JPH09232099A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH09232099A JPH09232099A JP8031666A JP3166696A JPH09232099A JP H09232099 A JPH09232099 A JP H09232099A JP 8031666 A JP8031666 A JP 8031666A JP 3166696 A JP3166696 A JP 3166696A JP H09232099 A JPH09232099 A JP H09232099A
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- JP
- Japan
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- plasma
- chamber
- microwave
- vacuum chamber
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】プラズマの着火性の改善及び偏ったプラズマ分
布を意図的に分散させるプラズマ処理装置が必要。 【解決の手段】マイクロ波発生源1、導波管2、真空室
8、真空室に設けたプラズマ励起エネルギー導入窓6、
該真空室への処理ガス供給口7、排気配管9からなるプ
ラズマ処理装置において、プラズマ励起エネルー導入窓
6の真空室側に凹部を設けた構造とする。 【効果】着火性の改善とともに、集中放電部を意図的に
設置できることによりウェハ面内処理速度均一性の改善
ができる。
布を意図的に分散させるプラズマ処理装置が必要。 【解決の手段】マイクロ波発生源1、導波管2、真空室
8、真空室に設けたプラズマ励起エネルギー導入窓6、
該真空室への処理ガス供給口7、排気配管9からなるプ
ラズマ処理装置において、プラズマ励起エネルー導入窓
6の真空室側に凹部を設けた構造とする。 【効果】着火性の改善とともに、集中放電部を意図的に
設置できることによりウェハ面内処理速度均一性の改善
ができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ処理装置に
係り、特に半導体基板等のエッチング及びアッシング並
びにデポジションに好適なプラズマ処理装置に関するも
のである。
係り、特に半導体基板等のエッチング及びアッシング並
びにデポジションに好適なプラズマ処理装置に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】従来のプラズマ処理装置は、例えば特開
平7−135095号公報に記載のようにプラズマ励起
エネルギーであるマイクロ波をマグネトロンから導波
管、プラズマ励起エネルギー導入用窓を介しプラズマ発
生室(真空室)内にプラズマを発生させる構造になって
いた。この際、導波管内でマイクロ波の整合調整を行い
マイクロ波の伝達効率を高め、処理速度を高くするよう
にしたものが知られているが、プラズマ励起エネルギー
導入用窓のプラズマ処理室側の形状に関する記述は見当
たらない。
平7−135095号公報に記載のようにプラズマ励起
エネルギーであるマイクロ波をマグネトロンから導波
管、プラズマ励起エネルギー導入用窓を介しプラズマ発
生室(真空室)内にプラズマを発生させる構造になって
いた。この際、導波管内でマイクロ波の整合調整を行い
マイクロ波の伝達効率を高め、処理速度を高くするよう
にしたものが知られているが、プラズマ励起エネルギー
導入用窓のプラズマ処理室側の形状に関する記述は見当
たらない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、放電
開始時の着火性および着火後のプラズマ分布についての
配慮がされておらず、未着火現象やプラズマ処理室(真
空室)内での局部的なプラズマの集中が起こりうる構造
となっていた。
開始時の着火性および着火後のプラズマ分布についての
配慮がされておらず、未着火現象やプラズマ処理室(真
空室)内での局部的なプラズマの集中が起こりうる構造
となっていた。
【0004】本発明の目的は、プラズマ着火性の改善、
及び偏ったプラズマ分布を意図的に分散させることので
きるプラズマ処理装置を提供する事にある。
及び偏ったプラズマ分布を意図的に分散させることので
きるプラズマ処理装置を提供する事にある。
【0005】
【課題を解決するための手段】プラズマを発生するプラ
ズマ発生室(真空室)と該プラズマ発生室に設けたプラ
ズマ励起エネルギー導入用窓と前記プラズマ発生室への
ガス導入手段並びに排気装置からなるプラズマ処理装置
において、前記導入窓のプラズマ発生室側に単数もしく
は複数の凹部または凸部構造を設け、該凹部または凸部
