JP2003303819A - 基板処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数の成膜条件に対応してガスを均一に供給
する。 【解決手段】 ウエハ１を処理する処理室１１と、処理
室１１にガスを供給するガス供給管４１と、ガス供給管
４１から供給されたガスを水平方向に拡散させて流す拡
散板２５と、拡散板２５の下流側に配されてガスをウエ
ハ１に対してシャワー状に供給するシャワーヘッド３５
とを具備するＭＯＣＶＤ装置において、拡散板２５には
ガスを水平方向に流通させる第一ガス流路２３と第二ガ
ス流路２４とが形成されており、第一ガス流路２３には
大口径のガス噴出口２９が、第二ガス流路２４には小口
径のガス噴出口３０がそれぞれ開設されている。 【効果】 第一ガス流路にガスを供給してウエハに第一
成膜条件で初期膜を形成した後、第二ガス流路にガスを
供給して第二成膜条件で本体膜を形成できるため、同一
の処理室で同一のウエハに成膜条件の異なる複数の膜を
形成できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置およ
び半導体装置の製造方法に関し、特に、ＭＯＣＶＤ（Me
tal Organic Chemical Vapor Deposition ）による薄膜
形成技術に関し、例えば、ＭＯＣＶＤ装置を使用してＤ
ＲＡＭ（Dynamic Random Access Memorry ）のキャパシ
タ（Capacitor ）の静電容量部（絶縁膜）の材料として
の高誘電体薄膜やキャパシタ電極等を形成するのに利用
して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、ＤＲＡＭのキャパシタの静電容量
部を形成するのに、酸化タンタル（Ｔａ ₂ Ｏ₅ ）が使用
されて来ており、キャパシタ電極を形成するのにルテニ
ウム（Ｒｕ）または酸化ルテニウム（以下、ルテニウム
という。）が使用されて来ている。ルテニウム電極上に
形成された酸化タンタルは高い誘電率を持つため、微小
面積で大きな静電容量を得るのに適している。そして、
生産性や段差被覆性（ステップカバレージ）等の観点か
らＤＲＡＭの製造方法においては、ルテニウムはＭＯＣ
ＶＤ装置によって成膜することが要望されている。

【０００３】ルテニウムの成膜に使用されるＭＯＣＶＤ
装置は、半導体集積回路装置の一例であるＤＲＡＭが作
り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）を処
理する処理室と、この処理室に一端が接続されたガス供
給配管と、このガス供給配管の他端に接続されて液体原
料を気化させる気化器と、この気化器に液体原料を供給
する液体原料供給配管とを備えており、液体原料供給配
管を介して気化器に液体原料を供給し、この液体原料を
気化器において気化させ、気化させたガスを処理室にキ
ャリアガスによって供給することにより処理室内のウエ
ハにルテニウム膜を形成するように構成されている。

【０００４】このようなＭＯＣＶＤ装置においてはウエ
ハ面内の膜厚の均一性を向上することが重要になる。そ
こで、従来のＭＯＣＶＤ装置においては、気化させた原
料ガスを処理室に供給するガス供給管に多数個のガス噴
出口を有するシャワーヘッドを設置することにより、コ
ンダクタンスを小さくしてシャワーヘッドのバッファ空
間を高圧化しガスの衝突頻度を高めて混合することが実
施されている。さらに、シャワーヘッドの内部に原料ガ
スを水平方向に拡散させる拡散板を設置することによ
り、原料ガスをシャワーヘッドの内部において拡散板に
よって水平方向に拡散させてシャワーヘッドから処理室
にシャワー状に噴出させ、もって、原料ガスをウエハの
全面により一層均一に接触させることも、実施されてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前記したＭＯＣＶＤ装
置による成膜方法には、二段階成膜法という方法があ
る。これは、成膜工程のうちウエハとの界面に成膜する
初期成膜工程（以下、第一成膜工程という。）の成膜条
件と、その後の膜本体を成膜する膜本体成膜工程（以
下、第二成膜工程という。）の成膜条件とが相違する方
法である。一般に、第一成膜工程においては核形成を実
施する場合が多く、高圧力および大流量の成膜条件にな
る。他方、第二成膜工程においては、第一成膜工程の成
膜条件に比べて低圧力および小流量の成膜条件になる傾
向がある。このように成膜条件が異なる場合には、一方
の成膜条件に対応して拡散板の噴出口を設定すると、他
方の成膜条件においてはその噴出口からは原料ガスが均
一に噴出されないため、ウエハ面内に均一にガスが供給
されず、ウエハ面内の膜厚の均一性が劣化してしまう。

