JPH03106039A - ガス混合装置及びそれを用いた気相エピタキシャル成長装置 - Google Patents
ガス混合装置及びそれを用いた気相エピタキシャル成長装置Info
- Publication number
- JPH03106039A JPH03106039A JP24436489A JP24436489A JPH03106039A JP H03106039 A JPH03106039 A JP H03106039A JP 24436489 A JP24436489 A JP 24436489A JP 24436489 A JP24436489 A JP 24436489A JP H03106039 A JPH03106039 A JP H03106039A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- tube
- parts
- mixing
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 title claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 71
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- ILXWFJOFKUNZJA-UHFFFAOYSA-N ethyltellanylethane Chemical compound CC[Te]CC ILXWFJOFKUNZJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 241000700560 Molluscum contagiosum virus Species 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);carbanide Chemical compound [CH3-].[CH3-].[Cd+2] VQNPSCRXHSIJTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要）
複数種のガスを混合するガス混合装置、及びそれを用い
て有機金属原料ガスを混合して気相エピタキシャル戊長
を行なう気相エピタキシャル成長装置にｒＩＪＪ（７、 複数種のガスを十分に混合し、均一な膜厚及び均一な組
成の１ビタキシャル成長膜を得ることを目的とし、 複数のガス導入管部の終端部の管径を細くし、該終端部
を再び管径を太くされた混合管部の始端部に連通した構
成とする。又、この構成に加えて、該混合管部の翳端部
の管径を細くし、該混合管部の終端部を、再び管径を太
くされた導出管部に連通した構成のガス混合装置を設け
た構成とする。
て有機金属原料ガスを混合して気相エピタキシャル戊長
を行なう気相エピタキシャル成長装置にｒＩＪＪ（７、 複数種のガスを十分に混合し、均一な膜厚及び均一な組
成の１ビタキシャル成長膜を得ることを目的とし、 複数のガス導入管部の終端部の管径を細くし、該終端部
を再び管径を太くされた混合管部の始端部に連通した構
成とする。又、この構成に加えて、該混合管部の翳端部
の管径を細くし、該混合管部の終端部を、再び管径を太
くされた導出管部に連通した構成のガス混合装置を設け
た構成とする。
（産業上の利用分野）
本発明は、複数種のガスを混合するガス混合装置、及び
それを用いて有機金属原料ガスを混合して気相エピタキ
シャル成長を行なう気相エピタキシャル成長装置に関す
る。
それを用いて有機金属原料ガスを混合して気相エピタキ
シャル成長を行なう気相エピタキシャル成長装置に関す
る。
近年の半導体デバイスの高性能化の要求に伴ない、組成
が均一で、転位の少ない半導体結晶が要求されている。
が均一で、転位の少ない半導体結晶が要求されている。
このような半導体結晶を製造するために有機金属を原料
とする気相エピタキシャル成長装置（以下、ＭＯＣＶＤ
装置という）が用いられているが、均一な組成の結晶を
得るには、ガス（エピタキシャル成長用ガス〉を十分に
混合して基板に供給する必要がある。
とする気相エピタキシャル成長装置（以下、ＭＯＣＶＤ
装置という）が用いられているが、均一な組成の結晶を
得るには、ガス（エピタキシャル成長用ガス〉を十分に
混合して基板に供給する必要がある。
第４図はＭＯＣＶＤ装置に用いられる従来のノＪス混合
装置の一例の構成図を示す。同図中、１は混合管で、導
入管部１ａ，１ｂ及び導出管部１ＣにてＹ字状に構成さ
れており、これらの管部は全て、長さ方向にわたって管