の平面からの変化部での電界の変化を利用し、プラズマ
を意図的に集中させることで、課題解決を試みたもので
ある。
ズマ発生室(真空室)と該プラズマ発生室に設けたプラ
ズマ励起エネルギー導入用窓と前記プラズマ発生室への
ガス導入手段並びに排気装置からなるプラズマ処理装置
において、前記導入窓のプラズマ発生室側に単数もしく
は複数の凹部または凸部構造を設け、該凹部または凸部
の平面からの変化部での電界の変化を利用し、プラズマ
を意図的に集中させることで、課題解決を試みたもので
ある。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明の一実施例を図1乃至図6
により説明する。図1は、本発明のプラズマ処理装置を
示す。図1において、真空室8にはプラズマ励起エネル
ギーであるマイクロ波の導入用窓6、円形導波管5、整
合器4、アイソレータ3を介し矩形導波管2が取り付け
てある。その導波管2の上端部にはプラズマ励起エネル
ギーであるマイクロ波発生源としてマグネトロン1が取
り付けてある。アイソレータ3は矩形導波管2内を戻る
反射波を吸収するためのアイソレータである。
により説明する。図1は、本発明のプラズマ処理装置を
示す。図1において、真空室8にはプラズマ励起エネル
ギーであるマイクロ波の導入用窓6、円形導波管5、整
合器4、アイソレータ3を介し矩形導波管2が取り付け
てある。その導波管2の上端部にはプラズマ励起エネル
ギーであるマイクロ波発生源としてマグネトロン1が取
り付けてある。アイソレータ3は矩形導波管2内を戻る
反射波を吸収するためのアイソレータである。
【0007】また、整合器4は矩形導波管2を伝送され
るマイクロ波の反射をなくすための負荷インピーダンス
整合を行なうスタブ式整合器である。
るマイクロ波の反射をなくすための負荷インピーダンス
整合を行なうスタブ式整合器である。
【0008】また、真空室8内へ処理ガスを供給するた
め処理ガス供給装置(図示省略)につながる処理ガス導
入口7が設けられ、真空室下方の真空室排気配管9を介
し真空排気装置(図示省略)により、真空室の圧力調整
ならびに排気動作を行なっている。
め処理ガス供給装置(図示省略)につながる処理ガス導
入口7が設けられ、真空室下方の真空室排気配管9を介
し真空排気装置(図示省略)により、真空室の圧力調整
ならびに排気動作を行なっている。
【0009】本発明例では、マイクロ波発生源となるマ
グネトロンは周波数2.45GHzのものとし、矩形導
波管はTE10モードが伝送可能な標準寸法とし、マイ
クロ波導入窓は石英を使用している。
グネトロンは周波数2.45GHzのものとし、矩形導
波管はTE10モードが伝送可能な標準寸法とし、マイ
クロ波導入窓は石英を使用している。
【0010】尚、このマイクロ波導入窓はマイクロ波が
透過可能でプラズマ発生室を形成しうる材料であればよ
く、石英に限定されない。
透過可能でプラズマ発生室を形成しうる材料であればよ
く、石英に限定されない。
【0011】本発明は、上記構成に於いて、マイクロ波
導入用窓6のプラズマ発生室(真空室)側に凹型形状の
へこみをつけたことを特徴としている。
導入用窓6のプラズマ発生室(真空室)側に凹型形状の
へこみをつけたことを特徴としている。
【0012】図6に示すように本発明を適用した装置に
おいて、処理速度面内均一性が改善される効果が確認で
きた。
おいて、処理速度面内均一性が改善される効果が確認で
きた。
【0013】本発明の他の実施例として上記実施例のマ
イクロ波導入用窓6の処理室側面での電界の変化を利用
する形状として凹部断面が同心円上で三角溝(図4)、
矩形溝(図5)また丸溝(図6)、また複数個の凹部を
設けた断面形状が矩形(図6)、半円(図7)、三角
(図8)等、さらにこれらの組合わせであってもよい。
さらにこれらの平面からの変化は凸部形状であってもよ
い。
イクロ波導入用窓6の処理室側面での電界の変化を利用
する形状として凹部断面が同心円上で三角溝(図4)、
矩形溝(図5)また丸溝(図6)、また複数個の凹部を
設けた断面形状が矩形(図6)、半円(図7)、三角
(図8)等、さらにこれらの組合わせであってもよい。
さらにこれらの平面からの変化は凸部形状であってもよ
い。
【0014】さらに、本実施例はウェハのアッシングの
場合について述べたが、本発明は、プラズマを用いて所
定の形状にエッチングする場合や、ウェハ上にデポジシ
ョンを生じさせる場合にも適宜応用可能である。
場合について述べたが、本発明は、プラズマを用いて所
定の形状にエッチングする場合や、ウェハ上にデポジシ
ョンを生じさせる場合にも適宜応用可能である。
【0015】
【発明の効果】本発明によれば、プラズマ励起エネルギ
ー導入用窓の真空室側に凹部を設ける事により、電界の
変化をもたらしプラズマの着火を促すことで着火性の改
