CN111826637B - 气体输送系统、半导体设备和气体输送方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种气体输送系统和半导体设备,可以利用第一回收管路和回收装置,使通入进气管路中的、流量不稳定的工艺气体进入回收装置,以使回收装置溶解或吸附工艺气体中的前驱物。本发明还提供一种气体输送方法,先使工艺气体经第一回收管路进入回收装置,以使回收装置溶解或吸附前驱物;当工艺气体的流量达到预设值且保持在该预设值不变时,再使工艺气体经进气管路进入反应腔室,以向反应腔室内通入流量稳定的工艺气体并进行工艺。从而,采用溶解或吸附的回收方式,可以回收多种前驱物,上述气体输送系统、半导体设备和气体输送方法可以在保证进行工艺时工艺气体流量稳定的前提下,将在工艺前浪费的前驱物进行回收,以避免前驱物的浪费,提高前驱物的利用率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,具体地,涉及气体输送系统、半导体设备和气体输送方法。
背景技术
目前,由于在台阶覆盖率(Step Coverage)等方面更具优势,化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)和原子层沉积法(Atomic Layer Deposition,ALD)等成膜工艺越来越多地进入了半导体制造领域中。而CVD和ALD等成膜工艺需要使用前驱物参与反应。
如图1所示:源瓶102内盛放有前驱物,在进行成膜工艺之前,需要将携带有前驱物的工艺气体通入反应腔室101。因为工艺气体的流量需要从0逐步增加到目标流量,在此过程中,自源瓶102输出至真空管路201内的工艺气体流量并不稳定,需要关闭真空阀301并打开真空阀302,使工艺气体经真空管路202直接进入真空泵104。当通过流量计103检测到的工艺气体流量逐步增加到目标流量并保持在该目标流量不变之后,再打开真空阀301并关闭真空阀302,使流量稳定的工艺气体经真空管路201进入反应腔室101,进行成膜工艺。
可见,现有技术将成膜工艺之前,流量尚未稳定的工艺气体通过真空泵直接排走,这造成了前驱物的浪费,增加了源瓶更换频率。既缩短了设备维护周期,又增加了设备运营成本。因此,在保证进行成膜工艺时工艺气体流量稳定的前提下,如何避免前驱物的浪费,就成了本领域技术人员急需解决的技术问题。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种气体输送系统、半导体设备和气体输送方法,在保证进行半导体工艺时工艺气体流量稳定的前提下,避免前驱物的浪费。
为实现本发明的目的而提供一种气体输送系统,包括进气管路和源瓶,所述源瓶内盛放有前驱物,所述进气管路用于将自所述源瓶输出的包含所述前驱物的工艺气体输送至反应腔室中,且在所述进气管路上设置有第一通断阀,其特征在于:所述气体输送系统还包括第一回收管路和回收装置,其中,所述第一回收管路分别与所述进气管路和所述回收装置相连,用于将所述进气管路中的工艺气体输送至所述回收装置;所述第一回收管路上设置有第二通断阀;所述回收装置用于采用溶解或吸附的方式收集所述前驱物。
优选的,所述气体输送系统还包括第一排气管路和排气装置,其中,所述第一排气管路分别与所述回收装置和所述排气装置相连,用于将所述回收装置中未被收集的工艺气体输送至所述排气装置;所述第一排气管路上设有第三通断阀。
优选的,所述气体输送系统还包括第二回收管路和处理装置,其中,所述处理装置用于对所述回收装置收集的前驱物进行处理,以使所述回收装置输出所述前驱物;所述第二回收管路分别与所述回收装置和所述源瓶相连,用于将所述回收装置输出的前驱物输送至所述源瓶;所述第二回收管路上设有第四通断阀。
优选的,所述回收装置包括液体容器,所述液体容器内盛放有用于溶解所述前驱物的溶剂。