【０００６】本発明の目的は、複数の成膜条件に対応し
てガスを均一に供給することができる基板処理装置およ
び半導体装置の製造方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明に係る基板処理装
置は、基板を処理する処理室と、この処理室にガスを供
給する複数のガス供給管と、この複数のガス供給管から
供給された前記ガスを水平方向に拡散させて流下させる
拡散板と、この拡散板の下流側に配されて前記ガスを前
記基板に対してシャワー状に供給するシャワーヘッドと
を具備する基板処理装置において、前記拡散板には前記
ガスを水平方向に流通させる複数のガス流路が前記複数
のガス供給管のそれぞれに対応するように形成されてお
り、それぞれのガス流路には互いに開口面積または数が
異なる複数のガス噴出口がそれぞれ開設されていること
を特徴とする。

【０００８】本発明に係る半導体装置の製造方法は、ガ
スを水平方向に拡散させて流下させる拡散板を介してガ
スを処理室に供給して基板に膜を形成する半導体装置の
製造方法であって、前記基板に膜を第一の成膜条件で形
成する第一成膜工程と、この第一成膜工程で形成した膜
の上に膜を第二の成膜条件で形成する第二成膜工程とを
具備しており、前記第一成膜工程と前記第二成膜工程と
においては前記ガスを前記拡散板に形成された異なる流
路のガス噴出口によってそれぞれ供給することを特徴と
する。

【０００９】前記した手段によれば、第一成膜工程にお
いては、拡散板に形成された第一の成膜条件に対応した
開口面積（口径）または数のガス噴出口を有する流路に
ガスを供給することにより、基板の上に第一の成膜条件
をもって膜を形成することができる。第二成膜工程にお
いては、拡散板に形成された第二の成膜条件に対応した
開口面積（口径）または数のガス噴出口を有する流路に
ガスを供給することにより、第一の成膜条件をもって形
成された第一の膜の上に第二の成膜条件をもって第二の
膜を形成することができる。つまり、同一の処理室にお
いて、互いに成膜条件の異なる複数の膜を基板の面内に
おいて均一な膜厚をもって形成することができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。

【００１１】本実施の形態において、本発明に係る基板
処理装置はＭＯＣＶＤ装置として構成されており、この
ＭＯＣＶＤ装置は本発明に係る半導体装置の製造方法で
あるＤＲＡＭの製造方法におけるキャパシタ電極として
のルテニウム膜を成膜する工程（以下、キャパシタ電極
形成工程という。）に使用されている。

【００１２】図１に示されているように、本実施の形態
に係るＭＯＣＶＤ装置１０は、枚葉式コールドウオール
形減圧ＣＶＤ装置として構成されており、処理室１１を
形成した筐体１２を備えている。筐体１２の下部には処
理室１１を排気する排気口１３が開設されており、筐体
１２の底壁の中央には軸挿通孔１４が開設されている。
排気口１３には排気配管６１が連通しており、排気配管
６１には反応室内の圧力を制御する圧力制御装置６２が
設けられている。軸挿通孔１４には支持軸１５が処理室
１１に回転自在かつ昇降自在に挿通されており、支持軸
１５は図示しない駆動装置によって回転かつ昇降される
ように構成されている。支持軸１５の処理室１１におけ
る上端には被処理基板であるウエハ１を保持するための
保持台１６が水平に支持されており、保持台１６の内部
にはヒータ１７が保持台１６に保持されたウエハ１を均
一に加熱するように装備されている。ヒータ１７にはヒ
ータの温度を制御する温度制御装置６０が接続されてい
る。筐体１２の側壁の一部にはウエハ１を出し入れする
ためのウエハ搬入搬出口１８が開設されており、ウエハ
搬入搬出口１８はゲート１９によって開閉されるように
なっている。処理室１１の底面の上にはウエハ１の搬入
搬出時にウエハ１を保持台１６の上面から浮かせるため
のエジェクタピン２０が突設されている。

