CN109563622B - 匀流板和工艺腔匀气装置 - Google Patents

匀流板和工艺腔匀气装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109563622B
CN109563622B CN201880001505.6A CN201880001505A CN109563622B CN 109563622 B CN109563622 B CN 109563622B CN 201880001505 A CN201880001505 A CN 201880001505A CN 109563622 B CN109563622 B CN 109563622B
Authority
CN
China
Prior art keywords
air
plate
gas
air inlet
outlet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201880001505.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109563622A (zh
Inventor
袁世成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Deyun Chuangxin (Beijing) Technology Co.,Ltd.
Original Assignee
Deyun Chuangxin Beijing Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Deyun Chuangxin Beijing Technology Co ltd filed Critical Deyun Chuangxin Beijing Technology Co ltd
Publication of CN109563622A publication Critical patent/CN109563622A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109563622B publication Critical patent/CN109563622B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45572—Cooled nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45512—Premixing before introduction in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本公开提供了一种匀流板和工艺腔匀气装置，工艺腔匀气装置包括匀流板、第一隔离板和第二隔离板；匀流板包括第一表面开设的第一导流槽，与第一表面相对的第二表面开设的第二导流槽；至少一个第一出气孔。第一导流槽的至少一个第一进气端与第一气源相连通，第二导流槽的至少一个第二进气端与第二气源相连通。第一导流槽的至少一个第一出气端、第二导流槽的至少一个第二出气端通过至少一个第一出气孔相连通；第一隔离板封堵第一导流槽以及至少一个第一出气孔位于第一表面的一端。第二隔离板封堵第二导流槽，且包括至少一个第二出气孔，至少一个第二出气孔与至少一个第一出气孔相连通。

Description

匀流板和工艺腔匀气装置
本申请要求于2017年7月14日提交中国专利局、申请号为201710576540.8、发明名称为“LPCVD工艺腔匀气装置”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本公开涉及薄膜电池的制备工艺技术，尤其涉及一种匀流板和工艺腔匀气装置。
背景技术
目前光伏产业发展的关键是降低太阳能电池生产成本。铜铟镓硒(Copper IndiumGallium Selenium,CIGS)薄膜太阳电池具有生产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好、光电转换率高等特点。在CIGS薄膜太阳能电池的制造过程中，应用低压力化学气相沉积法(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)来制造进行薄膜制造。
发明内容
本公开一些实施例提供了一种工艺腔匀气装置，包括：
匀流板，包括：
相对设置的第一表面和第二表面；第一表面上开设的第一导流槽，其中，第一导流槽具有至少一个第一进气端和至少一个第一出气端，至少一个第一进气端与第一气源相连通；第二表面上开设的第二导流槽，其中，第二导流槽具有至少一个第二进气端和至少一个第二出气端，至少一个第二进气端与第二气源相连通；以及从第一表面延伸穿过第二表面的至少一个第一出气孔，至少一个第一出气端、至少一个第二出气端通过至少一个第一出气孔相连通；
