CN217026061U - 一种磁控溅射用工艺供气分布系统 - Google Patents

Abstract

本实用新型属于磁控溅射镀膜技术领域，具体公开了一种磁控溅射用工艺供气分布系统，包括气管固定槽、辅助供气方管以及主供气方管；气管固定槽的一侧固接有气管承载板，辅助供气方管以及主供气方管并排固定在气管承载板和气管固定槽的内顶壁之间；主供气方管的内部设有主供气圆管，主供气圆管的顶部设有第一出气孔，主供气方管的底部开设有第二出气孔；辅助供气方管的内部通过隔板上下分为两腔室，隔板上竖直贯穿有隔片，隔片的上下端均与辅助供气方管的内壁固接，隔板上设有第三出气孔，辅助供气方管的底部开设有第四出气孔；气管固定槽的顶部安装有辅助供气机构，气管固定槽的顶部固接有气管固定槽板，气管固定槽板的顶部与辅助供气机构连接。

Description

一种磁控溅射用工艺供气分布系统

技术领域

本实用新型涉及磁控溅射镀膜技术领域，具体为一种磁控溅射用工艺供气分布系统。

背景技术

在国内外，如今真空镀膜在机械、电子、能源、信息等领域已经得到了广泛应用，而在真空镀膜中，生产效率及质量非常受人关注。真空镀膜技术又称为气相沉积技术，主要包括物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)。物理气相沉积是指在真空条件下，利用各种物理方法，将镀料气化成原子、分子、或使其离化为离子，直接沉积到基体表面上的方法，物理气相沉积本身分为三种：真空蒸发镀膜、真空溅射镀和真空离子镀膜，近十年来发展相当快，已经成为当今最先进的表面处理方式之一。

在真空溅射镀膜、真空离子镀膜和真空化学气相沉积等镀膜设备上都设有供气分布系统，现有的磁控溅射用工艺供气分布系统设计不合理，不能得到均匀的膜层。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种磁控溅射用工艺供气分布系统，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种磁控溅射用工艺供气分布系统，包括气管固定槽、辅助供气方管以及主供气方管；所述气管固定槽的一侧固接有气管承载板，且所述辅助供气方管以及主供气方管并排固定在气管承载板和气管固定槽的内顶壁之间；所述辅助供气方管以及主供气方管的两端均安装有端盖，所述主供气方管的内部设有主供气圆管，主供气圆管的顶部开设有第一出气孔，所述主供气方管的底部开设有第二出气孔；所述主供气方管的前端端盖上安装有直通接头，且直通接头与主供气圆管连通；所述辅助供气方管的内部通过隔板上下分为两腔室，所述隔板上竖直贯穿有隔片，且隔片的上下端均与辅助供气方管的内壁固接，所述隔板上开设有第三出气孔，辅助供气方管的底部开设有第四出气孔；所述气管固定槽的顶部安装有辅助供气机构，所述气管固定槽的顶部固接有气管固定槽板，且气管固定槽板的顶部与辅助供气机构连接。

优选的，所述气管固定槽呈“Z”型结构。

优选的，所述气管承载板设有若干个，且若干个气管承载板等间隔设置。

优选的，所述第一出气孔、第二出气孔、第三出气孔以及第四出气孔均设有若干个，且若干个第一出气孔、第二出气孔、第三出气孔以及第四出气孔均呈线性阵列设置；所述第四出气孔与承载板位置错开设置。

优选的，所述第一出气孔的孔径大于第二出气孔，第三出气孔的孔径大于第四出气孔，且第一出气孔的数量大于第二出气孔，第三出气孔的数量大于第四出气孔。

优选的，所述辅助供气机构包括辅助供气总管，辅助供气总管的一侧中部设有进气管，辅助供气总管由上至下间隔设有若干个L型支管，且若干L型支管分成三组，且每组L型支管的竖管底端高度呈阶梯型分布，且每组相邻两个L型支管的底端之间通过横管连通，且每组中底端最低的一个L型支管上安装有控制阀；所述辅助供气总管的底端连通有竖支管，竖支管与辅助供气方管连通，且竖支管上安装有控制阀。

优选的，所述隔片设有三个，并将辅助供气方管的内部分成四段，且竖支管与辅助供气方管端头的一段连通，三组L型支管分别对应与另外三段连通。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型主要包括主供气方管和辅助供气方管，其中，辅助供气方管内部分成多段，多段辅助供气可以根据膜层位置的均匀性，分段补充气体，来保证镀膜层的均匀性；其中，主供气方管内部的主供气圆管充入气体，气体经第一出气孔逸出，经主供气方管的反射，从第二出气孔进入真空反应室，主供气圆管中的气体在逸出之前，通过分子与分子，分子与管壁的多次碰撞，使密度变得均匀，因此，能够弥补真空室中不均匀的压强分布，使真空镀膜的膜层均匀性更加好；辅助供气方管的气流与主气供气原理相同，辅助供气主要用来弥补某段气流、压强不均，致使气流一致均匀。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图；

图2为本实用新型的内部结构示意图；

图3为本实用新型的辅助供气总管的侧视结构示意图；

图4为本实用新型的隔板的俯视结构示意图。

图中：1、气管固定槽；2、辅助供气方管；3、主供气方管；4、主供气圆管；5、气管固定槽板；6、端盖；7、气管承载板；8、隔板；9、隔片；10、第一出气孔；11、第二出气孔；12、直通接头；13、第三出气孔；14、第四出气孔；15、辅助供气总管；16、进气管；17、L型支管；18、竖支管。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“竖直”、“上”、“下”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

请参阅图1-4，本实用新型提供一种技术方案：一种磁控溅射用工艺供气分布系统，包括气管固定槽1、辅助供气方管2以及主供气方管3；所述气管固定槽1的一侧固接有气管承载板7，且所述辅助供气方管2以及主供气方管3并排固定在气管承载板7和气管固定槽1的内顶壁之间；所述辅助供气方管2以及主供气方管3的两端均安装有端盖6，所述主供气方管3的内部设有主供气圆管4，主供气圆管4的顶部开设有第一出气孔10，所述主供气方管3的底部开设有第二出气孔11；所述主供气方管3的前端端盖6上安装有直通接头12，且直通接头12与主供气圆管4连通；所述辅助供气方管2的内部通过隔板8上下分为两腔室，所述隔板8上竖直贯穿有隔片9，且隔片9的上下端均与辅助供气方管2的内壁固接，所述隔板8上开设有第三出气孔13，辅助供气方管2的底部开设有第四出气孔14；所述气管固定槽1的顶部安装有辅助供气机构，所述气管固定槽1的顶部固接有气管固定槽板5，且气管固定槽板5的顶部与辅助供气机构连接。

进一步的，所述气管固定槽1呈“Z”型结构。

进一步的，所述气管承载板7设有若干个，且若干个气管承载板7等间隔设置，用于对辅助供气方管2以及主供气方管3进行支撑固定。

进一步的，所述第一出气孔10、第二出气孔11、第三出气孔13以及第四出气孔14均设有若干个，且若干个第一出气孔10、第二出气孔11、第三出气孔13以及第四出气孔14均呈线性阵列设置；所述第四出气孔14与承载板7位置错开设置，使气体能够均匀喷入真空反应室内。

进一步的，所述第一出气孔10的孔径大于第二出气孔11，第三出气孔13的孔径大于第四出气孔14，且第一出气孔10的数量大于第二出气孔11，第三出气孔13的数量大于第四出气孔14。

进一步的，所述辅助供气机构包括辅助供气总管15，辅助供气总管15的一侧中部设有进气管16，进气管16固定安装在气管固定槽板5上，辅助供气总管15由上至下间隔设有若干个L型支管17，且若干L型支管17分成三组，且每组L型支管17的竖管底端高度呈阶梯型分布，且每组相邻两个L型支管17的底端之间通过横管连通，且每组中底端最低的一个L型支管17与辅助供气总管15连通，且每组中底端最低的一个L型支管17上安装有控制阀，用于增强系统的流导，以提高充气系统的效率；所述辅助供气总管15的底端连通有竖支管18，竖支管18与辅助供气方管2连通，且竖支管18上安装有控制阀。

进一步的，所述隔片9设有三个，并将辅助供气方管2的内部分成四段，且竖支管18与辅助供气方管2端头的一段连通，三组L型支管17分别对应与另外三段连通。

工作原理：使用时，主供气方管3与辅助供气方管2相辅相成，相互弥补气流的均匀性，主供气方管3中，高压气体从直通接头12充入主供气圆管4内，气体经第一出气孔10逸出，经主供气方管3内壁的反射，从第二出气孔11进入真空反应室，主供气圆管4中的气体在逸出之前，通过分子与分子，分子与管壁的多次碰撞，使密度变得均匀，逸出之后，再与主供气方管3内壁碰撞，因此，通过第二出气孔11喷出的气体更加均匀，因此，能够弥补真空室中不均匀的压强分布，使真空镀膜的膜层均匀性更加好；辅助供气方管2中，高压气体通过进气管16充入辅助供气总管15，根据真空室内部压强分布情况开启或关闭控制阀，使补充的气体进入辅助供气方管2中需要补气的一段，用来弥补某段气流、压强不均，使真空反应室气流一致均匀，保证镀膜层的均匀性。

值得注意的是：整个装置通过总控制按钮对其实现控制，由于控制按钮匹配的设备为常用设备，属于现有成熟技术，在此不再赘述其电性连接关系以及具体的电路结构。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (7)

1.一种磁控溅射用工艺供气分布系统，其特征在于，包括气管固定槽(1)、辅助供气方管(2)以及主供气方管(3)；所述气管固定槽(1)的一侧固接有气管承载板(7)，且所述辅助供气方管(2)以及主供气方管(3)并排固定在气管承载板(7)和气管固定槽(1)的内顶壁之间；所述辅助供气方管(2)以及主供气方管(3)的两端均安装有端盖(6)，所述主供气方管(3)的内部设有主供气圆管(4)，主供气圆管(4)的顶部开设有第一出气孔(10)，所述主供气方管(3)的底部开设有第二出气孔(11)；所述主供气方管(3)的前端端盖(6)上安装有直通接头(12)，且直通接头(12)与主供气圆管(4)连通；所述辅助供气方管(2)的内部通过隔板(8)上下分为两腔室，所述隔板(8)上竖直贯穿有隔片(9)，且隔片(9)的上下端均与辅助供气方管(2)的内壁固接，所述隔板(8)上开设有第三出气孔(13)，辅助供气方管(2)的底部开设有第四出气孔(14)；所述气管固定槽(1)的顶部安装有辅助供气机构，所述气管固定槽(1)的顶部固接有气管固定槽板(5)，且气管固定槽板(5)的顶部与辅助供气机构连接。

2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射用工艺供气分布系统，其特征在于：所述气管固定槽(1)呈“Z”型结构。

3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射用工艺供气分布系统，其特征在于：所述气管承载板(7)设有若干个，且若干个气管承载板(7)等间隔设置。

4.根据权利要求1所述的一种磁控溅射用工艺供气分布系统，其特征在于：所述第一出气孔(10)、第二出气孔(11)、第三出气孔(13)以及第四出气孔(14)均设有若干个，且若干个第一出气孔(10)、第二出气孔(11)、第三出气孔(13)以及第四出气孔(14)均呈线性阵列设置；所述第四出气孔(14)与承载板(7)位置错开设置。

5.根据权利要求1所述的一种磁控溅射用工艺供气分布系统，其特征在于：所述第一出气孔(10)的孔径大于第二出气孔(11)，第三出气孔(13)的孔径大于第四出气孔(14)，且第一出气孔(10)的数量大于第二出气孔(11)，第三出气孔(13)的数量大于第四出气孔(14)。

6.根据权利要求1所述的一种磁控溅射用工艺供气分布系统，其特征在于：所述辅助供气机构包括辅助供气总管(15)，辅助供气总管(15)的一侧中部设有进气管(16)，辅助供气总管(15)由上至下间隔设有若干个L型支管(17)，且若干L型支管(17)分成三组，且每组L型支管(17)的竖管底端高度呈阶梯型分布，且每组相邻两个L型支管(17)的底端之间通过横管连通，且每组中底端最低的一个L型支管(17)上安装有控制阀；所述辅助供气总管(15)的底端连通有竖支管(18)，竖支管(18)与辅助供气方管(2)连通，且竖支管(18)上安装有控制阀。

7.根据权利要求1所述的一种磁控溅射用工艺供气分布系统，其特征在于：所述隔片(9)设有三个，并将辅助供气方管(2)的内部分成四段，且竖支管(18)与辅助供气方管(2)端头的一段连通，三组L型支管(17)分别对应与另外三段连通。

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