KR101046471B1 - 슬릿 밸브 보상기구를 갖는 확산 판 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 일반적으로, PECVD 챔버용 확산 판을 포함한다. 상기 확산 판은 복수의 중공형 캐소드 공동을 포함한다. 처리 챔버 내의 슬릿 밸브에 가장 가깝게 위치되는 확산 판의 에지는 슬릿 밸브에 대한 접근성을 보상하도록 조절되는 상기 중공형 캐소드 공동의 형상 및/또는 크기를 가질 수 있다. 슬릿 밸브에 가장 가깝게 중공형 캐소드 공동의 형상 및/또는 크기를 조절함으로써, 확산 판은 처리 챔버 전반에 걸친 플라즈마의 균일한 분포를 가능하게 하며, 그에 따라 PECVD 공정 중에 기판 상에 균일한 필름 두께를 제공할 수 있다.

Description

슬릿 밸브 보상기구를 갖는 확산 판 {DIFFUSER PLATE WITH SLIT VALVE COMPENSATION}
본 발명의 실시예들은 일반적으로, 챔버 슬릿 밸브에 의한 플라즈마 불균일성을 보상하도록 설계된 화학 기상 증착(CVD)용 확산 판에 관한 것이다.
플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)은 반도체 기판들 상에 다수의 필름을 증착하는데 오랫동안 사용되어 온 증착 방법이다. PECVD는 최근에, 태양 전지판, 평판 디스플레이 기판, 및 대형 박막 트랜지스터 기판과 같은 대형 기판 상에 필름을 증착하는데 사용된다. 시장의 초점은 계속해서 기판의 크기가 증가되더라도 평판 디스플레이의 비용은 감소시키고자 하는 것이다. 1 제곱 미터 이상의 기판은 평판 디스플레이 공정에 일반적이지 않다.
가스 확산 판은 처리 챔버 전반에 걸친 증착 플라즈마의 균일한 분배를 보장하는데 사용될 수 있다. 플라즈마의 균일한 분배는 기판 전체에 걸친 필름 균일도에 도움을 줄 것이다. 그러나, 기판 크기가 증가되면서, 처리 챔버 내의 플라즈마의 균일한 분배를 얻는 것에 도전을 받게 되었다. 그러므로, 본 기술 분야에는 개선된 가스 확산 판이 필요하게 되었다.
본 발명은 일반적으로, PECVD 챔버용 확산 판을 포함한다. 상기 확산 판은 복수의 중공형 캐소드 공동을 포함한다. 처리 챔버 내의 슬릿 밸브에 가장 가깝게 위치되는 확산 판의 에지는 슬릿 밸브에 대한 접근성을 보상하도록 조절되는 상기 중공형 캐소드 공동의 형상 및/또는 크기를 가질 수 있다. 슬릿 밸브에 가장 가깝게 중공형 캐소드 공동의 형상 및/또는 크기를 조절함으로써, 확산 판은 처리 챔버 전반에 걸친 플라즈마의 균일한 분포를 가능하게 하며, 그에 따라 PECVD 공정 중에 기판 상에 균일한 필름 두께를 제공할 수 있다.
일 실시예에서, 가스 분배 판 조립체가 설명된다. 상기 조립체는 상류 측면, 하류 측면, 처리 챔버 내에서 슬릿 밸브에 인접하게 배열되는 제 1 에지, 중앙부, 및 제 2 에지를 갖는 확산 판 소자; 및 상기 상류 측면과 하류 측면 사이로 통과하는 복수의 가스 통로를 포함한다. 복수의 가스 통로는 확산 판 소자의 제 1 에지에 인접 배열되는 제 1 중공형 캐소드 공동을 갖춘 제 1 가스 통로, 확산 판 소자의 중앙부에 인접 배열되는 제 2 중공형 캐소드 공동을 갖춘 제 2 가스 통로, 및 제 2 에지에 인접 배열되는 제 3 중공형 캐소드 공동을 갖춘 제 3 가스 통로를 포함하며, 상기 제 1 중공형 캐소드 공동, 제 2 중공형 캐소드 공동, 및 제 3 중공형 캐소드 공동은 상이한 체적을 가진다.
