JP2019525447A - 均等流板及びプロセスチャンバ等化装置 - Google Patents

Abstract

本願は均等流板及びプロセスチャンバ等化装置を提供し、プロセスチャンバ等化装置は、均等流板、第一の仕切板及び第二の仕切板を含み、均等流板は、第一の面に開設された第一の導流溝と、第一の面に対向する第二の面に開設された第二の導流溝と、少なくとも１つの第一の排気孔と、を含む。第一の導流溝の少なくとも１つの第一の吸気端は第一のガス源に連通され、第二の導流溝の少なくとも１つの第二の吸気端は第二のガス源に連通される。第一の導流溝の少なくとも１つの第一の排気端及び第二の導流溝の少なくとも１つの第二の排気端は少なくとも１つの第一の排気孔を介して連通され、第一の仕切板は第一の導流溝及び少なくとも１つの第一の排気孔における第一の面に位置する一端を塞ぐ。第二の仕切板は第二の導流溝を塞ぎ、且つ少なくとも１つの第一の排気孔に連通される少なくとも１つの第二の排気孔を含む。

Description

本願は、２０１７年７月１４日に中国特許庁へ提出された出願番号を２０１７１０５７６５４０.８とし、発明名称を「ＬＰＣＶＤプロセスチャンバ等化装置」とする中国特許出願を優先権に主張し、その全ての内容は引用をもってここに併せられる。

本願は薄膜電池の製造プロセス技術に関するものであり、特に均等流板及びプロセスチャンバ等化装置に関するものである。

現在、太陽光発電産業の発展の鍵は、太陽光電池の生産コストを低減することである。銅−インジウム−ガリウム−セレン（Copper Indium Gallium Selenium，ＣＩＧＳ）薄膜太陽光電池は、生産コストが低く、汚染が少なく、劣化せず、弱光性能が良く、光電変換率が高い等の特長を持つ。ＣＩＧＳ薄膜太陽光電池の製造過程では、低圧化学気相堆積法（Low Pressure Chemical Vapor Deposition，ＬＰＣＶＤ））を応用して薄膜製造を行っている。

本願の一部の実施形態では、
対向して設けられる第一の面及び第二の面と、第一のガス源と連通する少なくとも１つの第一の吸気端及び少なくとも１つの第一の排気端を有する、第一の面に開設される第一の導流溝と、第二のガス源と連通する少なくとも１つの第二の吸気端及び少なくとも１つの第二の排気端を有する、第二の面に開設される第二の導流溝と、第一の面から延びて第二の面を貫通する、少なくとも１つの第一の排気端及び少なくとも１つの第二の排気端が連通するにあたって介する少なくとも１つの第一の排気孔と、を有する均等流板と、
第一の導流溝及び少なくとも１つの第一の排気孔における各端を塞ぐように配置される、均等流板の第一の面上に位置する第一の仕切板と、
第二の導流溝を塞ぐように配置され、且つ少なくとも１つの第一の排気孔に連通される少なくとも１つの第二の排気孔を含む、均等流板の第二の面上に位置する第二の仕切板と、
を含むプロセスチャンバ等化装置を提供する。

本願の一部の実施形態において、プロセスチャンバ等化装置は、ＬＰＣＶＤプロセスチャンバ等化装置である。

本願の一部の実施形態において、均等流板は第一の導流溝の底面から延びて第二の面を貫通する第一の吸気通路をさらに含み、第二の仕切板は第一の吸気孔をさらに含み、少なくとも１つの第一の吸気端及び第一の吸気通路は第一の吸気孔に連通され、第二の仕切板は第二の吸気孔をさらに含み、少なくとも１つの第二の吸気端は第二の吸気孔に連通される。

本願の一部の実施形態において、第一の導流溝と第二の導流溝はいずれも分岐状構造であり、且つ少なくとも１つの第一の吸気端を複数の第一の吸気端とし、少なくとも１つの第一の排気端を複数の第一の排気端とし、少なくとも１つの第二の吸気端を複数の第二の吸気端とし、少なくとも１つの第二の排気端を複数の第二の排気端とし、少なくとも１つの第一の排気孔を複数の排気孔とし、少なくとも１つの第二の排気孔を複数の排気孔とする。

本願の一部の実施形態において、分岐状構造における各段の分岐構造の横断面面積は何れもその一つ上の段の分岐構造の横断面面積より小さい。

本願の一部の実施形態において、複数の第一の排気孔における各孔径は同一であり、且つ複数の第二の排気孔における各孔径は同一である。

本願の一部の実施形態において、複数の第一の排気孔における各孔径は、複数の第二の排気孔における各孔径と同一である。

本願の一部の実施形態において、均等流板は、第一の面上に開設される第一の凹溝と、第二の面上に開設される第二の凹溝とをさらに含み、第一の凹溝及び第二の凹溝内にはそれぞれシールリングが設けられている。

