CN209873097U - 一种用于平板式镀膜系统的硅片承载架及载板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型的一种用于平板式镀膜系统的硅片承载架，包括承载孔和承载框，承载框用以承载硅片，且包括第一承载侧面、承载垂直面和第二承载侧面；第一承载侧面和第二承载侧面通过承载垂直面连接，第一承载侧面和第二承载侧面均由内往外逐渐向外倾斜，第一承载侧面和第二承载侧面与承载垂直面所形成的夹角α均为100‑150°；承载垂直面上均匀分布有多个用以承载硅片的承载柱。本实用新型的用于平板式镀膜系统的硅片承载架及载板，减少了硅片与载板的接触面积，实现了硅片的良好受热，硅片被加热的更快，防止绕镀现象，硅片载板稳定性好，易于取放硅片。本实用新型避免了硅片上下表面的遮挡，可实现上下表面同时镀膜。
Description
技术领域
本实用新型涉及光伏设备领域，更具体地说，涉及一种用于平板式镀膜系统的硅片承载架及载板。
背景技术
太阳能电池是光伏发电核心器件，在太阳能电池生产过程中，硅片放置在载板上，由载板承载进入太阳能电池镀膜设备，在设备中进行工艺制程反应，工艺制程中会生成氧化铝及氮化硅等物质，该物质附着能力较强，普通材料的载板被附着后难以清洗。同时，工艺制程的过程，腔室加热到400℃高温，最高达到600℃，在高温的环境中，载板受热变形也是一技术难题，变形过大，导致工艺效果差，产品性能不达标。电池镀膜设备输送线之间跨度大，传输系统由于结构受限，同时基于成本考虑，无法做到大功率、高扭矩，这样导致传输系统不能承受较重的载板，所以硅片载板的材料及结构是一大挑战。载板既要尺寸大、重量轻、热变形小、强度高、刚性好。此外，硅片在制程工艺中，硅片需要被加热，底部遮挡严重则加热时间长，热量大部分被载板带走，能耗高且不利于硅片的受热。
申请号为201621385774.1的中国实用新型专利提供了一种斜承载面碳纤维载板，是对板式PECVD工艺中的硅片载板的结构改进，在载板上开设有用于装载硅片的槽，槽的边沿具有用于托住硅片的承载面，承载面是向槽内倾斜的斜托面，斜托面布置在被承载硅片的至少两个侧边上。本实用新型将载板与硅片的接触面从现有的90°平台阶面改进成斜托面，进而将硅片和载板接触由面接触改成线接触，极大减少接触面，避免镀膜生产过程中的影响，避免膜层不利影响，提高了电池片的镀膜效率。该种结构虽然在申请号为01420788733.1的中国实用新型专利基础上将现有的90°平台阶面改进成斜托面以减小硅片与载板的接触面积，但是由于硅片与载板线接触，在长时间加热及硅片自身重力作用下，线接触的硅片与载板之间形成一定的咬合力而易于导致后续硅片不易取走，而且硅片受热后在自重情况下没有承托会产生下凹形变而影响硅片品质。
实用新型内容
有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种用于平板式镀膜系统的硅片承载架及载板，从载板结构入手，减少了硅片与载板的接触面积，实现了硅片的良好受热，硅片被加热的更快，防止绕射现象，硅片载板稳定性好，易于取放硅片。同时避免了硅片上下表面的遮挡，可实现在上下表面同时镀膜，提高了设备的适应能力。
为了达到上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种用于平板式镀膜系统的硅片承载架，包括承载孔和承载框，所述承载框用以承载硅片，且包括第一承载侧面、承载垂直面和第二承载侧面；
所述第一承载侧面和所述第二承载侧面通过所述承载垂直面连接，所述第一承载侧面和所述第二承载侧面均由内往外逐渐向外倾斜，所述第一承载侧面和所述第二承载侧面与所述承载垂直面所形成的夹角α均为100-150°；
所述承载垂直面上均匀分布有多个用以承载硅片的承载柱。
优选的，所述承载柱在所述承载垂直面上等距分布。
优选的，所述承载柱设置在相对的两个承载垂直面上，且每个承载垂直面上设置有两个承载柱。
优选的，所述承载垂直面的垂直高度为1-2mm。
优选的，所述第一承载侧面和所述第二承载侧面与所述承载垂直面所形成的夹角α均为 120°。
优选的，所述承载框为矩形框。
一种用于平板式镀膜系统的硅片载板，包括硅片承载架，所述硅片承载架为上述任意一项所述的硅片承载架。
根据上述的技术方案，可以知道，在本实用新型中，硅片承载架包括第一承载侧面、承载垂直面和第二承载侧面，承载垂直面上均匀分布有多个用以承载硅片的承载柱。硅片设置在第一承载侧面和第二承载侧面之间的承载垂直面上的承载柱上，而承载垂直面又与第一承载侧面和第二承载侧面之间具有一定的垂直距离，使得第一承载侧面和第二承载侧面能够更好的阻挡气流绕过载板沉积到硅片边缘，改善绕镀情况，承载柱与硅片的点面接触，减少了硅片与载板的接触面积，实现了硅片的良好受热，硅片被加热的更快，硅片载板稳定性好，易于取放硅片。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型的用于平板式镀膜系统的硅片承载架的立体图；
图2为本实用新型的用于平板式镀膜系统的硅片承载架的侧视图；
图3为本实用新型的用于平板式镀膜系统的硅片承载架的主视图；
