターンデータの加工処理方
法、電子線露光用マスク及び電子線の露光方法を提供す
るものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】 前記目的を達成するた
めに、本発明に係るマスクパターンデータの加工処理方
法は、２次元的な周期性を有するマスクパターンデータ
を単位マスクパターンデータに加工処理する方法であっ
て、マスクパターンデータを、分割線上の少なくとも１
部の線についてはパターンの線幅が変化する位置で、所
定のサイズの矩形で分割し、所定の１つの矩形に含まれ
る、複数の矩形パターンからなるパターン群を抽出する
第１のステップと、第１のステップで抽出されたパター
ン群の中で、パターン線幅が変化しない部分で分割され
た分割箇所と接している矩形パターンを特定する第２の
ステップと、パターン群の中に前記分割箇所と接してい
る矩形パターンがあるときには、前記分割箇所と接して
いる矩形パターンのうちの、前記分割箇所とパターンが
変化する位置との距離が短い方を削除する第３のステッ
プとを含んでいる。
めに、本発明に係るマスクパターンデータの加工処理方
法は、２次元的な周期性を有するマスクパターンデータ
を単位マスクパターンデータに加工処理する方法であっ
て、マスクパターンデータを、分割線上の少なくとも１
部の線についてはパターンの線幅が変化する位置で、所
定のサイズの矩形で分割し、所定の１つの矩形に含まれ
る、複数の矩形パターンからなるパターン群を抽出する
第１のステップと、第１のステップで抽出されたパター
ン群の中で、パターン線幅が変化しない部分で分割され
た分割箇所と接している矩形パターンを特定する第２の
ステップと、パターン群の中に前記分割箇所と接してい
る矩形パターンがあるときには、前記分割箇所と接して
いる矩形パターンのうちの、前記分割箇所とパターンが
変化する位置との距離が短い方を削除する第３のステッ
プとを含んでいる。
【００１０】 また、前記加工処理した単位マスクパタ
ーンデータを用いて、部分一括電子線露光用マスクを作
成する。
ーンデータを用いて、部分一括電子線露光用マスクを作
成する。
【００１１】 また、前記部分一括電子線露光用マスク
を用いて、直接描画を行う。
を用いて、直接描画を行う。
【００１２】
【作用】本発明によれば、部分一括電子線描画（ショッ
ト）境界で同一線幅によるパターン接続がない繰り返し
パターンを設計パターンデータから抽出し、これを部分
一括電子線露光用マスクデータとして一括電子線露光用
マスクを作製する。このため、同一線幅のパターン内に
部分一括照射間の接続のない所望レジストパターンを得
ることができる。
ト）境界で同一線幅によるパターン接続がない繰り返し
パターンを設計パターンデータから抽出し、これを部分
一括電子線露光用マスクデータとして一括電子線露光用
マスクを作製する。このため、同一線幅のパターン内に
部分一括照射間の接続のない所望レジストパターンを得
ることができる。
【００１３】その結果、部分一括照射（ショット）間で
生じる同一線幅間の接続誤差（現状、０．０２〜０．０
３μｍ）を削除でき、露光したレジストパターンの寸法
精度向上が図れる。また、同一線幅のパターン接続がな
いため、部分一括照射間で繰り返されるパターン接続の
整合性を考慮する必要がなく、簡易に設計データから抽
出可能となる。
生じる同一線幅間の接続誤差（現状、０．０２〜０．０
３μｍ）を削除でき、露光したレジストパターンの寸法
精度向上が図れる。また、同一線幅のパターン接続がな
いため、部分一括照射間で繰り返されるパターン接続の
整合性を考慮する必要がなく、簡易に設計データから抽
出可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。
より説明する。
【００１５】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１を示す図である。図１に一例として、ＤＲＡＭメモリ
のゲートパターンにおける部分一括電子線露光用マスク
を抽出するためのフローチャートを示す。
１を示す図である。図１に一例として、ＤＲＡＭメモリ
のゲートパターンにおける部分一括電子線露光用マスク
を抽出するためのフローチャートを示す。
【００１６】図において本発明に係る電子線の露光方法
は、少なくともマスクデータ抽出処理を行なう電子線の
露光方法であって、部分一括電子線描画（ショット）境
界で同一線幅によるパターン接続がない繰り返しパター
ンを設計パターンデータから抽出する処理を行なうもの
である。
は、少なくともマスクデータ抽出処理を行なう電子線の
露光方法であって、部分一括電子線描画（ショット）境
