KR100599056B1 - 포토레지스트 제거 장치 및 방법 - Google Patents

포토레지스트 제거 장치 및 방법 Download PDF

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삼성전자주식회사
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Abstract

기판 상의 포토레지스트를 균일하게 제거하기 위한 포토레지스트 제거 장치 및 방법은 포토레지스트 막이 형성된 기판을 수용하는 챔버로 제1 가스 공급부 및 제2 가스 공급부에서 상기 포토레지스트을 제거하기 위한 수증기와 오존 가스를 각각 공급한다. 샤워 헤드는 상기 제1 가스 공급부로부터 상기 수증기가 도입되는 제1 공간과, 상기 제1 공간을 통해 상기 수증기가 도입되며 상기 제2 가스 공급부로부터 상기 오존 가스가 도입되는 제2 공간을 갖고, 상기 제2 공간에서 혼합된 수증기와 오존 가스를 상기 기판 상으로 실질적으로 균일하게 제공한다. 히터는 상기 샤워 헤드를 가열하며, 상기 제1 공간을 한정하는 표면들에서 응결되는 물을 기화시킨다.

Description

포토레지스트 제거 장치 및 방법{Apparatus and method for removing photoresist}
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 포토레지스트 제거 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 샤워 헤드의 제1 플레이트의 하부면을 설명하기 위한 평면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 샤워 헤드의 제2 플레이트의 하부면을 설명하기 위한 평면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 샤워 헤드의 제3 플레이트의 하부면을 설명하기 위한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 포토레지스트 제거 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 6은 수증기와 오존 가스를 이용하여 포토레지스트를 제거하는 원리를 설명하기 위한 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
110 : 공정 챔버 112 : 배출구
120 : 스테이지 122 : 가이드 핀
124 : 리프트 핀 130 : 제1 히터
140 : 샤워 헤드 141 : 제1 플레이트
142 : 제2 플레이트 143 : 제3 플레이트
144 : 제1 홈 145 : 제2 홈
146 : 제1 홀 147 : 제2 홀
150 : 제2 히터 160 : 제1 가스 공급부
161 : 제1 저장 용기 162 : 기화기
163 : 제2 저장 용기 164 : 제1 연결관
165 : 제1 밸브 166 : 제2 연결관
167 : 제2 밸브 168 : 제1 공급관
169 : 제3 밸브 170 : 제2 가스 공급부
172 : 제2 공급관 174 : 제4 밸브
200 : 기판 210 : 포토레지스트
본 발명은 반도체 소자를 제조하기 위한 포토레지스트 제거 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 형성된 포토레지스트를 제거하기 위한 포토레지스트 제거 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘기판 상에 전기 소자들을 포함하는 전기적인 회로를 형성하는 팹(Fab) 공정과, 상기 팹 공정에서 형성된 반도체 장치들의 전기적인 특성을 검사하기 위한 EDS(electrical die sorting) 공정과, 상기 반도체 장치들을 각각 에폭시 수지로 봉지하고 개별화시키기 위한 패키지 조립 공정을 통해 제조된다.
상기 팹 공정은 기판 상에 포토레지스트 막을 형성한다. 포토레지스트 막을 패터닝하여 마스크 패턴을 형성한다. 마스크 패턴을 이용해서 기판에 대해 식각 공정을 실시하여, 기판 상에 회로 패턴을 형성한다. 마스크 패턴으로 사용된 포토레지스트를 제거한다.
여기서, 포토레지스트 패턴을 제거하는 방법으로는 오존 애싱 방법과 광 애싱 방법 등이 있다. 상기 오존 애싱 방법은 가열한 오존 함유 가스를 포토레지스트 표면으로 공급하고, 공급된 오존 함유 가스로 상기 포토레지스트를 열분해하여 제거하는 방법이다. 상기 광 애싱 방법은 자외선으로 포토레지스트의 화학 결합을 절단함과 동시에 자외선으로 오존을 여기된 산소 원자로 변화시키고, 상기 여기된 산소 원자를 화학 결합이 절단된 포토레지스트에 작용시켜 포토레지스트를 산화 분해함으로써 휘발성 물질로 변화시켜 제거하는 방법이다.
높은 온도에서 오존과 포토레지스트의 화학 반응이 활발하게 일어난다. 상기 포토레지스트의 제거 속도를 향상시키기 위해 포토레지스트, 즉 기판의 온도가 높은 것이 유리하다. 그러나 상기 기판이 고온에 노출되는 기판의 소자 영역에 결함이 발생한다.
상기와 같은 결함 발생을 방지하기 위해 포토레지스트의 온도가 낮은 상태에 서 포토레지스트 제거 공정을 진행한다. 이 경우, 상기 포토레지스트의 제거 속도가 느려지는 문제점이 있다.
상기 오존 애싱 방법에서 포토레지스트의 온도가 낮더라도 상기 포토레지스트의 제거 속도를 향상시키기 위해 오존 가스에 수증기를 첨가한다.
