CN101545103A - 用以分布气体的装置 - Google Patents

Abstract

本发明一种用以分布气体的装置，包含有一本体与一基板，本体内部具有一容室与一连通容室的开口，本体是可移动地设于沉积设备的一腔体，基板设有至少二第一通孔，基板设于本体的容室靠近开口位置。通过上述组成，本发明可批次进行多片物料的镀膜沉积作业，反应气体的分布较为均匀，另外还可弹性调整反应气体的分布状态，镀膜作业亦较为快速。

Description

用以分布气体的装置

技术领域

本发明涉及沉积设备，特别是指一种用以分布气体于沉积设备的装置。

背景技术

沉积制备方法常应用于半导体技术，主要是利用物理或化学方式沉积薄膜在预定的材料表面。例如太阳能电池的制造过程中，就是以等离子辅助化学气相沉积法在玻璃基板表面镀上晶硅或非晶硅薄膜，薄膜在受光后即可转换能量为电力。

一般的沉积设备是以一次沉积单一物料的方式进行镀膜，而为了增加镀膜的速度，另外也有一次可镀膜多件物料的气相沉积设备，其主要是将多件物料分别放入一反应腔体，再导入反应气体至腔体内部产生反应，使各物料同时进行沉积镀膜。

然而，同时进行上述多件物料的沉积镀膜作业的设备中，反应气体的分布状态会直接影响到镀膜的速度及质量，若是反应气体无法均匀地分布于各物料的表面，沉积镀膜的质量容易出现厚度不均，甚至是无法在表面成膜的现象。

发明内容

本发明的主要目的乃在提供一种用以分布气体的装置，其应用于沉积设备时，是可批次进行多片物料的镀膜沉积作业，且反应气体的分布较为均匀。

本发明的另一目的则在提供一种用于沉积设备的装置，其可调整反应气体的分布状态，使批次镀膜作业更为弹性地配合使用需求，质量亦较佳。

为达成前揭目的，本发明所提供用以分布气体的装置，包含有一本体与一基板，该本体内部具有一容室与一连通该容室的开口，该本体是可移动地设于一沉积设备的腔体，该基板设有至少二第一通孔，该基板是设于该本体的容室靠近该开口位置。通过上述本发明的组成，即可达成批次进行多片物料的镀膜沉积作业，反应气体的分布较为均匀，以及可弹性调整反应气体的分布状态，使镀膜作业较为快速，质量亦较佳等目的。

附图说明

图1是本发明一较佳实施例的前剖视图；

图2是本发明一较佳实施例的侧剖视图；

图3是本发明一较佳实施例中基板的俯视图；

图4是本发明一较佳实施例中导流板的仰视图；

图5是图3的局部视图；

图6是图3的局部视图；

图7是本发明一较佳实施例中基板的另一实施态样。

【主要组件符号说明】

10 装置     20 本体

22 容室     24 开口

25 第一空间 26 第二空间

27 承置空间 30 基板

32 第一通孔 34 固定孔

40 导流板   42 第二通孔

44 定位件   50 挡片

52 凸部     54 移动式挡片

56 导槽  60 片状物料

具体实施方式

以下，兹配合图式列举一较佳实施例，用以说明本发明的详细结构与功效。请参阅各图式，为本发明一较佳实施例所提供用以分布气体的装置，其主要应用于沉积设备。该设备可利用物理气相、化学气相，或其它方式批次进行片状物料的镀膜作业，该装置10包含有一本体20、一基板30以及一导流板40。

请参阅图1及图2所示，为本体20的顶部状态，本体20内部具有一容室22，顶面具有一连通于容室22的开口24。本体20是可移动地进出沉积设备的腔体。

如图3、图5及图6所示，基板30具有多个第一通孔32，所述第一通孔32是以两列呈相互间隔地排列于基板30，而各列的第一通孔32二侧分设多个固定孔34，所述固定孔34呈间距较为紧密状地排列设置。基板30是横设于本体20的容室22，且位在靠近开口24的下方位置。

如图2及图4所示，导流板40具有多个贯穿顶、底面的第二通孔42，各该第二通孔42是呈矩阵状地排列于导流板40。导流板40横设于本体20的容室22，且位于基板30下方，如图1所示，本体20的容室22通过基板30与导流板40分别区隔出一第一空间25、一第二空间26，以及一承置空间27。导流板40的底面另设有多个相互间隔的定位件44，第二通孔42分布于相邻定位件44之间，各定位件44可供插入一需镀膜的片状物料60。

