CN202881383U - 一种用于mocvd设备反应室的均气装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种反应室均气装置，包括：设于反应室上方的法兰，该法兰设有上下两层隔开的气源腔室，所述的气源腔室内部设有使气源在水平方向均匀分布的引流槽，上下两层气源腔室的出口设有均流网，第一气源依次与上下层气源腔室连通，第二气源与下层气源腔室连通。本实用新型能较好地为反应室内提供均匀的气氛场，从而提高批量生产的合格率。
Description
技术领域
本实用新型涉及制备半导体薄膜的技术，尤其涉及一种用于MOCVD设备反应室的均气装置。
背景技术
金属有机化合物化学气相沉积（简称MOCVD）是制备化合物半导体薄膜的一项关键技术。现有MOCVD反应室的进气方式主要分两种，一种是从反应室腔体的侧面进气，从一侧流向另一侧，由于反应气体到达基片上方各点的流动路径和到达的时间不一致，加上在流动的过程中一部分气体在发生化学反应而导致气源损耗，易造成基片上方各点浓度不均匀；另一种是通过喷淋头或喷射器对反应室进行供气，然而现有许多气体喷射系统具有干扰有效操作或沉积不均匀，气体流动出现“死区”的现象。所以现有的MOCVD反应室装置不能提供一个均匀气场的设备结构，导致生长的膜厚均匀性差、批量生产合格率低，能量、气源利用率低，很难满足半导体产业化高产出与低成本的要求。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对上述现有技术存在的缺陷，提供一种用于MOCVD设备反应室的均气装置。
本实用新型采用的技术方案是，设计一种用于MOCVD设备反应室的均气装置，包括：设于反应室上方的法兰，该法兰设有上下两层隔开的气源腔室，所述的气源腔室内部设有使气源在水平方向均匀分布的引流槽，上下两层气源腔室的出口设有均流网，第一气源依次与上下层气源腔室连通，第二气源与下层气源腔室连通。
所述上层气源腔室出口的均流网比下层气源腔室出口的均流网细密。
在一实施例中，所述的法兰还设有冷却装置，该冷却装置包括设置在法兰上表面的盖板，该盖板和法兰上表面之间形成冷却水层，冷却水层中带有冷却水引流槽。所述的冷却装置设有监控出水温度的温度检测装置。
与现有技术相比，本实用新型能给MOCVD反应室装置提供一个均匀的气场，从而保证淀积薄膜厚度的均匀性、提高批量生产合格率以及能量、气源利用率，满足半导体产业化高产出与低成本的要求。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对实用新型进行详细的说明。
如图1所示，本实用新型提出的用于MOCVD设备反应室的均气装置包括：设于反应室上方的法兰1，该法兰设有上下两层隔开的气源腔室2和气源腔室3，气源腔室内部设有使气源在水平方向均匀分布的引流槽4，上层气源腔室2的出口设有均流网5，下层气源腔室的出口设有均流网6，上层气源腔室出口的均流网5比下层气源腔室出口的均流网6细密。
第一气源7由进气口8、法兰1进入反应室内。第一气源7首先到达上层气源腔室2，经引流槽4水平扩散均匀分配，然后通过均流网5进入下层气源腔室3，在下层气源腔室经引流槽4水平扩散均匀分配后通过均流网6的均匀筛分进入反应室。作为主气流的第一气源的气流速度经过引流槽的缓冲，使反应气源均匀、等速地进入反应室内。第二气源9由进气口10、法兰9直接进入下层气源腔室3，由下层气源腔室分布的气源引流槽4水平扩散至整个均流网6的上表面，同样由均流网6缓冲导出，均匀等速送入反应室，这样就为化学气相沉积提供一个非常均匀的气氛场。
该实施例若生长ZnO膜中，第一气源连接氧气，第二气源连接烷基化合物。第一气源和第二气源也可以通过多个进气口进入气源腔室。
在本实施例中，法兰1还设置冷却装置，在法兰1的上面设有盖板11，法兰上表面和盖板之间形成冷却水层12，冷却水层中带有冷却水引流槽13。冷却水层覆盖法兰1整个气源区域的顶面，加快送气区域的冷却。该冷却装置设有监控出水温度的温度检测装置，用于对从送气法兰中排出的冷水水温进行严格监控，采用恒定出水温度方式达到恒定气源的温度。
上述实施例仅用于说明本实用新型的具体实施方式。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和变化，这些变形和变化都应属于本实用新型的保护范围。
Claims (5)
1.一种反应室均气装置，其特征在于包括：设于反应室上方的法兰，该法兰设有上下两层隔开的气源腔室，所述的气源腔室内部设有使气源在水平方向均匀分布的引流槽，上下两层气源腔室的出口设有均流网，第一气源依次与上下层气源腔室连通，第二气源与下层气源腔室连通。
2.如权利要求1所述的反应室均气装置，其特征在于：上层气源腔室出口的均流网比下层气源腔室出口的均流网细密。
3.如权利要求1所述的反应室均气装置，其特征在于：所述的法兰还设有冷却装置，该冷却装置包括设置在法兰（1）上表面的盖板（11），该盖板和法兰（1）上表面之间形成冷却水层（12），冷却水层中带有冷却水引流槽（13）。
4.如权利要求3所述的反应室均气装置，其特征在于：所述的冷却装置设有监控出水温度的温度检测装置。
5.如权利要求1所述的反应室均气装置，其特征在于：所述气源腔室与多个进气口连接。
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| CN 201220499888 CN202881383U (zh) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | 一种用于mocvd设备反应室的均气装置 |
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| CN 201220499888 CN202881383U (zh) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | 一种用于mocvd设备反应室的均气装置 |
Publications (1)
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| CN202881383U true CN202881383U (zh) | 2013-04-17 |
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| CN 201220499888 Expired - Lifetime CN202881383U (zh) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | 一种用于mocvd设备反应室的均气装置 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN202881383U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105386122A (zh) * | 2015-10-20 | 2016-03-09 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 硅外延反应室的进气调节组件及气流分布调节装置 |
| CN107326341A (zh) * | 2017-07-14 | 2017-11-07 | 君泰创新（北京）科技有限公司 | Lpcvd工艺腔匀气装置 |
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2012
- 2012-09-28 CN CN 201220499888 patent/CN202881383U/zh not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| CN105386122A (zh) * | 2015-10-20 | 2016-03-09 | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 | 硅外延反应室的进气调节组件及气流分布调节装置 |
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