【００１３】筐体１２の天井壁の中央部には第一ガス導
入口２１と第二ガス導入口２２とが並べて上下方向に貫
通するように開設されており、その下側には第一ガス導
入口２１に接続される第一ガス流路２３と、第二ガス導
入口２２に接続される第二ガス流路２４とが二重の螺旋
形状に敷設された円盤形状の拡散板２５が同心的に設置
されている。すなわち、拡散板２５は図２に示された円
盤形状の本体２６と、本体２６の上面に被せ付けられた
蓋体３１とを備えている。本体２６の上面には第一ガス
流路２３を形成するための第一螺旋溝２７と、第二ガス
流路２４を形成するための第二螺旋溝２８とが互いに平
行な螺旋形状にそれぞれ没設されている。第一螺旋溝２
７の溝底には大口径の第一ガス噴出口２９が複数個、螺
旋に沿って適当な間隔に並べられて溝内外を連通させる
ように上下方向に開設されている。第二螺旋溝２８の溝
底には小口径の第二ガス噴出口３０が複数個、螺旋に沿
って適当な間隔に並べられて溝内外を連通させるように
上下方向に開設されている。蓋体３１は本体２６の上面
に第一螺旋溝２７の上面開口および第二螺旋溝２８の上
面開口を閉塞するように被せ付けられており、蓋体３１
の第一螺旋溝２７の内側端部に対応する位置および第二
螺旋溝２８の内側端部に対応する位置には、第一螺旋溝
２７が形成する第一ガス流路２３と第一ガス導入口２１
とを連通させる第一連通孔３２と、第二螺旋溝２８が形
成する第二ガス流路２４と第二ガス導入口２２とを連通
させる第二連通孔３３とがそれぞれ開設されている。

【００１４】拡散板２５の下側にはバッファ部３４を介
してシャワーヘッド３５が水平に設置されており、シャ
ワーヘッド３５にはバッファ部３４に供給されたガスを
流通して処理室１１にシャワー状に噴出させる複数個の
ガス噴出口３６が全面にわたって開設されている。

【００１５】ＭＯＣＶＤ装置１０は原料ガスを処理室１
１へ供給するガス供給装置４０を備えており、ガス供給
装置４０のガス供給管４１には上流側第一分岐管４２、
上流側第二分岐管４３、下流側第一分岐管４４および下
流側第二分岐管４５が設定されている。上流側第一分岐
管４２には酸素ガス供給源４６が接続されており、上流
側第二分岐管４３には気化ガス供給装置４７が接続され
ている。気化ガス供給装置４７は液体原料としてのＲｕ
（ＥｔＣｐ）₂ ［ビス・エチル・シクロ・ペンタ・ジエ
ニル・ルテニウム］を気化器によって気化させた気化ガ
スを上流側第二分岐管４３に供給するように構成されて
いる。上流側第一分岐管４２の途中には酸素ガスの流量
を制御する第一流量制御弁４８が介設されており、上流
側第二分岐管４３の途中には気化ガスの流量を制御する
第二流量制御弁４９が介設されている。下流側第一分岐
管４４の下流側端は第一ガス導入口２１に接続されてお
り、下流側第二分岐管４５の下流側端は第二ガス導入口
２２に接続されている。ガス供給管４１は上流側第一分
岐管４２と上流側第二分岐管４３との下流側で合流され
ており、ガス供給管４１の合流端と下流側第一分岐管４
４および下流側第二分岐管４５との間には、３ポート・
２位置・電磁操作式切換弁によって構成された方向制御
弁５０が介設されている。方向制御弁５０は合流された
ガス供給管４１の接続を、下流側第一分岐管４４と下流
側第二分岐管４５との間で自動的に切り換え得るように
構成されている。

【００１６】次に、以上の構成に係るＭＯＣＶＤ装置１
０が使用されるＤＲＡＭの製造方法におけるキャパシタ
電極形成工程を説明する。

【００１７】本実施の形態において、キャパシタ電極は
ルテニウム膜によって形成される。したがって、ＭＯＣ
ＶＤ装置１０の処理室１１に搬入されるウエハ１には、
キャパシタ電極を形成する前の所定のパターンが形成さ
れている。そして、液体原料としてはＲｕ（ＥｔＣｐ）
₂ が使用される。