再如图5及图6所示，各挡片50的外形概同于第一通孔32的形状，且面积略大于第一通孔32。挡片50的二相对侧缘边分设有二凸部52。各挡片50可利用固定件分别设于各凸部52与基板30的各固定孔34，使挡片50可拆卸地分设于基板30的第一通孔32位置，以使各第一通孔32呈封闭或开放状。基板30另设有若干移动式挡片54，移动式挡片54二侧分别设有一导槽56。各移动式挡片54亦设于各第一通孔32处，且利用固定件穿设于各导槽56与固定孔34，移动式挡片54即可相对于基板30滑移，进而改变第一通孔32的开孔大小。

通过上述结构说明，当欲同时进行多个片状物料的沉积制备方法时，首先是把多个片状物料60分别放入本体20的定位件44后，再将整个本体20送入沉积设备的腔体内部。接着，用来作为气相沉积的反应气体会经由开口24流入本体20内部。反应气体首先流进第一空间25，并触及基板30而由呈开放状的第一通孔32流至第二空间26，流入第二空间26的反应气体则再流经导流板40的第二通孔42，进而由相邻二定位件44之间流入承置空间27内。当反应气体流入承置空间27时，反应气体恰好沿着片状物料60的表面流动，使得气相沉积反应的沉积物即可附着于片状物料表面，达成镀膜于片状物料的作用。

由于挡片50设于基板30时，可以让部分第一通孔32呈封闭状，部分呈开放状，因此当反应气体流入本体20的第一空间25时，只能由呈开放状的第一通孔32流入第二空间26，使得流入第二空间26内的气体浓度分布可依据呈开放状的第一通孔32位置而调整并改变，靠近呈开放状的第一通孔32位置的气体浓度较高，远离者的气体浓度较低。另外，移动式挡片54也可改变所设置位置的第一通孔32的开孔范围大小，开孔范围较小时，能通过的反应气体较少，进入第二空间26的气体浓度亦相对较小，反之亦然。将挡片50与移动式挡片54搭配使用之后，可以更为弹性与精确地调整反应气体于本体20内的分布区域。进一步而言，如图7所示，若是反应气体的分布状态呈固定方式的时候，也可直接于基板30的预定位置设置第一通孔32，而不需使用挡片，亦能达成上述功能目的。

再者，流入第一空间25的反应气体透过第二空间26的各第二通孔42流入承置空间27，可使反应气体散布于各片状物料60之间，因此，经由气相沉积反应之后，散布片状物料60之间的气体皆能进行沉积镀膜作业，使得反应更为完全，镀膜较为平均与快速，也可增加反应材料的利用率。

通过前述说明，本发明即可达成于批次进行多片物料的镀膜沉积作业时，使反应气体的分布较为均匀，以及可弹性调整反应气体的分布状态，使镀膜作业较为快速，质量亦较佳等功效及目的。

Claims (6)

1.一种用以分布气体的装置，其特征在于包含有：

一本体，内部具有一容室与一连通该容室的开口；该本体是可移动地设于一沉积设备的腔体；以及

一基板，设有至少二第一通孔，该基板是设于该本体的容室靠近该开口位置。

2.如权利要求1所述用以分布气体的装置，其特征在于，该基板设有至少一挡片，各该挡片是可拆卸地分设于该基板的第一通孔位置，使该第一通孔呈封闭或开放状。

3.如权利要求1所述用以分布气体的装置，其特征在于，该基板设有至少一移动式挡片，各该移动式挡片是可滑移地设于该基板的第一通孔处，使各该移动式挡片用以改变该第一通孔的开孔大小。

4.如权利要求1所述用以分布气体的装置，其特征在于，还包含有一导流板，该导流板具有至少二第二通孔，该导流板是以与该基板相互间隔地设于该本体的容室。

5.如权利要求4所述用以分布气体的装置，其特征在于，该导流板另设有多个相互间隔的定位件，各该定位件可供插入一需镀膜的片状物料。

6.如权利要求5所述用以分布气体的装置，其特征在于，该导流板的第二通孔是分设于相邻定位件之间。

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