다른 실시예에서, 플라즈마 처리 챔버가 설명된다. 상기 챔버는 복수의 벽을 갖춘 챔버 몸체, 상기 복수의 벽들 중의 적어도 하나에 배열되는 하나 또는 그 이상의 슬릿 밸브, 및 확산 판을 포함한다. 상기 확산 판은 상류 측면, 하류 측면, 하나 또는 그 이상의 슬릿 밸브 중의 하나의 슬릿 밸브에 인접하게 배열되는 제 1 에지, 중앙부, 및 제 2 에지를 갖는 확산 판 소자; 및 상기 상류 측면과 하류 측면 사이로 통과하는 복수의 가스 통로를 포함한다. 복수의 가스 통로는 확산 판 소자의 제 1 에지에 인접 배열되는 제 1 중공형 캐소드 공동을 갖춘 제 1 가스 통로, 확산 판 소자의 중앙부에 인접 배열되는 제 2 중공형 캐소드 공동을 갖춘 제 2 가스 통로, 및 제 2 에지에 인접 배열되는 제 3 중공형 캐소드 공동을 갖춘 제 3 가스 통로를 포함하며, 상기 제 1 중공형 캐소드 공동, 제 2 중공형 캐소드 공동, 및 제 3 중공형 캐소드 공동은 상이한 체적을 가진다.
또 다른 실시예에서, 플라즈마 처리 방법이 설명된다. 상기 방법은 슬릿 밸브에 인접 배열되는 제 1 가스 통로가 확산 판의 중앙부에 인접 배열되는 제 2 가스 통로 및 상기 확산 판의 에지에 인접 배열되는 제 3 가스 통로와 상이하게 배치 및 배열되는 복수의 가스 통로를 갖춘 확산 판을 통해 처리 가스를 유동시키는 단계, 상기 확산 판을 편향시키는 단계, 및 상기 가스 통로 내의 플라즈마를 점화시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 전술한 특징들이 더욱 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 서두에서 간단히 요약된 본 발명에 대해 첨부 도면에 도시되어 있는 몇몇 실시예들를 참조하여 더욱 상세한 설명할 것이다. 그러나, 첨부 도면은 단지 본 발명의 통상적인 실시예만을 도시하는 것이므로 본 발명의 범주를 한정하는 것으로 이해해서는 않 되며 다른 균등한 효과를 갖는 실시예들이 있을 수 있다고 이해해야 한다.
본 발명은 일반적으로, PECVD 챔버용 확산 판을 포함한다. 확산 판은 복수의 중공형 캐소드 공동을 포함한다. 처리 챔버 내의 슬릿 밸브에 가장 가깝게 놓이는 확산 판의 에지는 슬릿 밸브에 대한 접근성을 보상하도록 조절되는 상기 중공형 캐소드 공동의 형상 및/또는 크기를 가질 수 있다. 슬릿 밸브에 가장 가깝게 중공형 캐소드 공동의 형상 및/또는 크기를 조절함으로써, 확산 판은 처리 챔버 전반에 걸친 플라즈마의 균일한 분포를 가능하게 하며, 그에 따라 PECVD 공정 중에 기판 상에 균일한 필름 두께를 제공할 수 있다.
본 발명은 미국 산타 클라라 소재의 어플라이드 머티리얼즈 인코포레이티드의 분사인 AKT로부터 이용가능한 PECVD 시스템과 같은 대형 기판을 처리하도록 구성된 PECVD 시스템을 참조하여 이후에 예시적으로 설명될 것이다. 본 발명은 또한, 다른 제작자들에 의해 제작된 처리 시스템에도 이용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 처리 챔버(100)의 개략적인 횡단면도이다. 처리 챔버(100)는 리드(102)와 벽(108)을 갖춘 챔버 몸체를 포함한다. 적어도 하나의 벽(108) 내에는 처리 공간(116)으로 기판(106)의 삽입을 허용하며 처리 공간(116)으로부터 기판(106)의 제거를 허용하기 위한 하나 또는 그 이상의 슬릿 밸브(122)가 제공된다. 처리 공간(116)은 슬릿 밸브(122), 챔버 벽(108), 기판(106), 및 확산 판(110)에 의해 에워 싸일 수 있다. 일 실시예에서, 확산 판(110)은 전원에 의해 바이어스(bias)될 수 있다. 기판(106)은 필요에 따라 기판(106)을 상승 및 하강시키도록 상하로 이동될 수 있는 서셉터(104) 상에 배열될 수 있다.