【００１８】所定のパターンが形成されたウエハ１は図
示しないハンドリング装置によって保持されて、ゲート
１９が開放されたウエハ搬入搬出口１８から処理室１１
に搬入されるとともに、保持台１６の上に受け渡され
る。

【００１９】保持台１６に受け渡されたウエハ１はヒー
タ１７によって所定の温度（例えば、２９０〜３３０
℃）に加熱され、かつ、支持軸１５によって回転され
る。なお、このとき、ヒータ１７の温度は、温度制御装
置６０により制御される。処理室１１は排気口１３に接
続された真空ポンプ（図示せず）により、所定の圧力
（例えば、５０〜４０００Ｐａ）に排気される。このと
き、圧力は排気配管６１に設けられた圧力制御装置６２
により制御される。処理室１１が所定の圧力に安定する
と、ガス供給装置４０によって酸素ガスと気化ガスとの
混合ガスが原料ガスとして処理室１１に供給される。

【００２０】ここで、本実施の形態に係るキャパシタ電
極形成工程においては、キャパシタ電極形成工程のうち
ウエハとの界面に成膜する初期成膜工程（以下、第一成
膜工程という。）の成膜条件と、その後の膜本体を成膜
する膜本体成膜工程（以下、第二成膜工程という。）の
成膜条件とが相違する二段階成膜法が、実施される。

【００２１】まず、初期の第一成膜工程においては、方
向制御弁５０がガス供給管４１を下流側第一分岐管４４
へ接続する位置に設定され、酸素ガスと気化ガスとの混
合ガスが下流側第一分岐管４４を通じて第一ガス導入口
２１に導入される。この際、酸素ガスと気化ガスとの混
合ガスの供給条件は、高圧力および大流量となるよう、
酸素ガス供給源４６や気化ガス供給装置４７、第一流量
制御弁４８、第二流量制御弁４９および圧力制御装置６
２によって設定される。第一ガス導入口２１に導入され
た混合ガスは拡散板２５の第一ガス流路２３に流れ込
み、第一ガス流路２３を螺旋状に流れることによって半
径方向および円周方向に拡散するとともに、各第一ガス
噴出口２９からバッファ部３４にそれぞれ噴出する。バ
ッファ部３４に噴出した混合ガスは拡散かつ混合し、シ
ャワーヘッド３５のガス噴出口３６群から全面にわたっ
てシャワー状に均一に噴出する。

【００２２】シャワーヘッド３５のガス噴出口３６群か
らシャワー状に噴出した原料ガスとしての混合ガスは、
保持台１６に保持されて加熱されたウエハ１に全面にわ
たって均一に接触してウエハ１の表面に熱ＣＶＤ反応に
よって全面にわたって均一にルテニウム膜が形成され
る。この際、拡散板２５における第一ガス流路２３の第
一ガス噴出口２９の口径は大口径に設定されることによ
り、第一成膜条件に対応するように設定されているた
め、ウエハ１の上にはルテニウム膜が第一成膜条件に対
応して形成されることになる。

【００２３】第一成膜工程について予め設定された時間
が経過すると、方向制御弁５０がガス供給管４１を下流
側第二分岐管４５へ接続する位置に切り換えられ、酸素
ガスと気化ガスとの混合ガスが下流側第二分岐管４５を
通じて第二ガス導入口２２に導入される。この際、酸素
ガスと気化ガスとの混合ガスの供給条件は、低圧力およ
び小流量となるように酸素ガス供給源４６や気化ガス供
給装置４７、第一流量制御弁４８、第二流量制御弁４９
および圧力制御装置６２によって設定される。第二ガス
導入口２２に導入された混合ガスは拡散板２５の第二ガ
ス流路２４に流れ込み、第二ガス流路２４を螺旋状に流
れることによって半径方向および円周方向に拡散すると
ともに、各第二ガス噴出口３０からバッファ部３４にそ
れぞれ噴出する。バッファ部３４に噴出した混合ガスは
拡散かつ混合し、シャワーヘッド３５のガス噴出口３６
群から全面にわたってシャワー状に均一に噴出する。