本願の一部の実施形態において、プロセスチャンバは、第二の仕切板における均等流板から離れた表面上に設けられる冷却板をさらに含み、冷却板は、第一の吸気孔と連通するように配置される第二の吸気通路と、第二の吸気孔と連通するように配置される第三の吸気通路と、を含む。

本願の一部の実施形態において、冷却板は、冷却溝と、冷却液を通すように配置される冷却通路と、複数の第二の排気孔と連通される複数の第三の排気孔と、をさらに含む。

本願の一部の実施形態において、冷却通路は冷却溝内に設けられ、且つ冷却溝は冷却板における第二の仕切板に近接する表面上に開設される。

本願の一部の実施形態において、冷却通路は迂回状である。

本願の一部の実施形態において、複数の第三の排気孔を段付き孔とし、複数の第三の排気孔における第二の仕切板に近接する端部の孔径は、複数の第三の排気孔における第二の仕切板から離れた端部の孔径より大きい。

本願の一部の実施形態において、複数の第三の排気孔における第二の仕切板に近接する各端部は、複数の第二の排気孔のうちの対応する第二の排気孔と連通し、複数の第三の排気孔における第二の仕切板に近接する各端部の孔径は、前記複数の第二の排気孔における各孔径より大きい。

本願のもう一つの実施形態では、
対向して設けられる第一の面及び第二の面と、第一のガス源と連通する少なくとも１つの第一の吸気端及び少なくとも１つの第一の排気端を有する、第一の面に開設される第一の導流溝と、第二のガス源と連通する少なくとも１つの第二の吸気端及び少なくとも１つの第二の排気端を有する、第二の面に開設される第二の導流溝と、第一の面から延びて前記第二の面を貫通する、少なくとも１つの第一の排気端及び少なくとも１つの第二の排気端が連通するにあたって介する少なくとも１つの第一の排気孔と、を有する均等流板を提供する。

本願の一部の実施形態において、均等流板は第一の導流溝の底面から伸びて第二の面を貫通する第一の吸気通路をさらに含み、少なくとも１つの第一の吸気端が第一の吸気通路に連通される。

本願の一部の実施形態において、第一の導流溝と第二の導流溝はいずれも分岐状構造であり、且つ少なくとも１つの第一の吸気端を複数の第一の吸気端とし、少なくとも１つの第一の排気端を複数の第一の排気端とし、少なくとも１つの第二の吸気端を複数の第二の吸気端とし、少なくとも１つの第二の排気端を複数の第二の排気端とし、少なくとも１つの第一の排気孔を複数の排気孔とする。

本願の一部の実施形態において、均等流板は、第一の面上に開設される第一の凹溝と、第二の面上に開設される第二の凹溝とをさらに含み、第一の凹溝及び第二の凹溝内にはそれぞれシールリングが設けられている。

ここで説明する図面は、本願をさらに理解するために提供するものであり、本願の一部を構成する。本願の概念的な実施形態及びその説明は本願を説明するためのものであり、本願に対する不適切な制限を構成するものではない。
本願の一部の実施形態において提供するプロセスチャンバ等化装置の応用概念図を示す。 本願の一部の実施形態において提供するプロセスチャンバ等化装置の構造概念図を示す。 第一の仕切板の構造概念図を示す。 均等流板の構造概念図を示す。 図４におけるＡ-Ａ方向の断面図である。 図５におけるＣ箇所の拡大図である。 図４におけるＢ-Ｂ方向の断面図である。 図７におけるＤ箇所の拡大図である。 図７におけるＥ箇所の拡大図である。 第二の仕切板の構造概念図を示す。 冷却板の構造概念図を示す。 図１１におけるＦ-Ｆ方向の断面図である。 図１２におけるＨ箇所の拡大図である。 図１１におけるＧ-Ｇ方向の断面図である。 図１４におけるＩ箇所の拡大図である。 図１１におけるＭ-Ｍ方向の断面図である。 プロセスチャンバ等化装置の一つの断面図である。 図１７におけるＪ箇所の拡大図である。 プロセスチャンバ等化装置のもう一つの断面図である。 図１９におけるＫ箇所の拡大図である。

以下では本願の実施形態を詳しく説明し、前記実施形態の一例を図面に示すが、同一又は類似する部品或いは同一又は類似する機能を有する部品は、一貫して同一又は類似する符号で示す。以下において図面を参照して説明した実施形態は例示であり、本願を解釈するためのものにすぎず、本願を制限するものと解釈すべきではない。

図１と図２を参照されたい。図１は本願の一部の実施形態において提供するプロセスチャンバ等化装置の応用概念図であり、図２は本願の一部の実施形態において提供するプロセスチャンバ等化装置の構造概念図である。