界で同一線幅によるパターン接続がない繰り返しパター
ンを設計パターンデータから抽出する処理を行なうもの
である。
【００１７】具体的に説明すると、図１（ａ）のように
ゲートパターン１がメモリセル領域にＸ、及びＹ軸方向
に繰り返し配置されている場合、ステップ１として、部
分一括描画が可能な最大照射サイズ２の大きさを用い
て、メモリセル領域の最も左下に配置されたパターンか
ら機械的にパターン群を分割し、抽出する。
ゲートパターン１がメモリセル領域にＸ、及びＹ軸方向
に繰り返し配置されている場合、ステップ１として、部
分一括描画が可能な最大照射サイズ２の大きさを用い
て、メモリセル領域の最も左下に配置されたパターンか
ら機械的にパターン群を分割し、抽出する。
【００１８】次に図１（ｂ）に示すようにステップ２に
おいて、抽出されたパターン群の中に同一線幅で分割さ
れたパターンが存在するかをチェックし、分割されたパ
ターン９がある場合、ステップ３において、分割された
パターン９を抽出されたパターン群１０から削除し、そ
のデータパターンを部分一括電子線露光用マスクパター
ンＭとする。
おいて、抽出されたパターン群の中に同一線幅で分割さ
れたパターンが存在するかをチェックし、分割されたパ
ターン９がある場合、ステップ３において、分割された
パターン９を抽出されたパターン群１０から削除し、そ
のデータパターンを部分一括電子線露光用マスクパター
ンＭとする。
【００１９】また、分割されたパターン９がない場合、
そのままマスクパターンＭとして抽出する。この抽出方
法により、部分一括照射間に同一線幅の接続のないマス
クパターンを得ることができる。
そのままマスクパターンＭとして抽出する。この抽出方
法により、部分一括照射間に同一線幅の接続のないマス
クパターンを得ることができる。
【００２０】（実施形態２）図２は、前記抽出したマス
クパターンＭのデータを用いて、部分一括電子線露光用
マスクを作製する方法を製造工程順に示す断面図であ
る。図１に基いて説明したように設計データから抽出し
た部分一括照射間に同一線幅のないマスクパターンＭを
用い、図２（ａ）に示すように、Ｓｉ基板３の表面にマ
スクパターンＭをパターニングし、エッチング用のマス
ク４を形成し、次に図２（ｂ）に示すように基板３をエ
ッチングし、所望パターン開口部を作製する。
クパターンＭのデータを用いて、部分一括電子線露光用
マスクを作製する方法を製造工程順に示す断面図であ
る。図１に基いて説明したように設計データから抽出し
た部分一括照射間に同一線幅のないマスクパターンＭを
用い、図２（ａ）に示すように、Ｓｉ基板３の表面にマ
スクパターンＭをパターニングし、エッチング用のマス
ク４を形成し、次に図２（ｂ）に示すように基板３をエ
ッチングし、所望パターン開口部を作製する。
【００２１】その後、図２（ｃ）に示すように、裏面エ
ッチング用のパターニングをし、裏面エッチング用マス
ク５を形成し、この裏面エッチング用マスク５を用いて
図２（ｄ）に示すように、ＫＯＨ溶液を用いて基板裏面
エッチングを行う。
ッチング用のパターニングをし、裏面エッチング用マス
ク５を形成し、この裏面エッチング用マスク５を用いて
図２（ｄ）に示すように、ＫＯＨ溶液を用いて基板裏面
エッチングを行う。
【００２２】そして、最後に図２（ｅ）に示すように、
Ａｕ，Ｗ，Ｔｉ等の導電層６を基板表面に成膜する。ま
た、基板裏面のエッチングを最初に行い、表面のパター
ニング，基板エッチングを行っても良い。
Ａｕ，Ｗ，Ｔｉ等の導電層６を基板表面に成膜する。ま
た、基板裏面のエッチングを最初に行い、表面のパター
ニング，基板エッチングを行っても良い。
【００２３】（実施形態３）図３は、抽出したマスクデ
ータＭを用いて作製した部分一括電子線露光用マスク５
を用いて直接描画を行う電子線の露光方法を説明する図
である。図３（ａ）は、図２に示す部分一括照射間に接
続のないマスクパターンＭを用いて作製した部分一括電
子線露光用マスク５により、ゲートパターン１を部分一
括電子線露光した場合を示す。図３（ｂ）に示すよう
に、部分一括照射は、部分一括電子線露光用マスク５を
用い、Ｘ軸方向においては描画ピッチ７、Ｙ軸方向にお
いては描画ピッチ８で繰り返し行われる。この際、Ｘ軸
方向，Ｙ軸方向共に描画ピッチ７，８は部分一括電子線
露光用マスク５の最大照射サイズ２以下になる。
ータＭを用いて作製した部分一括電子線露光用マスク５
を用いて直接描画を行う電子線の露光方法を説明する図
である。図３（ａ）は、図２に示す部分一括照射間に接
続のないマスクパターンＭを用いて作製した部分一括電
子線露光用マスク５により、ゲートパターン１を部分一
括電子線露光した場合を示す。図３（ｂ）に示すよう
