KR101337180B1 - 박막 태양 전지를 증착하기 위한 클램프 유닛 및 신호 공급 방법 - Google Patents
박막 태양 전지를 증착하기 위한 클램프 유닛 및 신호 공급 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101337180B1 KR101337180B1 KR1020127020783A KR20127020783A KR101337180B1 KR 101337180 B1 KR101337180 B1 KR 101337180B1 KR 1020127020783 A KR1020127020783 A KR 1020127020783A KR 20127020783 A KR20127020783 A KR 20127020783A KR 101337180 B1 KR101337180 B1 KR 101337180B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- signal supply
- supply
- component
- electrode plate
- holder
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title abstract description 17
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 208000028227 Viral hemorrhagic fever Diseases 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000008447 perception Effects 0.000 description 1
- 230000036470 plasma concentration Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4587—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32577—Electrical connecting means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
박막 태약 전지를 증착하기 위한 클램프 유닛 및 신호 공급 방법이 제공된다. 클램프 유닛은 전극 판 모듈, 신호 공급 모듈(201), 및 지지 프레임을 포함한다. 전극 판 모듈은 차폐 커버(204)와 함께 세팅한다. 신호 공급 모듈(201)은 요부 및 헤드부를 포함하며, 헤드부는 직사각형 형상의 신호 공급 표면이다. 신호 공급 모듈(201)의 헤드부는 전극 판 모듈의 공급 포트와 표면 접촉 및 연결된다. 공급 포트는 전극 판 모듈의 캐소드 판 이면의 중심 영역에 배열되는 오목한 직사각형 표면 상에 설치된다. 캠핑 유닛은 정산파 효과 및 표면 효과를 효과적으로 제거하여 수율을 향상시키고 비용을 절감한다.
Description
본 발명은 일반적으로 태양 전지 기술에 관한 것으로 특히, 실리콘 박막 태양 전지를 증착하기 위한 클램프 유닛에 관한 것이다.
현재, 실리콘 박막 태양 전지는 단일 결합 또는 다중 결합 광전지 PIN 막 층들을 구성하기 위해 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)을 종종 이용한다. 박막 태양 전지 산업에서는 이러한 형태의 RF(radio-frequency) 용량성 결합 병렬 판형 반응 장치가 공통적으로 사용되고 있다. 지지프레임을 갖는 산업상 널리 알려진 상기 전극은 지그, 홀더, 클램프 유닛, 또는 고정구라 불리고 상기 챔버 내 설치된 홀더(들)을 갖는 플라즈마 화학 기상 증착 장치는 종종 증착 박스, 즉, 반응기 챔버라 불린다.
홀더들은 비정질 규소, 비정질 실리콘 게르마늄, 탄화규소, 질화 규소 및 산화 규소 등과 같은 다양한 재료들을 넓은 영역의 박막 증착하기 위해 널리 사용되고 있다. 실리콘 박막 태양 전지 섹터는 태양 전지 산업의 중용한 분야이며, 홀더는 태양 산업의 핵심 장비 중 하나가 되었다. 13.56 MHz RF 용 홀더는 고속 비정질 실리콘 박막 증착에 널리 사용되고 있으며, 고효율 및 저비용이다. 실리콘 박막 기술에 대한 높아지는 요구와 함께, 마이크로 결정 및 나노 결정의 실리콘 박막 재료들이 보다 더 주목받고 있다.
그러나, 마이크로 결정화 환경에서, 13.56MHz RF에 의해 생성되는 프라즈마는 낮은 프라즈마 농도, 낮은 증착 속도, 목표 박막 두께 도달까지의 긴 증착 시간 및 중대한 배후 오염이 있을 수 있다. 이에 따라, 생산된 박막은 제품의 품질 및 성능에 심각한 영향을 입히는 높은 불순물 및 나쁜 광학 특성을 갖는다. 어떻게 고속으로 증착할 것인가는 본 산업을 성공적으로 지원하기 위한 결정화 실리콘 박막 기술의 핵심이다.
VHF(Very High Frequency)는 13.56MHz 의 2배 이상인 적정 주파수를 의미한다. 당업계에서, 주로 사용되는 VHF는 일반적으로 27.12~100MHz 범위 내에 있다. 그러나, 용량성 방전 모델에서, VHF의 의한 정상파 효과 및 표면 효과는 매우 명백하며, 이들 효과들은 구동 주파수가 증가할 때 보다 강화된다. 켈리포니아 주립대 M. A. Lieberman 교수는 이들 두 효과들에 관해 면밀히 연구했다. 그의 연구 결과는 균일한 박막의 VHF PECVD 증착을 위한 중요한 조건은 여기 주파수 (λ0)의 자유 공간 파장이 용량성 방전 전극 챔버 크기 인자(X) 보다 훨씬 커야하고, 침투 깊이(δ)는 두께 공차 인자(η0)보다 훨씬 커야 한다는 것을 보여 주고 있다. 예컨대, 1 m2의 방전 넓이에서 그리고 60 MHz의 여기 주파수에서, 
및
이다. 따라서, 이러한 여기 주파수 하에서, 표면 효과 및 정상파 효과 매우 명백하며, 1m2의 전극 판 상에서 불규칙한 방전을 일으킨다. VHF(Very high frequency)에 의해 구동되는 넓은 영역의 균일한 방전을 어떻게 성취할 것인가는 결정화 실리콘 박막 기술을 위해 해결해야 할 기술적 과제들 중 하나이다.
이는 또한 업계에 큰 관심을 일으켰다. 2003 년에 미국 특허 공개 2003/0150562A1에 VHF에 의해 발생되는 불균등성을 개성하기 위한 용량성으로 결합된 방전에서 자기 거울을 사용하는 방법이 공개되었다. 중국 특허들 200710150227.4, 200710150228.9, 및 200710150229.3는 균일한 전기장들을 얻기 위해 VHF 신호들의 상이한 공급 형태들을 적용하는 3개의 VHF 전극 설계들을 공개하고 있다.