位于匀流板的第一表面上的第一隔离板，配置为封堵第一导流槽以及至少一个第一出气孔中每个的一端；以及位于匀流板的第二表面上的第二隔离板，配置为封堵第二导流槽，且包括至少一个第二出气孔，至少一个第二出气孔与至少一个第一出气孔相连通。
在本公开一些实施例中，工艺腔匀气装置为LPCVD工艺腔匀气装置。
在本公开一些实施例中，匀流板还包括第一进气通道，第一进气通道从第一导流槽的底面延伸穿过第二表面，第二隔离板还包括第一进气孔，至少一个第一进气端、第一进气通道和第一进气孔相连通；第二隔离板还包括第二进气孔，至少一个第二进气端和第二进气孔相连通。
在本公开一些实施例中，第一导流槽和第二导流槽均为分枝状结构，且至少一个第一进气端为多个第一进气端，至少一个第一出气端为多个第一出气端，至少一个第二进气端为多个第二进气端，至少一个第二出气端为多个第二出气端，至少一个第一出气孔为多个出气孔，至少一个第二出气孔为多个出气孔。
在本公开一些实施例中，分枝状结构中，每一级分枝结构的横截面积均小于其上一级的分枝结构的横截面积。
在本公开一些实施例中，多个第一出气孔中每个的孔径相等；多个第二出气孔中每个的孔径相等。
在本公开一些实施例中，多个第一出气孔中每个的孔径与多个第二出气孔中每个的孔径相等。
在本公开一些实施例中，匀流板还包括第一表面上开设的第一凹槽和第二表面上开设的第二凹槽，其中，第一凹槽和第二凹槽内均设置有密封圈。
在本公开一些实施例中，工艺腔还包括冷却板，该冷却板设置在第二隔离板的远离匀流板的表面上，其中，冷却板包括：第二进气通道，配置为与第一进气孔相连通；和第三进气通道，配置为与第二进气孔相连通。
在本公开一些实施例中，冷却板还包括：冷却槽，冷却通道，该冷却通道内配置为通入冷却液，和多个第三出气孔，多个第三出气孔与多个第二出气孔相连通。
在本公开一些实施例中，冷却通道设置在冷却槽内，且冷却槽开设在冷却板的邻近第二隔离板的表面。
在本公开一些实施例中，冷却通道为迂回状。
在本公开一些实施例中，多个第三出气孔为阶梯孔，多个第三出气孔邻近第二隔离板的端部的孔径大于多个第三出气孔远离第二隔离板的端部的孔径。
在本公开一些实施例中，多个第三出气孔中的每个的邻近第二隔离板的端部与多个第二出气孔中相应的第二出气孔相连通，多个第三出气孔中的每个的邻近第二隔离板的端部的孔径大于所述多个第二出气孔中的每个的孔径。
本公开另一些实施列提供了一种匀流板，包括：
相对设置的第一表面和第二表面；第一表面开设的第一导流槽，其中，第一导流槽具有至少一个第一进气端和至少一个第一出气端，至少一个第一进气端与第一气源相连通；第二表开设的第二导流槽，其中，第二导流槽具有至少一个第二进气端和至少一个第二出气端，至少一个第二进气端与第二气源相连通；以及从第一表面延伸穿过第二表面的至少一个第一出气孔，至少一个第一出气端、至少一个第二出气端通过至少一个第一出气孔相连通。
在本公开一些实施例中，匀流板还包括从第一导流槽的底面延伸穿过第二表面的第一进气通道，至少一个第一进气端和第一进气通道相连通。
在本公开一些实施例中，第一导流槽和第二导流槽均为分枝状结构，且至少一个第一进气端为多个第一进气端，至少一个第一出气端为多个第一出气端，至少一个第二进气端为多个第二进气端，至少一个第二出气端为多个第二出气端，至少一个第一出气孔为多个出气孔。
在本公开一些实施例中，匀流板还包括第一表面上开设的第一凹槽和第二表面上开设的第二凹槽，其中，第一凹槽和第二凹槽内均设置有密封圈。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本公开的进一步理解，构成本公开的一部分，本公开的示意性实施例及其说明用于解释本公开，并不构成对本公开的不当限定。在附图中：
图1为本公开一些实施例提供的工艺腔匀气装置的应用示意图；
图2为本公开一些实施例提供的工艺腔匀气装置的结构示意图；
图3为第一隔离板的结构示意图；
图4为匀流板的结构示意图；
图5为图4中的A-A向剖视图；
图6为图5中的C处放大图；
图7为图4中的B-B向剖视图；
图8为图7中的D处放大图；
图9为图7中的E处放大图；
图10为第二隔离板的结构示意图；
图11为冷却板的结构示意图；
图12为图11中的F-F向剖视图；
图13为图12中的H处放大图；
图14为图11中的G-G向剖视图；
图15为图14中的I处放大图；
图16为图11中的M-M向剖视图；
图17为工艺腔匀气装置的一个断面图；
图18为图17中的J处放大图；
图19为工艺腔匀气装置的另一个断面图；和
图20为图19中的K处放大图。
具体实施方式
下面详细描述本公开的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本公开，而不能解释为对本公开的限制。
请参照图1和图2，图1为本公开一些实施例提供的工艺腔匀气装置的应用示意图，图2为本公开一些实施例提供的工艺腔匀气装置的结构示意图。
如图1所示，本公开一些实施例提供了一种工艺腔匀气装置，该装置包括第一隔离板1、匀流板2以及第二隔离板3。匀流板2相对设置有第一表面25和第二表面26。第一隔离板1位于匀流板2的第一表面25上，第二隔离板3位于匀流板2的第二表面26上。