径が等しく形成されている。導入管部１ａからは水銀（
口ｇ）とジメチルカドミウム（ＤＭＣｄ）との混合ガス
Ａが、一方の導入管部１ｂからはジエチルテルル（ Ｄ
Ｅ． −Ｔｅ）のガスＢが夫々水素（Ｈ２）ガスをト
ヤリ７として導入され、両者が混合されて導出管１Ｃを
通って反応管（図示せず〉に供給される。一般に、ＭＯ
ＣＶＤ装置は、上記のようなエピタキシャル或長用ガス
をエピタキシャル成長用基板を設置された反応管内に導
入し、反応管及び基板を戟置しているサセブタを加熱し
てエピタキシャル成長用ガスを分解し、この分解した成
分を基板に被着させる。
装置の一例の構成図を示す。同図中、１は混合管で、導
入管部１ａ，１ｂ及び導出管部１ＣにてＹ字状に構成さ
れており、これらの管部は全て、長さ方向にわたって管
径が等しく形成されている。導入管部１ａからは水銀（
口ｇ）とジメチルカドミウム（ＤＭＣｄ）との混合ガス
Ａが、一方の導入管部１ｂからはジエチルテルル（ Ｄ
Ｅ． −Ｔｅ）のガスＢが夫々水素（Ｈ２）ガスをト
ヤリ７として導入され、両者が混合されて導出管１Ｃを
通って反応管（図示せず〉に供給される。一般に、ＭＯ
ＣＶＤ装置は、上記のようなエピタキシャル或長用ガス
をエピタキシャル成長用基板を設置された反応管内に導
入し、反応管及び基板を戟置しているサセブタを加熱し
てエピタキシャル成長用ガスを分解し、この分解した成
分を基板に被着させる。
第４図に示す従来装置は、単に、管径が長さ方向にわた
って等しく形成された導入管部１ａ，１ｂを結合させた
だけの構成であるので、導入管部１ａを流れるガスＡと
導入管部１ｂを流れるガスＢとが衝突する際にあまり乱
流が起こらず、２つのガスＡ．Ｂは殆どそのままの状態
で導出管部１Ｃに導ひかれる。これにより、２つのガス
Ａ．Ｂは十分に混合されず、反応管におけるエピタキシ
ャル或長時に均一な膜厚、均一な組成が得られない問題
点があった。
って等しく形成された導入管部１ａ，１ｂを結合させた
だけの構成であるので、導入管部１ａを流れるガスＡと
導入管部１ｂを流れるガスＢとが衝突する際にあまり乱
流が起こらず、２つのガスＡ．Ｂは殆どそのままの状態
で導出管部１Ｃに導ひかれる。これにより、２つのガス
Ａ．Ｂは十分に混合されず、反応管におけるエピタキシ
ャル或長時に均一な膜厚、均一な組成が得られない問題
点があった。
本発明は複数種のガスを十分に混合でき、均一な膜厚及
び均一な組成のエピタキシャル成長膜を得ることができ
るガス混合装置及びそれを用いた気相エピタキシャル成
長装置を提供することを目的とする。
び均一な組成のエピタキシャル成長膜を得ることができ
るガス混合装置及びそれを用いた気相エピタキシャル成
長装置を提供することを目的とする。
本発明になるガス混合装置は、複数のガス導入管部の終
端部の管径を細くし、該終端部を、再び管径を太くされ
た混合管部の始端部に連通した構成である。又、本発明
になる気相エピタキシャル或艮相装置は、上記構成に加
えて該混合管部の終端部の管径を細くし、該混合管部の
終端部を、再び管径を太くされた導出管部に連通した横
或のガス混合装置を設けた構成である。
端部の管径を細くし、該終端部を、再び管径を太くされ
た混合管部の始端部に連通した構成である。又、本発明
になる気相エピタキシャル或艮相装置は、上記構成に加
えて該混合管部の終端部の管径を細くし、該混合管部の
終端部を、再び管径を太くされた導出管部に連通した横
或のガス混合装置を設けた構成である。
（作用）
ガス混合装圓では、導入管部の終喘部の管径が小さいの
で夫々のガスの流速は大とされ、夫々のガスは高速の流
れのまま混合管部において勢いよく衝突し、混合管部の
管径は再び太くされているので衝突したガスはここで乱
流となり、これにより夫々のガスは十分に混合される。
で夫々のガスの流速は大とされ、夫々のガスは高速の流
れのまま混合管部において勢いよく衝突し、混合管部の
管径は再び太くされているので衝突したガスはここで乱
流となり、これにより夫々のガスは十分に混合される。
従って、管径が長さ方向にわたって等しく形成された導
入管部を結合させただけの構成の従来例よりも夫々ガス
を十分に混合できる。
入管部を結合させただけの構成の従来例よりも夫々ガス
を十分に混合できる。
又、気相エピタキシャル成長装置ではガスを十分に混合
できるので均一な膜厚及び均−な組成の結晶を得ること
ができ、しかも、このような構成に加えて混合管部の終
端部の管径が小さくされているので、混合ガスは再び流
速を大にされて層流とされ、その放出方向を安定化され
、これに続けて導出管部の管径を太くされているので混
合ガスはその側壁をガイドとして進み、所定の流径εさ