종래 기술에 따른 오존 애싱 방법은 오존 가스와 수증기의 혼합 가스를 서셉터에 지지된 기판의 일측 측면에서 공급하여 타측 측면으로 배출한다. 상기 혼합 가스가 고온 상태로 공급되므로, 상기 혼합 가스는 공급시 온도가 배출시 온도보다 높다. 따라서 상기 혼합 가스가 공급되는 부위와 인접한 포토레지스트의 온도가 높아 상대적으로 포토레지스트가 많이 제거되고, 상기 혼합 가스가 배출되는 부위와 인접한 포토레지스트의 온도가 낮아 상대적으로 포토레지스트가 적게 제거된다. 따라서 포토레지스트의 제거 균일도가 나빠지는 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 오존 가스와 수증기의 혼합 가스를 공정 챔버의 상부를 통해 공급하고, 공급된 혼합 가스를 샤워 헤드로 고르게 분산시켜 포토레지스트 패턴이 형성된 기판 상으로 공급한다. 상기 혼합 가스가 상기 기판의 상부에서 실질적으로 균일하게 공급되므로 포토레지스트의 온도도 균일하여 상기 포토레지스트가 균일하게 제거될 수 있다.
상기 오존 가스와 수증기의 혼합 가스의 공급 방식을 개선하여 상기 포토레지스트의 제거 불균일 현상을 개선하기 위한 포토레지스트 제거 장치의 예로서, 일본 특허공개공보 특개평 제6-224168호(1994.08.12)에는 반도체 기판 표면의 패터닝된 포토레지스트층을 제거하기 위한 유기물 제거방법 및 그 방법을 이용하기 위한 유기물 제거장치가 개시되어 있다.
그러나 상기 혼합 가스에 포함된 수증기가 포토레지스트의 제거 속도를 향상시키기 위해 일정한 온도로 가열된 고온의 기판에 닿는 순간 상기 수증기가 응결한 후 증발하는 스팟 현상이 발생한다. 상기 스팟 현상의 결과 상기 기판 상에 건조한 물방울 흔적인 워터 마크가 남게된다. 상기 워터 마크는 후속 공정시 결함으로 작용한다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 상기 오존 가스와 수증기의 혼합 가스를 이용하여 포토레지스트 막을 실질적으로 균일하게 제거할 수 있는 포토레지스트 제거 장치를 제공하는데 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 다른 목적은 상기 오존 가스와 수증기의 혼합 가스를 이용하여 포토레지스트 막을 실질적으로 균일하게 제거할 수 있는 포토레지스트 제거 방법을 제공하는데 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면, 포토레지스트 제거 장치는 포토레지스트 막이 형성된 기판을 수용하는 챔버를 구비한다. 제1 가스 공급부는 상기 포토레지스트 막을 제거하기 위한 수증기를 공급하고, 제2 가스 공급부는 상기 포토레지스트 막을 제거하기 위한 오존 가스를 공급한다. 샤워 헤드는 상기 제1 가스 공급부로부터 상기 수증기가 도입되는 제1 공간과, 상기 제1 공간과 연통되어 상기 제1 공간을 통해 상기 수증기가 도입되며 상 기 제2 가스 공급부로부터 상기 오존 가스가 도입되는 제2 공간을 갖고, 상기 제2 공간에서 혼합된 수증기와 오존 가스를 상기 기판 상으로 실질적으로 균일하게 제공한다. 히터는 상기 샤워 헤드를 가열하며, 상기 제1 공간을 한정하는 표면들에서 응결되는 물을 기화시킨다.
상기 샤워 헤드는 상기 제1 공간과 제2 공간을 연통시키는 다수의 제1 홀을 갖는 제1 플레이트 및 상기 제2 공간과 외부를 연결하며, 상기 제2 공간에서 혼합된 수증기와 오존 가스의 혼합 가스를 상기 웨이퍼 상으로 공급하기 위한 다수의 제2 홀을 갖는 제2 플레이트를 포함할 수 있다.
상기 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면, 포토레지스트 제거 방법은 제1 공간으로 수증기를 도입한 후, 상기 제1 공간을 한정하는 표면들에서 응결된 물을 기화시킨다. 상기 제1 공간으로부터 수증기를 제2 공간으로 도입하고, 상기 제2 공간으로 오존 가스를 도입한다. 다음으로 상기 제2 공간에서 혼합된 가스를 포토레지스트 막이 형성된 기판 상으로 실질적으로 균일하게 제공한다.