図１に示すように、本願の一部の実施形態では、第一の仕切板１、均等流板２及び第二の仕切板３を含むプロセスチャンバ等化装置を提供する。均等流板２には第一の面２５及び第二の面２６が対向して設けられる。第一の仕切板１は均等流板２の第一の面２５上に位置し、第二の仕切板３は均等流板２の第二の面２６上に位置する。

本願の一部の実施形態において、プロセスチャンバ等化装置は、第二の仕切板３における均等流板２から離れた表面上に設けられ、均等ガス装置の表面温度が常に相対的に低い範囲になるように配置した冷却板４をさらに含む。

本願の一部の実施形態では、図２に示すように、第二の吸気通路４１と第三の吸気通路４２が冷却板４上に設けられている。

図１及び図２に示すように、本願で提供するプロセスチャンバ等化装置により、反応気体はプロセスチャンバ内に導入されるとともに均等流板２の中で混合され、混合された気体がガラス基板５の表面に拡散される。

本願の一部の実施形態において、反応気体には水蒸気、水素、ボラン、ジエチル亜鉛等が含まれる。

本願の一部の実施形態では、プロセスチャンバ等化装置は銅−インジウム−ガリウム−セレン（ＣＩＧＳ）薄膜太陽光電池の生産において大型ガラス基板の表面上に均等な透明導電膜を堆積させるために用いられる。

図３は第一の仕切板の構造概念図である。本願の一部の実施形態では、図３に示すように、第一の仕切板１は板状である。当該第一の仕切板１の材質は反応気体と反応しない限り様々なものを採用できる。

図４は均等流板の構造概念図であり、図５は図４におけるＡ-Ａ方向の断面図であり、図６は図５におけるＣ箇所の拡大図であり、図７は図４におけるＢ-Ｂ方向の断面図であり、図８は図７におけるＤ箇所の拡大図であり、図９は図７におけるＥ箇所の拡大図である。

図７、８に示すように、均等流板２は、第一の面２５上に開設された第一の導流溝２１と、第二の面２６上に開設された第二の導流溝２２と、第一の面２５から伸びて第二の面２６を貫通する少なくとも１つの第一の排気孔２４と、を含む。ここにおいてＢ-Ｂ方向は第一の排気孔２４の位置と関連があり、Ｄ箇所は第一の排気孔２４が位置する領域である。

図９に示すように、第一の導流溝２１は少なくとも１つの第一の吸気端２１１と少なくとも１つの第一の排気端２１２を有し、第二の導流溝２２は少なくとも１つの第二の吸気端２２１と少なくとも１つの第二の排気端２２２を有する。少なくとも１つの第一の吸気端２１１は第一のガス源と連通され、少なくとも１つの第二の吸気端２２１は第二のガス源と連通される。少なくとも１つの第一の排気端２１２、少なくとも１つの第二の排気端２２２及び少なくとも１つの第一の排気孔２４は互いに連通される。

本願の一部の実施形態において、均等流板内における第一の導流溝２１と第二の導流溝２２のレイアウト及びサイズは同一である。

本願の一部の実施形態において、少なくとも１つの第一の吸気端２１１と少なくとも１つの第二の吸気端２２１が一対一で対応し、少なくとも１つの第一の排気端２１２、少なくとも１つの第二の排気端２２２及び少なくとも１つの第一の排気孔２４が一対一で対応する。第一の排気端２１２とそれに対応する第二の排気端２２２は第一の排気孔２４を介して連通される。

均等流板２において均等な流れを実現する方法は次の通りである。まず、第一のガス源の気体が第一の導流溝２１の第一の吸気端２１１を介して均等流板２に入り、さらに第一の排気端２１２を介して第一の排気孔２４に入る。他方で、第二のガス源の気体が第二の導流溝２２の第二の吸気端２２１を介して均等流板２に入り、さらに第二の排気端２２２を介して第一の排気孔２４に入り、第一の排気端２１２から流れ出てきた第一のガス源の気体と混合される。

本願の一部の実施形態において、第一の導流溝２１と第二の導流溝２２はいずれも分岐状構造であり、且つ少なくとも１つの第一の吸気端２１１を複数の第一の吸気端２１１とし、少なくとも１つの第一の排気端２１２を複数の第一の排気端２１２とし、少なくとも１つの第二の吸気端２２１を複数の第二の吸気端２２１とし、少なくとも１つの第二の排気端２２２を複数の第二の排気端２２２とし、少なくとも１つの第一の排気孔２４を複数の第一の排気孔２４としている。