れて基板全面に安定に供給される。
できるので均一な膜厚及び均−な組成の結晶を得ること
ができ、しかも、このような構成に加えて混合管部の終
端部の管径が小さくされているので、混合ガスは再び流
速を大にされて層流とされ、その放出方向を安定化され
、これに続けて導出管部の管径を太くされているので混
合ガスはその側壁をガイドとして進み、所定の流径εさ
れて基板全面に安定に供給される。
第１図は本発明の一実施例の構成図を示し、同図（Ａ＞
はガス混合装置、同図（Ｂ）は、同図（Ａ）のガス混合
装置を用いたＭＯＣＶＤ装置を示す。同図＜Ａ＞中、５
ａ，５ｂは導入管部、６は混合管部、７は導出管部で、
全体でＹ字状に構成されている。導入管部５ａ，５ｂの
夫々の終端部５ａ’ ，５ｂ’はその管径を小さくされ
ており、混合管部６に連通している。この場合、導入管
部５ａ，５ｂの中心の延長線が交わるように構成されて
いる。混合管部６の始端部６′及び終端部６“はその管
径を細くされており、始端部６′は導入管部５ａ，５ｂ
に、終端部６“は導出管部７に夫々連通している。
はガス混合装置、同図（Ｂ）は、同図（Ａ）のガス混合
装置を用いたＭＯＣＶＤ装置を示す。同図＜Ａ＞中、５
ａ，５ｂは導入管部、６は混合管部、７は導出管部で、
全体でＹ字状に構成されている。導入管部５ａ，５ｂの
夫々の終端部５ａ’ ，５ｂ’はその管径を小さくされ
ており、混合管部６に連通している。この場合、導入管
部５ａ，５ｂの中心の延長線が交わるように構成されて
いる。混合管部６の始端部６′及び終端部６“はその管
径を細くされており、始端部６′は導入管部５ａ，５ｂ
に、終端部６“は導出管部７に夫々連通している。
ここで、導入管部５ａにはガスａが、一方の導入管部５
ｂにはガスｂが夫々流され、夫々のガスは管径の小さい
終端部５ａ’ ，５ｂ’で流速を大にされ、混合管部６
に放出されてここで衝突し、混合される。この場合、導
入管部５ａ，５ｂの終端部５ａ’ ，５ｂ’の断面積が
小さいのでガスａ，ｂの流速は大とされ、ガスａ，ｂは
高速の流れのまま混合管部６において勢いよく衝突し、
又、混合管郎６の管径は再び元の大きさとされているの
で、衝突したガスａ．ｂはここで乱流となって混合され
る。この乱流によってガスａ，ｂは十分に混合される。
ｂにはガスｂが夫々流され、夫々のガスは管径の小さい
終端部５ａ’ ，５ｂ’で流速を大にされ、混合管部６
に放出されてここで衝突し、混合される。この場合、導
入管部５ａ，５ｂの終端部５ａ’ ，５ｂ’の断面積が
小さいのでガスａ，ｂの流速は大とされ、ガスａ，ｂは
高速の流れのまま混合管部６において勢いよく衝突し、
又、混合管郎６の管径は再び元の大きさとされているの
で、衝突したガスａ．ｂはここで乱流となって混合され
る。この乱流によってガスａ，ｂは十分に混合される。
混合管部６で十分に混合されたガスａ，ｂは管径の小さ
い終端部６“で再び流速を大にされて層流とされ、その
故出方向を安定化される。層流とさた混合ガスは元の大
きさの管径を持つ導出管部７の側壁をガイドとして進み
、所定の流径とされて目的部分に供給される。この場合
、終端部６＃がないと混合ガスは乱流のままで放出方向
が定まらないために終端部６“で放出方向を決めて安定
化させる。又、導出管部７の管径が元の大きさを持って
いないと、混合ガスの流径は細いままで目的部分に小さ
な面積でしか当らないので、管径を大きくして大きな面
積で当てるようにしている。
い終端部６“で再び流速を大にされて層流とされ、その
故出方向を安定化される。層流とさた混合ガスは元の大
きさの管径を持つ導出管部７の側壁をガイドとして進み
、所定の流径とされて目的部分に供給される。この場合
、終端部６＃がないと混合ガスは乱流のままで放出方向
が定まらないために終端部６“で放出方向を決めて安定
化させる。又、導出管部７の管径が元の大きさを持って
いないと、混合ガスの流径は細いままで目的部分に小さ
な面積でしか当らないので、管径を大きくして大きな面
積で当てるようにしている。
一方、第１図（Ｂ）において、第１図（Ａ）と同一構成
部分には同一番号を付してその説明を省略する。同図（
８）中、１０は反応管で、内部にサセブタ１１が設置さ
れており、その上に基板１２が載置されている。又、反
応管１０は排気されている．１３は高周波コイルで、反
応管１０及びサセプタ１１を加熱する。反応管１０の上
部には第１図（Ａ）に示すガス混合装置が設置されてお
り、混合管部６及び導出管部７がその内部に挿入された
形とされている。
部分には同一番号を付してその説明を省略する。同図（
８）中、１０は反応管で、内部にサセブタ１１が設置さ