상기 응결된 물을 기화시킬 때, 상기 응결된 물을 가열하여 기화시키는 것이 바람직하다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 포토레지스트 제거 장치 및 방법은 수증기 및 오존 가스의 혼합 가스를 기판의 상부에서 고르게 공급하여 포토레지스트를 실질적으로 균일하게 제거할 수 있다. 또한 상기 수증기의 스팟 현상이 상기 기판의 표면이 아닌 샤워 헤드의 내부에 발생한다. 따라서 상기 기판 표면에서의 스팟 현 상으로 인한 결함을 방지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 포토레지스트 제거 장치 및 방법에 대해 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 포토레지스트 제거 장치를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 포토레지스트 제거 장치(100)는 크게 챔버(110), 서셉터(120), 제1 히터(130), 샤워 헤드(140), 제2 히터(150), 제1 가스 공급부(160) 및 제2 가스 공급부(170)를 포함한다.
상기 챔버(110)는 기판(200) 상에 형성된 포토레지스트 막 또는 포토레지스트 패턴(이하 포토레지스트라 한다)을 제거 공정을 위한 공간을 제공하며, 대략 원통형 혹은 박스 형상을 갖는다. 상기 챔버(110)의 하부면에는 챔버(110) 내부의 잔류 가스를 배출하기 위한 배출구(112)가 구비된다. 상기 챔버(110)의 측벽 일측에는 내부로 기판(200)을 투입하기 위한 기판 투입구(미도시)가 구비된다.
상기 배출구(112)를 통해 배출되는 수증기와 오존 가스의 혼합 가스는 미스트 트랩(mist trap, 180)을 거쳐 배출된다. 상기 배출구(112)와 상기 미스트 트랩(180)은 제1 배출관(182)을 통해 연결된다. 상기 미스트 트랩(180)에서 상기 혼합 가스는 수증기와 오존 가스로 분리된다. 상기 수증기는 액화되어 순수 상태로 제2 배출관(184)을 통해 배출된다. 상기 오존 가스는 제3 배출관(186)을 통해 배출된다. 상기 오존 가스는 독성을 지니므로 상기 제3 배출관(186) 상에 구비된 오존 분해기(190)에 의해 산소로 분해되어 외부로 배출된다.
상기 스테이지(120)는 상기 챔버(110)의 내측 하부에 구비되며, 상기 기판(200)을 수평 상태를 유지하도록 지지한다. 상기 스테이지(120)는 원반 형태로 상기 기판(220)를 충분히 지지할 수 있는 크기를 갖는 것이 바람직하다. 상기 스테이지(120)는 실리콘 카바이드(SiC) 재질인 것이 바람직하다.
상기 스테이지(120)의 상부면 가장자리를 따라 다수의 가이드 핀(122)이 구비된다. 상기 가이드 핀(122)들은 핀 형태를 가지며, 상기 스테이지(120)로 기판(200)이 로딩될 때 상기 기판(200)이 정확한 위치에 로딩되도록 가이드한다.
상기 스테이지(120)의 상하를 관통하여 리프트 핀(124)이 구비된다. 상기 리프트 핀(124)은 상기 스테이지(120)의 상하를 관통하는 다수의 관통홀(미도시)을 따라 이동하며, 상기 기판(200)을 로딩 및 언로딩하는 리프트 핀(124)이 구비된다.
상기 제1 히터(130)는 상기 스테이지(120)의 하부에 구비된다. 상기 제1 히터(130)는 상기 기판(200), 정확하게는 기판(200) 상에 형성된 포토레지스트를 소정 온도로 가열한다. 구체적으로 상기 제1 히터(130)는 상기 스테이지(120)를 가열하고, 가열된 스테이지(120)가 다시 상기 기판(200)을 가열함으로써 상기 포토레지스트가 가열된다. 상기 포토레지스트의 온도는 약 98 내지 100℃ 정도인 것이 바람직하다. 그러므로 상기 제1 히터(130)는 열 손실 등을 고려하여 상기 온도보다 높은 온도로 상기 기판(200)을 가열한다.
상기 일실시예에서는 상기 제1 히터(130)가 상기 스테이지(120)의 하부에 구비되는 것으로 설명되었지만, 본 발명의 다른 실시예에 따르면 상기 제1 히터(130는 상기 스테이지(120)의 내부에 일체로 형성될 수도 있다.
상기 샤워 헤드(140)는 상기 챔버(110)의 내측 상부에 상기 스테이지(120)와 서로 마주보도록 구비된다. 상기 샤워 헤드(140)는 상기 포토레지스트를 제거하기 위한 오존 가스 및 수증기를 혼합하여 혼합 가스를 형성하며, 상기 혼합 가스를 상기 스테이지(120)에 지지된 기판(200) 상으로 고르게 분포시켜 공급한다.
