CN204905225U - 基板处理装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及基板处理装置，更详细地说，利用等离子在基板表面形成多个凹凸的基板处理装置。本实用新型公开了基板处理装置，其包括：工序腔室，形成密闭的内部空间并且电气性接地所述工序腔室；基板支撑部，以与所述工序腔室电气性绝缘的状态来进行设置并施加一个以上的RF电源，并且支撑安装一个以上的基板的托架；气体喷射部，设置在所述内部空间的上侧来喷射用于执行基板处理的气体；盖部，从所述基板支撑部间隔距离地覆盖所述一个以上的基板来进行配置，并且形成多个开口部以使流入由所述气体喷射部喷射的气体，并且接地所述盖部。
Description
技术领域
本实用新型涉及基板处理装置，更详细地说，利用等离子在基板表面形成多个凹凸的基板处理装置。
背景技术
基板处理装置为，其构成包括形成密闭的内部空间的真空腔室，与设置在真空腔室内来安装基板的基板支撑架，并且将处理气体注入于内部空间的同时施加电源来蚀刻或沉积基板的表面的装置。
被所述基板处理装置处理的基板有半导体用晶圆、LCD面板用玻璃基板、太阳能电池用基板等。
作为所述基板处理装置的一示例基板处理装置为，在基板支撑架上安装太阳能电池用基板之后，在基板的上侧覆盖形成多个开口部的盖部件，为使在基板表面形成微小的凹凸而执行真空处理。
如上所述，作为利用盖部件在基板表面形成多个凹凸的基板处理装置，有韩国公开专利公报第10-2011-0029621号。
另一方面，使用盖部件在基板表面形成微小的凹凸的现有的基板处理装置，根据盖部件的中央部分及边缘位置部分等位置等离子形成条件不同，因此存在在以盖部件的平面位置为基准位于边缘位置部分的基板形成不均匀的微小凹凸，即具有会发生显著色差的问题。
然后，根据形成不均匀的微小凹凸，无法充分地达成根据形成微小凹凸降低反射率效果，因此具有无法充分地提高太阳能电池元件的效率的问题。
实用新型内容
(要解决的问题)
本实用新型提供基板处理装置的目的在于，为了解决如上所述的问题，利用盖部件来在基板表面形成微小凹凸时，能够形成均匀的微小凹凸。(解决问题的手段)
本实用新型是为了达成如上所述的本实用新型的目的而提出的，本实用新型公开的基板处理装置，包括：工序腔室，形成密闭的内部空间并且所述工序腔室电气性接地；基板支撑部，以与所述工序腔室电气性绝缘的状态来进行设置并施加一个以上的RF电源，并且支撑安装一个以上的基板的托架；气体喷射部，设置在所述内部空间的上侧来喷射用于执行基板处理的气体；盖部，从所述基板支撑部间隔距离地覆盖所述一个以上的基板来进行配置，并且形成多个开口部以使由所述气体喷射部喷射的气体流入，并且所述盖部接地。
所述盖部，以被所述托架支撑的状态与所述托架一起被移送，在所述托架安装在所述基板支撑部时与所述工序腔室电气性连接，进而所述盖部被接地。
所述盖部通过与所述工序腔室的内侧壁及底面中的至少一个接触，进而所述盖部被接地。
所述托架及所述盖部的平面形状为矩形形状，所述盖部，以导入到所述工序腔室的方向为基准相互面对的两边比所述托架的边缘更向外侧凸出，并且更凸出的部分与所述工序腔室的内表面电气性接触来接地所述盖部。
所述工序腔室上设置有接地部件，所述接地部件从所述工序腔室的内表面凸出来而在所述托架安装在所述基板支撑部时将所述盖部与所述工序腔室电气性连接。
所述盖部以电气性连接于所述工序腔室的状态可固定或可拆卸地设置在所述工序腔室。
所述盖部被设置在所述工序腔室的支撑部件支撑，并且根据所述支撑部件与所述工序腔室电气性连接。
在所述托架导入所述工序腔室或从所述工序腔室排出时为了防止被干涉，所述盖部可上下移动地设置在所述工序腔室内。
所述工序腔室及所述托架中至少一个，具有用于接地所述托架的一个以上的接地部。
所述基板处理装置执行反应离子蚀刻工艺。
所述基板为太阳能电池用晶体硅基板。
(实用新型的效果)
根据本实用新型的基板处理装置，接地覆盖在托架安装的一个以上的基板的上部的盖部，进而稳定地形成等离子，因此具有能够显著提高工序的均匀度的优点。
在接地盖部的情况，只在由基板支撑架及盖部形成的空间形成等离子，因此在基板附近稳定地形成等离子，进而显著地提高工序的均匀度。
尤其是，根据本实用新型的基板处理装置，如图1所示根据盖部的接地构造在基板表面形成微小凹凸时，相比于使用未接地的盖部，能够确认到对位于盖部平面上的边缘位子的基板形成均匀的微小凹凸。
并且，根据本实用新型的基板处理装置，使覆盖在托架安装的一个以上的基板上部的盖部接地，进而在由基板支撑架及盖部形成的空间形成等离子的形成大部分的等离子，因此具有就算在施加电力相对小的电源，也能够执行稳定且均匀的基板处理的优点。