に、部分一括照射は、部分一括電子線露光用マスク５を
用い、Ｘ軸方向においては描画ピッチ７、Ｙ軸方向にお
いては描画ピッチ８で繰り返し行われる。この際、Ｘ軸
方向，Ｙ軸方向共に描画ピッチ７，８は部分一括電子線
露光用マスク５の最大照射サイズ２以下になる。
【００２４】また、マスクパターンを抽出する際に削除
されたメモリセル領域端部のゲートパターン９は、可変
成形電子線を用い露光される。なお、実施形態では、部
分一括電子線露光用マスク５を用いて部分一括電子線露
光する素子領域パターンをゲートパターンとして説明し
たが、部分一括電子線露光する素子領域パターンは、ゲ
ートパターンに限られるものではなく、これ以外のパタ
ーンを部分一括電子線露光することについても、同様に
適用することができる。
されたメモリセル領域端部のゲートパターン９は、可変
成形電子線を用い露光される。なお、実施形態では、部
分一括電子線露光用マスク５を用いて部分一括電子線露
光する素子領域パターンをゲートパターンとして説明し
たが、部分一括電子線露光する素子領域パターンは、ゲ
ートパターンに限られるものではなく、これ以外のパタ
ーンを部分一括電子線露光することについても、同様に
適用することができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、部
分一括照射間に同一線幅のパターン接続が生じないよう
に、予め、設計パターンデータから繰り返しパターン群
を抽出し、これを用いて部分一括電子線露光用マスクを
作製することにより、接続のない所望レジストパターン
を得ることができる。
分一括照射間に同一線幅のパターン接続が生じないよう
に、予め、設計パターンデータから繰り返しパターン群
を抽出し、これを用いて部分一括電子線露光用マスクを
作製することにより、接続のない所望レジストパターン
を得ることができる。
【００２６】その結果、部分一括照射（ショット）間で
生じる接続誤差（現状、０．０２〜０．０３μｍ）を削
除でき、露光したレジストパターンの寸法精度向上を図
ることができる。
生じる接続誤差（現状、０．０２〜０．０３μｍ）を削
除でき、露光したレジストパターンの寸法精度向上を図
ることができる。
【００２７】また、同一線幅間のパターン接続がないた
め、部分一括照射間で繰り返されるパターン接続の整合
性を考慮する必要がなく、簡易に設計データから繰り返
しパターン群を抽出することができる。
め、部分一括照射間で繰り返されるパターン接続の整合
性を考慮する必要がなく、簡易に設計データから繰り返
しパターン群を抽出することができる。
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態に係る電子線の露
光方法において、ＤＲＡＭメモリのゲートパターンにお
ける部分一括電子線露光用マスクを抽出する状態を説明
する図、（ｂ）は、ＤＲＡＭメモリのゲートパターンに
おける部分一括電子線露光用マスクを抽出する工程を説
明するフローチャートである。
光方法において、ＤＲＡＭメモリのゲートパターンにお
ける部分一括電子線露光用マスクを抽出する状態を説明
する図、（ｂ）は、ＤＲＡＭメモリのゲートパターンに
おける部分一括電子線露光用マスクを抽出する工程を説
明するフローチャートである。
【図２】本発明の実施形態に係る電子線の露光方法にお
いて、抽出したマスクパターンＭのデータを用いて、部
分一括電子線露光用マスクを作製する方法を製造工程順
に示す断面図である。
いて、抽出したマスクパターンＭのデータを用いて、部
分一括電子線露光用マスクを作製する方法を製造工程順
に示す断面図である。
【図３】（ａ）は、本発明の実施形態に係る電子線の露
光方法において、抽出したマスクデータを用いて作製し
た部分一括電子線露光用マスクを用いて直接描画を行う
状態を説明する図、（ｂ）は、部分一括電子線露光用マ
スクにより、ゲートパターンを部分一括電子線露光する
場合を説明する図である。
光方法において、抽出したマスクデータを用いて作製し
た部分一括電子線露光用マスクを用いて直接描画を行う
状態を説明する図、（ｂ）は、部分一括電子線露光用マ
スクにより、ゲートパターンを部分一括電子線露光する
場合を説明する図である。
【図４】従来例を説明する図である。
１ ゲートパターン ２ 部分一括の最大照射サイズ ３ Ｓｉ基板 ４ パターンエッチング用のマスク ５ 裏面エッチング用マスク ６ 導電層 ７ Ｘ軸方向描画ピッチ ８ Ｙ軸方向描画ピッチ ９ 可変成形電子線描画されるゲートパターン １０ 電子線露光用マスクパターン群 １１ 部分一括照射（ショット） １２ 位置誤差（接続誤差）
Claims (5)
- 【請求項１】 ２次元的な周期性を有するマスクパター