그러나, 다음의 문제들이 여전히 남아 있다: 1) VHF-PECVD 챔버 내의 전극들은 복잡한 설계 구조들을 갖는다; 2) 계속된 개량에 대한 한 이유는 챔버 및 전극들의 끊임없는 결합/분해 및 세척이 전극들의 비정상 변형을 일으킬 수 있다는 것이다; 3) 상기 특허들에 공개된 다점 공급 구조들은 이들은 개개의 공급 점들의 대칭적 경로들을 필요로 하는 작은 접촉 표면을 가질 수 있으며, 공급 점들 및 캐소드 판에서 접합 전도체들 사이의 접촉이 없을 수 있다. 특히, 효과적인 방전을 위해 접착 전도체 및 캐소들 판 사이에 고립용 차폐 부재를 필요로 할 수 있다. 이러한 구조적인 설계들은 비교적 엄격하고 실질적인 요건들을 가질 수 있으며, 균일한 방전을 위한 매우 많은 결정 인지들을 가질 수 있고, 분해 및 세척과 같은 실질적인 생산 요건들을 충촉시킬 수 없다.
따라서, 단일 점 공급이 업계에 의해 사용되는 장비를 위한 주류 설계가 되었다. 그러나, 정상파 효과 및 표면 효과로 인해, 현재의 단일 점 공급 구조는 고 공급 주파수를 증가시키기 위한 요건을 충촉시킬 수 없다. 이에 따라, 현재의 시장 요구를 충족시키고 비용을 절감할 수 있도록 보다 실질적인 현재의 증착 홀더를 만들기 위한 추가적인 개발 및 개선이 필요할 수 있다. 한편, 다중 유리들을 처리 또는 증착할 수 있는 CVD 홀더 시스템을 사용하는 것이 또한 트랜드이다. 따라서, 대량 생산의 요구를 충촉시키고 산업적 생산 단계로까지 도달할 수 있는 효과적인 VHF 공급 모델을 적용시키는 것이 업계에서는 매우 중요하다.
실리콘 결정 박막에 대한 현재의 기술적 문제들의 위의 이론을 기초로, 본 발명은 VHF-구동 고속 증착 박막의 비균일성 및 불일치성과 같은 문제들을 해결하는 것이다.
따라서 기술적 해결은 전극 판 구성 요소, 신호 공급 구성 요소, 및 지지 프레임을 포함한다. 차폐 커버를 갖는 상기 전극 판 구성 요소는 방전을 위한 홀더 어레이를 형성하기 위해 상기 지지 프레임 내에 배열되며, 상기 신호 공급 구성 요소의 일단은 RF/VHF 전원 신호들을 공급하기 위해 전극 판 구성 요소의 공급 포트와 표면 접촉 및 연결된다. 또한, 상기 공급 포트는 상기 차폐 커버를 갖는 상기 전극 판 구성 요소의 캐소드 판 이면 중심의 중공 직사각형 영역의 표면 상에 위치한다. 상기 신호 공급 구성 요소는 직사각형 형상의 신호 공급 표면을 갖는 요부 및 헤드를 포함하는 스트립 및 계단-형상의 신호 공급 스트립이다. 상기 신호 공급 스트립은 RF 구리 전도체 스트립이며, 상기 요부는 세라믹 절연 층을 포함하는 차폐 층에 의해 덥힌다.
기술적 해결은 또한 상기 캐소드 판의 후방 및 측면 전체를 덮는 상기 전극 판의 상기 차폐 커버(금속 쉘을 가질 수 있으며), 및 상기 전극 판 구성 요소의 상기 캐소드 판 및 상기 차폐 커버 사이에 배열되는 특정 공간 또는 채워지는 절연 재료의 층을 포함한다. 상기 캐소드 판의 상기 차폐 커버는 관통 구멍 밖으로 나올 때, 상기 신호 공급 구성 요소는 상기 차폐 커버와 접촉되는 것을 방지하기 위해 상기 캐소드 판의 상기 공급 포트에 대응하는 상기 관통 구멍을 갖는다.
상기 기술적 해결에 따른 상기 지지 프레임은 상부 고정 판, 하부 고정 판 및 측면 프레임들을 포함한다. 상기 애노드 판은 접지, 가이드 슬롯들 및 기판 조립/분해 구성 요소들을 포함하며, 상기 캐소드 판은 가이드 슬롯들로부터 절연된다.
본 발명에 따른 기술적 해결은 또한 적정 27.12 MHz ~ 200 MHz VHF에 의해 구동되는 증착 홀더의 신호 공급 모드를 위한 방법은 홀더를 형성하기 위해 전극 판 구성 요소, 신호 공급 구성 요소 및 지지 프레임을 제공하는 단계, 전기 방전을 위한 홀더 어레이를 형성하기 위해 상기 지지 프레임 내에 차폐 커버를 갖는 상기 전극 판 구성 요소를 배열하는 단계, 상기 신호 공급 구성 요소는 공급 포트와 표면 접속 및 연결된 일단을 갖는 스트림 및 계단-형상의 신호 공급 스트립을 포함하며, 차폐 커버를 갖는 상기 전극 판의 캐소드 판 이면 중심의 중공 직사각형 영역의 표면 상에 위치하는 직사각형 공급 포트에 RF/VHF 전원 신호들을 공급하는 단계; 및 소정의 방전 공간을 갖는 상기 전극 판 구성 요소를 형성하기 위해 상기 지지 프레임 내에서 방전시키는 단계를 포함한다. 상기 홀더 어레이는 상기 전극 판 구성 요소 어레이를 포함한다. 상기 신호 공급 구성 요소는 절연 차폐 커버를 갖는 요부 및 중공의 직사각형 표면 상에 위치하는 공급 포트에 대응하는 직사각형 형상의 공급 표면을 갖는 헤드를 갖는다.