在本公开一些实施例中，工艺腔匀气装置还包括设置在第二隔离板3远离匀流板2的表面上的冷却板4，该冷却板配置为使匀气装置表面的温度始终处于相对较低的范围。
在本公开一些实施例中，如图2所示，冷却板4上设置有第二进气通道41和第三进气通道42。
如图1及图2所示，通过本公开提供的工艺腔匀气装置，反应气体被通入到工艺腔中，并在匀流板2中混合，混合后的气体扩散到玻璃基板5的表面。
在本公开一些实施例中，反应气体包括水蒸气、氢气、硼烷和二乙基锌等。
在本公开一些实施例中，工艺腔匀气装置在铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的生产中，用于在大尺寸玻璃基板的表面上沉积一层均匀的透明导电膜。
图3为第一隔离板的结构示意图。在本公开一些实施例中，如图3所示，第一隔离板1为板状。该第一隔离板1的材质可以有多种，只要第一隔离板1不与反应气体发生反应即可。
图4为匀流板的结构示意图，图5为图4中的A-A向剖视图，图6为图5中的C处放大图，图7为图4中的B-B向剖视图，图8为图7中的D处放大图；图9为图7中的E处放大图。
如图7、8所示，匀流板2包括第一表面25上开设的第一导流槽21、第二表面26上开设的第二导流槽22及从第一表面25延伸穿过第二表面26的至少一个第一出气孔24。其中，B-B向与第一出气孔24的位置相关联；D处为第一出气孔24所在的区域。
如图9所示，第一导流槽21具有至少一个第一进气端211和至少一个第一出气端212，第二导流槽22具有至少一个第二进气端221和至少一个第二出气端222。至少一个第一进气端211与第一气源相连通，至少一个第二进气端221与第二气源相连通。至少一个第一出气端212、至少一个第二出气端222及至少一个第一出气孔24相连通。
在本公开一些实施例中，在匀流板内，第一导流槽21与第二导流槽22的布局和尺寸相同。
在本公开一些实施例中，至少一个第一进气端211与至少一个第二进气端221一一对应，至少一个第一出气端212、至少一个第二出气端222及至少一个第一出气孔24一一对应。第一出气端212和对应的第二出气端222通过第一出气孔24相连通。
匀流板2的匀流方式为：第一气源的气体通过第一导流槽21的第一进气端211进入匀流板2，并通过第一出气端212进入第一出气孔24。第二气源的气体通过第二导流槽22的第二进气端221进入匀流板2，并通过第二出气端222进入第一出气孔24，与第一出气端212流出的第一气源的气体混合。
在本公开一些实施例中，第一导流槽21和第二导流槽22均为分枝状结构，且至少一个第一进气端211为多个第一进气端211，至少一个第一出气端212为多个第一出气端212，至少一个第二进气端221为多个第二进气端221，至少一个第二出气端222为多个第二出气端222，至少一个第一出气孔24为多个第一出气孔24。
参照图4，在本公开一些实施例中，第一导流槽21为分枝状结构。例如，按照一分二、二分四、四分八、八分十六……的规律加工出分别关于X、Y轴对称的第一导流槽21。即，如图4所示，从第一导流槽21分出导流槽a1和a2，即从一个导流槽分出两个导流槽，从导流槽a1分出导流槽b1和b2、从导流槽a2分出导流槽b3和b4，即从两个导流槽分出四个导流槽，……依次类推。如图4所示，X轴为沿匀流板2的长度方向延伸且穿过匀流板2中心的轴线，Y轴为沿匀流板2的宽度方向延伸且穿过匀流板2中心的轴线。分枝状结构的第一导流槽21具有多个第一进气端211和多个第一出气端212。
在本公开一些实施例中，第二导流槽22为分枝状结构，且第二导流槽的分枝状结构与第一导流槽21的分枝状结构在布局和尺寸上均相同，从而便于加工。分枝状结构的第二导流槽22具有多个第二进气端221和多个第二出气端222。
在本公开一些实施例中，在分枝状结构中，每一级分枝结构的沿垂直于其延伸方向的平面的横截面积均小于其上一级的分枝结构的横截面积。在一些实施例中，第一导流槽21、第二导流槽22除了起始位置(第一导流槽的起始位置为开始进气的第一进气端，第二导流槽的起始位置为开始进气的第二进气端)外，也是完全对称。所有导流槽的末端(第一导流槽的末端为第一出气端，第二导流槽的末端为第二出气端)在水平与竖直方向都是均匀分布的。所有导流槽的末端均设置有一个小孔，使得第一导流槽和第二导流槽相连通，该小孔即上述的第一出气孔24。
如图5、图6所示，在本公开一些实施例中，匀流板2还包括第一进气通道23。第一进气通道23从第一导流槽21的底面延伸穿过第二表面26。第一导流槽21的底面指的是靠近第二表面26的面。其中，图4和图5中的A-A向与第一进气通道23的位置相关联；图5中的C处为第一进气通道23所在的区域。
在本公开一些实施例中，多个第一进气端211通过第一进气通道23与第一气源相连通，多个第二进气端221与第二气源相连通。