优选的,所述处理装置包括加热器、干燥器、浓度检测器和第五通断阀,其中,所述加热器用于对所述回收装置进行加热,以使所述溶剂挥发形成包含所述前驱物的蒸汽;所述干燥器、浓度检测器和第五通断阀沿气体流向依次设置在所述第二回收管路上,且位于所述第四通断阀的下游;所述干燥器用于对所述第二回收管路中的所述蒸汽进行干燥,以形成气态前驱物;所述浓度检测器用于检测所述第二回收管路中的所述气态前驱物的浓度。
优选的,所述回收装置包括固体容器,所述固体容器内盛放有用于吸附所述前驱物的吸附剂。
优选的,所述气体输送系统还包括第二排气管路,所述第二排气管路的进气端与所述第一回收管路的进气端相连,且位于所述第二通断阀的上游;所述第二排气管路的出气端与所述排气装置相连,且所述第二排气管路上设有第六通断阀。
为实现本发明的目的而提供一种半导体设备,包括反应腔室和用于向所述反应腔室内输送工艺气体的气体输送系统,所述气体输送系统如上述任一项所述。
为实现本发明的目的而提供一种气体输送方法,采用上述任一项所述的气体输送系统向反应腔室内输送工艺气体,所述气体输送方法包括以下步骤:S1:向所述进气管路中输送包含所述前驱物的工艺气体,同时关闭所述第一通断阀,开启所述第二通断阀,使所述工艺气体经所述第一回收管路进入所述回收装置,所述回收装置采用溶解或吸附的方式收集所述前驱物;S2:当所述进气管路中的所述工艺气体的流量达到预设值且保持在所述预设值不变时,关闭所述第二通断阀,开启所述第一通断阀,使所述工艺气体经所述进气管路进入所述反应腔室。
优选的,所述气体输送系统还包括第一排气管路和排气装置,其中,所述第一排气管路分别与所述回收装置和所述排气装置相连,用于将所述回收装置中未被收集的工艺气体输送至所述排气装置;所述第一排气管路上设有第三通断阀;所述气体输送方法还包括:在进行所述步骤S1的同时,开启所述第三通断阀,使未被所述回收装置收集的所述工艺气体经所述第一排气管路进入所述排气装置。
优选的,所述气体输送系统还包括第二回收管路和处理装置,其中,所述处理装置用于对所述回收装置收集的前驱物进行处理,以使所述回收装置输出所述前驱物;所述第二回收管路分别与所述回收装置和所述源瓶相连,用于将所述回收装置输出的前驱物输送至所述源瓶;所述第二回收管路上设有第四通断阀;所述气体输送方法在所述步骤S2之后还包括:S3:关闭所述第一通断阀、所述第二通断阀,开启所述第四通断阀,利用所述第二回收管路,使所述回收装置输出的所述前驱物进入所述源瓶。
优选的,所述回收装置包括液体容器,所述液体容器内盛放有用于溶解所述前驱物的溶剂;所述处理装置包括加热器、干燥器、浓度检测器和第五通断阀,其中,所述加热器用于对所述回收装置进行加热,以使所述溶剂挥发形成包含所述前驱物的蒸汽;所述干燥器、浓度检测器和第五通断阀沿气体流向依次设置在所述第二回收管路上,且位于所述第四通断阀的下游;所述干燥器用于对所述第二回收管路中的所述蒸汽进行干燥,以形成气态前驱物;所述浓度检测器用于检测所述第二回收管路中的所述气态前驱物的浓度;所述步骤S3具体包括:S31:关闭所述第五通断阀,利用所述加热器对所述回收装置进行加热,以使所述溶剂挥发形成的包含所述前驱物的蒸汽进入所述第二回收管路;S32:利用所述浓度检测器检测所述第二回收管路中的所述气态前驱物的浓度,当所述浓度大于第一阈值且小于第二阈值时,进行步骤S33,否则,进行步骤S34;S33:开启所述第五通断阀,利用所述第二回收管路,使所述回收装置输出的所述前驱物进入所述源瓶;S34:关闭所述第四通断阀,并拆下所述回收装置。
优选的,所述气体输送系统还包括第二排气管路,所述第二排气管路的进气端与所述第一回收管路的进气端相连,且位于所述第二通断阀的上游;所述第二排气管路的出气端与所述排气装置相连,且所述第二排气管路上设有第六通断阀;所述气体输送方法在所述步骤S34之后还包括:S4:向所述进气管路中输送包含所述前驱物的工艺气体,同时关闭所述第一通断阀、第二通断阀和第三通断阀,开启所述第六通断阀,使所述工艺气体经所述第二排气管路进入所述排气装置;S5:当所述进气管路中的所述工艺气体流量达到所述预设值并保持在所述预设值不变时,关闭所述第六通断阀,开启所述第一通断阀,使所述工艺气体经所述进气管路进入所述反应腔室。
本发明具有以下有益效果:
本发明提供的一种气体输送系统和半导体设备,可以利用第一回收管路和回收装置,收集进气管路中的、流量不稳定的工艺气体,以使回收装置溶解或吸附工艺气体中的前驱物。采用溶解或吸附的回收方式,可以回收多种前驱物。从而,在保证进行工艺时工艺气体流量稳定的前提下,将在工艺前浪费的前驱物进行回收,以避免前驱物的浪费,提高前驱物的利用率。
本发明提供的一种气体输送方法,先使工艺气体经第一回收管路进入回收装置,以使回收装置溶解或吸附前驱物;当工艺气体的流量达到预设值且保持在该预设值不变时,再使工艺气体经进气管路进入反应腔室,以向反应腔室内通入流量稳定的工艺气体并进行工艺。采用溶解或吸附的回收方式,可以回收多种前驱物。从而,在保证进行工艺时工艺气体流量稳定的前提下,将在工艺前浪费的前驱物进行回收,以避免前驱物的浪费,提高前驱物的利用率。
附图说明
图1为现有技术中气体输送系统及成膜设备的结构示意图;
图2为本发明气体输送系统及半导体设备的结构示意图;
图3为本发明气体输送系统的局部结构示意图;
图4为本发明气体输送方法的流程图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图来对本发明提供的气体输送系统、半导体设备和气体输送方法进行详细描述。
请参见图2,本发明提供的一种气体输送系统,包括进气管路201和源瓶102。其中,源瓶102内盛放有前驱物,进气管路201的进气端和出气端分别与源瓶102的出气端和反应腔室101相连,用于将自源瓶102输出的包含前驱物的工艺气体输送至反应腔室101中,且在进气管路201上设置有第一通断阀301。该气体输送系统设备还包括第一回收管路202和回收装置105。其中,第一回收管路202的进气端和出气端分别与第一进气管路201的进气端和回收装置105的进气端相连,用于将进气管路201中的工艺气体输送至回收装置105;第一回收管路202上还设有第二通断阀302;且回收装置105用于采用溶解或吸附的方式收集前驱物。
与现有技术相比,上述气体输送系统可以利用第一回收管路和回收装置,使通入进气管路中的、流量不稳定的工艺气体进入回收装置,以使回收装置溶解或吸附工艺气体中的前驱物,采用溶解或吸附的回收方式,可以回收多种前驱物,特别是某些对液化或者凝固点不太敏感的前驱物,本发明尤为适用。从而,在保证进行工艺时工艺气体流量稳定的前提下,将在工艺前浪费的前驱物进行回收,以避免前驱物的浪费,提高前驱物的利用率。被回收装置溶解或吸附的前驱物,可以用作其他工艺,也可以经集中处理后另做他用。
可以理解的是,可以利用设置在进气管路201上的流量检测装置103,检测并判断工艺气体的流量是否已经达到并稳定在预设值;也可以根据经验,在控制软件中直接设定回收时间,默认在该回收时间内,进气管路中的工艺气体流量尚未稳定。
优选的,上述气体输送系统还包括第一排气管路203和排气装置104,其中,第一排气管路203的进气端和出气端分别与回收装置105的出气端和排气装置104相连,用于将回收装置105中未被收集的工艺气体输送至排气装置104;第一排气管路203还上设有第三通断阀303。
与现有技术相比,上述气体输送系统可以利用第一排气管路和排气装置,使未被回收装置收集的工艺气体经第一排气管路进入排气装置,以对其进行相关尾气处理操作,避免环境污染。其中,未被收集的工艺气体可以是用于携带前驱物的载气,也可以是回收装置不能溶解或吸附的其他物质。
优选的,上述气体输送系统还包括第二回收管路204和处理装置。其中,处理装置用于对回收装置收集的前驱物进行处理,可以通过加热回收装置105产生气态前驱物,或向回收装置105内通入载气携带前驱物的方式,使回收装置输出前驱物;第二回收管路204的进气端和出气端分别与回收装置105的出气端和源瓶102的进气端相连,用于将回收装置105输出的前驱物输送至源瓶102,继续用于该工艺;第二回收管路204上还设有第四通断阀304。
与现有技术相比,上述气体输送系统既可以避免前驱物的浪费,提高前驱物的利用率,又可以降低源瓶更换频率,增长系统维护周期,减少系统运营成本。作为反应气体。