상기 신호 공급 방법은 또한 상기 신호 공급 구성 요소가 상기 관통 구멍을 벗어날 때 상기 차폐 커버와 접촉하는 것을 방지하도록 상기 캐소드 판의 상기 공급 포트에 대응하는 관통 구멍을 갖는 상기 캐소드 판의 차폐 커버를 포함한다.
본 발명의 개시된 실시 예들의 이점들은 측면 공급 모드를 갖는 슬롯 기반 캐소드 판과 달리, 보다 넓은 방전 영역, 보다 높은 균일성 및 보다 안정된 방전, 보다 작은 액세스 커패시턴스, 홀더들 사이의 보다 작은 RF 간섭, 및 보다 약한 정형파 및 표면 효과들을 포함한다. 본 발명은 27.12MHz ~ 200MHz 범위의 적정한 VHF로 넓은 영역의 균일한 방전에 적용되어, 생산성이 향상시키고 배터리 비용을 절감할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 홀더의 단면도이다.
도 2는 지지 프레임의 구조도이다.
도 3은 신호 공급 구성 요소 (201: 이하 공급 구성 요소 또는 공급 스트립이라 함)의 구조도이다.
도 4는 캐소도 판(203)의 구조도이다.
도 5는 캐소드 차폐 커버(204)의 구조도이다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시 예의 구조도이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시 예의 구조도이다.
도 8은 본 발명의 제 3 실시 예의 구조도이다.
도 1 내지 7에서, 상기 홀더(02)는 전극 판 구성 요소, 신호 공급 요소 및 지지 프레임을 포함한다. 상기 전극 판 구성 요소는 애노드 판들(208), 캐소드 판들(203), 및 캐소드 판(203)와 캐소드 차폐 커버(204) 사이에 위치하는 절연 층(207)을 포함한다. 신호 공급 구성 요소는 직사각형 신호 공급 표면(201-1)을 갖는 요부 및 헤드를 포함한다. 세라믹 절연 커버(202)로 덮힌 평편한 스트립이다. 직사각형 공급 표면(201-1)는 캐소드 전극 판의 이면 중심의 중공 직사각형 영역에 위치한 공급 포트(203-1)와 표면 접촉하며, RF/VHF 전원 공급 신호들을 공급한다.
상기 지지 프레임은 상부 고정 판(214), 하부 고정 판(221) 및 측면 프레임들(216)로 구성되며, 접지된 금속 가이드 슬롯들(209)은 상기 상부 고정 판(214) 및 하부 고정 판(221) 상에 배열된다. 홀더(02)는 진공 챔버(01) 내에 방전하여 기판(206) 상에 P-I-N 막을 증착한다. 상기 진공 챔버(01)는 가스 시스템 액세스 포트(101), 전원 시스템 액세스 포트(102), 및 진공 시스템 액세스 포트(105)를 수용한다.
본 발명에 따르면, 표면 공급 홀더의 설계는 반응 챔버의 복합 전극 구조, 용이한 전극 분해, 작은 접촉 영역, 개별 공급 포인트들 사이에서 요구되는 대칭적 경로들 및 완벽한 차폐 등과 같은, 결정 구조의 실리콘-기판 박막을 위한 현재의 다중 포인트 공급 VHF-PEVCD 증착 기술들의 문제들을 해결하는데 있어서의 많은 어려움들을 극복하는 위에서 언급한 본 발명의 목적들을 달성한다. 이러한 문제들은 본 발명에 따른 표면 공급 홀더에서는 존재하지 않으며, 챔버 내에 전기를 방출하기 위한 넓은 영역의 균일한 전기장들을 얻을 수 있다. 또한, 다중 유리 판들을 처리 또는 증착할 수 있는 CVD 홀더 시스템이 효과적인 VHF 표면 공급 모델들과 함께, 운영상 산업적 생산 공정들을 성취하고 실리콘 기반 박막 태양 전지들의 대량 생산의 요구를 충족시키기 위해 사용된다.
본 발명의 공헌은 VHF 파워-구동 고속 증착 막의 균일성과 일관성에 근본적인 해결책을 제시함을 또한 포함한다. 홀더(02)는 전극 판 구성 요소, 신호 공급 구성 요소 및 지지 프레임을 포함한다. 상기 지지 프레임은 상부 고정 판(214), 하부 고정 판, 및 측면 프레임들(216)을 포함하면, 접지된 금속 가이드 슬롯들(209)은 상기 상부 고정 판(214) 및 하부 고정 판(221) 상에 배열된다.
상기 전극 판 구성 요소는 애노드 판(208) 및 캐소드 판(203)을 포함하며, 절연 층 또는 스트립(207)은 상기 캐소드 판(203) 및 캐소드 차폐 커버(204) 상이 위치한다. 상기 캐소드 차폐 커버(204) 및 상기 애노드 판(208)은 접지에 연결된다. RF/VHF 전원 공급 신호의 공급 포트(203-1)는 상기 캐소드 전극 판(203)의 이면 중심 및 중공 직사각형 영역 안쪽에 위치한다. 신호 공급 구성 요소(201)은 세라믹 절연 층(202)을 갖는 요부 및 직사각형 공급 표면(201-1)을 갖는 헤드를 포함한다. 상기 요부는 손쉬은 설치 및 낮은 신호 공급 손실을 위해 평편하다. 상기 헤드의 직사각형 공급 표면(201-1)은 상기 캐소드 전극 판의 이면 중심의 중공 직사각형 영역의 직사각형 표면 상에 위치하는 공급 포트(203-1)와 표면 접촉 및 연결된다. 상기 신호 공급 구성 요소(201)의 타단(201-3)은 상기 RF/VHF 전원 공급 및 전원 매칭 장치(도시하지 않음)의 음극 포트에 연결된다. 상기 신호 공급 구성 성분(201)은 계단 또는 단계 형상이며, 한 직사각형 단부는 접지된 장치를 가진 상기 홀더 내의 상기 전극 판 구성 요소의 상기 공급 포트와 표면 접촉 및 연결되며, 그들 양자는 절연 및 차폐 보호 장치들(도시하지 않음)을 갖는다.