도 2는 도 1에 도시된 샤워 헤드의 제1 플레이트의 하부면을 설명하기 위한 평면도이고, 도 3은 도 1에 도시된 샤워 헤드의 제2 플레이트의 하부면을 설명하기 위한 평면도이며, 도 4는 도 1에 도시된 샤워 헤드의 제3 플레이트의 하부면을 설명하기 위한 평면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 상기 샤워 헤드(140)는 제1 플레이트(141), 제2 플레이트(142) 및 제3 플레이트(143)로 구성된다. 상기 샤워 헤드(140)의 평면 형상은 원형이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제1 플레이트(141)는 원판이며, 하부면에 원형의 제1 홈(144)을 갖는다. 상기 제1 홈(144)은 상기 원판의 하부면 전체에 걸쳐 형성된다. 따라서, 제1 플레이트(141)는 전체적으로 하부면이 오목한 형상이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제2 플레이트(142)도 상기 제1 플레이트(141)와 동일한 지름의 원판이며, 하부면에 서로 연결되는 다수의 제2 홈(145)을 갖는다. 상기 제2 홈(145)들은 방사상으로 실질적으로 균일하게 배치되는 것이 바람직하다. 상기 제2 플레이트(142)는 상부면과 상기 하부면에 형성된 제2 홈(145)들 사이를 관통하는 다수의 제1 홀(146)을 갖는다. 상기 제2 홈(145)들이 방사상으로 균일하게 배치되므로, 상기 제1 홀(146)들도 방사상으로 실질적으로 균일하게 배치된다.
한편, 상기 제1 플레이트(141)와 제2 플레이트(142)가 결합되면, 상기 제1 홈(144)은 상기 제2 플레이트(142)의 상부면에 의해 제1 공간으로 한정된다. 상기 제1 공간으로 상기 수증기가 공급된다. 상기 수증기의 온도와 상기 샤워 헤드(140)의 온도, 구체적으로 상기 제1 공간의 온도를 다르게 하여 상기 제1 공간을 한정하는 표면들에 수증기가 응결되는 현상이 발생시킨다. 구체적으로 상기 제1 홈(144)이 형성된 제1 플레이트(141)의 하부면 및 상기 제2 플레이트(142)의 상부면에 상기 수증기를 응결시킨다. 상기 샤워 헤드(140)는 후술하는 제2 히터(150)에 의해 가열된 상태이므로, 상기 제1 공간으로 공급된 수증기가 상기 샤워 헤드(140)에 닿아 응결한 후 증발한다. 상기와 같은 스팟 현상을 상기 샤워 헤드(140) 내부에서 발생시킨다. 상기 스팟 현상의 결과 상기 샤워 헤드(140)의 내부에 마크가 남더라도 포토레지스트 제거 공정에는 아무 영향이 없다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 하부 플레이트(143)도 상기 제1 플레이트(141)와 동일한 지름의 원판이며, 상하를 관통하는 다수의 제2 홀(147)을 갖는다. 상기 제2 홀(147)들도 방사상으로 실질적으로 균일하게 배치되는 것이 바람직하다. 상기 제2 홀(147)들은 상기 제2 플레이트(142)와 제3 플레이트(143)의 결합시 상기 제2 홈(145)과 연통되도록 위치한다. 그러나 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제2 홀(147)들은 상기 제1 홀(146)들과는 서로 엇갈리도록 위치되는 것이 바람직하다. 상기 제2 홀(147)들이 상기 제1 홀(146)들과 서로 엇갈리도록 위치됨으로써 상기 제1 홀(146)들을 통해 공급되는 수증기가 상기 제2 홀(147)들을 통해 바로 배출되 는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상기 제2 플레이트(142)와 제3 플레이트(143)가 결합되면, 상기 제2 홈(145)들은 상기 제3 플레이트(143)의 상부면에 의해 제2 공간으로 한정된다. 상기 오존 가스가 상기 제2 공간으로 공급된다. 또한 제1 공간의 수증기가 상기 제1 홀(146)들을 통해 상기 제2 공간으로 공급된다. 따라서 상기 제2 공간에서 상기 오존 가스와 수증기가 혼합된다. 혼합된 오존 가스와 수증기는 상기 제2 홀(147)을 통해 실질적으로 균일하게 기판(200) 상으로 공급된다.
상기 오존 가스와 수증기의 혼합 가스가 상기 기판(200)의 상부에 위치한 샤워 헤드(140)로부터 균일하게 공급된다. 상기 혼합 가스가 상기 기판(200) 표면에 접촉시 균일한 온도 분포를 갖는다. 그러므로 상기 혼합 가스에 의해 제거되는 포토레지스트의 양도 균일하다. 따라서 상기 포토레지스트의 제겨 균일도를 향상시킬 수 있다.
상기 제2 히터(150)는 상기 샤워 헤드(140)의 측면과 상부면을 감싸도록 구비된다. 상기 제2 히터(150)는 상기 샤워 헤드(140)로 공급되는 오존 가스 및 수증기를 소정 온도로 가열한다. 구체적으로 상기 제2 히터(150)는 상기 샤워 헤드(140)를 가열하고, 가열된 샤워 헤드(140)가 다시 상기 오존 가스 및 수증기를 가열하게 된다. 상기 오존 가스 및 수증기의 온도는 약 98 내지 105℃ 정도인 것이 바람직하다. 상기 오존 가스 및 수증기의 온도는 약 103.5℃인 것이 보다 바람직하다. 그러므로 상기 제2 히터(150)는 열 손실 등을 고려하여 상기 온도보다 높은 온도로 상기 오존 가스 및 수증기를 가열한다.