并且，根据本实用新型的基板处理装置，为了获得相同的效果，根据施加电力相对小的电源，具有相比于施加电力相对大的电源的情况，在产生电弧放电等工序的稳定性方向更有利的优点。
附图说明
图1是示出根据本实用新型的基板处理装置的剖面图。
图2a及图2b是分别示出图1的基板处理装置中的盖部等的平面图及部分立体图。
图3是示出图1的基板处理装置的变形例的剖面图。
图4及图5是分别示出图1的基板处理装置的变形例的图面。
(附图标记说明)
10：基板20：托架
100：工序腔室210：盖部
具体实施方法
以下，参照附图如下说明根据本实用新型的基板处理装置。
根据本实用新型的基板处理装置，如图1至图5所示包括：形成密闭的内部空间S并且电气性接地的工序腔室100；与以与工序腔室100电气性绝缘的状态来进行设置并施加一个以上的RF电源，并且支撑安装一个以上的基板10托架20的基板支撑部130；与设置在内部空间S的上侧来喷射用于执行基板处理的气体的气体喷射部140；与为使从基板支撑部130间隔距离地覆盖一个以上的基板10来进行配置，并且形成多个开口部211以使流入由气体喷射部140喷射的气体的盖部210。
在这里，基板处理目标基板10为，如果是需要执行在其表面形成多个微小凹凸的工序的基板，则任何基板都可以，尤其是需要通过蚀刻其表面形成微小的凹凸的单结晶体硅、多晶体硅等太阳电池用基板也可以。
所述托架20，作为移送一个以上的基板，尤其是移送多个基板的构成，根据基板10的种类及真空处理工序，可构成多种材质及形状。在这里，所述托架20使用如同硼硅玻璃(pyrex)的在耐等离子的材质，作为为了以安装在基板10的状态来移送基板10的构成，在基板10直接安装在基板支撑架130的情况则当然不需要所述托架20。
所述工序腔室100，作为为了形成用于基板处理的密闭的内部空间的构成，根据基板处理工序可构成多种构成，并且如图1所示其可构成为可包括形成相互可拆卸地结合来形成内部空间S并且形成一个以上的闸门111的腔室本体110及顶盖120。在这里，由根据本实用新型的基板处理装置执行的基板处理工序最具代表性的为蚀刻工序，尤其是RIE(反应离子蚀刻)工序。
这时，优选为所述工序腔室100的腔室本体110及顶盖120中至少一个为电气性接地。
然后，在所述工序腔室100，设置从气体供应装置(未图示)接收来喷射到其内部空间S的处理气体的气体喷射部140，通过托架20来安装基板10的基板支撑架130，及用于调节内部空间S内的压力及排气的排气系统等，设置了用于执行真空处理工序的装置。
所述基板支撑部130，作为以与工序腔室100电气性绝缘的状态来进行设置来被施加一个以上的RF电源，并且支撑安装一个以上的基板10的托架20的构成，可构成多种构成。
另一方面，所述基板支撑部130，为了执行基板处理，在接地工序腔室100及喷头140时，可被施加一个或两个RF电源。
所述基板支撑部130，可由多种构造来与腔室本体110结合，并且作为其一示例在腔室本体110的下侧向上侧与工序腔室100结合将内部空间S制造成与外部隔离的密封状态。
这时，所述腔室本体110及基板支撑部130需要相互电气性绝缘，优选为在腔室本体110及基板支撑部130结合面之间设置由绝缘物质形成的一个以上的绝缘部件131。
另外，在所述腔室本体110及所述基板支撑部130之间的结合部位，为了保持内部空间S与外部隔离的密封状态，设置一个以上的密封部件(未图示)。
另一方面，所述基板支撑部130，为使能够由搬送机器人(未图示)来导入或排出托架20，可设置能够上下移动的用于使托架20上下移动的一个以上的升降销132。
所述气体喷射部140，设置在内部空间S的上侧，并且作为喷射用于执行基板处理的气体的构成，根据喷射的气体的种类、数量等可具有多种构造。
所述盖部210，根据其使用目的可构成多种构成，如图1、图2a及图2b所示可包括形成多个开口部211的板件部213，与为使从安装在托架20的基板10间隔固定的距离来设置板件部213而设置在板件部213的边缘位子的支撑部212、214。
所述板件部213，作为形成多个开口部211以使气体流入到板件部213及托架20之间的构成，可具有板形状。
所述支撑部212、214，作为为使从安装在托架20的基板10间隔固定的距离来设置板件部213而设置在板件部213的边缘位子的构成，如图1及图2所示由壁体212构成或由一个以上的柱214构成等，可构成多种构成。
另一方面，所述盖部210，示例了在其与安装基板10的托架20之间封闭由形成在覆盖空间的等离子蚀刻的残留物，从而残留物附着于基板10的表面来形成微小的凹凸等，示例了为了固定的目的而使用所述盖部210的情况。
