KR20150057976A - 재치대에 피흡착물을 흡착시키는 방법 및 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

재치대에 피흡착물을 흡착시키는 방법 및 플라즈마 처리 장치 Download PDF

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Abstract

재치대에 피흡착물을 흡착시키는 방법이 제공된다. 재치대는, 감압 가능한 공간 내에서 피처리체를 처리하기 위한 처리 장치에서 이 공간을 구획하여 형성하는 처리 용기 내에 설치되어 있다. 또한, 처리 장치는 예를 들면 플라즈마 처리 장치이다. 이 방법은, 재치대의 정전 척 상에 피흡착물을 재치하는 공정과, 정전 척의 3 개의 전극에 각각 서로 위상이 상이한 3 개의 교류 전압을 인가하는 공정을 포함한다.

Description

재치대에 피흡착물을 흡착시키는 방법 및 플라즈마 처리 장치{METHOD OF ADSORBING TARGET OBJECT ON MOUNTING TABLE AND PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명의 실시예는, 재치대(載置臺)에 피흡착물을 흡착시키는 방법 및 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스와 같은 전자 디바이스의 제조에서는, 감압된 처리 용기 내에 피처리체를 수용하여 당해 피처리체에 대한 처리가 행해진다. 피처리체에 대한 처리의 일례는 플라즈마 처리이며, 보다 구체적으로는 에칭, 성막과 같은 처리이다. 이러한 피처리체의 처리에 이용되는 처리 장치에서는, 처리 용기 내에 재치대가 설치되어 있고, 당해 재치대에 피처리체가 재치된다. 이 때문에, 재치대는 정전 척을 가지고 있다.
정전 척으로서는 단극 타입 및 쌍극 타입의 것이 알려져 있다. 단극 타입의 정전 척은, 1 개의 전극 및 유전체막을 가지고 있고, 당해 전극이 유전체막 내에 설치된 구조를 가지고 있다. 또한 단극 타입의 정전 척에서는, 전극에 직류 전압이 인가되도록 되어 있다. 단극 타입의 정전 척에서는, 전극에 직류 전압이 인가되면 정전 척의 표면이 대전된다. 또한, 피처리체는 전기적으로 접지되어 있으므로, 정전 척에 대한 피처리체의 대향면이 정전 척의 표면과는 반대의 극성으로 대전된다. 이에 따라, 정전 척의 표면과 피처리체와의 사이에 전위차가 발생하여, 피처리체가 정전 척에 흡착된다.
또한 쌍극 타입의 정전 척은, 2 개의 전극 및 유전체막을 가지고 있고, 당해 2 개의 전극이 유전체막 내에 설치된 구조를 가지고 있다. 쌍극 타입의 정전 척에서는, 이들 2 개의 전극에 서로 상이한 전압의 직류 전압이 인가되도록 구성되어 있다. 쌍극 타입의 정전 척에서는, 2 개의 전극에 상이한 전압의 직류 전압이 인가되면, 정전 척 내에서 전위차가 발생하여 정전 척의 표면에 양으로 대전된 영역과 음으로 대전된 영역이 발생한다. 또한, 정전 척에 대한 피처리체의 대향면이 정전 척의 표면과는 반대의 극성으로 대전된다. 이에 따라, 정전 척의 표면과 피처리체와의 사이에 전위차가 발생하여, 피처리체가 정전 척에 흡착된다. 이들 단극 타입 및 쌍극 타입의 정전 척은 일본특허공개공보 2013-016554호에 기재되어 있다.
일본특허공개공보 2013-016554호
상술한 단극 타입 및 쌍극 타입의 정전 척 모두, 정전 척의 표면이 대전되기 쉬운 상태로 변질되는 경우가 있다. 예를 들면, 피처리체의 처리에 의해 발생한 생성물이 정전 척의 표면에 부착됨으로써 변질층이 형성되고, 당해 변질층이 대전되기 쉬운 상태를 형성한다. 정전 척의 표면이 변질되면 대전 이상이 발생하고, 피처리체에 대한 흡착력이 저하되는 경우가 있다. 또한, 전극에의 전압의 인가를 정지시킨 후에도 정전 척의 표면에 잔류하는 전하에 의해, 정전 척과 피처리체와의 사이에 쿨롱력이 발생하는 경우가 있다. 이와 같이 잔류하는 전하의 양을 정확하게 파악하는 것이 곤란하므로, 정전 척의 표면을 제전하는 것도 곤란한 경우가 있다.
따라서 본 기술 분야에서는, 정전 척의 흡착력의 저하를 억제하고, 또한 정전 척의 표면에서의 잔류 전하를 억제하는 것이 필요해지고 있다.
제 1 측면에 있어서는, 재치대에 피흡착물을 흡착시키는 방법이 제공된다. 이 재치대는, 감압 가능한 공간 내에서 피처리체를 처리하기 위한 처리 장치에서 상기 공간을 구획 형성하는 처리 용기 내에 설치되어 있다. 또한, 처리 장치는 예를 들면 플라즈마 처리 장치이다. 이 방법은, 재치대의 정전 척 상에 피흡착물을 재치하는 공정과, 정전 척의 3 개의 전극에 각각 서로 위상이 상이한 3 개의 교류 전압을 인가하는 공정을 포함한다.
제 1 측면에 따른 방법에서는, 3 개의 전극에 인가되는 교류 전압이 서로 상이한 위상을 가지고 있으므로, 정전 척의 3 개의 전극에 인가되는 전압 모두가 동시에 동전위가 되지 않는다. 따라서, 3 개의 전극에 대하여 상기 3 개의 교류 전압을 각각 인가하고 있는 기간에서는, 정전 척의 3 개의 전극 중 어느 2 개의 전극 간에 전위차가 발생하고, 정전 척의 표면에 양으로 대전된 영역과 음으로 대전된 영역이 발생한다. 또한, 정전 척에 대한 피흡착물의 대향면이 정전 척의 표면과는 반대의 극성으로 대전된다. 그 결과, 당해 기간에서는 정전 척의 표면과 피처리체와의 사이에 상시 전위차가 발생한다. 그러므로, 당해 기간 중에 흡착력이 항상 발생되고 있는 상태가 유지된다. 또한, 대전량은 전계 강도의 시간 적분에 비례하는 양이며, 정전 척의 3 개의 전극의 각각에는 교호로 양전압 및 음전압이 되는 교류 전압이 인가되므로, 정전 척의 표면의 대전량을 억제하는 것이 가능하다. 따라서, 정전 척의 흡착력의 저하를 억제하는 것이 가능해지고, 또한 정전 척의 표면의 잔류 전하를 억제하는 것이 가능해진다.