한편, 상기 제2 히터(150)가 상기 샤워 헤드(140)를 가열함으로써, 상기 제1 공간에서 수증기가 상기 샤워 헤드(140)에 닿아 응결되더라도 바로 증발시킬 수 있다.
상기 제1 가스 공급부(160)는 수증기를 상기 공정 챔버(110)의 내부로 공급한다. 상기 제1 가스 공급부(160)는 기화기를 이용하여 상기 수증기를 발생시킬 수 있다.
상기 제1 가스 공급부(160)는 순수(deionized water)를 저장하는 제1 저장 용기(161), 상기 순수 저장부(161)에 저장된 순수를 기화시키기 위한 기화기(162) 및 상기 기화기(162)에서 기화된 순수, 즉 수증기를 이송하기 위한 캐리어 가스를 저장하는 제2 저장 용기(163)를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 캐리어 가스로는 불활성 가스가 사용되며, 상기 불활성 가스의 예로는 질소 가스, 헬륨 가스, 아르곤 가스 등을 들 수 있다.
구체적으로 상기 제1 저장 용기(161)는 상기 기화기(162)와 제1 연결관(164)을 통해 연결되며, 상기 제1 연결관(164)에는 상기 순수의 공급 유량을 조절하기 위한 제1 밸브(165)가 구비된다. 상기 제2 저장 용기(163)는 상기 기화기(162)와 제2 연결관(166)을 통해 연결되며, 상기 제2 연결관(166)에는 상기 캐리어 가스의 공급 유량을 조절하기 위한 제2 밸브(167)가 구비된다.
상기 제1 가스 공급부(160)는 제1 공급관(168)을 통해 상기 챔버(110)와 연결된다. 상기 제1 공급관(168)은 상기 챔버(110)의 내부로 연장되어 상기 샤워 헤드(140)의 제1 공간과 연결된다. 상기 제1 공급관(168)에는 상기 수증기의 공급 유 량을 제어하기 위한 제3 밸브(169)가 구비된다. 상기 제1 밸브(165), 제2 밸브(167) 및 제3 밸브(169) 대신에 질량 유량 제어기(mass flow controller)가 사용될 수도 있다.
상기 순수는 상기 기화기(162) 내부에서 기화되며, 상기 캐리어 가스에 의해 상기 제1 공급관(168)을 통해 상기 샤워 헤드(140)의 제1 공간으로 공급된다.
상기와는 다르게, 상기 제1 가스 공급부(160)는 순수를 기화시키기 위한 버블러를 포함하여 구성될 수도 있다.
상기 제2 가스 공급부(170)는 오존 가스를 상기 공정 챔버(110)의 내부로 공급한다. 상기 제2 가스 공급부(170)는 오존 발생기를 이용하여 상기 오존 가스를 발생시킬 수 있다.
구체적으로, 상기 오존 발생기로 산소 가스 및 질소 가스가 공급된다. 상기 산소 및 질소 가스는 상기 오존 발생기 내부에서 혼합되고, 혼합된 가스에 고주파 전원이 인가되면 오존 가스가 생성된다. 상기 오존 가스는 필요한 양만큼 생성되고, 오존 가스가 더 필요하지 않을 시에는 상기 오존 발생기로 공급되는 산소 및 질소 가스를 차단한다.
상기 제2 가스 공급부(170)는 제2 공급관(172)을 통해 상기 챔버(110)와 연결된다. 상기 제2 공급관(172)은 상기 챔버(110)의 내부로 연장되어 상기 샤워 헤드(140)의 제2 공간과 연결된다. 상기 제2 공급관(172)에는 상기 수증기의 공급 유량을 제어하기 위한 제4 밸브(174)가 구비된다. 상기 제4 밸브(174) 대신에 질량 유량 제어기(mass flow controller)가 사용될 수도 있다.
상기 수증기와 오존가스의 비율일 일정하지 않으면 상기 수증기가 너무 많거나 너무 적을 가능성이 있다. 상기 오존가스의 양에 비해 상기 수증기의 양이 너무 적으면 포토레지스트의 제거율의 향상을 기대하기 어렵다. 상기 오존 가스의 양에 비해 상기 수증기의 양이 너무 많으면 상기 수증기가 응결되기 쉽다. 따라서 상기 수증기와 오존 가스는 일정한 비율로 공급되는 것이 바람직하다.
상기 포토레지스트 제거 장치(100)는 상기 수증기와 오존 가스를 각각 상기 챔버(110)로 공급하여 상기 챔버(110)의 내부에 구비된 샤워 헤드(140)에서 혼합되어 기판 상으로 공급된다. 상기 혼합된 수증기와 오존 가스가 균일하게 공급되므로 상기 기판 상에 형성된 포토레지스트를 균일하게 제거할 수 있다.