【００２４】シャワーヘッド３５のガス噴出口３６群か
らシャワー状に噴出した原料ガスとしての混合ガスは、
保持台１６に保持されて加熱されたウエハ１に全面にわ
たって均一に接触することにより、ウエハ１の第一成膜
工程によって形成された初期のルテニウム膜の表面に熱
ＣＶＤ反応によって全面にわたって均一にルテニウム膜
が堆積する。この際、拡散板２５における第二ガス流路
２４の第二ガス噴出口３０の口径は小口径に設定される
ことにより、第二成膜条件に対応するように設定されて
いるため、ウエハ１の第一のルテニウム膜の上には膜本
体としての第二のルテニウム膜が第二成膜条件に対応し
て形成されることになる。

【００２５】第二成膜工程について予め設定された時間
が経過すると、酸素ガス供給源４６および気化ガス供給
装置４７による酸素ガスおよび気化ガスの供給が停止さ
れる。

【００２６】以上のようにしてルテニウム膜が形成され
たウエハ１はハンドリング装置によって処理室１１から
搬出される。以降、前述した作業が繰り返されることに
より、ウエハ１にルテニウム膜が形成されて行く。

【００２７】前記実施の形態によれば、次の効果が得ら
れる。

【００２８】1) ガスを処理室にシャワー状に噴出する
シャワーヘッドに設置された拡散板に第一ガス流路と第
二ガス流路とを形成するとともに、両ガス流路に互いに
開口面積（口径）が異なるガス噴出口群をそれぞれ開設
することにより、第一成膜条件に対応したガスを第一ガ
ス流路によって供給することができ、また、第二成膜条
件に対応したガスを第二ガス流路によって供給すること
ができるため、初期膜としての第一膜を第一の成膜条件
で形成する第一成膜工程と、この第一成膜工程で形成し
た初期膜である第一膜の上に膜本体である第二膜を第二
の成膜条件で形成する第二成膜工程とを同一の処理室に
おいて実施することができる。

【００２９】2) 第一成膜工程と第二成膜工程とを同一
の処理室において実施することにより、ＭＯＣＶＤ装置
の性能を向上させることができるとともに、これを使用
した半導体装置の製造方法のスループットを向上させる
ことができる。

【００３０】3) 第一成膜条件に対応したガスを第一ガ
ス流路を介して拡散させた後にシャワーヘッドからシャ
ワー状に噴出させ、また、第二成膜条件に対応したガス
を第二ガス流路を介して拡散させた後にシャワーヘッド
からシャワー状に噴出させることにより、いずれの成膜
条件においてもシャワーヘッドからガスを均一に噴出さ
せることができるため、いずれの成膜のウエハ面内の膜
厚均一性を確保することができ、ＭＯＣＶＤ装置の性能
を向上させることができるとともに、これを使用した半
導体装置の製造方法の品質および信頼性を向上させるこ
とができる。

【００３１】以上本発明者によってなされた発明を実施
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもな
い。

【００３２】例えば、拡散板の第一ガス流路と第二ガス
流路とは互いに平行な螺旋形状に敷設するに限らず、図
３に示されているように、互いに同心円に敷設してもよ
い。すなわち、図３においては、第一ガス流路を構成す
る第一環状溝２７Ａと第二環状溝２８Ａとが拡散板の本
体２６Ａに互いに同心円に没設されている。

【００３３】拡散板に敷設する複数のガス流路の本数は
二本に限らず、三本以上であってもよい。

【００３４】拡散板に敷設した複数のガス流路にそれぞ
れ開設するガス噴出口は、互いに開口面積（口径）を相
違させるに限らず、互いに数を相違させてもよい。

【００３５】第一成膜工程と第二成膜工程とで変更する
成膜条件は、ガス流量や圧力だけでなく、温度であって
もよい。温度を変更する場合には温度制御装置６０を用
いて、ヒータ１７の温度を制御する。