图9为图7中的E处放大图。在本公开一些实施例中，在匀流板2包括第一表面25上开设的第一凹槽61和第二表面26上开设的第二凹槽62。第一凹槽61和第二凹槽62内分别设置有密封圈611、612，密封圈611使匀流板2与第一隔离板1密封接触，密封圈612使匀流板2与第二隔离板3密封接触。其中，图7和图9中的E处为第一凹槽61和第二凹槽62所在区域。通过设置在匀流板上的第一凹槽61和第二凹槽62，使得第一隔离板1与第二隔离板3对匀流板的封堵更为紧密，从而避免匀流板2中的气体逸出。
图10为第二隔离板的结构示意图。如图10所示，第二隔离板3上设置有至少一个第二出气孔33，第二出气孔33与匀流板2上的对应的第一出气孔24相连通。使得第一气源的气体和第二气源的气体在匀流板2中混合，再通过第一出气孔24和第二出气孔33排出到工艺腔中，从而实现了匀气的效果。
在本公开一些实施例中，第一出气孔24和第二出气孔33均是多个。
在本公开一些实施例中，多个第一出气孔24中每个的孔径相等，多个第二出气孔33中每个的孔径相等，从而提高了从多个第二出气孔33中排出的气体的均匀性，进而提高了膜层的均匀性。
在本公开一些实施例中，多个第一出气孔24中每个的孔径与多个第二出气孔33中每个的孔径相等，从而避免了气体的串动。
在本公开一些实施例中，如图10所示，第二隔离板3上设置有第一进气孔31和第二进气孔32。
在本公开一些实施例中，第一进气端211、第一进气通道23、第一进气孔31和第一气源相连通。第二进气端221、第二进气孔32和第二气源相连通。这样，第一气源的气体依次通过第二隔离板3的第一进气孔31、第一进气通道23和第一导流槽21的第一进气端211进入匀流板2。第二气源的气体依次通过第二隔离板3的第二进气孔32和第二导流槽22的第二进气端221进入匀流板2。
在本公开一些实施例中，第一隔离板1、匀流板2和第二隔离板3之间通过紧固件固定连接。结合图1、图4及图10，第一隔离板1、匀流板2和第二隔离板3上分别设置有孔10、20及30，以容纳紧固件。
在本公开一些实施例中，第一隔离板1配置为封堵第一导流槽21以及至少一个第一出气孔24位于第一表面25的一端，从而避免反应气体从第一导流槽21和第一出气孔24的一端逸出。第二隔离板3配置为封堵第二导流槽22，并使得通过匀流板2处理的气体通过第一出气孔24流出。
在本公开一些实施例中，第一气源和第二气源分别对应不同的反应气体。第一气源的气体经过第一进气孔31进入到第一进气通道23，进而进入到第一导流槽21内。第二气源的气体经过第二进气孔32进入到第二导流槽22内。由于第一导流槽21和第二导流槽22通过第一出气孔24相连通，因此，第一气源的气体和第二气源的气体在第二隔离板3的邻接匀流板2的表面混合，得到混合气体。混合气体经由多个第二出气孔33后扩散到工艺腔。
由于多个第二出气孔33的孔径大小均相同，从而保证了气体扩散的均匀性，提高了CIGS薄膜电池的薄膜成型质量。
在本公开一些实施例中，工艺腔内部处于低真空、高温的环境。当反应气体进入后，遇到高温物体就会在其表面沉积膜层。当沉积的膜层到一定厚度后，该膜层会堵塞工艺腔匀气装置的出气孔，且沉积在工艺腔匀气装置第二表面的膜层会脱落掉到玻璃基板上，最终影响玻璃表面沉积膜层的质量。因此，本公开一些实施例提供的工艺腔匀气装置还包括冷却板4。
图11为冷却板的结构示意图，图12为图11中的F-F向剖视图，图13为图12中的H处放大图，图14为图11中的G-G向剖视图，图15为图14中的I处放大图。图16为图11中的M-M向剖视图；图17为工艺腔匀气装置的一个断面图；图18为图17中的J处放大图；图19为工艺腔匀气装置的另一个断面图；图20为图19中的K处放大图。
在本公开一些实施例中，结合图11-16所示，冷却板4上设置有冷却槽45、冷却通道43和多个第三出气孔44。该多个第三出气孔44与多个第二出气孔33相连通。
在本公开一些实施例中，如图16所示，冷却通道43设置在冷却槽45内，且通有冷却液。
在本公开一些实施例中，如图11所示，冷却板4上设置有第二进气通道41和第三进气通道42。如图18所示，第二进气通道41分别与第二隔离板3上的第一进气孔31及第一气源相连通，且第三进气通道42分别与第二隔离板3上的第二进气孔32及第二气源相连通。
其中，图11和图12的F-F向与第二进气通道41和第三进气通道42所在的位置相关联。图12和图13中的H处为第二进气通道41和第三进气通道42所在的区域。图11和图14中的G-G向与第三出气孔44、第二进气通道41、第三进气通道42和冷却通道43所在的位置相关联。图14和图15中的I处为包含了第三进气通道42、冷却通道43和第三出气孔44的一处。
在本公开一些实施例中，冷却通道43设置于冷却槽45内，且该冷却槽45开设在冷却板4的邻接第二隔离板3的表面上，以对冷却板4内通过的气体和第二隔离板3内通过的气体同时冷却。
在本公开一些实施例中，冷却通道43为迂回状，从而尽可能地延长冷却通道43的有效冷却长度。
通过设置冷却板，使得冷却板4内通过的气体和第二隔离板3内通过的气体与冷却通道43内通过的冷却液进行能量交换，从而使匀气装置表面的温度始终处于相对较低的范围。由于没有了沉积膜层所需的高温条件，因此，降低了膜层在匀气装置表面的生长速率，从而延长了匀气装置的维护时间，进而提高了生产效率。