도 2는 지지 프레임의 구조도이다.
도 3은 신호 공급 구성 요소 (201: 이하 공급 구성 요소 또는 공급 스트립이라 함)의 구조도이다.
도 4는 캐소도 판(203)의 구조도이다.
도 5는 캐소드 차폐 커버(204)의 구조도이다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시 예의 구조도이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시 예의 구조도이다.
도 8은 본 발명의 제 3 실시 예의 구조도이다.
도 1 내지 7에서, 상기 홀더(02)는 전극 판 구성 요소, 신호 공급 요소 및 지지 프레임을 포함한다. 상기 전극 판 구성 요소는 애노드 판들(208), 캐소드 판들(203), 및 캐소드 판(203)와 캐소드 차폐 커버(204) 사이에 위치하는 절연 층(207)을 포함한다. 신호 공급 구성 요소는 직사각형 신호 공급 표면(201-1)을 갖는 요부 및 헤드를 포함한다. 세라믹 절연 커버(202)로 덮힌 평편한 스트립이다. 직사각형 공급 표면(201-1)는 캐소드 전극 판의 이면 중심의 중공 직사각형 영역에 위치한 공급 포트(203-1)와 표면 접촉하며, RF/VHF 전원 공급 신호들을 공급한다.
상기 지지 프레임은 상부 고정 판(214), 하부 고정 판(221) 및 측면 프레임들(216)로 구성되며, 접지된 금속 가이드 슬롯들(209)은 상기 상부 고정 판(214) 및 하부 고정 판(221) 상에 배열된다. 홀더(02)는 진공 챔버(01) 내에 방전하여 기판(206) 상에 P-I-N 막을 증착한다. 상기 진공 챔버(01)는 가스 시스템 액세스 포트(101), 전원 시스템 액세스 포트(102), 및 진공 시스템 액세스 포트(105)를 수용한다.
본 발명에 따르면, 표면 공급 홀더의 설계는 반응 챔버의 복합 전극 구조, 용이한 전극 분해, 작은 접촉 영역, 개별 공급 포인트들 사이에서 요구되는 대칭적 경로들 및 완벽한 차폐 등과 같은, 결정 구조의 실리콘-기판 박막을 위한 현재의 다중 포인트 공급 VHF-PEVCD 증착 기술들의 문제들을 해결하는데 있어서의 많은 어려움들을 극복하는 위에서 언급한 본 발명의 목적들을 달성한다. 이러한 문제들은 본 발명에 따른 표면 공급 홀더에서는 존재하지 않으며, 챔버 내에 전기를 방출하기 위한 넓은 영역의 균일한 전기장들을 얻을 수 있다. 또한, 다중 유리 판들을 처리 또는 증착할 수 있는 CVD 홀더 시스템이 효과적인 VHF 표면 공급 모델들과 함께, 운영상 산업적 생산 공정들을 성취하고 실리콘 기반 박막 태양 전지들의 대량 생산의 요구를 충족시키기 위해 사용된다.
본 발명의 공헌은 VHF 파워-구동 고속 증착 막의 균일성과 일관성에 근본적인 해결책을 제시함을 또한 포함한다. 홀더(02)는 전극 판 구성 요소, 신호 공급 구성 요소 및 지지 프레임을 포함한다. 상기 지지 프레임은 상부 고정 판(214), 하부 고정 판, 및 측면 프레임들(216)을 포함하면, 접지된 금속 가이드 슬롯들(209)은 상기 상부 고정 판(214) 및 하부 고정 판(221) 상에 배열된다.
상기 전극 판 구성 요소는 애노드 판(208) 및 캐소드 판(203)을 포함하며, 절연 층 또는 스트립(207)은 상기 캐소드 판(203) 및 캐소드 차폐 커버(204) 상이 위치한다. 상기 캐소드 차폐 커버(204) 및 상기 애노드 판(208)은 접지에 연결된다. RF/VHF 전원 공급 신호의 공급 포트(203-1)는 상기 캐소드 전극 판(203)의 이면 중심 및 중공 직사각형 영역 안쪽에 위치한다. 신호 공급 구성 요소(201)은 세라믹 절연 층(202)을 갖는 요부 및 직사각형 공급 표면(201-1)을 갖는 헤드를 포함한다. 상기 요부는 손쉬은 설치 및 낮은 신호 공급 손실을 위해 평편하다. 상기 헤드의 직사각형 공급 표면(201-1)은 상기 캐소드 전극 판의 이면 중심의 중공 직사각형 영역의 직사각형 표면 상에 위치하는 공급 포트(203-1)와 표면 접촉 및 연결된다. 상기 신호 공급 구성 요소(201)의 타단(201-3)은 상기 RF/VHF 전원 공급 및 전원 매칭 장치(도시하지 않음)의 음극 포트에 연결된다. 상기 신호 공급 구성 성분(201)은 계단 또는 단계 형상이며, 한 직사각형 단부는 접지된 장치를 가진 상기 홀더 내의 상기 전극 판 구성 요소의 상기 공급 포트와 표면 접촉 및 연결되며, 그들 양자는 절연 및 차폐 보호 장치들(도시하지 않음)을 갖는다.