れており、その上に基板１２が載置されている。又、反
応管１０は排気されている．１３は高周波コイルで、反
応管１０及びサセプタ１１を加熱する。反応管１０の上
部には第１図（Ａ）に示すガス混合装置が設置されてお
り、混合管部６及び導出管部７がその内部に挿入された
形とされている。
ここで、例えばｌ−１ｃｄＴｅ （水銀・カドミウム・
テルル）を或長するＭＯＣＶＤｉｌｉであれば、ガスＡ
としてＨＱ（水銀）（Ｉ１度は２ Ｘ １ ０−”ａｔ
Ｉｌ）とジメチノレカドミウム（ＤＭＣｄ）（Ｉｔ度は
１Ｘ１ ０ −５ａｔｅ ）との混合ガスを水素ガスを
キャリアガート（流通５２／分〉として導入管部５ａｌ
．：流し、ガスＢとらてジエヂルテルル（ＤＥＴｅ）（
濃度は３ Ｘ １ ０’ａｔｉ ）を水素ガスをキャリ
アガス（流量５Ｎ−／分）として導入管部５ｂに流す。
テルル）を或長するＭＯＣＶＤｉｌｉであれば、ガスＡ
としてＨＱ（水銀）（Ｉ１度は２ Ｘ １ ０−”ａｔ
Ｉｌ）とジメチノレカドミウム（ＤＭＣｄ）（Ｉｔ度は
１Ｘ１ ０ −５ａｔｅ ）との混合ガスを水素ガスを
キャリアガート（流通５２／分〉として導入管部５ａｌ
．：流し、ガスＢとらてジエヂルテルル（ＤＥＴｅ）（
濃度は３ Ｘ １ ０’ａｔｉ ）を水素ガスをキャリ
アガス（流量５Ｎ−／分）として導入管部５ｂに流す。
第１図（Ａ）において、説明したようにガスＡ，Ｂは十
分に混合され、例えば４００℃に保温されたサセプタ１
１上の基板１２に供給され、阜板１２に口ｇｃｄ’ｒｅ
層が成良する。又、混合管部６の終端部６＃のために混
合ガスの放出方向が安定化され、導出管部７にて所定の
流径とされた混合ガスは基板１２全面に供給される。
分に混合され、例えば４００℃に保温されたサセプタ１
１上の基板１２に供給され、阜板１２に口ｇｃｄ’ｒｅ
層が成良する。又、混合管部６の終端部６＃のために混
合ガスの放出方向が安定化され、導出管部７にて所定の
流径とされた混合ガスは基板１２全面に供給される。
第２図は本発明の他の実施例の構成図を示す。
同図中、２０ａ．２０ｂは導入管部、２１は混合管部、
２２は導出管部で、全体で丁字形に構成ざれている。導
入管部２０ａ．２０ｂの夫々の終端部２０ａ’ ，２０
ｂ’ はその管径を小さくされており、混合管部２１に
連通している。混合管部２１の終端部２１′はその管径
を小さくされており、導出管部２２に連通している。こ
のものは、導入管部２０ａ，２０ｂを平行に設置したた
め、ガスａ，ｂの衝突が第１図に示すものよりもより強
く生じ、ガスａ，ｂがより十分に混合される。
２２は導出管部で、全体で丁字形に構成ざれている。導
入管部２０ａ．２０ｂの夫々の終端部２０ａ’ ，２０
ｂ’ はその管径を小さくされており、混合管部２１に
連通している。混合管部２１の終端部２１′はその管径
を小さくされており、導出管部２２に連通している。こ
のものは、導入管部２０ａ，２０ｂを平行に設置したた
め、ガスａ，ｂの衝突が第１図に示すものよりもより強
く生じ、ガスａ，ｂがより十分に混合される。
その他の作用及び効果は第１図に示すものと同様である
。
。
第３図は本発明の更に他の実施例の要部の平面図を示す
．同図（Ａ）は導入管部３０ａ．３０ｂの終端部３０ａ
’ ，３０ｂ’ を混合管部３１に対６て互いにずらし
て連通させたものであり、２つのガスを混合管８Ｂ３１
内で渦状に回転させて混合する．同図（Ｂ）は３つの導
入管部３２ａ〜３２ｃを混合管部３３に対して互いにず
らしたもの、同図（Ｃ）は４つの導入管部３４ａ〜３４
ｄを混合管部３５に対していずれも複数種のガスを回転
させて混合する。これらのものは、各導入管部の中心の
延長線が交わらない構成とされている。
．同図（Ａ）は導入管部３０ａ．３０ｂの終端部３０ａ
’ ，３０ｂ’ を混合管部３１に対６て互いにずらし
て連通させたものであり、２つのガスを混合管８Ｂ３１
内で渦状に回転させて混合する．同図（Ｂ）は３つの導
入管部３２ａ〜３２ｃを混合管部３３に対して互いにず
らしたもの、同図（Ｃ）は４つの導入管部３４ａ〜３４
ｄを混合管部３５に対していずれも複数種のガスを回転
させて混合する。これらのものは、各導入管部の中心の
延長線が交わらない構成とされている。
以上説明した如く、本発明によれば、複数種のガスを十
分に混合でき、特に気相エピタキシャル成長装置に適川
した場合は均一な膜厚及び均一な組或の結晶を得ること
ができ、しかも、混合ガスを基板全面に安定に供給でき
る。
分に混合でき、特に気相エピタキシャル成長装置に適川
した場合は均一な膜厚及び均一な組或の結晶を得ること
ができ、しかも、混合ガスを基板全面に安定に供給でき
る。