这时，所述盖部210与托架20之间的距离优选为保持在5mm-30mm，这是考虑了封闭残留物的效果及由残留物来形成凹凸的速度。
然后，所述盖部210根据基板处理工序可使用多种材质，并且优选为在等离子强势的材质，可具有铝或其合金的材质。
另一方面，根据本实用新型的基板处理装置的特征为电气性接地覆盖基板10的盖部210。为此，在盖部210及工序腔室100中至少一个可具有一个以上的接地部(未图示)。
以下，在电气性接地所述盖部210时，可进行各种实施例，并且将要说明根据盖部210接地方式的具体是实施例。
第一实施例，所述盖部210如图1至图3所示以被托架20支撑的状态来与托架20一起被移送，并且在基板支撑部130安装托架20时，所述盖部210与工序腔室100电气性连接进而来接地所述盖部210。
具体地说，优选为所述盖部210为使在托架20安装在基板支撑部130时只在盖部210及基板支撑部130之间形成等离子，所述盖部210优选为与工序腔室100的内侧壁及底面中至少一个接触，进而接地所述盖部210。
更具体地说，所述托架20及盖部210如图1、图2a及图2b所示在上面俯视时的平面形状为矩形形状，这时盖部210以导入到工序腔室100的导入方向为基准相互面对的两个边比托架20的边缘位子更向外侧凸出，其多凸出的部分与工序腔室100的内表面电气性接触，进而接地所述盖部210。
第二实施例，作为第一实施例的变形例，所述工序腔室100，在从工序腔室100的内表面凸出进而托架20被安装在基板支撑部130时，可设置电气性连接盖部210与所述工序腔室100的一个以上的接地部件112。
所述接地部件112从工序腔室100的内表面凸出来，从而在托架20安装在基板支撑部130时，将盖部210与工序腔室100电气性连接。作为所述接地部件112，只要是能够通电的部件任何部件都可以。
然后，所述接地部件112，根据盖部210的接地方式可具有多种构造，并且为了稳定地接地盖部210，可在其侧面形成从支撑部212凸出的凸出部215。
另一方面，所述盖部210，与第一实施例及第二实施例不同，为使其不与托架20一起的单独地在工序腔室100的内部电气性连接，可固定或可拆卸地设置在工序腔室100。
第三实施例，所述盖部210，如图4所示为使其电气性连接于工序腔室100，以电气性连接于工序腔室100的状态可固定并设置在工序腔室100的内侧壁。
第四实施例，所述盖部210，如图5所示被设置在工序腔室100的支撑部件216支撑，并且可由支撑部件216与工序腔室100电气性连接。
所述支撑部件216，作为设置在工序腔室100来用于支撑盖部210的构成，可构成多种构成，并且设置在工序腔室100的上侧可支撑盖部210。
另一方面，所述支撑部件216，在导入托架20时为了防止干涉，其也可构成使盖部210上下移动的构成。
根据本实用新型的基板处理装置，根据如上所述的各种方法来接地覆盖基板10的盖部210，进而为使只在托架20及盖部210之间的覆盖空间形成等离子来进行诱导，进而具有就算根据施加相对小的电力的电源也可执行基板处理的优点。
并且，根据减小施加电源的电力，降低了发生电弧的可能性，因此具有也能够显著地降低基板处理的不合格可能性的优点。
并且，根据图1构造的实验，安装在托架20的基板10中在最接近盖部210的边缘位置侧配置的基板10进行了均匀地蚀刻，因此根据形成均匀的微小凹凸具有可显著减少色差的优点。
如上所述，若所述盖部210被电气性接地，则实际上只在盖部210及基板支撑部130之间形成等离子，进而由在基板处理时减少要求的所需电力能够最限度的体现基板处理效果。
另一方面，关于基板处理的均匀度，在设置盖部210时，在盖部210的平面位置中将影响位于边缘位子的基板的支撑部212、214如图1至图3所示变更为柱形状，将在盖部210的平面位置中影响位于边缘位子的基板的支撑部212、214的影响最小化，进而可提高基板处理的均匀度。
并且，所述支撑部212、214中的一部分212，位于在盖部210的平面位置中与位于边缘位子的基板远离的位置，进而将支撑部212、214的影响最小化，进而可提高基板处理的均匀度。
并且，如图4及图5所示在设置盖部210时，将盖部210设置在工序腔室100内，进而去掉在盖部210的平面位置中影响位于边缘位子的基板的支撑部212、214可提高基板处理的均匀度。
以上，不过是对可由本实用新型实现的优选实施例的一部分进行了说明，因此本实用新型的范围不得被上述的实施例限定，并且在以上说明的本实用新型的技术思想与其根本的技术思想应该全部包括在本实用新型的范围内。