일형태에 있어서는, 피흡착물은 웨이퍼이며, 상기 정전 척은 웨이퍼용의 정전 척이어도 된다.
또한 다른 일형태에 있어서는, 피흡착물은 포커스 링이다. 포커스 링은 웨이퍼의 엣지를 둘러싸도록 재치대 상에 탑재된다. 이 형태에서는, 상기 정전 척은 포커스 링용의 정전 척이다.
또한 다른 일형태의 방법은, 재치하는 상기 공정 후, 정전 척과 포커스 링과의 사이로 전열 가스를 공급하는 가스 라인에 접속된 감압 펌프를 작동시켜 포커스 링을 정전 척에 흡인하는 공정과, 흡인하는 상기 공정 후, 처리 용기 내의 공간을 감압하는 공정을 더 포함한다. 그리고 감압하는 상기 공정 후, 3 개의 교류 전압을 인가하는 상기 공정이 행해진다. 포커스 링을 정전 척 상에 재치할 시에는, 일반적으로, 처리 용기 내의 공간의 압력은 대기압으로 설정된다. 이 형태의 방법에 따르면, 대기압 환경에서 정전 척 상에 포커스 링을 위치 결정하여 재치하고, 그 후 감압 펌프를 작동시킴으로써 포커스 링을 정전 척에 흡인한다. 그리고, 처리 용기 내의 공간을 감압하고, 이어서 3 개의 전극에 교류 전압을 인가함으로써, 포커스 링을 쿨롱력에 의해 정전 척에 흡착시킨다. 이와 같이, 대기압 환경 하에서는 정전 척의 전극에 전압을 인가하지 않으므로, 감전을 피하는 것이 가능하며, 또한 정전 척에의 대기 중의 분진의 흡착을 억제하는 것이 가능하다. 또한, 정전 척에 포커스 링을 흡인한 상태로 처리 용기 내의 공간을 감압하므로, 감압 시의 포커스 링의 위치 이탈을 억제하는 것이 가능하다. 또한, 포커스 링의 위치 이탈을 억제할 수 있으므로, 피처리체의 처리 시의 포커스 링의 온도의 제어성을 향상시키는 것이 가능하다.
제 2 측면에 있어서는, 상술한 방법의 실시에 이용 가능한 플라즈마 처리 장치가 제공된다. 이 플라즈마 처리 장치는 피처리체를 감압된 공간 내에서 처리하기 위한 장치이다. 이 플라즈마 처리 장치는 처리 용기, 재치대 및 전원을 구비한다. 처리 용기는 감압 가능한 공간을 구획 형성한다. 재치대는 처리 용기 내에 설치되어 있고, 정전 척을 가진다. 정전 척은 3 개의 전극을 가진다. 전원은, 정전 척에 피흡착물을 흡착시키기 위하여, 3 개의 전극에 각각 서로 상이한 위상을 가지는 3 개의 교류 전압을 인가한다.
일형태에 있어서는, 상기 정전 척은 웨이퍼용의 정전 척이다. 또한 다른 일형태에 있어서는, 정전 척은 포커스 링용의 정전 척이다. 또한 다른 일형태의 플라즈마 처리 장치는, 감압 펌프를 더 구비하고, 재치대에는 정전 척과 포커스 링과의 사이로 전열 가스를 공급하기 위한 가스 라인이 형성되어 있으며, 감압 펌프는 상기 가스 라인에 접속되어 있다.
이상 설명한 바와 같이, 정전 척의 흡착력의 저하를 억제하고, 또한 정전 척의 표면에서의 잔류 전하를 억제하는 것이 가능해진다.
도 1은 일실시예에 따른 처리 장치를 개략적으로 도시한 도이다.
도 2는 일실시예에 따른 제 1 정전 척을 도시한 평면도이다.
도 3은 일실시예에 따른 제 2 정전 척을 도시한 평면도이다.
도 4는 재치대에 피흡착물을 흡착시키는 방법의 일실시예를 나타낸 순서도이다.
도 5a의 그래프는 정전 척의 3 개의 전극에 인가되는 교류 전압의 파형 및 정전 척의 전극 간의 전위차를 나타내고, 도 5b의 그래프는 위상과 각 전극 직상(直上)에서의 정전 척의 흡착력의 관계를 나타낸 도이다.
도 6은 재치대에 피흡착물을 흡착시키는 방법의 다른 일실시예를 나타낸 순서도이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 제 1 정전 척을 도시한 평면도이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 제 2 정전 척을 도시한 평면도이다.
이하, 도면을 참조하여 다양한 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 또한, 각 도면에서 동일 또는 상당하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 부여하는 것으로 한다.
먼저, 재치대에 피흡착물을 흡착시키는 방법의 다양한 실시예의 실시에 이용 가능한 처리 장치에 대하여 설명한다. 도 1은 일실시예에 따른 처리 장치를 개략적으로 도시한 도이다. 도 1에는 일실시예에 따른 처리 장치의 단면 구조가 개략적으로 도시되어 있다. 도 1에 도시한 바와 같이, 일실시예에 따른 처리 장치는 플라즈마 처리 장치(10)이다.
플라즈마 처리 장치(10)는 용량 결합형 평행 평판 플라즈마 처리 장치이며, 처리 용기(12)를 구비하고 있다. 처리 용기(12)는 대략 원통 형상을 가지고 있고, 그 내부에 공간(S)을 구획 형성하고 있다. 처리 용기(12)는 예를 들면 알루미늄제이다. 이 처리 용기(12)의 표면에는 예를 들면 양극 산화 처리가 실시되어 있다. 또한, 처리 용기(12)는 보안 접지되어 있다.