如图17和图18所示，第一气源的气体依次经过第二进气通道41、第一进气孔31、第一进气通道23后进入第一导流槽21。第二气源的气体依次经过第三进气道42、第二进气通孔32后进入第二导流槽22。
如图19和图20所示，由于第一导流槽21和第二导流槽22通过第一出气孔24相连通，因此，第一气源的气体和第二气源的气体在第二隔离板3的邻近匀流板2的表面混合，以获得混合气体。该混合气体经由多个第二出气孔33和多个第三出气孔44后扩散到工艺腔。
在本公开一些实施例中，工艺腔匀气装置包括：第一隔离板1、匀流板2以及第二隔离板3。
第二隔离板3上的第一进气孔31、匀流板2上的第一进气通道23以及匀流板2上第一导流槽21的第一进气端211相连通，且第二隔离板3上的第一进气孔31与第一气源相连通。
第二隔离板3上的第二进气孔32以及匀流板2上第二导流槽22的第二进气端221相连通，且第二隔离板3上的第二进气孔32与第二气源相连通。
第一导流槽21的多个第一出气端212和第二导流槽22的多个第二出气端222通过匀流板2上的多个第一出气孔24与第二隔离板3的第二出气孔33相连通。
这样，通过本公开实施例提供的工艺腔匀气装置，第一气源的气体依次通过第二隔离板3的第一进气孔31、第一进气通道23和第一导流槽21的第一进气端211进入第一导流槽21，通过第一导流槽21实现第一气源的气体在匀流板2中匀流。第二气源的气体可依次通过第二隔离板3的第二进气孔32和第二导流槽22的第二进气端221进入第二导流槽22，通过第二导流槽22实现第二气源的气体在匀流板2中匀流。
匀流后的第一气源的气体通过第一导流槽21的多个第一出气端212进入匀流板2的多个第一出气孔24。同时，匀流后的第二气源的气体通过第二导流槽22的多个第二出气端222进入匀流板2的多个第一出气孔24，并与第一导流槽21的多个第一出气端212流出的第一气源的气体混合得到混合后的气体。混合后的气体通过第二隔离板3的多个第二出气孔33流出，从而扩散到玻璃基板，进而保证了扩散到玻璃基板上的气体的均匀性，提高成膜质量。
在本公开一些实施例中，工艺腔匀气装置包括：第一隔离板1、匀流板2、第二隔离板3以及冷却板4。冷却板4中的第二进气通道41、第二隔离板3中的第一进气孔31、匀流板2中的第一进气通道23以及匀流板2中的第一导流槽21的第一进气端211相连通，且冷却板4中的第二进气通道41与第一气源相连通。
冷却板4中的第三进气通道42、第二隔离板3中的第二进气孔32以及匀流板2中的第二导流槽22的第二进气端221相连通，且冷却板4中的第三进气通道42与第二气源相连通。
第一导流槽21的多个第一出气端212和第二导流槽22的多个第二出气端222通过匀流板2上的多个第一出气孔24与第二隔离板3的第二出气孔33相连通。第二隔离板3的第二出气孔33与冷却板4的第三出气孔44相连通。
冷却板4邻接第二隔离板3的表面设置有冷却通道43，以对冷却板4内的气体和第二隔离板3内的气体同时冷却。
如图18所示，第一气源的气体依次通过冷却板4中的第二进气通道41、第二隔离板3中的第一进气孔31、第一进气通道23和第一导流槽21的第一进气端211进入到第一导流槽21。通过第一导流槽21实现第一气源的气体在匀流板2中匀流。第二气源的气体依次通过冷却板4上的第三进气通道42、第二隔离板3的第二进气孔32和第二导流槽22的第二进气端221进入到第二导流槽22。通过第二导流槽22实现第二气源的气体在匀流板2中匀流。
如图20所示，匀流后的第一气源的气体通过第一导流槽21的多个第一出气端212进入到匀流板2的多个第一出气孔24。同时，匀流后的第二气源的气体通过第二导流槽22的多个第二出气端222进入到匀流板2的多个第一出气孔24，并与第一导流槽21的多个第一出气端212流出的第一气源的气体混合，得到混合后的气体。混合后的气体依次通过第二隔离板3的多个第二出气孔33以及冷却板4的第三出气孔44流出，从而扩散到玻璃基板上。冷却通道43内的冷却液对第二隔离板3的第二出气孔33以及冷却板4的第三出气孔44内的气体进行冷却，以避免从工艺腔匀气装置流处的气体遇到高温物体时在工艺腔匀气装置的表面沉积膜层，从而避免膜层影响流向工艺腔内基板的气体的均匀性，进而提高了成膜质量。
在本公开一些实施例中，第三出气孔44为阶梯孔。所述第三出气孔44邻近第二隔离板3的端部的孔径大于第三出气孔44远离第二隔离板3的端部的孔径。
在本公开一些实施例中，第三出气孔44为多个。多个第三出气孔44中的每个邻近第二隔离板3的端部与多个第二出气孔33中相应的第二出气孔33相连通。
在本公开一些实施例中，第三出气孔44邻近第二隔离板3的端部的孔径大于第二出气孔33的孔径，以保证气体流动的更为流畅。在本公开一些实施例中，多个第三出气孔44远离第二隔离板3的端部的孔径相等，且与多个第二出气孔的33中每个的孔径相等。
以上依据图式所示的实施例详细说明了本公开的构造、特征及作用效果，以上所述仅为本公开的较佳实施例，但本公开不以图面所示限定实施范围，凡是依照本公开的构想所作的改变，或修改为等同变化的等效实施例，仍未超出说明书与图示所涵盖的精神时，均应在本公开的保护范围内。