図４を参照すれば分かるように、本願の一部の実施形態において、第一の導流溝２１は分岐状構造である。例えば、一を二に分割し、二を四に分割し、四を八に分割し、八を十六に分割し……という法則にのっとって加工し、Ｘ、Ｙ軸に関してそれぞれ対称の第一の導流溝２１を作成した。即ち図４に示すように、第一の導流溝２１から導流溝ａ１とａ２を分岐させたが、それは即ち一つの導流溝から二つの導流溝を分岐させたということである。また導流溝ａ１から導流溝ｂ１とｂ２を分岐させ、導流溝ａ２から導流溝ｂ３とｂ４を分岐させたが、それは即ち二つの導流溝から四つの導流溝を分岐させたということになる。……以下は順に類推できる通りである。図４に示すように、Ｘ軸は均等流板２の長さ方向に沿って伸びて均等流板２の中心を通過する軸線であり、Ｙ軸は均等流板２の幅方向に沿って伸びて均等流板２の中心を通過する軸線である。また、分岐状構造の第一の導流溝２１は複数の第一の吸気端２１１と複数の第一の排気端２１２を有する。

本願の一部の実施形態において、第二の導流溝２２は分岐状構造である。第二の導流溝の分岐状構造は第一の導流溝２１の分岐状構造とレイアウト及びサイズがいずれも同一であることから加工の利便性が高い。分岐状構造の第二の導流溝２２は複数の第二の吸気端２２１と複数の第二の排気端２２２を有する。

本願の一部の実施形態では、分岐状構造における各段の分岐構造はその延伸方向と垂直な平面の横断面面積が何れもその一つ上の段の分岐構造の横断面面積より小さい。本願の一部の実施形態において、第一の導流溝２１と第二の導流溝２２は開始位置を除いて（第一の導流溝の開始位置は吸気を開始する第一の吸気端であり、第二の導流溝の開始位置は吸気を開始する第二の吸気端である）完全に対称でもある。全ての導流溝の末端（第一の導流溝の末端は第一の排気端であり、第二の導流溝の末端は第二の排気端である）は水平及び垂直方向において均等に分布されている。第一の導流溝と第二の導流溝が連通するよう導流溝の末端にはいずれも小さい穴が開けられるが、それが即ち上記の第一の排気孔２４である。

図５、図６に示すように、本願の一部の実施形態において、均等流板２は第一の吸気通路２３をさらに含む。第一の吸気通路２３は第一の導流溝２１の底面から伸びて第二の面２６を貫通する。第一の導流溝２１の底面とは第二の面２６に近い面を指す。ここで、図４と図５におけるＡ-Ａ方向は第一の吸気通路２３の位置に関連するものであり、図５におけるＣ箇所は第一の吸気通路２３が位置する領域である。

本願の一部の実施形態において、複数の第一の吸気端２１１は第一の吸気通路２３を介して第一のガス源と連通され、複数の第二の吸気端２２１は第二のガス源と連通される。

図９は図７におけるＥ箇所の拡大図である。本願の一部の実施形態において、均等流板２には、第一の面２５上に開設された第一の凹溝６１と、第二の面２６上に開設された第二の凹溝６２が含まれる。第一の凹溝６１と第二の凹溝６２内にはそれぞれシールリング６１１、６１２が設けられ、シールリング６１１により均等流板２と第一の仕切板１が密封接触し、シールリング６１２により均等流板２と第二の仕切板３が密封接触する。ここで、図７と図９におけるＥ箇所は第一の凹溝６１と第二の凹溝６２が位置する領域である。均等流板上に設けられた第一の凹溝６１と第二の凹溝６２により、均等流板に対する第一の仕切板１と第二の仕切板３の封鎖を更に緊密にすることで、均等流板２内の気体が漏洩することを避けている。

図１０は第二の仕切板の構造概念図である。図１０に示すように、第二の仕切板３には少なくとも１つの第二の排気孔３３が設けられ、第二の排気孔３３と均等流板２上の対応する第一の排気孔２４が連通される。第一のガス源の気体と第二のガス源の気体とを均等流板２の中で混合してから第一の排気孔２４と第二の排気孔３３を介してプロセスチャンバに排出することで、ガスを均等にする効果を実現している。

本願の一部の実施形態において、第一の排気孔２４と第二の排気孔３３はいずれも複数である。

本願の一部の実施形態では、複数の第一の排気孔２４における各孔径を同一とし、複数の第二の排気孔３３における各孔径も同一とすることにより、複数の第二の排気孔３３から排出される気体の均等性を高めて膜の均等性を向上させている。

本願の一部の実施形態では、複数の第一の排気孔２４における各孔径と複数の第二の排気孔３３における各孔径とを同一にすることにより気体の連動を避けている。

本願の一部の実施形態では、図１０に示すように、第二の仕切板３上に第一の吸気孔３１と第二の吸気孔３２が設けられている。

本願の一部の実施形態において、第一の吸気端２１１、第一の吸気通路２３、第一の吸気孔３１は第一のガス源に連通され、第二の吸気端２２１、第二の吸気孔３２は第二のガス源に連通される。これにより、第一のガス源の気体は第二の仕切板３の第一の吸気孔３１、第一の吸気通路２３、第一の導流溝２１の第一の吸気端２１１を順に介して均等流板２に入るようになり、第二のガス源の気体は第二の仕切板３の第二の吸気孔３２、第二の導流溝２２の第二の吸気端２２１を順に介して均等流板２に入るようになる。