제 1 실시 예
전극 판들은 수직으로 배열되며, 캐소드의 공급 포트는 직사각형 형상이고, 차폐 커버를 갖는 전극 판 구성 요소의 캐소드 전극 판 이면의 중심의 중공 직사각형 영역의 직사각형 표면 상에 위치한다. 신호 공급 구성 요소는 직사각형-형상의 신호 공급 표면을 갖는 평편한 요부 및 헤드를 포함한다.
이하, 첨부된 도 1 내지 도 6과 함께 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다.
본 발명에 따르면, 박막 태양 전지의 증착 홀더는 대략 27.12-100 MHz의 작동 주파수를 갖는 VHF 전원 공급을 사용한다. 진공 상태를 얻기 위해 진공 챔버(01)가 사용되며, 가스 시스템 액세스 포트(101)는 진공 챔버(01)의 상부에 형성된다. 상기 진공 챔버(01)는 전원 시스템 액세스 포트(102), 진공 시스템 액세스 포트(105)를 포함하며, 가동 진공 도어(103)는 상기 진공 챔버(01)의 전면에 설치된다. 홀더(02)는 상기 챔버 안쪽에 넓은 영역의 균일한 전기장을 형성하기 위해 진공 환경 내로 (전기) 방전하며, 상기 챔버 내의 기판들(206)은 대량 생산에 적합한 박막 태양 전지 판 또는 소위 칩을 형성하기 위한 이질 접합 P-I-N 적층 막이 증착된다.
홀더(02) 상의 고정된 가스 파이프의 입구는 진공 챔버(01) 안쪽의 가스 시스템 포트(101)의 노즐과 결합된다. 전원 코드의 일단은 홀더(02)의 전원 컨넥터와 연결되며, 전원 코드의 타단은 VHF 전원 시스템의 액세스 포트(102)와 연결된다. 절연 층 또는 스트립(207)은 캐소드 판(203) 및 캐소드 차폐 커버(204) 사이에 위치하며, 신호 공급 구성 요소(201)의 헤드의 직사각형 공급 표면(201-1)은 RF/VHF 전원 공급 신호들을 공급하기 위해 캐소드 판(203) 이면 상의 공급 포트(203-1)와 표면 접촉한다. 공급 스트립의 타단의 관통 구멍(201-3)은 전원 커넥터(205)와 연결된다. 상기 신호 공급 구성 요소(201)의 요부는 상기 공급 구성 요소(201)가 캐소드 차폐 커버(204)를 방지하기 위해 세라믹 절연 층(202)에 의해 덮인다.
캐소드 차폐 커버(204)는 캐소드 판(203)의 공급 포트(203-1)의 위치에 대응하는 관통 구멍(204-1)을 가지며, 그에 따라 신호 공급 구성 요소(201)가 캐소드 차폐 커버(204)와 접촉없이 캐소드 판(203) 밖으로 나올 수 있게 된다. 공급 스트립(201)은 원하는 전도성을 갖는 금속 구리로 형성될 수 있으며, 캐소드 차폐 커버(204) 및 애노드 판(208) 양자는 접지된다. 앞서 코팅된 기판(206)은 홀더(02)의 챔버 내에 위치하며, 홀더(02)는 진공 챔버(01) 안쪽에 놓인다.
이어, 상기 진공 챔버(01)의 가동 도어(103)는 닫히고, 진공 시스템을 통해 원하는 진공 상태에 도달할 수 있다. 게다가, 아르곤 가스가 챔버 내에 채워진다. 챔버 내의 압력이 대략 60 Pa에 도달할 때, 챔버를 세척하기 위해 전기가 방전하도록 VHF 전원 공급이 턴온되고, 그 후 전원이 턴오프된다. 또한, 대략 5.0×10-4 Pa의 고 진공도에 도달되고, 아르곤 가스가 챔버 세척을 위해 채워진다. 최종적으로, 증착 공정의 시작과 진공 증착 막의 완성을 위해 공정 가스가 대략 5 slpm로 챔버내로 공급된다.
제 2 실시 예
캐소드의 공급 포트는 직사각형 형상이며, 차폐 커버를 가진 전극 판 구성 요소의 캐소드 전극 판 이면 중심의 중공 직사각형 영역의 직사각형 표면 상에 위치한다. 신호 공급 구성 요소는 평편한 요부 및 직사각형 형상의 신호 공급 표면을 갖는 헤드를 포함한다.
도 7의 홀더는 제 1 실시 예의 홀더와 유사하다. 본 실시 예에서, 수직 증착 챔버가 사용된다. 12 개의 애노드 판들(208) 및 12개의 캐소드 판들(203)은 12개의 전극 세트를 형성하며, 총 24 개의 기판들(206)에 동시에 박막이 증착될 수 있다. 상세한 공정을 하기와 같다:
a) 그 각각에 대략 600nm 두께의 투명 전도성 막이 코팅된 24개의 유리 기판들(206: (1640 mm x 707 mm x 3 mm)을 홀더(02) 상의 대응하는 24개의 기판 위치들 내에 위치시키며, 상기 막의 측면은 바깥 쪽으로 향하며, 유리 측면은 전극과 대향한다.
b) 가동 도어(103)을 열고, 진공 챔버(01) 내에 홀더(02)를 넣고, 진공 챔버(01)의 가동 도어(01)를 닫는다.
c) 진공 챔버 내의 대략 5.0×10-4 Pa의 진공 상태에 도달하면, 아르곤 가스로 채운다. 챔버 내의 압력이 대략 60 Pa에 도달하면, 40.68MHz VHF 전원을 턴온시킨 후, 400 W로 방전시켜 2분 동안 챔버를 세척한 후, 전원을 턴오프시킨다.