가스는 확산 판(110)과 플레넘(114)으로 지칭되는 리드(112)와의 사이에 있 는 영역으로 유입될 수 있다. 가스는 확산 판의 상류 측면(118)으로부터 하류 측면(120)을 통해 연장하는 가스 통로(112)로 인해 플래넘(114) 내에 균일하게 분포될 수 있다. 이후에 설명하는 바와 같이, 가스 통로는 플레넘 내에 실질적으로 균일한 가스 압력을 형성하도록 구성될 수 있다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 슬릿 밸브(202)와 관련된 확산 판(200)의 개략적인 평면도이다. 도 2b는 도 2a의 A-A 선을 따라 취한 개략적인 횡단면도이다. 확산 판(200)은 플레넘에 인접한 상류 측면(204)과 처리 중에 처리 공간에 인접하는 하류 측면(206)을 포함한다. 복수의 가스 통로(208a-208c)는 상류 측면(204)으로부터 하류 측면(206) 사이로 연장하는 확산 판(200) 내에 위치될 수 있다.
각각의 가스 통로(208a-208c)는 상부 보어(210a-210c), 쵸오크(212a-212c), 및 중공형 캐소드 공동(214a-214c)을 포함할 수 있다. 상부 보어(210a-210c)는 확산 판(200)의 상류 측면(204)과 결합하는 반면에, 중공형 캐소드 공동(214a-214c)은 확산 판(200)의 하류 측면(206)과 결합할 수 있다. 쵸오크(212a-212c)는 중공형 캐소드 공동(214a-214c)과 상부 보어(210a-210c) 사이에 연결될 수 있다.
가스 통로(208a-208c)는 상류 측면(204)으로부터 확산 판(200)의 내측으로 보어를 천공하고 하류 측면(206)으로부터 확산 판(200)의 내측으로 다른 보어를 천공함으로써 두 개의 보어가 서로 결합되도록 형성될 수 있다. 두 개의 보어가 만나는 위치에서 확산 판(200)의 쵸오크(212a-212b)를 형성한다.
쵸오크(212a-212c)는 플레넘 내에 분배된 가스가 확산 판(200)의 상류 측면(204) 전체에 걸쳐 균일하게 분포될 수 있게 하는 기능을 하며, 쵸오크의 채널을 좁게 함으로써 확산 판을 통해 가스가 유입될 수 있게 한다. 쵸오크(212a-212c)의 좁아진 채널은 가스를 정체시켜 확산 판(200)의 상류 측면(204)에 걸쳐서 가스를 확산시킴으로써 동일한 양의 가스가 각각의 가스 통로(208a-208c)를 통해 흐를 수 있게 한다. 일 실시예에서, 쵸오크(212a-212c)는 모두 동일한 높이 및/또는 폭을 가질 것이다. 다른 실시예에서, 상기 쵸오크(212a-212c)는 모두 다양한 높이 및/또는 폭을 가질 수 있다. 또한, 쵸오크(212a-212c)는 확산 판(200)의 상류 측면(204)으로부터 동일 또는 상이한 거리 만큼 이격될 수 있다.
가스 통로(208a-208c)는 또한, 중공형 캐소드 공동(214a-214c)을 포함한다. 중공형 캐소드 공동(214a-214c)은 원추형 또는 원통형 또는 이들의 조합 형상일 수 있다. 중공형 캐소드 공동(214a-214c)은 중공형 캐소드 공동(214a-214c) 내에서 플라즈마의 점화를 허용할 수 있는 크기이다. 환언하면, 플라즈마는 처리 공간 내에서 보다는 확산 판(200) 자체 내에서 점화될 수 있다. 플라즈마를 중공형 캐소드 공동(214a-214c) 내에서 점화시킴으로써, 플라즈마의 형상이 제어될 수 있는데, 이는 중공형 캐소드 공동(214a-214c)이 챔버 내의 플라즈마의 형상 및/또는 세기에 영향을 줄 수 있기 때문이다.