本願の一部の実施形態において、第一の仕切板１と均等流板２と第二の仕切板３の間は締結部材により固定接続される。図１、図４、図１０を併せて見れば分かるように、第一の仕切板１と均等流板２と第二の仕切板３には締結部材を収容できるような孔１０、２０、３０がそれぞれ設けられる。

本願の一部の実施形態において、第一の仕切板１は第一の導流溝２１及び少なくとも１つの第一の排気孔２４における第一の面２５に位置する一端を塞ぐように配置してあり、それにより反応気体が第一の導流溝２１と第一の排気孔２４の一端から漏洩することを避けている。第二の仕切板３は第二の導流溝２２を塞ぐように配置してあり、均等流板２による処理を経た気体が第一の排気孔２４から流れ出るようにしている。

本願の一部の実施形態において、第一のガス源と第二のガス源はそれぞれ異なる反応気体に対応する。第一のガス源の気体は第一の吸気孔３１を経て第一の吸気通路２３に入り、さらには第一の導流溝２１内に入る。第二のガス源の気体は第二の吸気孔３２を経て第二の導流溝２２内に入る。そして第一の導流溝２１と第二の導流溝２２とが第一の排気孔２４を介して連通されるため、第一のガス源の気体と第二のガス源の気体は第二の仕切板３における均等流板２に近接する面で混合され、混合気体となる。混合気体は複数の第二の排気孔３３を経てプロセスチャンバに拡散される。

また、複数の第二の排気孔３３の孔径がいずれも同一であるため、気体拡散の均等性が保証され、ＣＩＧＳ薄膜電池の薄膜成型品質が向上する。

本願の一部の実施形態において、プロセスチャンバ内部は低真空かつ高温の環境に置かれる。そこに入ってきた反応気体が高温物体に触れると、その表面に膜層が堆積される。堆積された膜層が一定厚さに達すると、当該膜層がプロセスチャンバ等化装置の排気孔を塞いでしまうほか、プロセスチャンバ等化装置の第二の面に堆積された膜層がガラス基板上に落ちてガラス表面の堆積膜層の品質に影響を与えてしまう。このため、本願の一部の実施形態で提供するプロセスチャンバ等化装置は冷却板４をさらに含む。

図１１は冷却板の構造概念図であり、図１２は図１１におけるＦ-Ｆ方向の断面図であり、図１３は図１２におけるＨ箇所の拡大図であり、図１４は図１１におけるＧ-Ｇ方向の断面図であり、図１５は図１４におけるＩ箇所の拡大図であり、図１６は図１１におけるＭ-Ｍ方向の断面図であり、図１７はプロセスチャンバ等化装置の一つの断面図であり、図１８は図１７におけるＪ箇所の拡大図であり、図１９はプロセスチャンバ等化装置のもう一つの断面図であり、図２０は図１９におけるＫ箇所の拡大図である。

本願の一部の実施形態では、図１１〜１６に示すように、冷却溝４５、冷却通路４３、複数の第三の排気孔４４が冷却板４に設けられる。当該複数の第三の排気孔４４は複数の第二の排気孔３３と連通される。

本願の一部の実施形態において、図１６に示すように、冷却通路４３は冷却溝４５内に設けられ、冷却液が通される。

本願の一部の実施形態では、図１１に示すように、第二の吸気通路４１と第三の吸気通路４２が冷却板４に設けられる。図１８に示すように、第二の吸気通路４１は第二の仕切板３上の第一の吸気孔３１及び第一のガス源とそれぞれ連通され、第三の吸気通路４２は第二の仕切板３上の第二の吸気孔３２及び第二のガス源とそれぞれ連通される。

ここで、図１１と図１２におけるＦ-Ｆ方向は第二の吸気通路４１と第三の吸気通路４２の位置に関連がある。図１２と図１３におけるＨ箇所は第二の吸気通路４１と第三の吸気通路４２が位置する領域である。図１１と図１４におけるＧ-Ｇ方向は第三の排気孔４４、第二の吸気通路４１、第三の吸気通路４２及び冷却通路４３の位置に関連がある。図１４と図１５におけるＩ箇所は第三の吸気通路４２、冷却通路４３及び第三の排気孔４４が含まれる箇所である。

本願の一部の実施形態において、冷却通路４３は冷却溝４５内に設けられる。当該冷却溝４５を冷却板４における第二の仕切板３に近接する表面上に開設することで、冷却板４内を通過した気体と第二の仕切板３内を通過した気体を同時に冷却している。