한편, 상기 수증기의 공급 온도를 상기 샤워 헤드(140)의 온도와 공급하여 상기 수증기가 응결된 후 증발하는 스팟 현상이 상기 샤워 헤드(140)의 내부에서 발생하도록 한다. 따라서 상기 스팟 현상이 상기 기판(200)의 표면에서 발생하는 것을 방지할 수 있다.
도 5는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 포토레지스트 제거 방법을 설명하기 위한 공정도이다.
도 5를 참조하면, 포토레지스트 막 또는 패턴이 형성된 기판(200)을 이송암(미도시)을 이용하여 챔버(110) 내부로 투입한다. 투입된 기판(200)이 상승된 리프트 핀(124)에 의해 지지된다. 상기 리프트 핀(124)이 하강하면서 스테이지(120)에 로딩된다. 이때, 상기 기판(200)은 가이드 핀(122)에 의해 가이드되면서 로딩된다.
상기 기판(200)의 로딩이 완료되면, 상기 제1 히터(130)에 의해 상기 기판 (200)이 98 내지 100℃의 온도로 가열된다.(S110)
상기 기판(200)이 가열되면, 제1 밸브(165)가 개방되어 제1 저장 용기(161)로부터 순수가 제1 연결관(164)을 통해 기화기(162)로 공급된다. 상기 기화기(162)에서 상기 순수는 기화되어 수증기가 된다. 제2 밸브(167)가 개방되어 제2 저장 용기(163)로부터 불활성 가스가 제2 연결관(166)을 통해 기화기(162)로 공급된다. 상기 불활성 가스는 상기 수증기를 이송한다. 상기 제1 가스 공급부(160)에서 형성된 상기 수증기는 제1 공급관(168)을 통해 상기 샤워 헤드(140)의 제1 플레이트(141)와 제2 플레이트(142)에 의해 한정되는 제1 공간으로 공급된다.(S120)
상기 불활성 가스에 의해 이송되는 수증기의 온도는 상기 샤워 헤드(140)의 내부 온도와 동일하지 않다. 즉, 상기 수증기와 샤워 헤드(140)는 온도 차이를 갖는다. 상기 온도 차이에 의해 상기 수증기는 상기 제1 공간을 한정하는 표면들에 응결되어 물이 형성된다.
그러나 상기 샤워 헤드(140)는 상기 제2 히터(150)에 의해 약 98 내지 105℃, 바람직하게는 103.5℃의 온도로 가열된다. 상기 가열된 샤워 헤드(140)에 의해 상기 응결된 물이 기화된다.(S130)
상기와 같이 수증기가 물로 응결된 후 바로 기화되는 스팟 현상을 상기 샤워 헤드(140)의 제1 공간에서 발생시킨다. 이후 상기 수증기가 상기 제2 히터(150)에 의해 가열된 상태로 기판(200) 상으로 공급되므로 상기 기판(200) 표면에서 스팟 현상이 발생하지 않게 된다. 그러므로 상기 기판(200)의 표면에서 결함으로 작용하는 상기 스팟 현상의 결과물인 워터 마크의 생성을 방지할 수 있다.
상기 제1 가스 공급부(160)로부터 상기 제1 공간으로 지속적으로 수증기가 공급된다. 따라서 상기 제1 공간의 수증기가 상기 제2 플레이트(142)의 제1 홀(146)들을 통해 상기 제2 플레이트(142)와 제3 플레이트(143)에 의해 한정되는 제2 공간으로 공급된다.(S140)
다음으로 상기 제2 가스 공급부(170)의 오존 발생기에서 오존 가스가 생성된다. 상기 오존 가스는 제2 공급관(172)을 통해 상기 제2 공간으로 공급된다.(S150)
상기 제2 공간에서 상기 수증기와 오존 가스는 균일하게 혼합되어 혼합 가스를 형성한다. 상기 혼합 가스는 상기 제3 플레이트(143)의 제2 홀(147)을 통해 상기 스테이지(120)에 지지된 기판(200) 상으로 균일하게 공급된다.(S160)
상기 혼합 가스는 상기 기판(200) 상에 균일하게 공급되므로 온도 분포도 균일하다. 상기 혼합 가스가 균일한 온도 분포를 가지므로 상기 혼합 가스에 의해 상기 기판(200) 상에 형성된 포토레지스트가 균일하게 제거된다.
상기 포토레지스트 제거에 사용된 혼합 가스는 상기 챔버(110)의 배출구(112)를 통해 배출된다. 상기 혼합 가스는 상기 미스트 트랩에서 수증기와 오존 가스로 분리된다. 상기 수증기는 액화되어 액체 상태로 드레인을 통해 배출된다. 상기 오존 가스는 독성 물질이므로 오존 분해기에서 산소 가스로 분해되어 외부로 배출된다.