처리 용기(12)의 내부에는 재치대(16)가 설치되어 있다. 재치대(16)는 하부 전극(18), 제 1 정전 척(70) 및 제 2 정전 척(80)을 구비하고 있다. 하부 전극(18)은 예를 들면 알루미늄과 같은 금속으로 구성되어 있고, 대략 원반 형상을 가지고 있다. 이 하부 전극(18)은 지지부(14)에 의해 지지되어 있다. 지지부(14)는 처리 용기(12)의 저부(底部) 상에 설치되어 있다. 지지부(14)는 예를 들면 절연 재료로 구성되어 있고, 원통 형상을 가지고 있다.
하부 전극(18)에는 정합기(MU1)를 개재하여 제 1 고주파 전원(HFS)이 접속되어 있다. 제 1 고주파 전원(HFS)은 플라즈마 생성용의 고주파 전력을 발생시키는 전원이며, 27 ~ 100 MHz의 주파수, 일례에서는 40 MHz의 고주파 전력을 발생시킨다. 정합기(MU1)는, 제 1 고주파 전원(HFS)의 출력 임피던스와 부하측(하부 전극(18)측)의 입력 임피던스를 정합시키기 위한 회로를 가지고 있다.
또한 하부 전극(18)에는 정합기(MU2)를 개재하여 제 2 고주파 전원(LFS)이 접속되어 있다. 제 2 고주파 전원(LFS)은 피처리체(이하, ‘웨이퍼(W)’라고 함)에 이온을 인입하기 위한 고주파 전력(고주파 바이어스 전력)을 발생시켜, 당해 고주파 바이어스 전력을 하부 전극(18)에 공급한다. 고주파 바이어스 전력의 주파수는 400 kHz ~ 13.56 MHz의 범위 내의 주파수이며, 일례에서는 3 MHz이다. 정합기(MU2)는, 제 2 고주파 전원(LFS)의 출력 임피던스와 부하측(하부 전극(18)측)의 입력 임피던스를 정합시키기 위한 회로를 가지고 있다.
하부 전극(18) 상에는 제 1 정전 척(70) 및 제 2 정전 척(80)이 설치되어 있다. 제 1 정전 척(70)은, 그 상면 상에 재치되는 웨이퍼(W)를 쿨롱력에 의해 정전 흡착시킨다. 제 2 정전 척(80)은 제 1 정전 척(70)을 둘러싸도록 환상(環狀)으로 연장되어 있다. 제 2 정전 척(80)은, 그 상면 상에 재치되는 포커스 링(FR)을 쿨롱력에 의해 정전 흡착시킨다. 포커스 링(FR)은, 웨이퍼(W)에 대한 처리의 균일성을 향상시키기 위하여, 웨이퍼(W)의 엣지를 둘러싸도록 제 2 정전 척(80) 상에 재치된다. 포커스 링(FR)은 웨이퍼에 대한 처리에 따라 적절히 선택되는 재료로 구성된다. 예를 들면, 포커스 링(FR)은 실리콘 또는 석영으로 구성될 수 있다.
하부 전극(18)의 내부에는 냉매실(24)이 설치되어 있다. 냉매실(24)에는, 외부에 설치된 칠러 유닛으로부터 배관(26a, 26b)을 거쳐 소정 온도의 냉매, 예를 들면 냉각수가 순환 공급된다. 이와 같이 순환되는 냉매의 온도를 제어함으로써, 제 1 정전 척(70) 상에 재치된 웨이퍼(W)의 온도가 제어된다.
또한, 플라즈마 처리 장치(10)에는 가스 공급 라인(28)이 설치되어 있다. 가스 공급 라인(28)은, 전열 가스 공급 기구로부터의 전열 가스, 예를 들면 He 가스를 제 1 정전 척(70)의 상면과 웨이퍼(W)의 이면과의 사이로 공급한다.
또한, 플라즈마 처리 장치(10)는 상부 전극(30)을 더 구비하고 있다. 상부 전극(30)은, 하부 전극(18)의 상방에서 당해 하부 전극(18)과 대향 배치되어 있다. 하부 전극(18)과 상부 전극(30)은 서로 대략 평행하게 설치되어 있다.
상부 전극(30)은 절연성 차폐 부재(32)를 개재하여 처리 용기(12)의 상부에 지지되어 있다. 상부 전극(30)은 전극판(34) 및 전극 지지체(36)를 포함할 수 있다. 전극판(34)은 공간(S)에 면하고 있다. 이 전극판(34)에는 복수의 가스 토출홀(34a)이 형성되어 있다. 전극판(34)은 줄열이 적은 저저항의 도전체 또는 반도체로 구성될 수 있다.
전극 지지체(36)는 전극판(34)을 착탈 가능하게 지지하는 것이며, 예를 들면 알루미늄과 같은 도전성 재료로 구성될 수 있다. 전극 지지체(36)는 수냉 구조를 가질 수 있다. 전극 지지체(36)의 내부에는 가스 확산실(36a)이 설치되어 있다. 가스 확산실(36a)로부터는, 가스 토출홀(34a)에 연통하는 복수의 가스 통류홀(36b)이 하방으로 연장되어 있다. 또한, 전극 지지체(36)에는 가스 확산실(36a)로 처리 가스를 유도하는 가스 도입 포트(36c)가 형성되어 있고, 이 가스 도입 포트(36c)에는 가스 공급관(38)이 접속되어 있다.
가스 공급관(38)에는 밸브(42) 및 유량 제어기(44)를 개재하여 가스 소스(40)가 접속되어 있다. 가스 소스(40)는, 웨이퍼(W)의 처리에 따라 선택되는 1 이상의 가스 종류의 가스를 밸브(42) 및 유량 제어기(44)를 거쳐 가스 공급관(38)으로 공급한다. 가스 공급관(38)으로 공급된 가스는 가스 확산실(36a)에 도달하고, 가스 통류홀(36b) 및 가스 토출홀(34a)을 거쳐 공간(S)에 토출된다.
또한, 플라즈마 처리 장치(10)는 접지 도체(12a)를 더 구비할 수 있다. 접지 도체(12a)는 대략 원통 형상의 접지 도체이며, 처리 용기(12)의 측벽으로부터 상부 전극(30)의 높이 위치보다 상방으로 연장되도록 설치되어 있다.
또한 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 처리 용기(12)의 내벽을 따라 퇴적물 실드(46)가 착탈 가능하게 설치되어 있다. 또한, 퇴적물 실드(46)는 지지부(14)의 외주에도 설치되어 있다. 퇴적물 실드(46)는 처리 용기(12)에 에칭 부생물(퇴적물)이 부착되는 것을 방지하는 것이며, 알루미늄재에 Y2O3 등의 세라믹스를 피복함으로써 구성될 수 있다.
