KR100599056B1 - 포토레지스트 제거 장치 및 방법 - Google Patents
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 92
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 106
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 117
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 7
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 6
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 6
- 239000008400 supply water Substances 0.000 abstract 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 13
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 11
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 10
- -1 hydroxy ions Chemical class 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 231100000167 toxic agent Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- H—ELECTRICITY
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
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- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
Claims (13)
- 포토레지스트 막이 형성된 기판을 수용하는 챔버;상기 포토레지스트 막을 제거하기 위한 수증기를 공급하기 위한 제1 가스 공급부;상기 포토레지스트 막을 제거하기 위한 오존 가스를 공급하기 위한 제2 가스 공급부;상기 제1 가스 공급부로부터 상기 수증기가 도입되는 제1 공간과 상기 제1 공간과 연통되어 상기 제1 공간을 통해 상기 수증기가 도입되며 상기 제2 가스 공급부로부터 상기 오존 가스가 도입되는 제2 공간을 갖고, 상기 제2 공간에서 혼합된 수증기와 오존 가스를 상기 기판 상으로 실질적으로 균일하게 제공하기 위한 샤워 헤드; 및상기 샤워 헤드를 가열하며, 상기 제1 공간을 한정하는 표면들에서 응결되는 물을 기화시키기 위한 제1 히터를 포함하는 포토레지스트 제거 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 샤워 헤드는 상기 제1 공간과 제2 공간을 연통시키는 다수의 제1 홀을 갖는 제1 플레이트; 및상기 제2 공간과 외부를 연결하며, 상기 제2 공간에서 혼합된 수증기와 오존 가스의 혼합 가스를 상기 웨이퍼 상으로 공급하기 위한 다수의 제2 홀을 갖는 제2 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 제1 홀들과 제2 홀들은 서로 엇갈리도록 위치하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 히터에 의해 가열된 상기 샤워 헤드의 온도는 98 내지 105℃ 인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 기판을 가열하기 위한 제2 히터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 제2 히터에 의해 가열된 상기 기판의 온도는 98 내지 100℃인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 수증기는 캐리어 가스인 불활성 가스에 의해 이송되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 장치.
- 제1 공간으로 수증기를 도입하는 단계;상기 제1 공간을 한정하는 표면들에서 응결된 물을 기화시키는 단계;상기 제1 공간으로부터 수증기를 제2 공간으로 도입하는 단계;상기 제2 공간으로 오존 가스를 도입하는 단계; 및상기 제2 공간에서 혼합된 가스를 포토레지스트가 형성되어 있는 기판 상으로 실질적으로 균일하게 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 응결된 물을 가열하여 기화시키는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 가열 온도는 98 내지 105℃ 인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 기판을 가열하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 방법.
- 제11항에 있어서, 가열된 상기 기판의 온도는 98 내지 100℃인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 수증기는 캐리어 가스인 불활성 가스에 의해 이송되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 방법.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050066374A KR100599056B1 (ko) | 2005-07-21 | 2005-07-21 | 포토레지스트 제거 장치 및 방법 |
US11/488,706 US7405164B2 (en) | 2005-07-21 | 2006-07-19 | Apparatus and method for removing a photoresist structure from a substrate |
US12/213,859 US8551288B2 (en) | 2005-07-21 | 2008-06-25 | Apparatus and method for removing a photoresist structure from a substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050066374A KR100599056B1 (ko) | 2005-07-21 | 2005-07-21 | 포토레지스트 제거 장치 및 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100599056B1 true KR100599056B1 (ko) | 2006-07-12 |
Family
ID=37183887
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050066374A KR100599056B1 (ko) | 2005-07-21 | 2005-07-21 | 포토레지스트 제거 장치 및 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7405164B2 (ko) |
KR (1) | KR100599056B1 (ko) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4886544B2 (ja) * | 2007-02-09 | 2012-02-29 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
EP2166564B1 (en) * | 2008-09-19 | 2017-04-12 | Imec | Method for removing a hardened photoresist from a semiconductor substrate |
US8960235B2 (en) * | 2011-10-28 | 2015-02-24 | Applied Materials, Inc. | Gas dispersion apparatus |
KR102477302B1 (ko) | 2015-10-05 | 2022-12-13 | 주성엔지니어링(주) | 배기가스 분해기를 가지는 기판처리장치 및 그 배기가스 처리방법 |
US10233543B2 (en) * | 2015-10-09 | 2019-03-19 | Applied Materials, Inc. | Showerhead assembly with multiple fluid delivery zones |
KR20200092530A (ko) * | 2019-01-24 | 2020-08-04 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 제거장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법 |
US11332827B2 (en) | 2019-03-27 | 2022-05-17 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate with high aspect ratio holes and a high hole density |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3150509B2 (ja) | 1992-11-27 | 2001-03-26 | 株式会社日立製作所 | 有機物除去方法及びその方法を使用するための装置 |
US5647945A (en) * | 1993-08-25 | 1997-07-15 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
JP3380091B2 (ja) * | 1995-06-09 | 2003-02-24 | 株式会社荏原製作所 | 反応ガス噴射ヘッド及び薄膜気相成長装置 |
TW415970B (en) * | 1997-01-08 | 2000-12-21 | Ebara Corp | Vapor-phase film growth apparatus and gas ejection head |
KR19990004453A (ko) | 1997-06-28 | 1999-01-15 | 배순훈 | 에어컨 증발기의 동결방지 장치 및 그 제어방법 |
US6110556A (en) * | 1997-10-17 | 2000-08-29 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a process chamber employing asymmetric flow geometries |
US6021791A (en) * | 1998-06-29 | 2000-02-08 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for immersion cleaning of semiconductor devices |
US6245192B1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
EP1077477B1 (en) * | 1999-08-17 | 2008-12-17 | Applied Materials, Inc. | Surface treatment of C-doped SiO2 film to enhance film stability during O2 ashing |
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JP2001176833A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
US6558477B1 (en) * | 2000-10-16 | 2003-05-06 | Micron Technology, Inc. | Removal of photoresist through the use of hot deionized water bath, water vapor and ozone gas |
JP2002134478A (ja) | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Hitachi Ltd | オゾン処理装置 |
JP4720019B2 (ja) * | 2001-05-18 | 2011-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 冷却機構及び処理装置 |
US20050011447A1 (en) * | 2003-07-14 | 2005-01-20 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for delivering process gas to a process chamber |
-
2005
- 2005-07-21 KR KR1020050066374A patent/KR100599056B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-07-19 US US11/488,706 patent/US7405164B2/en active Active
-
2008
- 2008-06-25 US US12/213,859 patent/US8551288B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7405164B2 (en) | 2008-07-29 |
US8551288B2 (en) | 2013-10-08 |
US20070020943A1 (en) | 2007-01-25 |
US20080264566A1 (en) | 2008-10-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
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