善を図ることができる。又集中放電部を意図的に設置で
き、プラズマが任意的に分散できる事によりウェハ面内
アッシング処理速度均一性の改善ができる。
ー導入用窓の真空室側に凹部を設ける事により、電界の
変化をもたらしプラズマの着火を促すことで着火性の改
善を図ることができる。又集中放電部を意図的に設置で
き、プラズマが任意的に分散できる事によりウェハ面内
アッシング処理速度均一性の改善ができる。
【図1】(a)は本発明の一実施例であるマイクロ波プ
ラズマ処理装置を示す縦断面図である。(b)は図1の
下側正面図である。
ラズマ処理装置を示す縦断面図である。(b)は図1の
下側正面図である。
【図2】(a)は図1のマイクロ波導入用窓の凹部の断
面形状が同心円上で丸溝の実施例である。(b)は図2
の下側正面図である。
面形状が同心円上で丸溝の実施例である。(b)は図2
の下側正面図である。
【図3】(a)は図1のマイクロ波導入用窓の凹部の断
面形状が同心円上で矩形溝の実施例である。(b)は図
3の下側正面図である。
面形状が同心円上で矩形溝の実施例である。(b)は図
3の下側正面図である。
【図4】(a)は図1のマイクロ波導入用窓の凹部の断
面形状が同心円上で三角溝の実施例である。(b)は図
4の下側正面図である。
面形状が同心円上で三角溝の実施例である。(b)は図
4の下側正面図である。
【図5】(a)は図1のマイクロ波導入用窓の凹部の断
面形状が丸で複数ある場合の実施例である。(b)は図
5の下側正面図である。
面形状が丸で複数ある場合の実施例である。(b)は図
5の下側正面図である。
【図6】(a)は図1のマイクロ波導入用窓の凹部の断
面形状が矩形で複数ある場合の実施例である。(b)は
図6の下側正面図である。
面形状が矩形で複数ある場合の実施例である。(b)は
図6の下側正面図である。
【図7】(a)は図1のマイクロ波導入用窓の凹部の断
面形状が三角で複数ある場合の実施例である。(b)は
図7の下側正面図である。
面形状が三角で複数ある場合の実施例である。(b)は
図7の下側正面図である。
【図8】従来技術と図1の装置におけるアッシング速度
分布図の説明図である。
分布図の説明図である。
1…マイクロ波発生源、2…矩形導波管、3…アイソレ
ータ、4…整合器、5…円形導波管、6…マイクロ波導
入窓、7…処理ガス供給口、8…真空室、9…排気装
置、10…凹部のへこみ。
ータ、4…整合器、5…円形導波管、6…マイクロ波導
入窓、7…処理ガス供給口、8…真空室、9…排気装
置、10…凹部のへこみ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/3065 H01L 21/302 B (72)発明者 松本 英治 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 唐島 陽助 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内
Claims (1)
- 【請求項1】プラズマを発生させるプラズマ発生室と前
記プラズマ発生室に設けたプラズマ励起エネルギー導入
用窓と前記プラズマ発生室へのガス導入手段並びに排気
装置からなるプラズマ処理装置において、 前記プラズマ励起エネルギー導入窓のプラズマ発生室側
(処理室側)に凹部または凸部構造を設置した事を特徴
とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8031666A JPH09232099A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8031666A JPH09232099A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09232099A true JPH09232099A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12337464
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8031666A Pending JPH09232099A (ja) | 1996-02-20 | 1996-02-20 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09232099A (ja) |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1996
- 1996-02-20 JP JP8031666A patent/JPH09232099A/ja active Pending
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