처리 용기(12)의 저부측에서는, 지지부(14)와 처리 용기(12)의 내벽과의 사이에 배기 플레이트(48)가 설치되어 있다. 배기 플레이트(48)는 예를 들면, 알루미늄재에 Y2O3 등의 세라믹스를 피복함으로써 구성될 수 있다. 이 배기 플레이트(48)의 하방에서 처리 용기(12)에는 배기구(12e)가 형성되어 있다. 배기구(12e)에는 배기관(52)을 개재하여 배기 장치(50)가 접속되어 있다. 배기 장치(50)는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 가지고 있고, 처리 용기(12) 내의 공간(S)을 원하는 진공도까지 감압할 수 있다. 또한, 처리 용기(12)의 측벽에는 웨이퍼(W)의 반입출구(12g)가 형성되어 있고, 이 반입출구(12g)는 게이트 밸브(54)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다.
또한, 처리 용기(12)의 내벽에는 도전성 부재(GND 블록)(56)가 설치되어 있다. 도전성 부재(56)는, 높이 방향에서 웨이퍼(W)와 대략 동일한 높이에 위치하도록 처리 용기(12)의 내벽에 장착되어 있다. 이 도전성 부재(56)는 그라운드에 DC적으로 접속되어 있고, 이상 방전 방지 효과를 발휘한다.
또한, 플라즈마 처리 장치(10)는 제어부(Cnt)를 더 구비할 수 있다. 이 제어부(Cnt)는 프로세서, 기억부, 입력 장치, 표시 장치 등을 구비하는 컴퓨터이며, 플라즈마 처리 장치(10)의 각 부를 제어한다. 이 제어부(Cnt)에서는, 입력 장치를 이용하여 오퍼레이터가 플라즈마 처리 장치(10)를 관리하기 위하여 커멘드의 입력 조작 등을 행할 수 있고, 또한 표시 장치에 의해 플라즈마 처리 장치(10)의 가동 상황을 가시화하여 표시할 수 있다. 또한 제어부(Cnt)의 기억부에는, 플라즈마 처리 장치(10)에서 실행되는 각종 처리를 프로세서에 의해 제어하기 위한 제어 프로그램, 또는 처리 조건에 따라 플라즈마 처리 장치(10)의 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 저장된다.
이하, 도 1과 함께 도 2 및 도 3을 참조하여 재치대(16)의 추가적인 상세에 대하여 설명한다. 도 2는 일실시예에 따른 제 1 정전 척을 도시한 평면도이다. 또한, 도 3은 일실시예에 따른 제 2 정전 척을 도시한 평면도이다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 재치대(16)의 하부 전극(18) 상에는 제 1 정전 척(70)이 설치되어 있다. 제 1 정전 척(70)은 대략 원반 형상을 가지고 있다. 제 1 정전 척(70)은 3 개의 전극, 즉 전극(70a), 전극(70b) 및 전극(70c)을 가지고 있다. 이들 전극(70a), 전극(70b) 및 전극(70c)은 한 쌍의 절연층 또는 절연 시트 사이에 설치된다. 혹은, 전극(70a), 전극(70b) 및 전극(70c)은 절연층의 내층으로서 설치된다.
도 2에 도시한 바와 같이, 일실시예에서 전극(70a), 전극(70b) 및 전극(70c)은 대략 선형(扇型)의 평면 형상을 가지고 있고, 제 1 정전 척(70)의 중심축선에 대하여 둘레 방향으로 배열되어 있다. 전극(70a), 전극(70b) 및 전극(70c)에는 각각 3 개의 전원, 즉 전원(72a), 전원(72b) 및 전원(72c)이 전기적으로 접속되어 있다. 전원(72a), 전원(72b) 및 전원(72c)은 교류 전압을 발생시킨다. 일실시예에서는, 이들 전원(72a), 전원(72b) 및 전원(72c)에 의해 발생되는 교류 전압은 동일한 주파수를 가지고, 0 V의 평균 전압을 가진다. 또한, 이들 전원(72a), 전원(72b) 및 전원(72c)에 의해 발생되는 교류 전압은 서로 상이한 위상을 가지고 있다. 예를 들면, 전원(72a), 전원(72b) 및 전원(72c)에 의해 발생되는 교류 전압 간의 위상은 120 도로 설정된다.
이와 같이 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 제 1 정전 척(70)의 전극(70a), 전극(70b) 및 전극(70c)에 각각 서로 상이한 위상을 가지는 3 개의 교류 전압이 부여된다. 전극(70a), 전극(70b) 및 전극(70c)에 3 개의 교류 전압이 부여되면, 제 1 정전 척(70)의 표면이 대전되어, 제 1 정전 척(70)의 표면과 웨이퍼(W)와의 사이에 전위차가 발생한다. 이에 따라, 제 1 정전 척(70)에 웨이퍼(W)가 정전 흡착된다.
또한, 전극(70a), 전극(70b) 및 전극(70c)에 각각 인가되는 교류 전압이 서로 상이한 위상을 가지고 있으므로, 제 1 정전 척(70)의 전극(70a), 전극(70b) 및 전극(70c)에 인가되는 교류 전압 모두가 동시에 동전위가 되지 않는다. 따라서, 전극(70a), 전극(70b) 및 전극(70c)에 3 개의 교류 전압을 각각 인가하고 있는 기간(이하, ‘인가 기간’이라고 함)에서는, 전극(70a), 전극(70b) 및 전극(70c) 중 어느 2 개의 전극 간에 전위차가 발생하고, 제 1 정전 척(70)의 표면에 양으로 대전된 영역과 음으로 대전된 영역이 발생한다. 또한, 제 1 정전 척(70)에 대한 웨이퍼(W)의 대향면이 제 1 정전 척(70)의 표면과는 반대의 극성으로 대전된다. 그 결과, 당해 인가 기간에서는 제 1 정전 척(70)의 표면과 웨이퍼(W)와의 사이에 상시 전위차가 발생한다. 따라서, 당해 인가 기간에서 흡착력이 항상 발생되고 있는 상태가 유지된다. 또한, 대전량은 전계 강도의 시간 적분에 비례하는 양이며, 전극(70a), 전극(70b) 및 전극(70c)의 각각에는 교호로 양전압 및 음전압이 되는 교류 전압이 인가되므로, 제 1 정전 척(70)의 표면의 대전량을 억제하는 것이 가능하다. 따라서, 제 1 정전 척(70)의 흡착력의 저하를 억제하는 것이 가능하며, 또한 제 1 정전 척(70)의 표면의 잔류 전하를 억제하는 것이 가능하다.