Claims (13)

1.一种工艺腔匀气装置，包括：
匀流板，包括：
相对的第一表面和第二表面；
所述第一表面上开设的第一导流槽，其中，所述第一导流槽具有至少一个第一进气端和至少一个第一出气端，所述至少一个第一进气端配置为与第一气源相连通；
所述第二表面上开设的第二导流槽，其中，所述第二导流槽具有至少一个第二进气端和至少一个第二出气端，所述至少一个第二进气端配置为与第二气源相连通；以及从所述第一表面延伸穿过所述第二表面的至少一个第一出气孔，所述至少一个第一出气端、所述至少一个第二出气端通过所述至少一个第一出气孔相连通；
位于所述匀流板的第一表面上的第一隔离板，配置为封堵所述第一导流槽以及所述至少一个第一出气孔位于第一表面的一端；以及位于所述匀流板的第二表面上的第二隔离板，配置为封堵所述第二导流槽，且包括至少一个第二出气孔，所述至少一个第二出气孔与所述至少一个第一出气孔相连通；
所述匀流板还包括第一进气通道，所述第一进气通道从所述第一导流槽的底面延伸穿过所述第二表面；
所述第二隔离板还包括第一进气孔，所述至少一个第一进气端、所述第一进气通道和所述第一进气孔相连通；
所述第二隔离板还包括第二进气孔，所述至少一个第二进气端和所述第二进气孔相连通；
所述第一导流槽和所述第二导流槽均为分枝状结构，且所述至少一个第一进气端为多个第一进气端，所述至少一个第一出气端为多个第一出气端，所述至少一个第二进气端为多个第二进气端，所述至少一个第二出气端为多个第二出气端，所述至少一个第一出气孔为多个第一出气孔，所述至少一个第二出气孔为多个第二出气孔；所述分枝状结构中，每一级分枝结构的横截面积均小于其上一级的分枝结构的横截面积；
所述多个第一出气孔中每个的孔径相等，且所述多个第二出气孔中每个的孔径相等；所述多个第一出气孔中每个的孔径与所述多个第二出气孔中每个的孔径相等。
2.根据权利要求1所述的工艺腔匀气装置，其特征在于，所述工艺腔匀气装置为LPCVD工艺腔匀气装置。
3.根据权利要求1任一项所述的工艺腔匀气装置，其中，所述匀流板还包括所述第一表面上开设的第一凹槽和所述第二表面上开设的第二凹槽；
其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽内均设置有密封圈。
4.根据权利要求3任一项所述的工艺腔匀气装置，还包括冷却板，所述冷却板设置在所述第二隔离板的远离所述匀流板的表面上，其中，所述冷却板包括：
第二进气通道，配置为与所述第一进气孔相连通；和
第三进气通道，配置为与所述第二进气孔相连通。
5.根据权利要求4所述的工艺腔匀气装置，其中，所述冷却板还包括：
冷却槽；
冷却通道，所述冷却通道配置为通入冷却液；和
多个第三出气孔，所述多个第三出气孔与所述多个第二出气孔相连通。
6.根据权利要求5所述的工艺腔匀气装置，其中，所述冷却通道设置在所述冷却槽内，且所述冷却槽开设在所述冷却板的邻近所述第二隔离板的表面上。
7.根据权利要求5或6所述的工艺腔匀气装置，其中，所述冷却通道为迂回状。
8.根据权利要求7任一项所述的工艺腔匀气装置，其中，所述多个第三出气孔为阶梯孔，所述多个第三出气孔邻近所述第二隔离板的端部的孔径大于所述多个第三出气孔远离所述第二隔离板的端部的孔径。
9.根据权利要求8任一项所述的工艺腔匀气装置，其中，所述多个第三出气孔中的每个的邻近所述第二隔离板的端部与所述多个第二出气孔中相应的第二出气孔相连通，所述多个第三出气孔中的每个的邻近所述第二隔离板的端部的孔径大于所述多个第二出气孔中的每个的孔径。
10.根据权利要求9任一项所述的工艺腔匀气装置，其中，所述多个第三出气孔远离所述第二隔离板的端部的孔径相等，且与所述多个第二出气孔中每个的孔径相等。
11.一种匀流板，包括：
相对的第一表面和第二表面；
所述第一表面上开设的第一导流槽，其中，所述第一导流槽具有至少一个第一进气端和至少一个第一出气端，所述至少一个第一进气端配置为与第一气源相连通；
所述第二表面上开设的第二导流槽，其中，所述第二导流槽具有至少一个第二进气端和至少一个第二出气端，所述至少一个第二进气端配置为与第二气源相连通；以及
从所述第一表面延伸穿过所述第二表面的至少一个第一出气孔，所述至少一个第一出气端、所述至少一个第二出气端通过所述至少一个第一出气孔相连通；
所述第一导流槽和所述第二导流槽均为分枝状结构，且所述至少一个第一进气端为多个第一进气端，所述至少一个第一出气端为多个第一出气端，所述至少一个第二进气端为多个第二进气端，所述至少一个第二出气端为多个第二出气端，所述至少一个第一出气孔为多个第一出气孔。
12.根据权利要求11所述的匀流板，其中，所述匀流板还包括从所述第一导流槽的底面延伸穿过所述第二表面的第一进气通道，所述至少一个第一进气端和所述第一进气通道相连通。
13.根据权利要求11任一项所述的匀流板，其中，所述匀流板还包括所述第一表面上开设的第一凹槽和所述第二表面上开设的第二凹槽；
其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽内均设置有密封圈。