优选的,上述气体输送系统既可以通过溶剂溶解的方式回收前驱物,也可以通过物理吸附的方式回收前驱物。即,回收装置可以包括液体容器,其内盛放有用于溶解前驱物的溶剂,例如可以利用水溶解甲醇气体;回收装置也可以包括固体容器,其内盛放有用于吸附前驱物的吸附剂,例如可以利用活性炭纤维吸附醇类、四氯化碳、三氯甲烷等气体。上述回收装置结构设计简单,可以减少系统成本。并且,采用溶解或吸附的回收方式,可以回收多种前驱物,特别是某些对液化或者凝固点不太敏感定的前驱物,本发明尤为适用。例如甲醇(CH3OH)、氟化氢(HF)、氨气(NH3)等。
优选的,请参见图3,当回收装置通过溶剂溶解的方式回收前驱物时,上述处理装置可以包括用于对回收装置105进行加热的加热器106,和沿气体流向依次设置在第二回收管路204上,且位于第四通断阀304下游的干燥器107、浓度检测器108和第五通断阀305。
上述处理装置借助加热器106,上述气体输送系统可以对回收装置105进行加热,以使溶解有前驱物的溶剂挥发形成包含前驱物的蒸汽,并进入第二回收管路204;借助干燥器107,可以对第二回收管路204中的蒸汽进行干燥,以形成气态前驱物;借助浓度检测器108,可以检测第二回收管路中204中的气态前驱物的浓度。从而,上述气体输送系统可以在气态前驱物的浓度满足工艺使用要求,且回收装置内的溶剂也没有饱和,可以继续溶解前驱物时,使前驱物进入源瓶102。也可以在气态前驱物的浓度不满足工艺使用要求,或者回收装置内的溶液已经饱和,无法再继续溶解前驱物时,拆下回收装置105,用作其他工艺,或经集中处理后另做他用。
优选的,上述气体输送系统还包括第二排气管路205,第二排气管路205的进气端与第一回收管路202的进气端相连,且位于第二通断阀302的上游;第二排气管路205的出气端与排气装置104相连,且第二排气管路205上设有第六通断阀306。从而,该气体输送系统可以选择性的使通入进气管路中的、流量不稳定的工艺气体进入回收装置,或者使其进入排气装置,即利用第二排气管路205和排气装置104,使通入进气管路201中的、流量不稳定的工艺气体直接进入排气装置104。
优选的,上述气体输送系统还包括第三排气管路206,第三排气管路206的进气端和出气端分别与反应腔室101和排气装置104相连;第三排气管路206上还设有第七通断阀307,且第七通断阀307位于第一排气管路203和第二排气管路205的出气端的上游。从而,该气体输送系统在关闭第七通断阀307时,可以避免有工艺气体倒灌进入反应腔室101,污染工艺环境;在开启第七通断阀307时,可以将工艺生成的副产物和废气排出反应腔室101。
本发明还提供一种半导体设备,包括反应腔室和上述任一项用于向反应腔室内输送工艺气体的气体输送系统。通过采用上述任一种气体输送系统,该半导体设备可以在保证进行工艺时工艺气体流量稳定的前提下,将在工艺前浪费的前驱物进行回收,以避免前驱物的浪费,提高前驱物的利用率。并且,该半导体设备结构简单,成本低,适用范围广,维护周期长,运营成本少。
相应的,请参见图4,本发明还提供一种气体输送方法,该气体输送方法采用上述任一种气体输送系统向反应腔室内输送工艺气体,具体包括以下步骤:
S1:向进气管路201中输送包含前驱物的工艺气体,同时关闭第一通断阀301,开启第二通断阀302,使自源瓶102输出的包含所述前驱物的工艺气体经第一回收管路202进入回收装置105,回收装置105采用溶解或吸附的方式收集前驱物;
S2:当进气管路201中的工艺气体的流量达到预设值且保持在该预设值不变时,关闭第二通断阀302和,开启第一通断阀301,使工艺气体经进气管路201进入反应腔室101。
与现有技术相比,上述气体输送方法,先使工艺气体经第一回收管路进入回收装置,以使回收装置溶解或吸附前驱物;当工艺气体的流量达到预设值且保持在该预设值不变时,再使工艺气体经进气管路进入反应腔室,以向反应腔室内通入流量稳定的工艺气体并进行工艺。采用溶解或吸附的回收方式,可以回收多种前驱物,特别是某些对液化或者凝固点不太敏感定的前驱物,本发明尤为适用。从而,在保证进行工艺时工艺气体流量稳定的前提下,将在工艺前浪费的前驱物进行回收,以避免前驱物的浪费,提高前驱物的利用率。
