CN211079326U - 一种兼容大尺寸硅片的pecvd石墨载板 - Google Patents
一种兼容大尺寸硅片的pecvd石墨载板 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种兼容大尺寸硅片的PECVD石墨载板，石墨载板的石墨框上设有多个用于承载硅片的框格，框格为内部镂空的正方形边框结构，四个边框内侧结构形状相同，每个边框均设有阶梯状的多个台阶，相邻的两个台阶间的连接面为斜面，水平的台阶面和为斜面的连接面均为用于搭载硅片的承载台。本实用新型通过重新设计石墨框硅片承载台的结构，实现了多种规格硅片的承载，最大可满足200*200mm大尺寸硅片，采取水平台阶与斜面的组合型硅片承载台设计，既消除了因为硅片尺寸过大易翘曲从而在镀膜过程中产生绕镀的问题，又解决了小尺寸硅片在斜面上的掉片问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种兼容大尺寸硅片的PECVD石墨载板，属于光伏制造技术领域。
背景技术
太阳能电池生产过程中一个很重要的环节是镀减反射膜，PECVD石墨载板是太阳能电池片在镀膜过程中的硅片载体，石墨载板的尺寸应与硅片尺寸相匹配。目前生产的太阳能电池尺寸主要有156*156mm，158*158mm，162*162mm，由于生产需求进行的不同尺寸硅片的切换，需要更换不同的石墨载板；另外，通过增加硅片的尺寸进而将组件功率提高一个档位作为一种“边缘式”的创新形式，也成为各光伏企业的研究方向之一。综上所述，也需要PECVD石墨载板适应大尺寸硅片。
实用新型内容
实用新型目的：针对硅片不断切换的尺寸和不断增大的尺寸，不仅需要重新购置新的石墨载板，而且影响生产效率，增加了生产成本。本实用新型提出一种兼容大尺寸以及不同尺寸硅片的PECVD石墨载板，也适用于200*200mm尺寸硅片。
技术方案：一种兼容大尺寸硅片的PECVD石墨载板，石墨载板的石墨框上设有多个用于承载硅片的框格，框格为内部镂空的正方形边框结构，四个边框内侧结构形状相同，每个边框均设有阶梯状的多个台阶，相邻的两个台阶间的连接面为斜面，水平的台阶面和为斜面的连接面均为用于搭载硅片的承载台。
所述边框内侧设有上下两个台阶，两个台阶间的连接面为斜面，两个台阶面和斜面均为承载台。
所述斜面的斜度为100°-140°。
令与上台阶垂直的边框内侧壁为第一侧壁，则两个相对的第一侧壁的间距不小于202mm。
令与下台阶垂直的边框内侧壁为第二侧壁，则两个相对的第二侧壁的间距不小于155mm。
有益效果：与现有技术相比，本实用新型所提供的兼容大尺寸硅片的PECVD石墨载板，克服了现有技术的不足，通过重新设计石墨框硅片承载台的结构，实现了多种规格硅片的承载，最大可满足200*200mm大尺寸硅片，从而满足了市场上对大尺寸太阳能电池的需求，同时提高了生产效率，节约了生产成本。另外，采取水平台阶与斜面的组合型硅片承载台设计，既消除了因为硅片尺寸过大易翘曲从而在镀膜过程中产生绕镀的问题，又解决了小尺寸硅片在斜面上的掉片问题，上台阶平面可放置边长在180-200mm之间的硅片，平面相比于斜面更适合大尺寸硅片，下台阶可放置边长在150-158mm之间的硅片。
附图说明
图1为本实用新型实施例框格的剖视图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本实用新型。
兼容大尺寸硅片的PECVD石墨载板，石墨载板的石墨框上设有多个用于承载硅片的框格，如图1所示，框格为内部镂空的正方形边框结构，四个边框内侧结构形状相同，每个边框均设有阶梯状的两个台阶，分别为上台阶1和下台阶3，上台阶1和下台阶3之间的连接面为斜面2，上台阶1、下台阶3和斜面2均为用于搭载硅片4的承载台。
斜面的斜度为120°，过小的坡度会使真空吸盘在吸取硅片时受到过大的阻力从而造成碎片。
令与上台阶垂直的边框内侧壁为侧壁A，则两个相对的侧壁A的间距为202mm。令与下台阶垂直的边框内侧壁为侧壁B，则两个相对的侧壁B的间距为156mm。
上台阶1和下台阶3台面，以及斜面2设有细横纹，可防止硅片4在镀膜过程中的滑动。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以作出若干改进，这些改进也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (5)
1.一种兼容大尺寸硅片的PECVD石墨载板，石墨载板的石墨框上设有多个用于承载硅片的框格，框格为内部镂空的正方形边框结构，四个边框内侧结构形状相同，其特征在于：每个边框均设有阶梯状的多个台阶，相邻的两个台阶间的连接面为斜面，水平的台阶面和为斜面的连接面均为用于搭载硅片的承载台。
2.如权利要求1所述的兼容大尺寸硅片的PECVD石墨载板，其特征在于：所述边框内侧设有上下两个台阶，两个台阶间的连接面为斜面，两个台阶面和斜面均为承载台。
3.如权利要求1所述的兼容大尺寸硅片的PECVD石墨载板，其特征在于：所述斜面的斜度为100°-140°。
4.如权利要求2所述的兼容大尺寸硅片的PECVD石墨载板，其特征在于：令与上台阶垂直的边框内侧壁为第一侧壁，则两个相对的第一侧壁的间距不小于202mm。
5.如权利要求2所述的兼容大尺寸硅片的PECVD石墨载板，其特征在于：令与下台阶垂直的边框内侧壁为第二侧壁，则两个相对的第二侧壁的间距不小于155mm。
Priority Applications (1)
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| CN201921270916.3U CN211079326U (zh) | 2019-08-07 | 2019-08-07 | 一种兼容大尺寸硅片的pecvd石墨载板 |
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Publications (1)
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
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| CN (1) | CN211079326U (zh) |
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2019
- 2019-08-07 CN CN201921270916.3U patent/CN211079326U/zh active Active
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