本願の一部の実施形態では、冷却通路４３を迂回状とすることにより冷却通路４３の有効冷却長を可能な限り伸ばしている。

また冷却板を設けることにより、冷却板４内を通過した気体と第二の仕切板３内を通過した気体が冷却通路４３内を通過する冷却液との間でエネルギー交換を行なうように仕向け、均等ガス装置の表面温度が常に比較的低い範囲に留まるようにしている。こうすることで堆積膜層に必要な高温条件がなくなるため、均等ガス装置表面における膜層の成長速度が低下し、均等ガス装置のメンテナンス時間が延びて生産効率が向上する。

図１７と図１８に示すように、第一のガス源の気体は第二の吸気通路４１、第一の吸気孔３１、第一の吸気通路２３を順に経過した後、第一の導流溝２１に入る。第二のガス源の気体は第三の吸気通路４２、第二の吸気貫通孔３２を順に経過した後、第二の導流溝２２に入る。

図１９と図２０に示すように、第一の導流溝２１と第二の導流溝２２が第一の排気孔２４を介して連通されているため、第一のガス源の気体と第二のガス源の気体は第二の仕切板３における均等流板２に近接する面で混合されて混合気体となる。当該混合気体は複数の第二の排気孔３３と複数の第三の排気孔４４を経由してプロセスチャンバに拡散する。

本願の一部の実施形態において、プロセスチャンバ等化装置は第一の仕切板１、均等流板２及び第二の仕切板３を含む。

第二の仕切板３上の第一の吸気孔３１、均等流板２上の第一の吸気通路２３及び均等流板２上の第一の導流溝２１の第一の吸気端２１１が連通され、且つ第二の仕切板３上の第一の吸気孔３１は第一のガス源と連通される。

第二の仕切板３上の第二の吸気孔３２及び均等流板２上の第二の導流溝２２の第二の吸気端２２１が連通され、且つ第二の仕切板３上の第二の吸気孔３２は第二のガス源と連通される。

第一の導流溝２１の複数の第一の排気端２１２と第二の導流溝２２の複数の第二の排気端２２２は、均等流板２上の複数の第一の排気孔２４を介して第二の仕切板３の第二の排気孔３３に連通される。

このように、本願の実施形態で提供するプロセスチャンバ等化装置により、第一のガス源の気体は第二の仕切板３の第一の吸気孔３１、第一の吸気通路２３、第一の導流溝２１の第一の吸気端２１１を順に通過して第一の導流溝２１に入る。そして第一の導流溝２１によって、第一のガス源の気体が均等流板２の中で均等に流れる状態が実現される。また第二のガス源の気体は第二の仕切板３の第二の吸気孔３２と第二の導流溝２２の第二の吸気端２２１を順に通過して第二の導流溝２２に入る。そして第二の導流溝２２によって、第二のガス源の気体が均等流板２の中で均等に流れる状態が実現される。

均等に流れた第一のガス源の気体は、第一の導流溝２１の複数の第一の排気端２１２を介して均等流板２の複数の第一の排気孔２４に入る。同時に、均等に流れた第二のガス源の気体は、第二の導流溝２２の複数の第二の排気端２２２を介して均等流板２の複数の第一の排気孔２４に入るとともに、第一の導流溝２１の複数の第一の排気端２１２から流れ出てきた第一のガス源の気体と混合され、混合気体となる。混合気体が第二の仕切板３の複数の第二の排気孔３３から流れ出てガラス基板に拡散されることで、ガラス基板上に拡散した気体の均等性が保証され、成膜品質が向上する。

本願の一部の実施形態において、プロセスチャンバ等化装置は第一の仕切板１、均等流板２、第二の仕切板３及び冷却板４を含む。冷却板４における第二の吸気通路４１、第二の仕切板３における第一の吸気孔３１、均等流板２における第一の吸気通路２３及び均等流板２における第一の導流溝２１の第一の吸気端２１１が連通され、且つ冷却板４における第二の吸気通路４１は第一のガス源と連通される。

また、冷却板４における第三の吸気通路４２、第二の仕切板３における第二の吸気孔３２及び均等流板２における第二の導流溝２２の第二の吸気端２２１が連通され、且つ冷却板４における第三の吸気通路４２は第二のガス源と連通される。

第一の導流溝２１の複数の第一の排気端２１２と第二の導流溝２２の複数の第二の排気端２２２は、均等流板２上の複数の第一の排気孔２４を介して第二の仕切板３の第二の排気孔３３と連通される。第二の仕切板３の第二の排気孔３３は冷却板４の第三の排気孔４４と連通される。

冷却板４の第二の仕切板３に近接する表面には冷却通路４３が設けられ、冷却板４内の気体と第二の仕切板３内の気体が同時に冷却される。

図１８に示すように、第一のガス源の気体は冷却板４における第二の吸気通路４１、第二の仕切板３における第一の吸気孔３１、第一の吸気通路２３、第一の導流溝２１の第一の吸気端２１１を順に通過して第一の導流溝２１に入る。そして第一の導流溝２１によって、第一のガス源の気体が均等流板２の中で均等に流れる状態が実現される。また第二のガス源の気体は冷却板４上の第三の吸気通路４２、第二の仕切板３の第二の吸気孔３２と第二の導流溝２２の第二の吸気端２２１を順に通過して第二の導流溝２２に入る。そして第二の導流溝２２によって、第二のガス源の気体が均等流板２の中で均等に流れる状態が実現される。