第１図は本発明の一実施例の構成図、
第２図は本発明の他の実施例の＠成図、第３図は本発明
の更に他の各実施例の要部の平面図、 第４図は従来の一例の構成図である。 図において、 ５ａ，５ｂ，２０ａ，２０ｂ，３０ａ，３０ｂ，３２ａ
〜３２ｃ，３４ａ 〜３４ｄは導入管部、５ａ′、５
ｂ′，２０ａ’ ２０ｂ’３０ａ’３０ｂ′は導入
管部の終端部、 ６．２１．３１，３３．３５は混合管部、６”，２１’
は混合管部の終端部、 ７．２２は導出管部、 １０は反応管、 １１はサセブタ、 １２は基板 を示す。
の更に他の各実施例の要部の平面図、 第４図は従来の一例の構成図である。 図において、 ５ａ，５ｂ，２０ａ，２０ｂ，３０ａ，３０ｂ，３２ａ
〜３２ｃ，３４ａ 〜３４ｄは導入管部、５ａ′、５
ｂ′，２０ａ’ ２０ｂ’３０ａ’３０ｂ′は導入
管部の終端部、 ６．２１．３１，３３．３５は混合管部、６”，２１’
は混合管部の終端部、 ７．２２は導出管部、 １０は反応管、 １１はサセブタ、 １２は基板 を示す。
Claims (4)
- （１）複数のガス導入管部（５ａ、５ｂ）の終端部（５
ａ′、５ｂ′）の管径を細くし、該終端部（５ａ′、５
ｂ′）を、再び管径を太くされた混合管部（６）の始端
部（６′）に連通した構成としてなることを特徴とする
ガス混合装置。 - （２）該複数のガス導入管部（５ａ、５ｂ）は、その中
心の延長線が交わるように該混合管部（６）に連通した
構成としてなることを特徴とする請求項１記載のガス混
合装置。 - （３）該複数のガス導入管部（５ａ、５ｂ）は、その中
心の延長線が交わらないようにずらして該混合管部（６
）に連通した構成としてなることを特徴とする請求項１
記載のガス混合装置。 - （４）複数のガス導入管部（５ａ、５ｂ）の終端部（５
ａ′、５ｂ′）の管径を細くし、該終端部（５ａ′、５
ｂ′）を、再び管径を太くされた混合管部（６）の始端
部（６′）に連通し、かつ、該混合管部（６）の終端部
（６″）の管径を細くし、該混合管部（６）の終端部 （６″）を、再び管径を太くされた導出管部（７）に連
通した構成のガス混合装置を設けてなることを特徴とす
るガス混合装置を用いた気相エピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24436489A JPH03106039A (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | ガス混合装置及びそれを用いた気相エピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24436489A JPH03106039A (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | ガス混合装置及びそれを用いた気相エピタキシャル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03106039A true JPH03106039A (ja) | 1991-05-02 |
Family
ID=17117596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24436489A Pending JPH03106039A (ja) | 1989-09-20 | 1989-09-20 | ガス混合装置及びそれを用いた気相エピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03106039A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100427426B1 (ko) * | 1995-06-09 | 2004-07-12 | 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 반응가스분사헤드및증기상박막성장장치 |
| WO2021058870A1 (en) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | Picosun Oy | Fluid distributing device for a thin-film deposition apparatus, related apparatus and methods |
-
1989