ンデータを単位マスクパターンデータに加工処理する方
法であって、 前記マスクパターンデータを、分割線上の少なくとも１
部の線についてはパターンの線幅が変化する位置で、所
定のサイズの矩形で分割し、所定の１つの前記矩形に含
まれる、複数の矩形パターンからなるパターン群を抽出
する第１のステップと、 前記第１のステップで抽出された前記パターン群の中
で、パターン線幅が変化しない部分で分割された分割箇
所と接している矩形パターンを特定する第２のステップ
と、 前記パターン群の中に、前記分割箇所と接している矩形
パターンがあるときには、前記分割箇所と接している矩
形パターンのうちの、前記分割箇所とパターンが変化す
る位置との距離が短い方を削除する第３のステップと、 を含むことを特徴とするマスクパターンデータの加工処
理方法。 - 【請求項２】 前記第３のステップは、前記パターン群
の中に、前記分割箇所を含む矩形パターンがないときに
は、何もしないことを特徴とする請求項１に記載のマス
クパターンデータの加工処理方法。 - 【請求項３】 前記所定のサイズが、部分一括描画可能
な最大照射サイズであることを特徴とする請求項１乃至
２のいずれかに記載のマスクパターンデータの加工処理
方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかの方法で加工
処理された単位マスクパターンデータを用いて作成され
た電子線露光装置用マスク。 - 【請求項５】 請求項４の電子線露光装置用マスクを用
いて、前記所定のサイズより小さい描画ピッチで直接描
画を行うことを特徴とする電子線の露光方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23900596A JP3146996B2 (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | マスクパターンの加工処理方法及び電子線露光装置用マスク |
| US08/924,535 US6007949A (en) | 1996-09-10 | 1997-09-05 | Method of extracting a mask pattern for an electron beam exposure |
| KR1019970046579A KR100282992B1 (ko) | 1996-09-10 | 1997-09-10 | 전자빔 노출을 위해서 마스크 패턴을 추출하는 방법 |
| US09/291,979 US6010827A (en) | 1996-09-10 | 1999-04-15 | Electron beam exposure utilizing pre-processed mask pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23900596A JP3146996B2 (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | マスクパターンの加工処理方法及び電子線露光装置用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1092708A JPH1092708A (ja) | 1998-04-10 |
| JP3146996B2 true JP3146996B2 (ja) | 2001-03-19 |
Family
ID=17038486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23900596A Expired - Fee Related JP3146996B2 (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | マスクパターンの加工処理方法及び電子線露光装置用マスク |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6007949A (ja) |
| JP (1) | JP3146996B2 (ja) |
| KR (1) | KR100282992B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100388754C (zh) * | 1999-12-20 | 2008-05-14 | 宾杰威布股份株式会社 | 图象数据的压缩和恢复方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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