优选的,上述气体输送方法还包括:在进行步骤S1的同时,开启第三通断阀303,使未被回收装置105收集的工艺气体经第一排气管路203进入排气装置104。其中,未被收集的工艺气体可以是用于携带前驱物的载气,也可以是回收装置不能溶解或吸附的其他物质。与现有技术相比,上述气体输送方法可以使未被回收装置收集的工艺气体经第一排气管路进入排气装置,以对其进行相关尾气处理操作,避免环境污染。
优选的,上述气体输送方法在步骤S2,即工艺结束之后还包括:S3:关闭第一通断阀301、第二通断阀302,开启第四通断阀304,利用第二回收管路204,使回收装置105输出的前驱物进入源瓶102。与现有相比,上述气体输送方法,将被回收装置105溶解或吸附的前驱物返回源瓶,继续用于该工艺。从而既可以避免前驱物的浪费,提高前驱物的利用率,又可以降低源瓶更换频率,增长系统维护周期,减少系统运营成本。
优选的,上述气体输送方法的步骤S3具体包括:
S31:关闭第五通断阀305,并利用加热器106对回收装置105进行加热,以使回收装置105内的溶解有前驱物的溶剂挥发形成包含前驱物的蒸汽,并进入第二回收管路204,经过干燥器107后,蒸汽被干燥,以形成气态前驱物;
S32:利用浓度检测器108检测第二回收管路204中的气态前驱物的浓度是否大于第一阈值且小于第二阈值;其中,第一阈值为满足工艺使用要求的最小的气态前驱物浓度值,第二阈值为回收装置内的溶剂不可以再继续溶解前驱物的最大的气态前驱物浓度值;
如果气态前驱物的浓度大于第一阈值且小于第二阈值,即,气态前驱物的浓度既可以满足工艺使用要求,回收装置内的溶剂也没有饱和,还可以继续溶解前驱物,则进行步骤S33:开启第五通断阀305,利用第二回收管路204,使回收装置105输出的前驱物进入源瓶102。
如果气态前驱物的浓度小于第一阈值或者大于第二阈值,即,气态前驱物的浓度不满足工艺使用要求,或者回收装置内的溶剂已经饱和,无法再继续溶解前驱物,则进行步骤S34:关闭第四通断阀304,并拆下回收装置105,用作其他工艺,或经集中处理后另做他用。
优选的,为了在拆下回收装置105后,或者发生其他情况时,仍然可以向反应腔室101内输送工艺气体,上述气体输送方法在步骤S34之后还包括:
S4:向进气管路201中输送包含前驱物的工艺气体,同时关闭第一通断阀301、第二通断阀302和第三通断阀303,开启第六通断阀306,使工艺气体经第二排气管路205进入排气装置104;
S5:当进气管路201中的工艺气体流量达到预设值并保持在预设值不变时,关闭第六通断阀306,开启第一通断阀301,使工艺气体经进气管路201进入反应腔室101。
优选的,上述气体输送方法在步骤S1、S3和S4中,关闭第七通断阀307,以避免有工艺气体倒灌进入反应腔室101,污染工艺环境;在步骤S2和S5中,开启第七通断阀307,以将工艺生成的副产物和废气排出反应腔室101。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (11)
1.一种气体输送系统,包括进气管路和源瓶,所述源瓶内盛放有前驱物,所述进气管路用于将自所述源瓶输出的包含所述前驱物的工艺气体输送至反应腔室中,且在所述进气管路上设置有第一通断阀,其特征在于:所述气体输送系统还包括第一回收管路和回收装置,其中,
所述第一回收管路分别与所述进气管路和所述回收装置相连,用于将所述进气管路中的工艺气体输送至所述回收装置;
所述第一回收管路上设置有第二通断阀;
所述回收装置用于采用溶解或吸附的方式收集所述前驱物;
所述气体输送系统还包括第二回收管路和处理装置,其中,
所述处理装置用于对所述回收装置收集的前驱物进行处理,以使所述回收装置输出所述前驱物;
所述第二回收管路分别与所述回收装置和所述源瓶相连,用于将所述回收装置输出的前驱物输送至所述源瓶;所述第二回收管路上设有第四通断阀。
2.根据权利要求1所述的气体输送系统,其特征在于:所述气体输送系统还包括第一排气管路和排气装置,其中,