또한 도 1 및 도 3에 도시한 바와 같이, 재치대(16)의 하부 전극(18) 상에는 제 1 정전 척(70)을 둘러싸도록 제 2 정전 척(80)이 설치되어 있다. 제 2 정전 척(80)은 대략 환상으로 연장되어 있다. 제 2 정전 척(80)은 3 개의 전극, 즉 전극(80a), 전극(80b) 및 전극(80c)을 가지고 있다. 이들 전극(80a), 전극(80b) 및 전극(80c)은 한 쌍의 절연층 또는 절연 시트 사이에 설치되어 있다. 혹은, 전극(80a), 전극(80b) 및 전극(80c)은 절연층의 내층으로서 설치된다.
도 3에 도시한 바와 같이, 일실시예에서 전극(80a), 전극(80b) 및 전극(80c)은 대략 선형의 평면 형상을 가지고 있고, 제 2 정전 척(80)의 중심축선에 대하여 둘레 방향으로 배열되어 있다. 전극(80a), 전극(80b) 및 전극(80c)에는 각각 3 개의 전원, 즉 전원(82a), 전원(82b) 및 전원(82c)이 전기적으로 접속되어 있다. 전원(82a), 전원(82b) 및 전원(82c)은 교류 전압을 발생시킨다. 일실시예에서는, 이들 전원(82a), 전원(82b) 및 전원(82c)에 의해 발생되는 교류 전압은 동일한 주파수를 가지고, 0 V의 평균 전압을 가진다. 또한, 이들 전원(82a), 전원(82b) 및 전원(82c)에 의해 발생되는 교류 전압은 서로 상이한 위상을 가지고 있다. 예를 들면, 전원(82a), 전원(82b) 및 전원(82c)에 의해 발생되는 교류 전압 간의 위상은 120 도로 설정된다.
플라즈마 처리 장치(10)에서는, 제 2 정전 척(80)의 전극(80a), 전극(80b) 및 전극(80c)에 각각 서로 상이한 위상을 가지는 3 개의 교류 전압이 부여된다. 전극(80a), 전극(80b) 및 전극(80c)에 3 개의 교류 전압이 부여되면, 제 2 정전 척(80)의 표면이 대전되어 제 2 정전 척(80)의 표면과 포커스 링(FR)과의 사이에 전위차가 발생한다. 이에 따라, 제 2 정전 척(80)에 포커스 링(FR)이 정전 흡착된다.
또한, 전극(80a), 전극(80b) 및 전극(80c)의 각각에 인가되는 교류 전압이 서로 상이한 위상을 가지고 있으므로, 제 2 정전 척(80)의 전극(80a), 전극(80b) 및 전극(80c)에 인가되는 교류 전압 모두가 동시에 동전위가 되지 않는다. 따라서, 전극(80a), 전극(80b) 및 전극(80c)에 3 개의 교류 전압을 각각 인가하고 있는 기간, 즉 인가 기간에서는, 전극(80a), 전극(80b) 및 전극(80c) 중 어느 2 개의 전극 간에 전위차가 발생하고, 제 2 정전 척(80)의 표면에 양으로 대전된 영역과 음으로 대전된 영역이 발생한다. 또한, 제 2 정전 척(80)에 대한 포커스 링(FR)의 대향면은 제 2 정전 척(80)의 표면과는 반대의 극성으로 대전된다. 그 결과, 당해 인가 기간에서는 제 2 정전 척(80)의 표면과 포커스 링(FR)과의 사이에 상시 전위차가 발생한다. 따라서, 당해 인가 기간에서 흡착력이 항상 발생되고 있는 상태가 유지된다. 또한, 전극(80a), 전극(80b) 및 전극(80c)의 각각에는 교호로 양전압 및 음전압이 되는 교류 전압이 인가되므로, 제 2 정전 척(80)의 표면의 대전량을 억제하는 것이 가능하다. 따라서, 제 2 정전 척(80)의 흡착력의 저하를 억제하는 것이 가능하며, 또한 제 2 정전 척(80)의 표면의 잔류 전하를 억제하는 것이 가능하다.
또한 일실시예에서는, 도 1에 도시한 바와 같이, 재치대(16)에는 가스 라인(GL)이 형성되어 있다. 가스 라인(GL)은 제 2 정전 척(80)의 표면(즉, 상면)에서 환상의 개구를 구획 형성하도록 형성되어 있다. 이 가스 라인(GL)은 제 2 정전 척(80)의 상면과 포커스 링(FR)과의 사이로 전열 가스를 공급하기 위한 가스 라인이며, 전열 가스 공급 기구(90)에 접속되어 있다. 전열 가스 공급 기구(90)는 가스 라인(GL)에 He 가스와 같은 전열 가스를 공급할 수 있다. 또한, 이 가스 라인(GL)에는 감압 펌프(92)가 접속되어 있다.
감압 펌프(92) 및 가스 라인(GL)은, 대기압 환경 하에서 포커스 링(FR)을 제 2 정전 척(80)에 흡인하여, 포커스 링(FR)을 당해 제 2 정전 척(80)에 임시 고정하기 위하여 이용할 수 있다. 보다 구체적으로 설명하면, 포커스 링(FR)을 제 2 정전 척(80) 상에 재치하는 작업은, 공간(S)의 압력을 대기압으로 설정한 상태에서 행해진다. 이어서, 지그를 이용하여 포커스 링(FR)이 제 2 정전 척(80)에 대하여 위치 결정되고, 당해 제 2 정전 척(80) 상에 재치된다. 이어서, 감압 펌프(92)가 작동된다. 이에 따라, 가스 라인(GL)과 공간(S)과의 사이에 압력차가 발생하고, 포커스 링(FR)이 제 2 정전 척(80)에 대하여 흡인된다. 이어서, 공간(S)이 감압되고, 이 후, 전극(80a), 전극(80b) 및 전극(80c)에 3 개의 교류 전압이 각각 인가된다. 이에 따라, 임시 고정된 포커스 링(FR)이 제 2 정전 척(80)에 정전 흡착된다.