Claims (11)
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
工序腔室，形成密闭的内部空间并且所述工序腔室电气性接地；
基板支撑部，以与所述工序腔室电气性绝缘的状态来进行设置并施加一个以上的RF电源，并且支撑安装一个以上的基板的托架；
气体喷射部，设置在所述内部空间的上侧来喷射用于执行基板处理的气体；
盖部，从所述基板支撑部间隔距离地覆盖所述一个以上的基板来进行配置，并且形成多个开口部以使由所述气体喷射部喷射的气体流入，并且所述盖部接地。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述盖部，以被所述托架支撑的状态与所述托架一起被移送，在所述托架安装在所述基板支撑部时与所述工序腔室电气性连接，进而所述盖部被接地。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述盖部通过与所述工序腔室的内侧壁及底面中的至少一个接触，进而所述盖部被接地。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述托架及所述盖部的平面形状为矩形形状，
所述盖部，以导入到所述工序腔室的方向为基准相互面对的两边比所述托架的边缘更向外侧凸出，并且更凸出的部分与所述工序腔室的内表面电气性接触来接地所述盖部。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述工序腔室上设置有接地部件，所述接地部件从所述工序腔室的内表面凸出来而在所述托架安装在所述基板支撑部时将所述盖部与所述工序腔室电气性连接。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述盖部以电气性连接于所述工序腔室的状态可固定或可拆卸地设置在所述工序腔室。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述盖部被设置在所述工序腔室的支撑部件支撑，并且根据所述支撑部件与所述工序腔室电气性连接。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述托架导入所述工序腔室或从所述工序腔室排出时为了防止被干涉，所述盖部可上下移动地设置在所述工序腔室内。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述工序腔室及所述托架中至少一个，具有用于接地所述托架的一个以上的接地部。
10.根据权利要求1至9中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置执行反应离子蚀刻工艺。
11.根据权利要求1至9中任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板为太阳能电池用晶体硅基板。
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| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: Gyeonggi Do Korea Pyeongtaek paint 78-40 (jije Dong strange street) Patentee after: Lap Yi Cmi Holdings Ltd. Address before: Gyeonggi Do, South Korea Patentee before: WONIK IPS Co.,Ltd. |
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| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20160728 Address after: South Korea Gyeonggi Do Ping Ze Zhenwei Zhenwei group produced 75 road surface Patentee after: WONIK IPS Co.,Ltd. Address before: Gyeonggi Do Korea Pyeongtaek paint 78-40 (jije Dong strange street) Patentee before: Lap Yi Cmi Holdings Ltd. |