図２０に示すように、均等に流れた第一のガス源の気体は、第一の導流溝２１の複数の第一の排気端２１２を介して均等流板２の複数の第一の排気孔２４に入る。同時に、均等に流れた第二のガス源の気体は、第二の導流溝２２の複数の第二の排気端２２２を介して均等流板２の複数の第一の排気孔２４に入るとともに、第一の導流溝２１の複数の第一の排気端２１２から流れ出てきた第一のガス源の気体と混合され、混合気体となる。混合気体は第二の仕切板３の複数の第二の排気孔３３及び冷却板４の第三の排気孔４４を順に通過し流れ出て、ガラス基板上に拡散される。第二の仕切板３の第二の排気孔３３及び冷却板４の第三の排気孔４４内の気体を冷却通路４３内の冷却液によって冷却することにより、プロセスチャンバ等化装置から流れ出た気体が高温物体に触れた時にプロセスチャンバ等化装置の表面に膜層が堆積することを避け、ひいてはプロセスチャンバ内の基板へ流れる気体の均等性に膜層からの影響が及ぶことを避けて成膜品質を向上させている。

本願の一部の実施形態において、第三の排気孔４４は段付き孔である。前記第三の排気孔４４における第二の仕切板３に近接する端部の孔径は、第三の排気孔４４における第二の仕切板３から離れた端部の孔径より大きい。

本願の一部の実施形態において、第三の排気孔４４は複数である。複数の第三の排気孔４４における第二の仕切板３に近接する各端部は、複数の第二の排気孔３３のうちの対応する第二の排気孔３３と連通する。

本願の一部の実施形態では、第三の排気孔４４における第二の仕切板３に近接する端部の孔径を第二の排気孔３３の孔径より大きくすることで、気体の流れをより円滑に保っている。本願の一部の実施形態において、複数の第三の排気孔４４における第二の仕切板３と離れた端部の孔径は同一であり、且つ複数の第二の排気孔３３における各孔径とも同一である。

以上、図面に示した実施形態に基づき本願の構造、特徴及び役割効果を詳細に説明したが、上述したものは本願の好ましい実施形態に過ぎず、本願は図示された内容で実施範囲が限定されるものではない。本願の構想に沿って行った変化、或いは補正により同等に変化させた同等な実施形態は、明細書と図面に含まれる精神を逸脱していない限りは全て本願の保護範囲内に含まれる。

Claims (19)