- 1989-09-20 JP JP24436489A patent/JPH03106039A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100427426B1 (ko) * | 1995-06-09 | 2004-07-12 | 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 반응가스분사헤드및증기상박막성장장치 |
| WO2021058870A1 (en) * | 2019-09-24 | 2021-04-01 | Picosun Oy | Fluid distributing device for a thin-film deposition apparatus, related apparatus and methods |
| CN112626492A (zh) * | 2019-09-24 | 2021-04-09 | 皮考逊公司 | 用于薄膜沉积设备的流体分配装置、相关设备和方法 |
| EP4034690A4 (en) * | 2019-09-24 | 2023-10-11 | Picosun Oy | FLUID DELIVERY DEVICE FOR THIN FILM DEPOSITION APPARATUS, APPARATUS AND ASSOCIATED METHODS |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7396415B2 (en) | Apparatus and methods for isolating chemical vapor reactions at a substrate surface | |
| EP0854210A1 (en) | Vapor deposition apparatus and method for forming thin film | |
| WO1997036320A1 (fr) | Appareil de tirage en phase vapeur et procede de tirage en phase vapeur | |
| CN105441904A (zh) | 气体喷淋装置、化学气相沉积装置和方法 | |
| US5938840A (en) | Method for vapor phase growth | |
| Bundle | The epitaxial growth of silicon in horizontal reactors | |
| US3594242A (en) | Method for production of epitaxial films | |
| TWM597506U (zh) | 具有多區域噴射器塊的化學氣相沉積設備 | |
| JPH03106039A (ja) | ガス混合装置及びそれを用いた気相エピタキシャル成長装置 | |
| JPH01125923A (ja) | 気相成長装置 | |
| US20010021593A1 (en) | Chemical vapor deposition apparatus and chemical vapor deposition process | |
| JPS62113419A (ja) | 気相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPH0766130A (ja) | 化学的気相成長（ｃｖｄ）装置 | |
| JPH04279022A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2001140078A (ja) | 化学蒸着装置 | |
| JPH026389A (ja) | 半導体薄膜気相成長装置 | |
| JP2949852B2 (ja) | 気相処理装置 | |
| JPS59159980A (ja) | 気相成長装置 | |
| CN109457236A (zh) | 一种进气顶盘及金属有机物化学气相沉积反应器 | |
| JPS61180424A (ja) | 気相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPS63318734A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2001118799A (ja) | ガスの導入と流れの制御方法およびその装置 | |
| JPS6122621A (ja) | 気相成長方法 | |
| JP2845105B2 (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
| JPS61272938A (ja) | 減圧式化学気相成長装置 |