所述第一排气管路分别与所述回收装置和所述排气装置相连,用于将所述回收装置中未被收集的工艺气体输送至所述排气装置;
所述第一排气管路上设有第三通断阀。
3.根据权利要求1所述的气体输送系统,其特征在于:所述回收装置包括液体容器,所述液体容器内盛放有用于溶解所述前驱物的溶剂。
4.根据权利要求3所述的气体输送系统,其特征在于:所述处理装置包括加热器、干燥器、浓度检测器和第五通断阀,其中,
所述加热器用于对所述回收装置进行加热,以使所述溶剂挥发形成包含所述前驱物的蒸汽;
所述干燥器、浓度检测器和第五通断阀沿气体流向依次设置在所述第二回收管路上,且位于所述第四通断阀的下游;
所述干燥器用于对所述第二回收管路中的所述蒸汽进行干燥,以形成气态前驱物;
所述浓度检测器用于检测所述第二回收管路中的所述气态前驱物的浓度。
5.根据权利要求1所述的气体输送系统,其特征在于:所述回收装置包括固体容器,所述固体容器内盛放有用于吸附所述前驱物的吸附剂。
6.根据权利要求2所述的气体输送系统,其特征在于:所述气体输送系统还包括第二排气管路,所述第二排气管路的进气端与所述第一回收管路的进气端相连,且位于所述第二通断阀的上游;所述第二排气管路的出气端与所述排气装置相连,且所述第二排气管路上设有第六通断阀。
7.一种半导体设备,包括反应腔室和用于向所述反应腔室内输送工艺气体的气体输送系统,其特征在于,所述气体输送系统如权利要求1-6任一项所述。
8.一种气体输送方法,其特征在于:所述气体输送方法采用如权利要求1-6任一项所述的气体输送系统向反应腔室内输送工艺气体,所述气体输送方法包括以下步骤:
S1:向所述进气管路中输送包含所述前驱物的工艺气体,同时关闭所述第一通断阀,开启所述第二通断阀,使所述工艺气体经所述第一回收管路进入所述回收装置,所述回收装置采用溶解或吸附的方式收集所述前驱物;
S2:当所述进气管路中的所述工艺气体的流量达到预设值且保持在所述预设值不变时,关闭所述第二通断阀,开启所述第一通断阀,使所述工艺气体经所述进气管路进入所述反应腔室;
S3:关闭所述第一通断阀、所述第二通断阀,开启所述第四通断阀,利用所述第二回收管路,使所述回收装置输出的所述前驱物进入所述源瓶。
9.根据权利要求8所述的气体输送方法,其特征在于:所述气体输送系统还包括第一排气管路和排气装置,其中,所述第一排气管路分别与所述回收装置和所述排气装置相连,用于将所述回收装置中未被收集的工艺气体输送至所述排气装置;所述第一排气管路上设有第三通断阀;
所述气体输送方法还包括:
在进行所述步骤S1的同时,开启所述第三通断阀,使未被所述回收装置收集的所述工艺气体经所述第一排气管路进入所述排气装置。
10.根据权利要求9所述的气体输送方法,其特征在于:所述回收装置包括液体容器,所述液体容器内盛放有用于溶解所述前驱物的溶剂;所述处理装置包括加热器、干燥器、浓度检测器和第五通断阀,其中,所述加热器用于对所述回收装置进行加热,以使所述溶剂挥发形成包含所述前驱物的蒸汽;所述干燥器、浓度检测器和第五通断阀沿气体流向依次设置在所述第二回收管路上,且位于所述第四通断阀的下游;所述干燥器用于对所述第二回收管路中的所述蒸汽进行干燥,以形成气态前驱物;所述浓度检测器用于检测所述第二回收管路中的所述气态前驱物的浓度;
所述步骤S3具体包括:
S31:关闭所述第五通断阀,利用所述加热器对所述回收装置进行加热,以使所述溶剂挥发形成的包含所述前驱物的蒸汽进入所述第二回收管路;
S32:利用所述浓度检测器检测所述第二回收管路中的所述气态前驱物的浓度,当所述浓度大于第一阈值且小于第二阈值时,进行步骤S33,否则,进行步骤S34;
S33:开启所述第五通断阀,利用所述第二回收管路,使所述回收装置输出的所述前驱物进入所述源瓶;
S34:关闭所述第四通断阀,并拆下所述回收装置。
11.根据权利要求10所述的气体输送方法,其特征在于:所述气体输送系统还包括第二排气管路,所述第二排气管路的进气端与所述第一回收管路的进气端相连,且位于所述第二通断阀的上游;所述第二排气管路的出气端与所述排气装置相连,且所述第二排气管路上设有第六通断阀;