각각의 중공형 캐소드 공동(214a-214c)은 상이한 표면적 또는 체적을 가질 수 있다. 또한, 확산 각(α1-α3)은 중공형 캐소드 공동(214a-214c)에 대해 동일 및/또는 상이할 수 있다. 확산 각(α1-α3)은 중공형 캐소드 공동(214a-214c)의 벽이 쵸오크(212a-212c)로부터 연장하는 각도이다. 슬릿 밸브(202)가 플라즈마의 균일도에 영향을 끼침으로써 기판에 대한 증착 균일도에 영향을 준다는 것을 알아낸 것은 놀라운 것이다.
가스 통로(208a-208c)가 확산 판(200) 전체에 걸쳐서 실질적으로 동일한 상황하에서, 기판의 중앙부의 면적은 기판의 나머지 부분에 비해서 더 많은 증착 양을 갖는다는 것도 알아냈다. 또한, 슬릿 밸브에 인접한 기판 상에서 발생되는 증착의 양이 기판의 중앙부에서 발생하는 증착의 양보다 작을 수 있지만, 슬릿 밸브에 인접한 기판의 면적이 기판의 나머지 부분에 비해서 더 많은 양의 증착을 가질 수 있다는 것도 알아냈다.
불균일한 증착을 보상하기 위해, 중공형 캐소드 공동(214a-214c)의 표면적 및/또는 체적이 조절될 수 있다. 환언하면, 중공형 캐소드 공동(214a-214c)의 표면적 및/또는 체적을 상이하게 조절함으로써, 중공형 캐소드 공동 내에 생성되는 플라즈마의 표면적 및/또는 체적도 상이해져[즉, 플라즈마 구배(gradient)가 형성되어] 기판 상의 불균일한 증착이 보상되게 된다. 3 개의 가스 통로(208a-208c)를 갖는 확산 판을 참조하여 설명하지만, 이는 더 많은 가스 통로(208a-208c)가 존재할 수 있다고 이해해야 한다. 기판의 중앙부에 대응하는 가스 통로(208b)는 보다 작은 중공형 캐소드 공동(214b) 표면적 및/또는 체적을 가질 것이다. 증착이 덜 수행될 수 있는 기판의 에지에 대응하는 가스 통로(208c)는 기판의 중앙부에 대응하는 가스 통로(208b)의 중공형 캐소드 공동(214b)에 비해서 보다 큰 표면적 및/또는 체적을 갖는 중공형 캐소드 공동(214c)을 가질 수 있다. 유사하게, 슬릿 밸브(202)에 인접한 가스 통로(208a)는 기판의 중앙부에 대응하는 중공형 캐소드 공동(214b)에 비해 보다 큰 표면적 및/또는 체적을 갖지만, 기판의 에지에 대응하는 중공형 캐소드 공동(214c)에 비해서 보다 작은 표면적 및/또는 체적을 갖는 중공형 캐소드 공동(214a)을 가질 수 있다. 중공형 캐소드 공동(214a-214c)이 상이하지만, 쵸오크(212a-212c)는 실질적으로 동일 또는 상이할 수 있다.