이와 같이 플라즈마 처리 장치(10)에서는, 대기압 환경 하에서 제 2 정전 척(80)의 전극(80a), 전극(80b), 전극(80c)에 전압을 인가하지 않고 포커스 링(FR)을 임시 고정할 수 있으므로, 감전을 피하는 것이 가능하며, 제 2 정전 척(80)에의 대기 중의 분진의 흡착을 억제하는 것이 가능하다. 또한, 제 2 정전 척(80)에 포커스 링(FR)을 흡인한 상태로 처리 용기(12) 내의 공간(S)이 감압되므로, 감압 시의 포커스 링(FR)의 위치 이탈을 억제하는 것이 가능하다. 또한, 포커스 링(FR)의 위치 이탈을 억제할 수 있으므로, 웨이퍼(W)의 처리 시의 포커스 링(FR)의 온도의 제어성을 향상시키는 것이 가능하다. 또한, 제 2 정전 척(80)에 포커스 링(FR)을 흡인한 상태로 당해 포커스 링(FR)을 제 2 정전 척(80)에 정전 흡착시킬 수 있으므로, 제 2 정전 척(80)에 의한 정전 흡착의 개시 시에 포커스 링(FR)에 부여되는 충격력을 완화하는 것이 가능하다.
이하, 재치대에 피흡착물을 흡착시키는 방법의 일실시예에 대하여 설명한다. 도 4는 재치대에 피흡착물을 흡착시키는 방법의 일실시예를 나타낸 순서도이다. 이하에서는, 플라즈마 처리 장치(10)를 처리 장치로서 이용하는 경우의 일례에 따라, 도 4에 나타낸 방법(MT1)을 설명한다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 방법(MT1)은 공정(ST1) 및 공정(ST2)을 포함하고 있다. 공정(ST1)에서는, 피흡착물이 재치대(16)의 정전 척 상에 재치된다. 피흡착물의 일례는 웨이퍼(W)이며, 이 일례에서는 제 1 정전 척(70) 상에 웨이퍼(W)가 재치된다. 또한 웨이퍼(W)가 피흡착물인 경우에는, 처리 용기(12) 내의 공간(S)의 압력이 대기압보다 낮은 압력으로 감압된 상태에서 웨이퍼(W)가 처리 용기(12) 내로 반입되어, 제 1 정전 척(70) 상에 재치된다.
또한, 피흡착물의 다른 일례는 포커스 링(FR)이며, 이 일례에서는 제 2 정전 척(80) 상에 포커스 링(FR)이 재치된다. 또한 포커스 링(FR)이 피흡착물인 경우에는, 처리 용기(12) 내의 공간(S)의 압력이 대기압으로 설정된 상태에서 포커스 링(FR)이 처리 용기(12) 내로 반입되어, 제 2 정전 척(80) 상에 재치된다.
이어지는 공정(ST2)에서는, 정전 척의 3 개의 전극에 각각 서로 위상이 상이한 3 개의 교류 전압이 인가된다. 웨이퍼(W)가 피흡착물인 일례에서는, 제 1 정전 척(70)의 전극(70a), 전극(70b) 및 전극(70c)에 각각 서로 위상이 상이한 3 개의 교류 전압이 인가된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)가 제 1 정전 척(70)에 정전 흡착된다.
또한 포커스 링(FR)이 피흡착물인 일례에서는, 제 2 정전 척(80)의 전극(80a), 전극(80b) 및 전극(80c)에 각각 서로 위상이 상이한 3 개의 교류 전압이 인가된다. 이에 따라, 포커스 링(FR)이 제 2 정전 척(80)에 정전 흡착된다.
여기서, 도 5a 및 도 5b를 참조한다. 도 5a의 그래프에는 정전 척의 3 개의 전극에 인가되는 교류 전압의 파형 및 정전 척의 전극 간의 전위차가 나타나 있고, 도 5b의 그래프에는 위상과 각 전극 직상에서의 정전 척의 흡착력의 관계가 나타나 있다. 도 5a의 그래프에서는, 범례 ‘제 1 AC’에 의해 나타낸 파형이, 제 1 정전 척(70)의 전극(70a) 또는 제 2 정전 척(80)의 전극(80a)에 인가되는 교류 전압의 파형이며, 범례 ‘제 2 AC’에 의해 나타낸 파형이, 제 1 정전 척(70)의 전극(70b) 또는 제 2 정전 척(80)의 전극(80b)에 인가되는 교류 전압의 파형이며, 범례 ‘제 3 AC’에 의해 나타낸 파형이, 제 1 정전 척(70)의 전극(70c) 또는 제 2 정전 척(80)의 전극(80c)에 인가되는 교류 전압의 파형을 나타내고 있다. 또한 도 5a의 그래프에서는, 범례 ‘제 1 전위차’에 의해 나타낸 전위차가, 전극(70a)과 전극(70b)과의 사이의 전위차 또는 전극(80a)과 전극(80b)과의 사이의 전위차이며, 범례 ‘제 2 전위차’에 의해 나타낸 전위차가, 전극(70a)과 전극(70c)과의 사이의 전위차 또는 전극(80a)과 전극(80c)과의 사이의 전위차이며, 범례 ‘제 3 전위차’에 의해 나타낸 전위차가, 전극(70b)과 전극(70c)과의 사이의 전위차 또는 전극(80b)과 전극(80c)과의 사이의 전위차이다. 또한 도 5b의 그래프에서는, 범례 ‘제 1 전극’에 의해 나타낸 흡착력은 전극(70a) 또는 전극(80a)의 직상에서의 정전 척의 흡착력이며, 범례 ‘제 2 전극’에 의해 나타낸 흡착력은 전극(70b) 또는 전극(80b)의 직상에서의 정전 척의 흡착력이며, 범례 ‘제 3 전극’에 의해 나타낸 흡착력은 전극(70c) 또는 전극(80c)의 직상에서의 정전 척의 흡착력이다. 또한 도 5b의 그래프에서는, 범례 ‘평균’에 의해 나타낸 흡착력은 정전 척의 전체 영역에서의 흡착력의 평균값을 나타내고 있다.