상기와 같은 포토레지스트 제거 방법은 수증기와 오존 가스를 샤워 헤드의 내부에서 혼합하여 상기 기판 상으로 균일하게 공급한다. 따라서 상기 기판 상에 형성된 포토레지스트를 균일하게 제거할 수 있다. 즉, 상기 포토레지스트의 제거 균일도를 향상시킬 수 있다.
또한 상기 포토레지스트 제거 방법에서는 수증기가 상기 공정 챔버 내부로 공급될 때 발생하는 스팟 현상을 상기 기판의 표면이 아닌 샤워 헤드의 제1 공간에서 발생시킨다. 따라서 상기 스팟 현상의 결과물인 워터 마크가 상기 기판의 표면에 형성되어 결함으로 작용하는 것을 방지한다.
도 6은 수증기와 오존 가스를 이용하여 포토레지스트를 제거하는 원리를 설명하기 위한 도면이다.
도 6을 참조하면, 수증기(H20)와 오존 가스(O3)의 혼합 가스에 포함된 하이드록시 이온(OH*)을 이용하여 기판(200) 상에 형성된 포토레지스트 막(210)을 구성하는 단량체에 포함된 소수성기를 상기 단량체로부터 이탈시킨다.
상기 수증기와 오존 가스의 반응으로 형성된 하이드록시 이온은 상기 포토레지스트 막(210)을 구성하는 단량체에 포함된 탄소와 결합 반응하여 상기 단량체로부터 소수성기(OR)를 이탈시킬 수 있다.
상기 하이드록시 이온의 결합 및 소수성기의 이탈로 인해 상기 단량체에는 음의 전하를 갖는 산소를 포함한다. 구체적으로 상기 단량체는 음의 전하를 갖는 COO이온(COO-)을 포함한다. 상기 단량체에 존재하는 음의 전하를 갖는 산소는 양의 전하를 갖는 수소이온 또는 양의 전하를 갖는 알칼리 이온과 결합할 수 있는 양이온 결합 사이트에 해당한다.
상기 하이드록시 이온의 결합으로 인해 상기 단량체로부터 이탈된 소수성기 는 음의 전하를 갖는 산소 이온을 포함한다. 상기 소수성기에 존재하는 산소 이온은 상기 포토레지스트 막(210) 내에 잔류하는 수소 이온과 결합한다. 따라서, 상기 소수성기에는 하이드록시기가 생성되어 상기 소수성기는 친수성기로 변환될 수 있다.
상기 포토레지스트 막(210)을 구성하는 단량체에 포함된 소수성기를 상기 단량체로부터 이탈시키는 반응은 약 90 내지 120℃의 온도에서 수행되는 것이 바람직하다. 상기 반응은 약 98 내지 100℃의 온도에서 수행되는 것이 더 바람직하다.
상기 하이드록시 이온의 결합 및 소수성기를 단량체로부터 이탈시키기 위한 공정 온도가 90℃ 미만일 경우 상기 포토레지스트 막(210)을 구성하는 단량체로부터 소수성기가 이탈되는 반응이 낮아지는 문제점이 발생한다. 반면에 120℃를 초과할 경우에는 상기 기판에 포함된 패턴들의 열적 스트레스가 증가된다.
상기 소수성기가 이탈된 단량체를 포함하는 포토레지스트 막(210)에 세정 용액을 제공하여 수용성 상태를 갖는 포토레지스트 막(210)을 형성한다. 상기 수용성 상태를 갖는 포토레지스트 막(210)을 형성하는 반응은 약 90 내지 120℃의 온도에서 수행되는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 포토레지스트 제거 장치 및 방법은 수증기와 오존 가스를 챔버의 내측 상부에 구비된 샤워 헤드로 공급하고, 상기 샤워 헤드에서 상기 수증기와 오존 가스가 혼합되어 기판 상으로 균일하게 공급한다. 따라서 상기 혼합된 수증기와 오존 가스가 균일한 온도 분포를 가 지므로 기판 상에 형성된 포토레지스트막을 균일하게 제거할 수 있다.