대형 기판의 코너가 플라즈마 처리 중에 슬릿 밸브에 비해서 유사한 효과를 갖는다는 것을 알아낸 것도 놀라운 것이다. 따라서, 실질적으로 동일한 가스 통로를 갖는 확산 판을 사용할 때, 기판의 코너 근처에서 발생하는 증착의 양은 기판의 에지에서 발생하는 양보다 많지만 기판의 중앙부 근처에서 발생하는 증착의 양보다 적을 수 있다. 코너-중앙부-에지의 증착 불균일성을 보상하기 위해, 중공형 캐소드 공동(214a-214c)이 슬릿 밸브 중앙부 에지 증착의 불균일성과 관련하여 전술한 배열과 실질적으로 동일하게 배열될 수 있다. 이는 확산 판이 슬릿 밸브 보상뿐만 아니라 코너 보상 효과도 가질 수 있다고 이해된다. 도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 다른 실시예에 따른 중공형 캐소드 공동을 갖는 가스 통로의 개략적인 횡단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 확산 판(400)의 개략적인 횡단면도이다. 상류 측면(408)과 하류 측면(410) 사이로 연장하는 각각의 가스 통로를 위한 상부 보어(402)와 쵸오크(404)는 실질적으로 동일하다. 그러나, 중공형 캐소드 공동(406)은 확산 판(400) 전체에 걸쳐서 상이할 수 있다. 슬릿 밸브에 가장 가까운 중공형 캐소드 공동(406)은 확산 판의 에지에 대응하는 중공형 캐소드 공동(406)에 비해서 보다 작은 표면적 및/또는 체적을 가질 수 있다. 슬릿 밸브에 대응하는 중공형 캐소드 공동(406)은 확산 판의 중앙부에 대응하는 중공형 캐소드 공동(406)의 표면적 및/또는 체적보다 큰 표면적 및/또는 체적을 가질 수 있다. 중공형 캐소드 공동(406)은 하류면의 톱니형 형상으로 인해 상이할 수 있다. 하류면(410)은 슬릿 밸브 근처의 에지부(416) 및 다른 부분(412)로 완만한 곡선을 갖는 하류면(410)의 편심 오목부(414)를 가질 수 있다. 하류면(410)은 상부 보어(402)와 중공형 캐소드 공동(406)이 확산 판(400)의 내측으로 천공된 후에 확산 판(400)의 하류 측면(410)을 기계 가공해냄으로써 형성될 수 있다.
확산 판의 설계에 있어서 슬릿 밸브를 보상함으로써, 균일한 필름이 기판 상에 증착될 수 있다.
이제까지 본 발명의 실시예들을 중심으로 설명하였지만, 본 발명의 다른 추가의 실시예들이 본 발명의 기본 사상으로부터 이탈함이 없이 창안될 수 있으며, 그러므로 본 발명의 사상은 다음의 특허청구범위에 의해 결정된다.
삭제
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 처리 챔버의 개략적인 횡단면도.
도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 슬릿 밸브와 연관된 확산 판의 개략적인 평면도.
도 2b는 도 2a의 A-A 선을 따라 취한 개략적인 횡단면도.
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 다른 실시예에 따른 중공형 캐소드 공동을 갖춘 가스 통로의 개략적인 횡단면도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 확산 판의 개략적인 횡단면도.
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Claims (15)

  1. 가스 분배 판 조립체로서,
    상류 측면, 하류 측면, 처리 챔버 내에서 슬릿 밸브에 인접하게 배열되는 제 1 에지, 중앙부, 및 제 2 에지를 갖는 확산 판 소자; 및
    상기 상류 측면과 하류 측면 사이로 통과하는 복수의 가스 통로를 포함하며,
    상기 복수의 가스 통로는,
    상기 확산 판 소자의 제 1 에지에 인접 배열되는 제 1 중공형 캐소드 공동을 갖춘 제 1 가스 통로,
    상기 확산 판 소자의 중앙부에 인접 배열되는 제 2 중공형 캐소드 공동을 갖춘 제 2 가스 통로, 및
    상기 제 2 에지에 인접 배열되는 제 3 중공형 캐소드 공동을 갖춘 제 3 가스 통로를 포함하며, 상기 제 1 중공형 캐소드 공동, 제 2 중공형 캐소드 공동, 및 제 3 중공형 캐소드 공동이 상이한 체적을 가지며,
    상기 제 3 중공형 캐소드 공동의 체적은 상기 제 1 중공형 캐소드 공동의 체적 및 상기 제 2 중공형 캐소드 공동의 체적보다 큰,
    가스 분배 판 조립체.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 각각의 가스 통로는 균일한 배압을 촉진시킬 수 있는 길이와 직경을 가지는 쵸오크를 포함하며, 상기 쵸오크는 중공형 캐소드 공동에 연결되며, 상기 각각의 쵸오크는 동일한 길이와 직경을 포함하는,
    가스 분배 판 조립체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 확산 판 소자는 제 4 중공형 캐소드 공동을 갖는 하나 이상의 코너부를 포함하며, 상기 제 4 중공형 캐소드 공동은 제 3 중공형 캐소드 공동의 체적보다 작은,
    가스 분배 판 조립체.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 하류 측면은 오목한 부분을 포함하는,
    가스 분배 판 조립체.