d) 대략 5.0×10-4 Pa의 고진공도 상태에 도달하면, 아르곤 가스로 챔버를 두 번 세척함.
e) 챔버에 혼합 가스(실란 및 수소)를 5 slpm로 펌핑하고, 챔버의 압력이 대략 60 Pa에 도달하면, 40.68 MHz VHF 전원을 턴온시킴. 이후, 400 W로 방전시켜, 40분 동안 미정질 실리콘 진성 층을 증착시킴.
f) 전원을 턴오프시키고, 고진동도 상태에 도달.
g) 대기압에서 질소 가스로 챔버를 채우고, 진공 챔버 가동 도어(103)을 열며, 홀더(02)를 꺼낸 후, 상온에서 TCO 유리들을 냉각시킴.
제 3 실시 예
캐소드의 공급 포트는 직사각형 형상이며, 차폐 커버를 가진 전극 판 구성 요소의 캐소드 전극 판 이면 중심의 중공 직사각형 영역의 직사각형 표면 상에 위치한다. 신호 공급 구성 요소는 평편한 요부 및 직사각형 형상의 신호 공급 표면을 갖는 헤드를 포함한다.
도 8의 홀더는 제 1 실시 예의 홀더와 유사하다. 본 실시 예에서, 수평 증착 챔버가 사용된다. 애노드 판(208) 및 캐소드 판(203)은 전극 세트를 형성하며, 총 2 개의 기판(206)에 박막이 동시에 증착될 수 있다.
a) 그 각각에 대략 600nm 두께의 투명 전도성 막이 코팅된 2개의 유리 기판들(206: (1640 mm x 707 mm x 3 mm)을 홀더(02) 상의 대응하는 2개의 기판 위치들 내에 위치시키며, 상기 막의 측면은 바깥 쪽으로 향하며, 유리 측면은 전극 판들과 대향한다.
b) 가동 도어(103)을 열고, 진공 챔버(01) 내에 홀더(02)를 넣고, 진공 챔버(01)의 가동 도어(01)를 닫는다.
c) 진공 챔버 내에서 대략 5.0×10-4 Pa의 진공 상태에 도달하면, 아르곤 가스로 채운다. 챔버 내의 압력이 대략 60 Pa에 도달하면, 40.68MHz VHF 전원을 턴온시킨 후, 400 W로 방전시켜 2분 동안 챔버를 세척한 후, 전원을 턴오프시킨다.
d) 대략 5.0×10-4 Pa의 고진공도 상태에 도달하면, 아르곤 가스로 챔버를 두 번 세척함.
e) 챔버에 혼합 가스(실란 및 수소)를 5 slpm로 펌핑하고, 챔버의 압력이 대략 60 Pa에 도달하면, 40.68 MHz VHF 전원을 턴온시킴. 또한, 400 W로 방전시켜, 40분 동안 미정질 실리콘 진성 층을 증착시킴.
f) 전원을 턴오프시키고, 고진동도 상태에 도달.
g) 대기압에서 질소 가스로 챔버를 채우고, 진공 챔버 가동 도어를 열며, 홀더(02)를 꺼낸 후, 상온에서 TCO 유리들을 냉각시킴.
상기 상세한 설명은 첨부된 도면들과 함께 본 발명의 실시 예들을 설명한다. 그러나, 본 발명은 특히, 공급 공급 구성 요소들 및 캐소드 판들의 형상들에 대해 본 실시 예들에 의해 제한되지 않는다. 당업자는 본 발명의 원리 및 목적으로부터 벗어나지 않고 다양하게 변형할 수 있다.
Claims (14)
- 전극 판 구성 요소;
신호 공급 구성 요소; 및
지지 프레임을 포함하며,
차폐 커버를 갖는 상기 전극 판 구성 요소는 방전을 위한 홀더 어레이를 형성하기 위해 상기 지지 프레임 내에 배열되며;
상기 신호 공급 구성 요소의 일단은 RF/VHF 전원 신호들을 공급하기 위해 전극 판 구성 요소의 공급 포트와 표면 접촉 및 연결되며;
상기 공급 포트는 상기 차폐 커버를 갖는 상기 전극 판 구성 요소의 캐소드 판 이면 중심의 중공 직사각형 영역의 표면 상에 위치하며; 및
상기 신호 공급 구성 요소는 직사각형 형상의 신호 공급 표면을 갖는 요부 및 헤드를 포함하는 스트립 및 계단-형상의 신호 공급 스트립인 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지용 증착 홀더. - 제 1 항에 있어서, 상기 신호 공급 구성 요소는 절연 차폐 커버를 갖는 요부를 갖는 공급 스트립이며, 상기 신호 공급 구성 요소의 일단은 직사각형 형상의 공급 표면인 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지용 증착 홀더.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 신호 공급 스트립은 RF 구리 전도체 스트립이며, 상기 요부는 세라믹 절연 층을 포함하는 차폐 층에 의해 덥히는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지용 증착 홀더.
- 제 1 항에 있어서, 상기 공급 포트는 완전히 차폐된 상기 캐소드 판의 상기 이면 중심의 상기 중공 직사각형 영역의 상기 표면 상에 위치하며; 및
소정 공간이 배열되거나 또는 절연 재료의 층이 상기 캐소드 판 및 상기 차폐 커버 사이에 채워지는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지용 증착 홀더. - 제 1 항에 있어서, 상기 전극 판의 상기 차폐 커버는 상기 캐소드 판의 후방 및 측면 전체를 덮으며, 그리고
소정 공간이 배열되거나 또는 절연 재료의 층이 상기 전극 판 구성 요소의 상기 캐소드 판 및 상기 차폐 커버 사이에 채워지는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지용 증착 홀더. - 제 1 항에 있어서, 상기 캐소드 판의 상기 차폐 커버는 관통 구멍 밖으로 나올 때, 상기 신호 공급 구성 요소는 상기 차폐 커버와 접촉되는 것을 방지하기 위해 상기 캐소드 판의 상기 공급 포트에 대응하는 상기 관통 구멍을 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지용 증착 홀더.