도 5a의 그래프에 나타낸 바와 같이, 공정(ST2)에서 정전 척의 3 개의 전극에 각각 인가되는 3 개의 교류 전압 모두가 동시에 동전위가 되지 않는다. 따라서, 정전 척의 3 개의 전극에 대하여 3 개의 교류 전압을 각각 인가하고 있는 기간, 즉 인가 기간에서는, 정전 척의 3 개의 전극 중 어느 2 개의 전극 간에 전위차가 발생한다. 이에 따라, 정전 척의 표면에 양으로 대전된 영역과 음으로 대전된 영역이 발생한다. 또한, 정전 척의 표면에 대한 피흡착물의 대향면은 정전 척의 표면과는 반대의 극성으로 대전된다. 그 결과, 당해 인가 기간에서 정전 척의 표면과 피처리체와의 사이에 상시 전위차가 발생한다. 따라서, 도 5b의 그래프에 나타낸 바와 같이 당해 인가 기간에서 흡착력이 항상 발생되고 있는 상태가 유지된다. 또한, 정전 척의 3 개의 전극의 각각에는 교호로 양전압 및 음전압이 되는 교류 전압이 인가되므로, 정전 척의 표면의 대전량을 억제하는 것이 가능하다. 따라서, 정전 척의 흡착력의 저하를 억제하는 것이 가능해지고, 또한 정전 척의 표면의 잔류 전하를 억제하는 것이 가능해진다.
이어서, 재치대에 피흡착물을 흡착시키는 방법의 다른 일실시예에 대하여 설명한다. 도 6은 재치대에 피흡착물을 흡착시키는 방법의 다른 일실시예를 나타낸 순서도이다. 이하에서는, 플라즈마 처리 장치(10)를 처리 장치로서 이용하는 경우의 일례에 따라 도 6에 나타낸 방법(MT2)을 설명한다. 도 6에 나타낸 방법(MT2)에서는 피흡착물은 포커스 링(FR)이다.
방법(MT2)은, 도 6에 나타낸 바와 같이 공정(ST1) 및 공정(ST2)과의 사이에 행해지는 공정(STa), 공정(STb) 및 공정(STc)을 포함하고 있고, 또한 공정(ST2) 후에 행해지는 공정(STd)을 포함하고 있다.
공정(ST1)에서는 처리 용기(12) 내의 공간(S)의 압력은 대기압으로 설정된다. 그리고 공정(ST1)에서는, 포커스 링(FR)이 공간(S) 내로 반입되고, 제 2 정전 척(80)에 대하여 위치 결정되어 당해 제 2 정전 척(80) 상에 재치된다. 공정(ST1)에서의 포커스 링(FR)의 위치 결정에는 지그가 사용될 수 있다.
이어지는 공정(STa)에서는, 감압 펌프(92)가 작동됨으로써 포커스 링(FR)이 제 2 정전 척(80)에 흡인된다. 이에 따라, 제 2 정전 척(80)에 대하여 포커스 링(FR)이 임시 고정된다.
이어지는 공정(STb)에서는 지그가 분리되고, 공정(STc)에서 배기 장치(50)를 작동시킴으로써 처리 용기(12) 내의 공간(S)이 감압된다. 이 공정(STc)에서도 포커스 링(FR)이 제 2 정전 척(80)에 흡인된 상태가 유지된다. 이어지는 공정(ST2)에서는, 제 2 정전 척(80)의 전극(80a), 전극(80b) 및 전극(80c)에 각각 서로 위상이 상이한 3 개의 교류 전압이 인가된다. 이에 따라, 제 2 정전 척(80)에 포커스 링(FR)이 정전 흡착된다. 이어지는 공정(STd)에서는 감압 펌프(92)가 정지되고 가스 라인(GL)으로 전열 가스가 공급된다.
이러한 방법(MT2)에서는 대기압 환경 하에서의 작업 시, 즉 공정(ST1), 공정(STa) 및 공정(STb)의 작업 시에는 제 2 정전 척(80)의 전극에 전압을 인가하지 않고, 포커스 링(FR)을 임시 고정할 수 있다. 따라서, 대기압 환경 하에서의 작업 시의 감전을 피하는 것이 가능하며, 또한 제 2 정전 척(80)에의 대기 중의 분진의 흡착을 억제하는 것이 가능하다.
또한 공정(STc)에서의 감압 시에는, 포커스 링(FR)이 제 2 정전 척(80)에 대하여 흡인된 상태가 유지되고 있으므로, 공간(S)의 감압 시의 기류 등에 의해 포커스 링(FR)이 위치 이탈되는 것이 억제 가능하다. 또한 방법(MT2)에서는, 포커스 링(FR)의 위치 이탈을 억제할 수 있으므로, 웨이퍼(W)의 처리 시의 포커스 링(FR)의 온도의 제어성을 향상시키는 것이 가능하다. 또한 방법(MT2)에서는, 제 2 정전 척(80)에 포커스 링(FR)을 흡인한 상태에서 당해 포커스 링(FR)을 제 2 정전 척(80)에 정전 흡착시키므로, 공정(ST2)의 개시 시에 포커스 링(FR)에 부여되는 충격력을 완화하는 것이 가능하다.
이하, 제 1 정전 척의 다른 실시예에 대하여 설명한다. 도 7은 다른 실시예에 따른 제 1 정전 척을 도시한 평면도이다. 도 7에 도시한 제 1 정전 척(170)은, 제 1 정전 척(70) 대신에 플라즈마 처리 장치(10)에 이용될 수 있다. 제 1 정전 척(170)은 전극(170a), 전극(170b) 및 전극(170c)을 구비하고 있다. 전극(170a), 전극(170b) 및 전극(170c)은 제 1 정전 척(170)의 중심축선을 중심으로 하여 환상으로 연장되어 있다. 또한, 전극(170a), 전극(170b) 및 전극(170c)은 제 1 정전 척(170)의 중심축선에 대하여 동축으로 설치되어 있다. 구체적으로, 전극(170a)의 외측에 전극(170b)이 설치되어 있고, 전극(170b)의 외측에 전극(170c)이 설치되어 있다. 전극(170a), 전극(170b) 및 전극(170c)에는 각각 전원(72a), 전원(72b) 및 전원(72c)이 접속되어 있다. 이 제 1 정전 척(170)에서도, 전극(170a), 전극(170b) 및 전극(170c)에 각각 상이한 위상을 가지는 3 개의 교류 전압이 인가되도록 되어 있다. 이 제 1 정전 척(170)과 상술한 제 1 정전 척(70)을 대비하면 명백한 바와 같이, 제 1 정전 척에 설치되는 3 개의 전극의 형상 및 배치는 임의로 변경 가능하다.