  6. 플라즈마 처리 챔버로서,
    복수의 벽을 갖춘 챔버 몸체,
    상기 복수의 벽들 중 하나 이상의 벽에 배열되는 하나 또는 그 이상의 슬릿 밸브, 및
    확산 판을 포함하며,
    상기 확산 판은 상류 측면, 하류 측면, 하나 또는 그 이상의 슬릿 밸브 중의 하나의 슬릿 밸브에 인접하게 배열되는 제 1 에지, 중앙부, 및 제 2 에지를 갖는 확산 판 소자, 및
    상기 상류 측면과 하류 측면 사이로 통과하는 복수의 가스 통로를 포함하며,
    상기 복수의 가스 통로는,
    상기 확산 판 소자의 제 1 에지에 인접 배열되는 제 1 중공형 캐소드 공동을 갖춘 제 1 가스 통로,
    상기 확산 판 소자의 중앙부에 인접 배열되는 제 2 중공형 캐소드 공동을 갖춘 제 2 가스 통로, 및
    상기 제 2 에지에 인접 배열되는 제 3 중공형 캐소드 공동을 갖춘 제 3 가스 통로를 포함하며, 상기 제 1 중공형 캐소드 공동, 제 2 중공형 캐소드 공동, 및 제 3 중공형 캐소드 공동은 상이한 체적을 가지며,
    상기 제 3 중공형 캐소드 공동의 체적은 상기 제 1 중공형 캐소드 공동의 체적 및 상기 제 2 중공형 캐소드 공동의 체적보다 큰,
    플라즈마 처리 챔버.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 각각의 가스 통로는 균일한 배압을 촉진시킬 수 있는 길이와 직경을 가지는 쵸오크를 포함하며, 상기 쵸오크는 중공형 캐소드 공동에 연결되며, 상기 각각의 쵸오크는 동일한 길이와 직경을 포함하는,
    플라즈마 처리 챔버.
  8. 삭제
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 확산 판 소자는 제 4 중공형 캐소드 공동을 갖는 하나 이상의 코너부를 포함하며, 상기 제 4 중공형 캐소드 공동은 제 3 중공형 캐소드 공동의 체적보다 작은,
    플라즈마 처리 챔버.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 하류 측면은 오목한 부분을 포함하는,
    플라즈마 처리 챔버.
  11. 플라즈마 처리 방법으로서,
    슬릿 밸브에 인접 배열되는 제 1 가스 통로가 확산 판의 중앙부에 인접 배열되는 제 2 가스 통로 및 상기 확산 판의 에지에 인접 배열되는 제 3 가스 통로와 상이하게 배치 및 배열되는 복수의 가스 통로를 갖춘 확산 판을 통해 처리 가스를 유동시키는 단계,
    상기 확산 판을 바이어스시키는 단계, 및
    상기 가스 통로 내의 플라즈마를 점화시키는 단계를 포함하는,
    플라즈마 처리 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 가스 통로 내의 플라즈마를 점화시키는 단계,
    상기 제 2 가스 통로 내의 플라즈마를 점화시키는 단계, 및
    상기 제 3 가스 통로 내의 플라즈마를 점화시키는 단계를 포함하는, 상기 확산 판에 대향되게 배열되는 기판을 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하며,
    상기 플라즈마 처리 방법은 플라즈마 강화 화학 기상 증착 방법이며, 상기 플라즈마 처리는 상기 기판 상에 균일한 두께의 층을 증착시키는 단계를 포함하는,
    플라즈마 처리 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 확산 판 전체에 걸쳐서 중공형 캐소드 공동의 비대칭 플라즈마 구배를 형성하는 단계를 더 포함하는,
    플라즈마 처리 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 확산 판은 오목한 부분을 포함하는,
    플라즈마 처리 방법.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 각각의 가스 통로는,
    상류 측면 전반에 걸쳐서 균일한 가스 분포를 촉진시킬 수 있는 길이와 직경을 가지는 쵸오크, 및
    상기 쵸오크 및 하류 측면과 열결되는 중공형 캐소드 공동을 포함하며, 상기 쵸오크는 동일한,
    플라즈마 처리 방법.
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