图4为本实用新型的用于平板式镀膜系统的硅片载板的立体图；
其中，附图中标记如下：
1-第一承载侧面，2-承载垂直面，3-第二承载侧面，4-承载柱，5-承载孔，6-承载框。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-4，图1为本实用新型的用于平板式镀膜系统的硅片承载架的立体图；图2为本实用新型的用于平板式镀膜系统的硅片承载架的侧视图；图3为本实用新型的用于平板式镀膜系统的硅片承载架的主视图；图4为本实用新型的用于平板式镀膜系统的硅片载板的立体图。
如图1-3，一种用于平板式镀膜系统的硅片承载架，包括承载孔5和承载框6，所述承载框6用以承载硅片，且包括第一承载侧面1、承载垂直面2和第二承载侧面3；所述第一承载侧面1和所述第二承载侧面3通过所述承载垂直面2连接，所述第一承载侧面1和所述第二承载侧面3均由内往外逐渐向外倾斜，所述第一承载侧面1和所述第二承载侧面3与所述承载垂直面2所形成的夹角α均为100-150°；为了更好实现承载框6的对称和几何设计，所述第一承载侧面1和所述第二承载侧面3与所述承载垂直面2所形成的夹角α均为 120°，所述承载垂直面2上均匀分布有多个用以承载硅片的承载柱4。其中承载柱4可以与承载框6一体成型，以避免承载柱4和承载框6在高温情况下的结合牢固性，也可以镶嵌在承载垂直面2内，这里需要说明的是承载柱4的形状可以为长方形、正方形、圆形、椭圆形、三角形、梯形、五边形、以及其他不规则形状。通过第一承载侧面1和第二承载侧面 3的设计可以保证在硅片上料时存在向下滑动趋势，更加稳定的设置在承载框6内，经过一定距离后，硅片才被放置到承载框6内，同时承载框6的微小变形亦不会影响到承载垂直面 2，硅片受到载板的变形的影响亦减少很多，保证了在工艺传输过程中的稳定性，减少抖动与碎片情况，同时由于硅片设置在第一承载侧面1和第二承载侧面3之间的承载垂直面2上的承载柱4上，而承载垂直面2又与第一承载侧面1和第二承载侧面3之间具有一定的垂直距离，使得第一承载侧面1和第二承载侧面3能够更好的阻挡气流绕过载板沉积到硅片边缘，改善绕镀情况，承载柱4与硅片的点面接触，减少了硅片与载板的接触面积，实现了硅片的良好受热，硅片被加热的更快，硅片载板稳定性好，易于取放硅片。其中，为了更好的适应硅片的厚度以及承载框6的设计高度要求，承载垂直面2的垂直高度为1-2mm，通过适当限制承载垂直面2的高度以限制承载柱4的宽度，同时通过合理控制承载柱4的长度，比如承载柱4的长度为0.2-1mm，节约成本的同时，以使得承载柱4在能够满足支撑硅片的情况下，尽量减少承载柱4与硅片的接触面积，从而减少硅片镀膜面积的损失又能够起到一定的防绕镀效果，又极大的节约了资源和成本。
如图1和3所示，为了节约成本，又能够保证硅片的承载稳定性，将承载柱4设置在相对的两个承载垂直面2上，且每个承载垂直面2上设置有两个承载柱4，承载柱4在所述承载垂直面2上等距分布，这样的设计可以减少承载柱4与硅片的接触面积，从而减少硅片镀膜面积的损失。
在本实用新型的另一个具体实施例中，如图1和3所示，所述承载框6为矩形框。由于硅片一般情况是矩形片，所以为了放置承载框6的变形和增加硅片的稳定性，将承载框6设计成与硅片相匹配的矩形，以稳定的承载硅片的同时，减少硅片与载板的接触面积，使得硅片被加热的更快。
如图4所示，一种用于平板式镀膜系统的硅片载板，包括硅片承载架，所述硅片承载架为上述任意一项所述的硅片承载架
综上所述，本实用新型的用于平板式镀膜系统的硅片承载架及载板，减少了硅片与载板的接触面积，实现了硅片的良好受热，硅片被加热的更快，防止绕射现象，硅片载板稳定性好，易于取放硅片。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (7)
1.一种用于平板式镀膜系统的硅片承载架，其特征在于，包括承载孔和承载框，所述承载框用以承载硅片，且包括第一承载侧面、承载垂直面和第二承载侧面；
所述第一承载侧面和所述第二承载侧面通过所述承载垂直面连接，所述第一承载侧面和所述第二承载侧面均由内往外逐渐向外倾斜，所述第一承载侧面和所述第二承载侧面与所述承载垂直面所形成的夹角α均为100-150°；
所述承载垂直面上均匀分布有多个用以承载硅片的承载柱。
2.如权利要求1所述的用于平板式镀膜系统的硅片承载架，其特征在于，所述承载柱在所述承载垂直面上等距分布。
3.如权利要求1所述的用于平板式镀膜系统的硅片承载架，其特征在于，所述承载柱设置在相对的两个承载垂直面上，且每个承载垂直面上设置有两个承载柱。
4.如权利要求1所述的用于平板式镀膜系统的硅片承载架，其特征在于，所述承载垂直面的垂直高度为1-2mm。
5.如权利要求1所述的用于平板式镀膜系统的硅片承载架，其特征在于，所述第一承载侧面和所述第二承载侧面与所述承载垂直面所形成的夹角α均为120°。
6.如权利要求1所述的用于平板式镀膜系统的硅片承载架，其特征在于，所述承载框为矩形框。
7.一种用于平板式镀膜系统的硅片载板，其特征在于，包括硅片承载架，所述硅片承载架为权利要求1至6任意一项所述的硅片承载架。
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