또한 상기 수증기에 의한 스팟 현상을 상기 기판의 표면이 아닌 상기 샤워 헤드에서 발생시킨다. 따라서 상기 스팟 현상이 상기 기판 표면에서 발생하여 생기는 문제점을 방지할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (13)

  1. 포토레지스트 막이 형성된 기판을 수용하는 챔버;
    상기 포토레지스트 막을 제거하기 위한 수증기를 공급하기 위한 제1 가스 공급부;
    상기 포토레지스트 막을 제거하기 위한 오존 가스를 공급하기 위한 제2 가스 공급부;
    상기 제1 가스 공급부로부터 상기 수증기가 도입되는 제1 공간과 상기 제1 공간과 연통되어 상기 제1 공간을 통해 상기 수증기가 도입되며 상기 제2 가스 공급부로부터 상기 오존 가스가 도입되는 제2 공간을 갖고, 상기 제2 공간에서 혼합된 수증기와 오존 가스를 상기 기판 상으로 실질적으로 균일하게 제공하기 위한 샤워 헤드; 및
    상기 샤워 헤드를 가열하며, 상기 제1 공간을 한정하는 표면들에서 응결되는 물을 기화시키기 위한 제1 히터를 포함하는 포토레지스트 제거 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 샤워 헤드는 상기 제1 공간과 제2 공간을 연통시키는 다수의 제1 홀을 갖는 제1 플레이트; 및
    상기 제2 공간과 외부를 연결하며, 상기 제2 공간에서 혼합된 수증기와 오존 가스의 혼합 가스를 상기 웨이퍼 상으로 공급하기 위한 다수의 제2 홀을 갖는 제2 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 홀들과 제2 홀들은 서로 엇갈리도록 위치하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 히터에 의해 가열된 상기 샤워 헤드의 온도는 98 내지 105℃ 인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기판을 가열하기 위한 제2 히터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2 히터에 의해 가열된 상기 기판의 온도는 98 내지 100℃인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 수증기는 캐리어 가스인 불활성 가스에 의해 이송되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 장치.
  8. 제1 공간으로 수증기를 도입하는 단계;
    상기 제1 공간을 한정하는 표면들에서 응결된 물을 기화시키는 단계;
    상기 제1 공간으로부터 수증기를 제2 공간으로 도입하는 단계;
    상기 제2 공간으로 오존 가스를 도입하는 단계; 및
    상기 제2 공간에서 혼합된 가스를 포토레지스트가 형성되어 있는 기판 상으로 실질적으로 균일하게 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 응결된 물을 가열하여 기화시키는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 가열 온도는 98 내지 105℃ 인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 기판을 가열하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 방법.
  12. 제11항에 있어서, 가열된 상기 기판의 온도는 98 내지 100℃인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 방법.
  13. 제8항에 있어서, 상기 수증기는 캐리어 가스인 불활성 가스에 의해 이송되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제거 방법.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4886544B2 (ja) * 2007-02-09 2012-02-29 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
EP2166564B1 (en) * 2008-09-19 2017-04-12 Imec Method for removing a hardened photoresist from a semiconductor substrate
US8960235B2 (en) * 2011-10-28 2015-02-24 Applied Materials, Inc. Gas dispersion apparatus
KR102477302B1 (ko) 2015-10-05 2022-12-13 주성엔지니어링(주) 배기가스 분해기를 가지는 기판처리장치 및 그 배기가스 처리방법
US10233543B2 (en) * 2015-10-09 2019-03-19 Applied Materials, Inc. Showerhead assembly with multiple fluid delivery zones
KR20200092530A (ko) * 2019-01-24 2020-08-04 삼성전자주식회사 포토레지스트 제거장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법
US11332827B2 (en) 2019-03-27 2022-05-17 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate with high aspect ratio holes and a high hole density

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3150509B2 (ja) 1992-11-27 2001-03-26 株式会社日立製作所 有機物除去方法及びその方法を使用するための装置
US5647945A (en) * 1993-08-25 1997-07-15 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
JP3380091B2 (ja) * 1995-06-09 2003-02-24 株式会社荏原製作所 反応ガス噴射ヘッド及び薄膜気相成長装置
TW415970B (en) * 1997-01-08 2000-12-21 Ebara Corp Vapor-phase film growth apparatus and gas ejection head
KR19990004453A (ko) 1997-06-28 1999-01-15 배순훈 에어컨 증발기의 동결방지 장치 및 그 제어방법
US6110556A (en) * 1997-10-17 2000-08-29 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a process chamber employing asymmetric flow geometries
US6021791A (en) * 1998-06-29 2000-02-08 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for immersion cleaning of semiconductor devices
US6245192B1 (en) * 1999-06-30 2001-06-12 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
EP1077477B1 (en) * 1999-08-17 2008-12-17 Applied Materials, Inc. Surface treatment of C-doped SiO2 film to enhance film stability during O2 ashing
US20050022839A1 (en) * 1999-10-20 2005-02-03 Savas Stephen E. Systems and methods for photoresist strip and residue treatment in integrated circuit manufacturing
JP2001176833A (ja) * 1999-12-14 2001-06-29 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US6558477B1 (en) * 2000-10-16 2003-05-06 Micron Technology, Inc. Removal of photoresist through the use of hot deionized water bath, water vapor and ozone gas
JP2002134478A (ja) 2000-10-25 2002-05-10 Hitachi Ltd オゾン処理装置
JP4720019B2 (ja) * 2001-05-18 2011-07-13 東京エレクトロン株式会社 冷却機構及び処理装置
US20050011447A1 (en) * 2003-07-14 2005-01-20 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for delivering process gas to a process chamber

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US8551288B2 (en) 2013-10-08
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US20080264566A1 (en) 2008-10-30

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