1. 対向する第一の面及び第二の面と、
   第一のガス源と連通するように配置される少なくとも１つの第一の吸気端及び少なくとも１つの第一の排気端を有する、前記第一の面上に開設される第一の導流溝と、
   第二のガス源と連通するように配置される少なくとも１つの第二の吸気端及び少なくとも１つの第二の排気端を有する、前記第二の面上に開設される第二の導流溝と、
   前記第一の面から延びて前記第二の面を貫通する、前記少なくとも１つの第一の排気端及び前記少なくとも１つの第二の排気端が連通するにあたって介する少なくとも１つの第一の排気孔と、を有する均等流板と、
   前記第一の導流溝及び前記少なくとも１つの第一の排気孔における第一の面に位置する一端を塞ぐように配置される、前記均等流板の第一の面上に位置する第一の仕切板と、
   前記第二の導流溝を塞ぐように配置され、且つ前記少なくとも１つの第一の排気孔に連通される少なくとも１つの第二の排気孔を含む、前記均等流板の第二の面上に位置する第二の仕切板と、
   を含む
   プロセスチャンバ等化装置。
2. ＬＰＣＶＤプロセスチャンバ等化装置であることを特徴とする
   請求項1に記載のプロセスチャンバ等化装置。
3. 前記均等流板は、前記第一の導流溝の底面から延びて前記第二の面を貫通する第一の吸気通路をさらに含み、
   前記第二の仕切板は第一の吸気孔をさらに含み、前記少なくとも１つの第一の吸気端及び前記第一の吸気通路が前記第一の吸気孔に連通され、
   前記第二の仕切板は第二の吸気孔をさらに含み、前記少なくとも１つの第二の吸気端が前記第二の吸気孔に連通される
   請求項1又は２に記載のプロセスチャンバ等化装置。
4. 前記第一の導流溝と前記第二の導流溝はいずれも分岐状構造であり、且つ前記少なくとも１つの第一の吸気端を複数の第一の吸気端とし、前記少なくとも１つの第一の排気端を複数の第一の排気端とし、前記少なくとも１つの第二の吸気端を複数の第二の吸気端とし、前記少なくとも１つの第二の排気端を複数の第二の排気端とし、前記少なくとも１つの第一の排気孔を複数の第一の排気孔とし、前記少なくとも１つの第二の排気孔を複数の第二の排気孔とする
   請求項２に記載のプロセスチャンバ等化装置。
5. 前記分岐状構造において、各段の分岐構造の横断面面積は何れもその一つ上の段の分岐構造の横断面面積より小さい
   請求項４に記載のプロセスチャンバ等化装置。
6. 前記複数の第一の排気孔における各孔径が同一であり、且つ前記複数の第二の排気孔における各孔径が同一である
   請求項４又は５に記載のプロセスチャンバ等化装置。
7. 前記複数の第一の排気孔における各孔径が、前記複数の第二の排気孔における各孔径と同一である
   請求項４〜６のいずれか一項に記載のプロセスチャンバ等化装置。
8. 前記均等流板は、前記第一の面上に開設される第一の凹溝と、前記第二の面上に開設される第二の凹溝とをさらに含み、
   前記第一の凹溝及び前記第二の凹溝内にはそれぞれシールリングが設けられている
   請求項３〜７のいずれか一項に記載のプロセスチャンバ等化装置。
9. 前記第二の仕切板における前記均等流板から離れた表面上に設けられる冷却板をさらに含み、
   前記冷却板は、
   前記第一の吸気孔と連通するように配置される第二の吸気通路と、
   前記第二の吸気孔と連通するように配置される第三の吸気通路と、を含む
   請求項３〜８のいずれか一項に記載のプロセスチャンバ等化装置。
10. 前記冷却板は、
    冷却溝と、
    冷却液を通すように配置される冷却通路と、
    前記複数の第二の排気孔と連通される複数の第三の排気孔と、をさらに含む
    請求項９に記載のプロセスチャンバ等化装置。
11. 前記冷却通路は前記冷却溝内に設けられ、且つ前記冷却溝は前記冷却板における前記第二の仕切板に近接する表面上に開設される
    請求項１０に記載のプロセスチャンバ等化装置。
12. 前記冷却通路を迂回状とする
    請求項１０又は１１に記載のプロセスチャンバ等化装置。
13. 前記複数の第三の排気孔を段付き孔とし、前記複数の第三の排気孔における前記第二の仕切板に近接する端部の孔径が、前記複数の第三の排気孔における前記第二の仕切板から離れた端部の孔径より大きい
    請求項１０〜１２のいずれか一項に記載のプロセスチャンバ等化装置。
14. 前記複数の第三の排気孔における前記第二の仕切板に近接する各端部が、前記複数の第二の排気孔のうちの対応する第二の排気孔と連通し、前記複数の第三の排気孔における前記第二の仕切板に近接する各端部の孔径が、前記複数の第二の排気孔における各孔径より大きい
    請求項１０〜１３のいずれか一項に記載のプロセスチャンバ等化装置。
15. 前記複数の第三の排気孔における前記第二の仕切板から離れた端部の孔径が同一であり、且つ前記複数の第二の排気孔における各孔径と同一である
    請求項１０〜１４のいずれか一項に記載のプロセスチャンバ等化装置。
16. 対向する第一の面及び第二の面と、
    第一のガス源と連通するように配置される少なくとも１つの第一の吸気端及び少なくとも１つの第一の排気端を有する、前記第一の面上に開設される第一の導流溝と、
    第二のガス源と連通するように配置される少なくとも１つの第二の吸気端及び少なくとも１つの第二の排気端を有する、前記第二の面上に開設される第二の導流溝と、
    前記第一の面から延びて前記第二の面を貫通する、前記少なくとも１つの第一の排気端及び前記少なくとも１つの第二の排気端が連通するにあたって介する少なくとも１つの第一の排気孔と、を有する
    均等流板。
17. 前記第一の導流溝の底面から伸びて前記第二の面を貫通する第一の吸気通路をさらに含み、前記少なくとも１つの第一の吸気端が前記第一の吸気通路に連通される
    請求項１６に記載の均等流板。
18. 前記第一の導流溝と前記第二の導流溝はいずれも分岐状構造であり、且つ前記少なくとも１つの第一の吸気端を複数の第一の吸気端とし、前記少なくとも１つの第一の排気端を複数の第一の排気端とし、前記少なくとも１つの第二の吸気端を複数の第二の吸気端とし、前記少なくとも１つの第二の排気端を複数の第二の排気端とし、前記少なくとも１つの第一の排気孔を複数の第一の排気孔とする
    請求項１６又は１７に記載の均等流板。
19. 前記均等流板は、前記第一の面上に開設される第一の凹溝と、前記第二の面上に開設される第二の凹溝とをさらに含み、
    前記第一の凹溝及び前記第二の凹溝内にはそれぞれシールリングが設けられている
    請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の均等流板。