【００３６】成膜方法は二段階成膜法に使用するに限ら
ず、種類の異なる膜を重ねて成膜する方法にも適用する
ことができる。

【００３７】また、前記実施の形態ではＤＲＡＭの製造
方法におけるキャパシタ電極形成工程に適用した場合に
ついて説明したが、それに限定されるものではなく、例
えば、ＤＲＡＭの容量絶縁膜として酸化タンタル膜（Ｔ
ａ₂ Ｏ₅ 膜）を形成する場合にも適用できる。この場合
は、原料としてはＴａ（ＯＣ₂ Ｈ₅ ）₅ （ペンタエトキ
シタンタル）を気化したガスを用いるとよい。また、こ
の他にＦＲＡＭ（ferroelectricＲＡＭ）のキャパシタ
電極形成のためのＰＺＴ（ＰｂＺｒＴｉＯ₃ ）あるいは
イリジウム、銅等の金属膜およびそれらの金属酸化膜の
成膜技術にも適用することができる。

【００３８】基板処理装置は、枚葉式コールドウオール
形ＣＶＤ装置に構成するに限らず、枚葉式ホットウオー
ル形ＣＶＤ装置や枚葉式ウオーム（Warm）ウオール形Ｃ
ＶＤ装置等に構成してもよい。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数の成膜条件に対応してガスを均一に供給することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態であるＭＯＣＶＤ装置を
示す縦断面図である。

【図２】拡散板を示す平面断面図である。

【図３】拡散板の他の実施の形態を示す平面断面図であ
る。

【符号の説明】

１…ウエハ（基板）、１０…ＭＯＣＶＤ装置（基板処理
装置）、１１…処理室、１２…筐体、１３…排気口、１
４…軸挿通孔、１５…支持軸、１６…保持台、１７…ヒ
ータ、１８…ウエハ搬入搬出口、１９…ゲート、２０…
エジェクタピン、２１…第一ガス導入口、２２…第二ガ
ス導入口、２３…第一ガス流路、２４…第二ガス流路、
２５…拡散板、２６、２６Ａ…本体、２７…第一螺旋
溝、２７Ａ…第一環状溝、２８…第二螺旋溝、２８Ａ…
第二環状溝、２９…第一ガス噴出口、３０…第二ガス噴
出口、３１…蓋体、３２…第一連通孔、３３…第二連通
孔、３４…バッファ部、３５…シャワーヘッド、３６…
ガス噴出口、４０…ガス供給装置、４１…ガス供給管、
４２…上流側第一分岐管、４３…上流側第二分岐管、４
４…下流側第一分岐管、４５…下流側第二分岐管、４６
…酸素ガス供給源、４７…気化ガス供給装置、４８…第
一流量制御弁、４９…第二流量制御弁、５０…方向制御
弁、６０…温度制御装置、６１…排気配管、６２…圧力
制御装置。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 AA11 BA01 BA17 BA42 CA04 EA05 HA01 LA15 4M104 BB04 BB36 DD43 DD44 GG16 GG19 5F045 AA04 AC09 BB02 DQ10 EB02 EE20 EF05 EF13 5F083 AD00 FR00 GA27 JA06 JA15 JA37 JA38 PR21

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を処理する処理室と、この処理室に
   ガスを供給する複数のガス供給管と、この複数のガス供
   給管から供給された前記ガスを水平方向に拡散させて流
   下させる拡散板と、この拡散板の下流側に配されて前記
   ガスを前記基板に対してシャワー状に供給するシャワー
   ヘッドとを具備する基板処理装置において、前記拡散板
   には前記ガスを水平方向に流通させる複数のガス流路が
   前記複数のガス供給管のそれぞれに対応するように形成
   されており、それぞれのガス流路には互いに開口面積ま
   たは数が異なる複数のガス噴出口がそれぞれ開設されて
   いることを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 ガスを水平方向に拡散させて流下させる
   拡散板を介してガスを処理室に供給して基板に膜を形成
   する半導体装置の製造方法であって、前記基板に膜を第
   一の成膜条件で形成する第一成膜工程と、この第一成膜
   工程で形成した膜の上に膜を第二の成膜条件で形成する
   第二成膜工程とを具備しており、前記第一成膜工程と前
   記第二成膜工程とにおいては前記ガスを前記拡散板に形
   成された異なる流路のガス噴出口によってそれぞれ供給
   することを特徴とする半導体装置の製造方法。