- 제 6 항에 있어서, 상기 차폐 커버는 금속 껍질을 가지며, 세라믹 절연 층이 상기 차폐 커버 및 상기 캐소드 판의 이면 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지용 증착 홀더.
- 제 1 항에 있어서, 애노드 판은 접지, 가이드 슬롯들 및 기판 조립/분해 구성 요소들을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지용 증착 홀더.
- 제 1 항에 있어서, 상기 지지 프레임은 상부 고정 판, 하부 고정 판 및 측면 프레임들을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지용 증착 홀더.
- 홀더를 형성하기 위해 전극 판 구성 요소, 신호 공급 구성 요소 및 지지 프레임을 제공하는 단계;
전기 방전을 위한 홀더 어레이를 형성하기 위해 상기 지지 프레임 내에 차폐 커버를 갖는 상기 전극 판 구성 요소를 배열하는 단계, 상기 신호 공급 구성 요소는 공급 포트와 표면 접속 및 연결된 일단을 갖는 스트림 및 계단-형상의 신호 공급 스트립을 포함하며;
차폐 커버를 갖는 상기 전극 판의 캐소드 판 이면 중심의 중공 직사각형 영역의 표면 상에 위치하는 직사각형 공급 포트에 RF/VHF 전원 신호들을 공급하는 단계; 및
소정의 방전 공간을 갖는 상기 전극 판 구성 요소를 형성하기 위해 상기 지지 프레임 내에서 방전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지용 증착 홀더의 전원 신호 공급 방법. - 제 10 항에 있어서, 상기 홀더 어레이는 상기 전극 판 구성 요소 어레이를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지용 증착 홀더의 전원 신호 공급 방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 신호 공급 구성 요소는 절연 차폐 커버를 갖는 요부 및 직사각형 형상의 공급 표면을 갖는 헤드를 갖는 공급 스트립이며, 상기 요부 및 헤드는 계단-형상의 공급 스트림을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지용 증착 홀더의 전원 신호 공급 방법.
- 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 신호 공급 구성 요소의 표면 공급 직사각형 헤드에 대응하는 상기 공급 포트는 중공 직사각형 영역의 직사각형 표면 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지용 증착 홀더의 전원 신호 공급 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 캐소드 판의 차폐 커버는 상기 신호 공급 구성 요소가 관통 구멍을 벗어날 때 상기 차폐 커버와 접촉하는 것을 방지하도록 상기 캐소드 판의 상기 공급 포트에 대응하는 관통 구멍을 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양 전지용 증착 홀더의 전원 신호 공급 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010101987366A CN101882646B (zh) | 2010-06-11 | 2010-06-11 | 薄膜太阳能电池沉积夹具 |
| CN201010198736.6 | 2010-06-11 | ||
| PCT/CN2010/001654 WO2011153670A1 (zh) | 2010-06-11 | 2010-10-21 | 薄膜太阳能电池沉积夹具及信号馈入方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120104427A KR20120104427A (ko) | 2012-09-20 |
| KR101337180B1 true KR101337180B1 (ko) | 2013-12-05 |
Family
ID=43054599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020127020783A KR101337180B1 (ko) | 2010-06-11 | 2010-10-21 | 박막 태양 전지를 증착하기 위한 클램프 유닛 및 신호 공급 방법 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8356572B2 (ko) |
| EP (1) | EP2469610B1 (ko) |
| JP (1) | JP2013508955A (ko) |
| KR (1) | KR101337180B1 (ko) |
| CN (1) | CN101882646B (ko) |
| WO (1) | WO2011153670A1 (ko) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101859801B (zh) * | 2010-06-11 | 2013-02-20 | 深圳市创益科技发展有限公司 | 薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列 |
| CN101882646B (zh) * | 2010-06-11 | 2012-01-25 | 深圳市创益科技发展有限公司 | 薄膜太阳能电池沉积夹具 |
| CN101880868B (zh) * | 2010-06-11 | 2012-03-07 | 深圳市创益科技发展有限公司 | 一种硅基薄膜太阳能电池的沉积盒 |
| CN101882647B (zh) * | 2010-06-11 | 2012-01-25 | 深圳市创益科技发展有限公司 | 一种硅基薄膜太阳能电池活动夹具 |
| CN101857953B (zh) * | 2010-06-11 | 2012-04-18 | 深圳市创益科技发展有限公司 | 薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极 |
| CN102185217B (zh) * | 2011-03-04 | 2013-02-06 | 深圳市创益科技发展有限公司 | 用于硅基薄膜电池沉积夹具中射频电源的连接构件及方法 |
| HUP1100436A2 (en) * | 2011-08-15 | 2013-02-28 | Ecosolifer Ag | Gas flow system for using in reaction chamber |
| CN103469177A (zh) * | 2012-06-07 | 2013-12-25 | 冠晶光电股份有限公司 | 薄膜沉积装置 |
| CN103849848B (zh) * | 2012-11-28 | 2016-08-31 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 物理气相沉积装置 |
| CN113097107B (zh) * | 2021-03-26 | 2023-12-15 | 常州时创能源股份有限公司 | 非晶硅靶材承载装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030150562A1 (en) | 2000-09-12 | 2003-08-14 | Quon Bill H. | Apparatus and method to control the uniformity of plasma by reducing radial loss |
| US20040187785A1 (en) | 2003-03-24 | 2004-09-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Deposition apparatus and deposition method |
| EP1548808A1 (en) | 2002-10-01 | 2005-06-29 | Mitsubishi Heavy Industries | High frequency plasma generator and high frequency plasma generating method |
| WO2009050958A1 (ja) | 2007-10-17 | 2009-04-23 | Masayoshi Murata | 高周波プラズマｃｖｄ装置と高周波プラズマｃｖｄ法及び半導体薄膜製造法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2616760B2 (ja) * | 1985-04-08 | 1997-06-04 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | プラズマ気相反応装置 |