CN201880001505.6A 2017-07-14 2018-07-13 匀流板和工艺腔匀气装置 Active CN109563622B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2017105765408 2017-07-14
CN201710576540.8A CN107326341B (zh) 2017-07-14 2017-07-14 Lpcvd工艺腔匀气装置
PCT/CN2018/095579 WO2019011317A1 (zh) 2017-07-14 2018-07-13 匀流板和工艺腔匀气装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109563622A CN109563622A (zh) 2019-04-02
CN109563622B true CN109563622B (zh) 2021-04-30

Family

ID=60226976

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710576540.8A Active CN107326341B (zh) 2017-07-14 2017-07-14 Lpcvd工艺腔匀气装置
CN201880001505.6A Active CN109563622B (zh) 2017-07-14 2018-07-13 匀流板和工艺腔匀气装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710576540.8A Active CN107326341B (zh) 2017-07-14 2017-07-14 Lpcvd工艺腔匀气装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20210189563A1 (zh)
JP (1) JP2019525447A (zh)
CN (2) CN107326341B (zh)
WO (1) WO2019011317A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107326341B (zh) * 2017-07-14 2019-10-25 君泰创新（北京）科技有限公司 Lpcvd工艺腔匀气装置
TWI709203B (zh) * 2018-09-11 2020-11-01 大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司 腔室冷卻裝置及半導體加工設備
CN111304630A (zh) * 2019-12-06 2020-06-19 深圳市纳设智能装备有限公司 一种预热型喷淋组件
CN113808899B (zh) * 2020-06-17 2024-07-05 江苏鲁汶仪器股份有限公司 一种应用于等离子体处理装置中的高均匀性气路系统

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3380091B2 (ja) * 1995-06-09 2003-02-24 株式会社荏原製作所 反応ガス噴射ヘッド及び薄膜気相成長装置
US7976631B2 (en) * 2007-10-16 2011-07-12 Applied Materials, Inc. Multi-gas straight channel showerhead
KR101064210B1 (ko) * 2009-06-01 2011-09-14 한국생산기술연구원 막증착 진공장비용 샤워헤드
US20110308458A1 (en) * 2010-06-21 2011-12-22 Semes Co., Ltd. Thin Film Deposition Apparatus
TWI527090B (zh) * 2010-07-12 2016-03-21 愛發科股份有限公司 成膜裝置
CN201778112U (zh) * 2010-07-23 2011-03-30 深圳市捷佳伟创微电子设备有限公司 一种工艺气体的输送法兰
CN102492937A (zh) * 2011-12-29 2012-06-13 中国科学院半导体研究所 用于金属化学气相沉积设备反应室的进气喷淋头
US9132436B2 (en) * 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
CN202881383U (zh) * 2012-09-28 2013-04-17 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 一种用于mocvd设备反应室的均气装置
US9677176B2 (en) * 2013-07-03 2017-06-13 Novellus Systems, Inc. Multi-plenum, dual-temperature showerhead