이어서, 제 2 정전 척의 다른 실시예에 대하여 설명한다. 도 8은 다른 실시예에 따른 제 2 정전 척을 도시한 평면도이다. 도 8에 도시한 제 2 정전 척(180)은, 제 2 정전 척(80) 대신에 플라즈마 처리 장치(10)에 이용될 수 있다. 제 2 정전 척(180)은 전극(180a), 전극(180b) 및 전극(180c)을 구비하고 있다. 전극(180a), 전극(180b) 및 전극(180c)은 제 2 정전 척(180)의 중심축선을 중심으로 하여 환상으로 연장되어 있다. 또한, 전극(180a), 전극(180b) 및 전극(180c)은 제 2 정전 척(180)의 중심축선에 대하여 동축으로 설치되어 있다. 구체적으로, 전극(180a)의 외측에 전극(180b)이 설치되어 있고, 전극(180b)의 외측에 전극(180c)이 설치되어 있다. 전극(180a), 전극(180b) 및 전극(180c)에는 각각 전원(82a), 전원(82b) 및 전원(82c)이 접속되어 있다. 이 제 2 정전 척(180)에서도, 전극(180a), 전극(180b) 및 전극(180c)에 각각 상이한 위상을 가지는 3 개의 교류 전압이 인가되도록 되어 있다. 이 제 2 정전 척(180)과 상술한 제 2 정전 척(80)을 대비하면 명백한 바와 같이, 제 2 정전 척에 설치되는 3 개의 전극의 형상 및 배치는 임의로 변경 가능하다.
이상, 다양한 실시예에 대하여 설명했으나, 상술한 실시예에 한정되지 않고 다양한 변형 태양을 구성 가능하다. 예를 들면, 상술한 실시예의 플라즈마 처리 장치(10)는 제 1 정전 척 및 제 2 정전 척을 구비하고 있으나, 다른 실시예에서는, 플라즈마 처리 장치는 제 1 정전 척 및 제 2 정전 척 중 일방만을 구비하고 있어도 된다. 또한, 플라즈마 처리 장치(10)는 하부 전극에 2 개의 고주파 전력을 공급하는 타입의 플라즈마 처리 장치이지만, 하부 전극에 고주파 바이어스 전력이 공급되고, 상부 전극에 플라즈마 생성용의 고주파 전력이 공급되어도 된다. 또한, 플라즈마 처리 장치(10)는 용량 결합형의 플라즈마원을 가지고 있지만, 플라즈마 처리 장치의 플라즈마원은 한정되지 않는다. 예를 들면, 플라즈마 처리 장치는 유도 결합형의 플라즈마원 또는 마이크로파와 같은 표면파를 발생시키는 플라즈마원을 구비하고 있어도 된다.
또한, 상술한 실시예의 처리 장치는 플라즈마 처리 장치였으나, 처리 장치는 감압 환경 하에서 피처리체를 처리하는 것이면 임의의 처리 장치여도 된다.
또한 상술한 실시예에서는, 정전 척의 3 개의 전극에 3 개의 전원이 개별로 접속되어 있었으나, 3 개의 교류 전압은 1 개의 전원으로부터 발생되는 교류 전압에 기초하는 것이어도 된다.
10 : 플라즈마 처리 장치
12 : 처리 용기
S : 공간
16 : 재치대
50 : 배기 장치
70 : 제 1 정전 척
70a, 70b, 70c : 전극
72a, 72b, 72c : 전원
80 : 제 2 정전 척
80a, 80b, 80c : 전극
82a, 82b, 82c : 전원
FR : 포커스 링
GL : 가스 라인
90 : 전열 가스 공급 기구
92 : 감압 펌프
W : 웨이퍼

Claims (8)

  1. 감압 가능한 공간 내에서 피처리체를 처리하기 위한 처리 장치에서 상기 공간을 구획 형성하는 처리 용기 내에 설치된 재치대에 피흡착물을 흡착시키는 방법으로서,
    상기 재치대의 정전 척 상에 상기 피흡착물을 재치하는 공정과,
    상기 정전 척의 3 개의 전극에 각각 서로 위상이 상이한 3 개의 교류 전압을 인가하는 공정을 포함하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 피흡착물은 웨이퍼이며,
    상기 정전 척은 웨이퍼용의 정전 척인 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 피흡착물은 웨이퍼의 엣지를 둘러싸도록 재치대 상에 설치되는 포커스 링이며,
    상기 정전 척은 포커스 링용의 정전 척인 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 재치하는 공정 후, 상기 정전 척과 상기 포커스 링과의 사이로 전열 가스를 공급하는 가스 라인에 접속된 감압 펌프를 작동시켜 상기 포커스 링을 상기 정전 척에 흡인하는 공정과,
    상기 흡인하는 공정 후, 상기 처리 용기 내의 공간을 감압하는 공정을 더 포함하고,
    상기 감압하는 공정 후, 상기 3 개의 교류 전압을 인가하는 공정이 행해지는 방법.
  5. 피처리체를 감압된 공간 내에서 처리하기 위한 플라즈마 처리 장치로서,
    감압 가능한 공간을 구획하여 형성하는 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내에 설치된 재치대이며, 3 개의 전극을 가지는 정전 척을 포함하는 상기 재치대와,
    상기 정전 척에 피흡착물을 흡착하기 위하여, 상기 3 개의 전극에 각각 서로 상이한 위상을 가지는 3 개의 교류 전압을 인가하는 전원을 구비하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 정전 척은 웨이퍼용의 정전 척인 플라즈마 처리 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 정전 척은 포커스 링용의 정전 척인 플라즈마 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    감압 펌프를 더 구비하고,
    상기 재치대에는 상기 정전 척과 상기 포커스 링과의 사이로 전열 가스를 공급하기 위한 가스 라인이 형성되어 있고,
    상기 감압 펌프는 상기 가스 라인에 접속되어 있는 플라즈마 처리 장치.
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