| US5114770A (en) * | 1989-06-28 | 1992-05-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for continuously forming functional deposited films with a large area by a microwave plasma cvd method |
| DE4428136A1 (de) * | 1994-08-09 | 1996-02-15 | Leybold Ag | Vakuum-Beschichtungsanlage |
| JP3697110B2 (ja) * | 1998-05-29 | 2005-09-21 | 三菱重工業株式会社 | プラズマ化学蒸着装置 |
| JP2001102518A (ja) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Sharp Corp | 電力用半導体装置 |
| JP4416140B2 (ja) * | 2000-04-14 | 2010-02-17 | 日本インター株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP2004235380A (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 表面処理装置および表面処理方法 |
| CN2907173Y (zh) * | 2006-02-24 | 2007-05-30 | 苏州大学 | 大面积并联高密度感应耦合等离子体源 |
| JP4788504B2 (ja) * | 2006-07-12 | 2011-10-05 | 富士電機株式会社 | プラズマ処理装置の給電構造 |
| JP5119830B2 (ja) * | 2007-09-26 | 2013-01-16 | 富士電機株式会社 | プラズマ装置 |
| CN100567567C (zh) * | 2007-11-19 | 2009-12-09 | 南开大学 | 可获得均匀电场的大面积vhf-pecvd反应室背馈入式平行板功率电极 |
| CN100510169C (zh) * | 2007-11-19 | 2009-07-08 | 南开大学 | 一种可获得均匀电场的大面积vhf-pecvd反应室电极 |
| CN201194213Y (zh) * | 2008-01-18 | 2009-02-11 | 东捷科技股份有限公司 | 具有均匀电场分布的槽孔式电极 |
| CN101880868B (zh) * | 2010-06-11 | 2012-03-07 | 深圳市创益科技发展有限公司 | 一种硅基薄膜太阳能电池的沉积盒 |
| CN101882647B (zh) * | 2010-06-11 | 2012-01-25 | 深圳市创益科技发展有限公司 | 一种硅基薄膜太阳能电池活动夹具 |
| CN101882646B (zh) * | 2010-06-11 | 2012-01-25 | 深圳市创益科技发展有限公司 | 薄膜太阳能电池沉积夹具 |
| CN101859801B (zh) * | 2010-06-11 | 2013-02-20 | 深圳市创益科技发展有限公司 | 薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列 |
| CN101857953B (zh) * | 2010-06-11 | 2012-04-18 | 深圳市创益科技发展有限公司 | 薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极 |
-
2010
- 2010-06-11 CN CN2010101987366A patent/CN101882646B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-21 WO PCT/CN2010/001654 patent/WO2011153670A1/zh active Application Filing
- 2010-10-21 KR KR1020127020783A patent/KR101337180B1/ko active IP Right Grant
- 2010-10-21 JP JP2012534521A patent/JP2013508955A/ja active Pending
- 2010-10-21 EP EP10852663.3A patent/EP2469610B1/en not_active Not-in-force
- 2010-10-21 US US13/389,470 patent/US8356572B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030150562A1 (en) | 2000-09-12 | 2003-08-14 | Quon Bill H. | Apparatus and method to control the uniformity of plasma by reducing radial loss |
| EP1548808A1 (en) | 2002-10-01 | 2005-06-29 | Mitsubishi Heavy Industries | High frequency plasma generator and high frequency plasma generating method |
| US20040187785A1 (en) | 2003-03-24 | 2004-09-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Deposition apparatus and deposition method |
| WO2009050958A1 (ja) | 2007-10-17 | 2009-04-23 | Masayoshi Murata | 高周波プラズマｃｖｄ装置と高周波プラズマｃｖｄ法及び半導体薄膜製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20120139416A1 (en) | 2012-06-07 |
| KR20120104427A (ko) | 2012-09-20 |
| CN101882646B (zh) | 2012-01-25 |
| US8356572B2 (en) | 2013-01-22 |
| EP2469610A1 (en) | 2012-06-27 |
| EP2469610B1 (en) | 2014-10-15 |
| WO2011153670A1 (zh) | 2011-12-15 |
| JP2013508955A (ja) | 2013-03-07 |
| CN101882646A (zh) | 2010-11-10 |
| EP2469610A4 (en) | 2013-05-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101337180B1 (ko) | 박막 태양 전지를 증착하기 위한 클램프 유닛 및 신호 공급 방법 | |
| KR101337011B1 (ko) | 실리콘 기반 박막 태양 전지용 가동 지그 | |
| KR101337026B1 (ko) | 실리콘 기반 박막 태양 전지용 증착 박스 | |
| US8438989B2 (en) | Surface feed-in electrodes for deposition of thin film solar cell and signal feed-in method thereof | |
| US8525417B2 (en) | Discharge electrode array for thin-film solar cell deposition | |
| CN201756585U (zh) | 太阳能电池沉积夹具 | |
| CN201756584U (zh) | 太阳能电池沉积用放电电极组件 | |
| CN201780981U (zh) | 太阳能电池活动夹具 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161130 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171016 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181212 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191121 Year of fee payment: 7 |