CN106756887A (zh) * 2017-03-21 2017-05-31 北京化工大学 一种微分混合式化学气相沉积装置
CN107326341B (zh) * 2017-07-14 2019-10-25 君泰创新（北京）科技有限公司 Lpcvd工艺腔匀气装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20210189563A1 (en) 2021-06-24
CN109563622A (zh) 2019-04-02
CN107326341A (zh) 2017-11-07
CN107326341B (zh) 2019-10-25
WO2019011317A1 (zh) 2019-01-17
JP2019525447A (ja) 2019-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109563622B (zh) 匀流板和工艺腔匀气装置
WO2017003116A1 (ko) 분리판, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 연료전지 스택
CN106816610B (zh) 一种基于迷宫挡板结构流场的质子交换膜燃料电池双极板
CN102117924B (zh) 流体流场板总成
KR20100070333A (ko) 화학 기상 증착 반응기
US20240117522A1 (en) Gas inlet assembly of process chamber, gas inlet device, and semiconductor processing apparatus
CN102418086A (zh) 一种实现气体隔离和均匀化的喷淋头装置
CN102206813A (zh) Pecvd系统中的气体混合装置、方法和系统
WO2024159716A1 (zh) 一种碳化硅水平外延炉用的气流转换装置
JP2018504739A (ja) 燃料電池のセルスタックおよびそのようなスタックを含む燃料電池
CN104419909A (zh) 一种镀膜炉管
US20170062849A1 (en) Stack of electrochemical cells divided up into separate groups comprising a homogenization compartment
KR101132014B1 (ko) 분배기 및 이를 구비한 고체산화물 연료전지 모듈
CN216850000U (zh) 一种对称式流场的燃料电池双极板
KR20130103737A (ko) 진공 공정 장비를 위한 가스 분배 장치
CN202116646U (zh) 多路独立供气式pecvd供气沉积系统
CN214797474U (zh) 一种箭羽状质子交换膜燃料电池双极板
CN220907634U (zh) 一种腔体进气装置及气体处理设备
CN210380667U (zh) 全桥和半桥功率模块混联的换流阀塔配水系统
CN107385416B (zh) 一种镀膜进气结构
CN220057018U (zh) 一种使用气体进行处理的设备及气体匀流结构
CN216849999U (zh) 一种圆形燃料电池双极板
CN220999956U (zh) 匀流组件及扩散设备
KR20210076414A (ko) 연료전지용 분리판
CN220520621U (zh) 一种工艺特气混气装置及使用其的pecvd设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20210107

Address after: 101102 102-lq307, 1-3 / F, building 26, 17 huanke Middle Road, Jinqiao Science and technology industrial base, Tongzhou Park, Zhongguancun Science and Technology Park, Tongzhou District, Beijing

Applicant after: Deyun Chuangxin (Beijing) Technology Co.,Ltd.

Address before: 100176 10th floor, building 2, yard 9, Ronghua South Road, Yizhuang Economic and Technological Development Zone, Daxing District, Beijing

Applicant before: Juntai innovation (Beijing) Technology Co.,Ltd.

TA01 Transfer of patent application right
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant