CN115404462A - 基片载具及炉管镀膜设备 - Google Patents
基片载具及炉管镀膜设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115404462A CN115404462A CN202211144695.1A CN202211144695A CN115404462A CN 115404462 A CN115404462 A CN 115404462A CN 202211144695 A CN202211144695 A CN 202211144695A CN 115404462 A CN115404462 A CN 115404462A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- supporting
- disposed
- port
- outer edge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 137
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 23
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 16
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011797 cavity material Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明提供了一种基片载具及炉管镀膜设备。本发明的基片载具包括固定架和至少三个支撑部;各个支撑部均竖直设置于固定架,且至少一个支撑部设置于之外的至少两个支撑部所在的方向之外;支撑部沿竖直方向设有若干外沿部,任意两个相邻的外沿部之间留有间隙,间隙用于固定基片。本发明的基片载具通过在固定架上设置至少三个支撑部,并在支撑部上沿竖直方向设置若干个外沿部,使得能够通过各个支撑部上的外沿部对基片进行至少三点的支撑,使得基片能够水平或与水平面呈一定的倾角设置,这样使得基片之间的空间更容易流动气体,且气体的流动对基片的侧面机会没有作用力,极大的降低气体流动对基片的冲击,降低基片翘曲的可能,保证成品率。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池生产技术领域,尤其涉及一种基片载具及炉管镀膜设备。
背景技术
常规的化石燃料日益消耗殆尽,在所有的可持续能源中,太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前,在所有的太阳电池中,晶体硅太阳电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一,这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量,同时晶体硅太阳电池相比其他类型的太阳能电池有着优异的电学性能和机械性能,因此,晶体硅太阳电池在光伏领域占据着重要的地位。
现有技术中,晶体硅太阳能电池的制备工艺主要包括:清洗、去损伤层、制绒、扩散制结、刻蚀、沉积减反射膜、印刷、烧结、电池片测试。其中,扩散制结是晶体硅太阳能电池生产过程中的一道核心工序。现有的扩散工序普遍采用高温扩散炉进行扩散,即把基片放置在炉管中,这需要使用石英舟。
现有的方案通常将基片竖直设置在石英舟内,且由于现有技术送通常在炉管的两端进行供气,这样容易使得气体在片间不易传播,且这样设置由于气体的运动方向通常与基片排布的竖直方向存在较大的分力,容易提升基片加工过程中的翘曲率,容易造成成品率降低的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基片载具及炉管镀膜设备,用于解决现有技术中片间气体不易传播、成品率低的问题。
为实现上述目的,本发明提供了一种基片载具,包括固定架和至少三个支撑部;各个所述支撑部均竖直设置于所述固定架,且至少一个所述支撑部设置于之外的至少两个所述支撑部所在的方向之外;所述支撑部沿竖直方向设有若干外沿部,任意两个相邻的所述外沿部之间留有间隙,所述间隙用于固定基片。
本发明的基片载具的有益效果在于:通过在所述固定架上设置至少三个所述支撑部,并在所述支撑部上沿竖直方向设置若干个外沿部,使得能够通过各个所述支撑部上的外沿部对基片进行至少三点的支撑,使得所述基片能够水平或与水平面呈一定的倾角设置,这样使得基片之间的空间更容易流动气体,且气体的流动对基片的侧面机会没有作用力,极大的降低气体流动对基片的冲击,降低基片翘曲的可能,保证成品率。
在一种可行的实施例中,所述外沿部设有通孔或镂空。其有益效果在于:设置所述通孔或所述镂空,一方面能够降低所述外沿部的质量,另一方面能够降低所述外沿部与基片的接触面积,在一定的情况下,能够提升基片的侧面与空间的接触面积。
在一种可行的实施例中,所述固定架设有两个相对且水平设置的支撑面,所述支撑部的两端分别设置于两个所述支撑面。其有益效果在于:设置所述支撑面对所述支撑部进行固定,提升固定的稳定性,且能够避免上下侧方向气体对基片的冲击。
在一种可行的实施例中,所述支撑部的数量设置为四个,两个所述支撑部设置于第一直线,另外两个所述支撑部设置于第二直线,所述第一直线和所述第二直线相互平行,且所述第一直线的所述支撑部的所述外沿部朝向所述第二直线设置,所述第二直线的所述支撑部的所述外沿部朝向所述第一直线设置。其有益效果在于:这样设置,使得四个所述支撑部呈矩形设置,能够对基片形成四点支撑,且这样便于将基片沿直线的方向进行取放,便于使用。
在一种可行的实施例中,所述外沿部设有条纹部,所述条纹部用于支撑基片。其有益效果在于:在所述外沿部设置所述条纹部,能够降低所述基片与所述载具的接触面积,能够提升基片在镀膜时的镀膜面积。
在一种可行的实施例中,所述条纹部的顶部设有圆角。其有益效果在于:设置所述圆角能够避免所述条纹部刮伤所述基片。
在一种可行的实施例中,所述外沿部设有球凸部,所述球凸部用于支撑基片。其有益效果在于:设置所述球凸部,通过所述球凸部对基片进行支撑,使基片与载具之间的接触方式调整为点接触,能够降低所述基片与所述载具的接触面积,能够提升基片在镀膜时的镀膜面积。
在一种可行的实施例中,所述支撑部沿水平方向可移动的设置于所述固定架。其有益效果在于:这样便于调整所述载具能够适配的基片的大小。
在一种可行的实施例中,所述支撑部沿竖直方向可移动的设置于所述固定架。其有益效果在于:这样设置能够调整基片相对于水平面的夹角,这样能够调整基片自身重力对基片的影响,降低基片中间受重力的影响。
在一种可行的实施例中,还包括微调机构;所述微调机构设置于所述固定架,所述微调机构用于调整所述支撑部的高度。其有益效果在于:设置所述微调机构能够调整所述支撑部的高度,便于调整所述载具上基片相对于水平面的夹角。
在一种可行的实施例中,所述支撑部包括第一支撑部和第二支撑部;所述第一支撑部和所述第二支撑部均沿竖直方向可移动的设置于所述固定架;所述微调机构同时与所述第一支撑部和所述第二支撑部连接,所述微调机构用于同步反向调整所述第一支撑部和所述第二支撑部的高度。其有益效果在于:通过所述微调机构同步降低所述第一支撑部和升高所述第二支撑部的高度,或通过所述微调机构同步降低所述第二支撑部和升高所述第一支撑部的高度,这样一方面能够降低所述微调机构的功耗,另一方面能够加速所述支撑部高度调整的速度。
在一种可行的实施例中,至少一个所述支撑部设有导流孔,且所述导流孔贯穿该所述支撑部。其有益效果在于:由于对基片进行加工时,需在载具的一侧进行气流的输入,在支撑部的背向气流输入的侧面容易形成气流死区,使得该部分的基片无法与气流接触,进而无法在该部分基片上进行镀膜,在所述支撑部上设置所述导流孔,使得气流能够穿过所述支撑部进入到支撑部背侧范围内,使得死区无法形成,提升气流与基片的接触面积。
在一种可行的实施例中,所述导流孔包括第一端口和第二端口;所述第一端口和所述第二端口位于所述支撑部相邻或相对侧面。其有益效果在于:将所述第一端口和所述第二端口设置于所述支撑部的相邻侧面或相对侧面,使得所述导流孔的一个端口能够延伸至所述支撑部的背侧,且另一个端口可以延伸至载具的进气侧。
在一种可行的实施例中,所述导流孔还包括第三端口;所述第三端口设置于所述支撑部与所述第一端口或所述第二端口相邻的侧面。其有益效果在于:将所述导流孔设置为三个端口的结构,使得从进气侧进入所述导流孔的气体可以从所述支撑部的不同侧面流出,便于所述导流孔设置不同的气流走向。
在一种可行的实施例中,所述第一端口、所述第二端口或所述第三端口朝向所述间隙设置。其有益效果在于:将三个端口中的一个端口朝向所述间隙处设置,使得导流孔内的气体能够运动至所述间隙处,提升所述间隙处的气体流动能力。
在一种可行的实施例中,还包括导流件;所述导流件设置于所述固定架,且所述导流件与所述支撑部间隔设置。其有益效果在于:设置所述导流件,通过所述倒流件的作用使得所述载具进风侧的气体能够运动至所述支撑部处,能够避免所述支撑部背侧形成死区。
本发明还提供了一种炉管镀膜设备,包括炉体、供气装置和上述任一可行的实施例中所述的基片载具;所述炉体中空密封设置,所述供气装置与所述炉体的中空处连通,所述基片载具用于承载待镀膜基片,所述供气装置用于对所述待镀膜基片提供镀膜所需原料。
本发明的炉管镀膜设备的有益效果在于:通过所述炉体提供密闭腔体,并通过所述供气装置向所述炉体内通入镀膜用原料,使得能够对腔内的待镀膜对象进行镀膜。且通过所述载具对基片进行承载,使得基片能够水平或趋近于水平的设置于所述内腔内,且当基片趋近于水平设置时能够通过调整载具的设置方向,使得各个基片之间镀膜原料的流动方向能够与水平方向平行,能够降低腔内镀膜原料的流动对基片上下侧面形成的干扰,能够降低基片翘曲的可能,保证成品率。
附图说明
图1为本发明第一种实施例中基片载具的结构示意图;
图2为图1中A处的放大结构示意图;
图3为本发明第二种实施例中基片载具的结构示意图;
图4为本发明第二种实施例中基片载具盛放基片的结构示意图;
图5为本发明第三种实施例中外沿部设置通孔的部分结构示意图;
图6为本发明第四种实施例中外沿部设置镂空的部分结构示意图;
图7为本发明第五种实施例中外沿部设置条纹部的部分结构示意图;
图8为本发明第六种实施例中外沿部设置球凸部的部分结构示意图;
图9为本发明第七种实施例中基片载具的结构示意图;
图10为本发明第八种实施例中基片载具设置卡件的结构示意图;
图11为本发明第九种实施例中基片载具设置微调机构的结构示意图;
图12为本发明第十种实施例中微调机构的结构示意图;
图13为本发明第十一种实施例中导流孔的部分结构示意图;
图14为本发明第十二种实施例中导流孔的部分结构示意图;
图15为本发明第十三种实施例中导流孔的部分结构示意图;
图16为本发明第十四种实施例中导流孔的部分结构示意图;
图17为图16中单个导流孔的结构示意图;
图18为本发明第十五种实施例中基片载具的结构示意图;
图19为本发明第十六中实施例中炉管镀膜设备的剖面结构示意图。
图中标号:
1、固定架;101、支撑面;102、支撑板;103、连接件;
2、支撑部;201、第一支撑部;202、第二支撑部;203、卡件;
3、外沿部;301、条纹部;302、球凸部;303、通孔;304、镂空;
4、微调机构;401、驱动件;402、第一鼓包;403、第二鼓包;404、管件;
5、基片;
6、导流孔;601、第一端口;602、第二端口;603、第三端口;
7、导流件;
8、炉体;
9、供气装置;
10、基片载具。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。除非另外定义,此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。
针对现有技术存在的问题,本发明的实施例提供了一种基片载具及炉管镀膜设备。
图1为本发明第一种实施例中基片载具的结构示意图,图2为图1中A处的放大结构示意图,图3为本发明第二种实施例中基片载具的结构示意图,图4为本发明第二种实施例中基片载具盛放基片的结构示意图。
本发明一些实施例中,参考图1至图4,该基片载具包括固定架1和至少三个支撑部2;各个所述支撑部2均竖直设置于所述固定架1,且至少一个所述支撑部2设置于之外的至少两个所述支撑部2所在的方向之外;所述支撑部2设有若干外沿部3,任意两个相邻的所述外沿部3之间留有间隙,所述间隙用于固定基片5。
本发明一些具体实施例中,所述固定架1水平设置,所述支撑部2设置为三个,所述支撑部2为杆状,所述支撑部2竖直设置于所述固定架1,三个所述支撑部2呈正三角形固定设置于所述固定架1上,所述外沿部3呈凸起状或片状固定设置于所述支撑部2,且所述外沿部3水平设置,若干个所述外沿部3沿竖直方向均匀分布,且任意两个相邻的所述外沿部3之间留有间隙,所述间隙用于对所述基片5进行支撑。
在一些实施例中,两个所述支撑部2设置于待放置基片5的同一侧,另一个所述支撑部2设置于前两个所述支撑部2的对侧,这样能够对基片5的两个侧边形成三点支撑。
在一些实施例中,三个所述支撑部2分别设置于所述待放置基片5的三个侧面,这样能够对所述基片5的三个侧面形成三点支撑,使得能够平稳的放置基片5。
在一些实施例中,所述外沿部3为通过在所述支撑部2上挖槽形成,所述挖槽形成的空间即所述间隙。
在一些实施例中,所述间隙沿水平方向延伸。
在一些实施例中,所述基片5为应用于光伏领域的基片5。在一些具体的实施例中,所述基片5为太阳能发电用基片5。更具体的说,所述基片5正方形。
在一些实施例中,所述基片5为矩形。在一些其他的实施例中,所述基片5为圆形。
在一些实施例中,各个所述支撑部2上的各个所述外沿部3左右前后对齐设置,所述基片5水平设置在各个所述外沿部3之间的间隙。
在一些实施例中,各个所述支撑部2上的各个所述外沿部3左右前后对齐设置,所述基片5的左侧端设置的间隙的位置低于所述基片5的右侧端设置的间隙的位置,使得基片5倾斜设置。
在一些实施例中,所述基片为硅片或基板。
图5为本发明第三种实施例中外沿部设置通孔的部分结构示意图,图6为本发明第四种实施例中外沿部设置镂空的部分结构示意图。
本发明一些实施例中,参考图1至图6,所述外沿部3设有通孔303或镂空304。
本发明一些具体实施例中,所述外沿部3设有通孔303,所述通孔303上下贯穿所述外沿部3。
在一些实施例中,同一所述支撑部2上的各个所述外沿部3上的通孔303同轴设置。
在一些实施例中,所述外沿部3设有镂空304,所述镂空304设置于所述外沿部3的任意侧面。
在一些实施例中,所述镂空304为设置于所述外沿部3上侧面的凹槽或凹痕。在一些具体的实施例中,所述凹槽或凹痕延伸至所述外沿部3的侧面。
图7为本发明第五种实施例中外沿部设置条纹部的部分结构示意图,图8为本发明第六种实施例中外沿部设置球凸部的部分结构示意图。
本发明一些实施例中,参考图1至图8,所述外沿部3设有条纹部301,所述条纹部301用于支撑基片5。
本发明一些具体实施例中,所述条纹部301为通过在所述外延部上固定条状件形成,这样所述条纹部301的顶面高于原先所述外延部的顶面,使得放置基片5时通过条纹部301的顶面对基片5进行支撑。
在一些实施例中,所述条纹部301为通过在所述外延部上挖槽形成条状纹路形成,这样能够通过挖槽后的条状纹路的顶面对所述基片5进行支撑。
本发明一些实施例中,参考图1至图8,所述条纹部301的顶部设有圆角。
本发明一些具体实施例中,所述条纹部301前后方向延伸,所述条纹部301的左侧顶角和右侧顶角设有圆弧倒角(圆角)。
本发明一些实施例中,参考图1至图8,所述外沿部3设有球凸部302,所述球凸部302用于支撑基片5。
本发明一些具体实施例中,所述球凸部302即在所述外沿部3的上侧面设置凸起,所述凸起的顶面设有圆顶,且所述圆顶所在的位置为该所述外沿部3上的最高点。
图9为本发明第七种实施例中基片载具的结构示意图,图10为本发明第八种实施例中基片载具设置卡件的结构示意图,图11为本发明第九种实施例中基片载具设置微调机构的结构示意图。
本发明一些实施例中,参考图1至图11,所述固定架1设有两个相对且水平设置的支撑面101,所述支撑部2的两端分别设置于两个所述支撑面101。
本发明一些具体实施例中,所述支撑面101为一个支撑板102的侧面,所述支撑板102设置两个,两个所述支撑板102形成所述固定架1,两个所述支撑板102上下对应且水平设置,所述支撑部2固定设置于两个所述支撑板102之间。
本发明一些实施例中,参考图1至图11,所述支撑部2的数量设置为四个,两个所述支撑部2设置于第一直线,另外两个所述支撑部2设置于第二直线,所述第一直线和所述第二直线相互平行,且所述第一直线的所述支撑部2的所述外沿部3朝向所述第二直线设置,所述第二直线的所述支撑部2的所述外沿部3朝向所述第一直线设置。
本发明一些具体实施例中,所述支撑部2为杆状,两个所述支撑部2设置于所述固定架1的左侧,左侧的两个所述支撑部2的外沿部3设置于支撑部2的右侧面,另外两个所述支撑部2左右对称设置于所述固定架1的右侧,左侧两个所述支撑部2前后方向所在的直线即所述第一直线,右侧两个所述支撑部2前后方向所在的直线即所述第二直线,这样即能够将基片5前后方向输送至四个所述支撑部2之间,并对所述基片5的左右两个侧面形成支撑。
在一些实施例中,所述支撑部2设置为五个。在一些具体的实施例中,两个所述支撑部2设置于待放置基片5的左侧,两个所述支撑部2设置于所述待放置基片5的右侧,最后一个所述支撑部2设置于所述待放置基片5的后侧。在又一些实施例中,两个所述支撑部2设置于待放置基片5的左侧,一个所述支撑部2设置于所述待放置基片5的右侧,最后两个所述支撑部2设置于所述待放置基片5的后侧。在其他的一些实施例中,两个所述支撑部2设置于待放置基片5的左侧,三个所述支撑部2设置于所述待放置基片5的右侧。
在一些实施例中,所述支撑部2设置为任意大于等于六的整数。
在一些实施例中,所述支撑部2设置为七个或八个。
本发明一些实施例中,参考图1至图11,所述支撑部2沿水平方向可移动的设置于所述固定架1。
本发明一些具体实施例中,所述固定架1上设有条形槽,所述支撑部2通过螺栓可移动的设置于所述固定架1上,这样便可对所述支撑部2的相对间距进行调整。
在一些实施例中,前侧的所述支撑部2通过一个固定件或滑轨设置于所述固定架1,且所述支撑部2在所述固定件或所述滑轨上侧左右位置可调整,并且所述固定件或所述滑轨在所述固定架1上的前后位置可调整,而且后侧所述支撑部2在所述固定架1上的左右位置可调整。
本发明一些实施例中,参考图1至图11,所述支撑部2沿竖直方向可移动的设置于所述固定架1。
本发明一些具体实施例中,所述支撑部2上下可滑动的设置于所述固定架1,所述支撑部2的底面设有卡件203,所述卡件203可调整高低的设置于所述固定架1,通过调整所述卡件203的高低位置对所述支撑部2的位置进行调整。
在一些实施例中,所述固定架1上设有螺纹孔,所述卡件203上设有与之适配的外螺纹,通过转动所述卡件203调整所述支撑部2的高度。
在一些实施例中,两个所述支撑板102的侧面设有连接件103,所述连接件103用于对两个所述支撑板102的相对位置进行固定。
本发明一些实施例中,参考图1至图11,还包括微调机构4;所述微调机构4设置于所述固定架1,所述微调机构4用于调整所述支撑部2的高度。
本发明一些具体实施例中,所述驱动机构包括电机可齿轮,所述支撑部2上设有与所述齿轮啮合的齿结构,通过所述电机的驱动即能够带动所述支撑部2移动。
图12为本发明第十种实施例中微调机构的结构示意图。
本发明一些实施例中,参考图1至图12,所述支撑部2包括第一支撑部201和第二支撑部202;所述第一支撑部201和所述第二支撑部202均沿竖直方向可移动的设置于所述固定架1;所述微调机构4同时与所述第一支撑部201和所述第二支撑部202连接,所述微调机构4用于同步反向调整所述第一支撑部201和所述第二支撑部202的高度。
本发明一些具体实施例中,所述第一支撑部201和所述第二支撑部202分别两个对侧的所述支撑部2。以左侧的所述支撑部2为所述第一支撑部201、右侧的所述支撑部2为所述第二支撑部202为例,所述微调机构4包括驱动件401、第一鼓包402、第二鼓包403和管件404,所述第一鼓包402设置于所述第一支撑部201的下侧,所述第二鼓包403设置于所述第二支撑部202的下侧,所述第一支撑部201和所述第二支撑部202均可以上下滑动的设置于所述固定架1,所述管件404连通所述第一鼓包402和所述第二鼓包403,所述驱动件401为泵机,所述驱动架设置于所述管件404,所述第一鼓包402和所述第二鼓包403内设有气体或液体等流体,正向开启所述驱动件401将所述第一鼓包402内的流体通过所述管件404输送至所述第二鼓包403,反向开启所述驱动件401将所述第二鼓包403内的流体通过所述管件404输送至所述第一鼓包402,这样便可同步反向调整所述第一支撑部201和所述第二支撑部202的高度。
在一些实施例中,左侧的所述支撑部2设置于同一底座上,右侧的所述支撑部2设置于另一底座上,所述微调机构4包括电机与齿轮组,所述底座上设有齿结构,开启所述电机能够同步反向的带动两个底座上下运动,达到同步调整第一支撑部201和第二支撑部202的目的。
在一些实施例中,在镀膜过程中开启所述微调机构4对载具上的基片5的倾斜度进行调整,能够改变载具与基片5的接触位置,能够对基片5进行全方位镀膜。
图13为本发明第十一种实施例中导流孔的部分结构示意图,图14为本发明第十二种实施例中导流孔的部分结构示意图,图15为本发明第十三种实施例中导流孔的部分结构示意图,图16为本发明第十四种实施例中导流孔的部分结构示意图,图17为图16中单个导流孔的结构示意图。
本发明一些实施例中,参考图1至图17,至少一个所述支撑部2设有导流孔6,且所述导流孔6贯穿该所述支撑部2。
本发明一些具体实施例中,所述间隙前后方向设置,所述载具放置在镀膜设备内后,气体流向为从左至右,各个所述支撑部2部上均设置有左右方向贯穿所述支撑部2的导流孔6,且各个所述支撑部2上的导流孔6沿竖直方向设置为若干个。
在一些实施例中,所述导流孔6贯穿所述支撑部2的位置位于两个相邻的所述间隙之间,这样穿过所述导流孔6的气流能够直接运动至两个基片5之间。
在一些实施例中,所述导流孔6的延伸方向与所述气流方向之间设有夹角。
在一些实施例中,所述导流孔6设置为折线状或弧形。
本发明一些实施例中,参考图1至图17,所述导流孔6包括第一端口601和第二端口602;所述第一端口601和所述第二端口602位于所述支撑部2相邻或相对侧面。
本发明一些具体实施例中,所述第一端口601朝向所述载具的进气侧方向设置,所述第二端口602设置于所述支撑部2背向进气侧的方向。
在一些实施例中,所述载具的进气侧为左侧,所述第一端口601朝向左前方,所述第二端口602朝向右前方,此时所述第一端口601为所述导流孔6的进气端,所述第二端口602为所述导流孔6的出气端。
在一些实施例中,所述载具的进气侧为左侧,所述第一端口601朝向左前方,所述第二端口602朝向右侧,此时所述第一端口601为所述导流孔6的进气端,所述第二端口602为所述导流孔6的出气端。
在一些实施例中,所述载具的进气侧为左侧,所述第一端口601朝向左前方,所述第二端口602朝向右后方,此时所述第一端口601为所述导流孔6的进气端,所述第二端口602为所述导流孔6的出气端。
在一些实施例中,所述载具的进气侧为前侧,所述第一端口601朝向左后方,所述第二端口602朝向右前方,此时所述第二端口602为所述导流孔6的进气端,所述第一端口601为所述导流孔6的出气端。
在一些实施例中,所述导流孔6设置于所述外沿部3。
本发明一些实施例中,参考图1至图17,所述导流孔6还包括第三端口603;所述第三端口603设置于所述支撑部2与所述第一端口601或所述第二端口602相邻的侧面。
本发明一些具体实施例中,所述载具的进气侧为左侧,所述间隙的延伸方向为左右方向,所述第一端口601朝向左侧,所述第二端口602朝向右侧,所述第三端口603朝向上侧,且所述第三端口603与所述间隙对应设置。
在一些实施例中,所述第一端口601、所述第二端口602或所述第三端口603朝向所述间隙设置。
图18为本发明第十五种实施例中基片载具的结构示意图。
本发明一些实施例中,参考图1至图18,还包括导流件7;所述导流件7设置于所述固定架1,且所述导流件7与所述支撑部2间隔设置。
本发明一些具体实施例中,所述导流件7设置为弧形片或矩形片,所述导流件7固定设置于所述固定架1,且所述导流件7与所述支撑部2之间留有部分空间。
在一些实施例中,所述导流件7与所述支撑件之间的空间的敞口方向与所述载具的进气方向相同。
在一些实施例中,所述导流件7固定设置于所述支撑部2背向所述载具的进气方向的一侧,流向载具的气体经所述导流件7的作用能够运动至所述支撑部2背向气流流向的一侧,能够避免所述支撑部2的背侧形成死区。
图19为本发明第十六中实施例中炉管镀膜设备的剖面结构示意图。
本发明一些实施例中,参考图1至图19,该炉管镀膜设备包括炉体8、供气装置9和上述任一种实施例中所述的基片载具10;所述炉体8中空密封设置,所述供气装置9与所述炉体8的中空处连通,所述基片载具10用于承载待镀膜基片,所述供气装置9用于对所述待镀膜基片提供镀膜所需原料。
本发明一些具体实施例中,所述炉体8呈圆管状,两端密封,所述供气装置9与所述炉体8的一端连通,所述基片载具10放置于所述炉管内。
在一些实施例中,所述炉体8为加热炉,用以提供镀膜时所需的温度。
在一些实施例中,所述炉体8左右方向水平设置,所述基片载具10沿所述间隙左右水平设置的方向放置于所述炉体8内。
在一些实施例中,所述炉体8左右方向水平设置,所述基片载具10沿所述间隙前后水平设置的方向放置于所述炉体8内。
在一些实施例中,所述炉体8左右方向水平设置,所述基片载具10上的基片与水平面平行设置。
在一些实施例中,所述炉体8左右方向水平设置,所述极片载具上的基片前低后高、且左右方向水平设置。
在一些实施例中,所述炉体8前后方向水平设置。
虽然在上文中详细说明了本发明的实施方式,但是对于本领域的技术人员来说显而易见的是,能够对这些实施方式进行各种修改和变化。但是,应理解,这种修改和变化都属于权利要求书中所述的本发明的范围和精神之内。而且,在此说明的本发明可有其它的实施方式,并且可通过多种方式实施或实现。
Claims (17)
1.一种基片载具,其特征在于,包括固定架和至少三个支撑部;
各个所述支撑部均竖直设置于所述固定架,且至少一个所述支撑部设置于之外的至少两个所述支撑部所在的方向之外;
所述支撑部设有若干外沿部,任意两个相邻的所述外沿部之间留有间隙,所述间隙用于固定基片。
2.根据权利要求1所述的载具,其特征在于,所述外沿部设有通孔或镂空。
3.根据权利要求1所述的载具,其特征在于,所述固定架设有两个相对且水平设置的支撑面,所述支撑部的两端分别设置于两个所述支撑面。
4.根据权利要求1所述的载具,其特征在于,所述支撑部的数量设置为四个,两个所述支撑部设置于第一直线,另外两个所述支撑部设置于第二直线,所述第一直线和所述第二直线相互平行,且所述第一直线的所述支撑部的所述外沿部朝向所述第二直线设置,所述第二直线的所述支撑部的所述外沿部朝向所述第一直线设置。
5.根据权利要求1所述的载具,其特征在于,所述外沿部设有条纹部,所述条纹部用于支撑基片。
6.根据权利要求5所述的载具,其特征在于,所述条纹部的顶部设有圆角。
7.根据权利要求1所述的载具,其特征在于,所述外沿部设有球凸部,所述球凸部用于支撑基片。
8.根据权利要求1所述的载具,其特征在于,所述支撑部沿水平方向可移动的设置于所述固定架。
9.根据权利要求1所述的载具,其特征在于,所述支撑部沿竖直方向可移动的设置于所述固定架。
10.根据权利要求9所述的载具,其特征在于,还包括微调机构;
所述微调机构设置于所述固定架,所述微调机构用于调整所述支撑部的高度。
11.根据权利要求10所述的载具,其特征在于,所述支撑部包括第一支撑部和第二支撑部;
所述第一支撑部和所述第二支撑部均沿竖直方向可移动的设置于所述固定架;
所述微调机构同时与所述第一支撑部和所述第二支撑部连接,所述微调机构用于同步反向调整所述第一支撑部和所述第二支撑部的高度。
12.根据权利要求1所述的载具,其特征在于,至少一个所述支撑部设有导流孔,且所述导流孔贯穿该所述支撑部。
13.根据权利要求12所述的载具,其特征在于,所述导流孔包括第一端口和第二端口;
所述第一端口和所述第二端口位于所述支撑部相邻或相对侧面。
14.根据权利要求13所述的载具,其特征在于,所述导流孔还包括第三端口;
所述第三端口设置于所述支撑部与所述第一端口或所述第二端口相邻的侧面。
15.根据权利要求14所述的载具,其特征在于,所述第一端口、所述第二端口或所述第三端口朝向所述间隙设置。
16.根据权利要求1所述的载具,其特征在于,还包括导流件;
所述导流件设置于所述固定架,且所述导流件与所述支撑部间隔设置。
17.一种炉管镀膜设备,其特征在于,包括炉体、供气装置和权利要求1至16中任一项所述的基片载具;
所述炉体中空密封设置,所述供气装置与所述炉体的中空处连通,所述基片载具用于承载待镀膜基片,所述供气装置用于对所述待镀膜基片提供镀膜所需原料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211144695.1A CN115404462A (zh) | 2022-09-20 | 2022-09-20 | 基片载具及炉管镀膜设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211144695.1A CN115404462A (zh) | 2022-09-20 | 2022-09-20 | 基片载具及炉管镀膜设备 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115404462A true CN115404462A (zh) | 2022-11-29 |
Family
ID=84166398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211144695.1A Pending CN115404462A (zh) | 2022-09-20 | 2022-09-20 | 基片载具及炉管镀膜设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115404462A (zh) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0100539A2 (en) * | 1982-07-30 | 1984-02-15 | Tecnisco Ltd. | Assembled device for supporting semiconductor wafers or the like |
CN1886829A (zh) * | 2003-11-27 | 2006-12-27 | 株式会社日立国际电气 | 基板处理装置、基板保持器、和半导体装置的制造方法 |
CN101545103A (zh) * | 2008-03-25 | 2009-09-30 | 东捷科技股份有限公司 | 用以分布气体的装置 |
CN102738045A (zh) * | 2011-04-08 | 2012-10-17 | 东京毅力科创株式会社 | 基板保持件、立式热处理装置及立式热处理装置的运转方法 |
JP2020167239A (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 株式会社カネカ | 熱処理装置及び太陽電池の製造方法 |
-
2022
- 2022-09-20 CN CN202211144695.1A patent/CN115404462A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0100539A2 (en) * | 1982-07-30 | 1984-02-15 | Tecnisco Ltd. | Assembled device for supporting semiconductor wafers or the like |
CN1886829A (zh) * | 2003-11-27 | 2006-12-27 | 株式会社日立国际电气 | 基板处理装置、基板保持器、和半导体装置的制造方法 |
CN101545103A (zh) * | 2008-03-25 | 2009-09-30 | 东捷科技股份有限公司 | 用以分布气体的装置 |
CN102738045A (zh) * | 2011-04-08 | 2012-10-17 | 东京毅力科创株式会社 | 基板保持件、立式热处理装置及立式热处理装置的运转方法 |
JP2020167239A (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 株式会社カネカ | 熱処理装置及び太陽電池の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11848395B2 (en) | Preparation method for bifacial perc solar cell | |
EP3627561A1 (en) | Tubular perc single-sided photovoltaic cell and method for fabrication thereof and dedicated device | |
US8968473B2 (en) | Stackable multi-port gas nozzles | |
CN107039544A (zh) | P型perc双面太阳能电池及其制备方法、组件和系统 | |
CN115404462A (zh) | 基片载具及炉管镀膜设备 | |
CN107093636A (zh) | P型perc双面太阳能电池及其制备方法、组件和系统 | |
CN117117043B (zh) | N型钝化接触电池的形成方法及其制造系统 | |
CN110534618B (zh) | 一种基于激光扩散的全背接触ibc电池制备方法及电池 | |
CN105154983B (zh) | 单晶硅太阳能电池的制备方法 | |
CN106887478A (zh) | P型perc双面太阳能电池、组件和系统 | |
KR20130121377A (ko) | 태양전지 제조용 사각 기판 탑재 보트 | |
CN208715833U (zh) | 一种水平多层载具 | |
CN116404073A (zh) | 一种制备TOPCon电池中非晶硅薄膜的方法及装置 | |
CN207409505U (zh) | 一种双面p型perc太阳能电池及光伏系统 | |
WO2018157493A1 (zh) | P型perc双面太阳能电池及其制备方法、组件和系统 | |
CN215896428U (zh) | 新型倾斜式石英舟 | |
CN204315589U (zh) | 一种多晶硅太阳能电池的绒面结构 | |
CN203085500U (zh) | 扩散石英舟 | |
CN210607207U (zh) | 一种扩散石英舟 | |
CN209873097U (zh) | 一种用于平板式镀膜系统的硅片承载架及载板 | |
CN209087804U (zh) | 电池硅片承载机构及运输设备 | |
CN107046068A (zh) | P型perc双面太阳能电池及其制备方法、组件和系统 | |
KR101204786B1 (ko) | 태양전지 제조용 기판 안착 보트 | |
CN202373621U (zh) | 一种硅片镀膜用的石墨舟 | |
CN112838144A (zh) | 一种金字塔绒面上优化均匀性化的工艺方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: No. 27 Changjiang South Road, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province, China Applicant after: Jiangsu micro nano technology Co.,Ltd. Address before: No.11 Lijiang Road, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province Applicant before: Jiangsu micro nano technology Co.,Ltd. |