所述气体输送方法在所述步骤S34之后还包括:
S4:向所述进气管路中输送包含所述前驱物的工艺气体,同时关闭所述第一通断阀、第二通断阀和第三通断阀,开启所述第六通断阀,使所述工艺气体经所述第二排气管路进入所述排气装置;
S5:当所述进气管路中的所述工艺气体流量达到所述预设值并保持在所述预设值不变时,关闭所述第六通断阀,开启所述第一通断阀,使所述工艺气体经所述进气管路进入所述反应腔室。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910314612.0A CN111826637B (zh) | 2019-04-18 | 2019-04-18 | 气体输送系统、半导体设备和气体输送方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910314612.0A CN111826637B (zh) | 2019-04-18 | 2019-04-18 | 气体输送系统、半导体设备和气体输送方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111826637A CN111826637A (zh) | 2020-10-27 |
CN111826637B true CN111826637B (zh) | 2022-11-25 |
Family
ID=72914930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910314612.0A Active CN111826637B (zh) | 2019-04-18 | 2019-04-18 | 气体输送系统、半导体设备和气体输送方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111826637B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114622188A (zh) * | 2020-12-10 | 2022-06-14 | 中国科学院微电子研究所 | 一种前驱物循环系统、补充方法以及半导体设备 |
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CN109321896A (zh) * | 2017-07-31 | 2019-02-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种原子层沉积系统 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR102387359B1 (ko) * | 2014-04-18 | 2022-04-14 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 자동-리필 앰풀 및 사용 방법들 |
-
2019
- 2019-04-18 CN CN201910314612.0A patent/CN111826637B/zh active Active
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CN109321896A (zh) * | 2017-07-31 | 2019-02-12 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种原子层沉积系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111826637A (zh) | 2020-10-27 |
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PB01 | Publication | ||
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